TWI400479B - 供奈米壓印方法中之基材所用之配向系統及方法 - Google Patents

Description

供奈米壓印方法中之基材所用之配向系統及方法 發明領域

本發明之領域一般係有關於構造之奈米製造。

發明背景

奈米製造涉及例如具有奈米或更小等級之特徵的非常微小構造之製造。奈米製造其中一具有相當大影響之領域係在於積體電路之加工。由於半導體加工業持續努力爭取更大的產能，同時增加形成在一基材上之每單位面積的電路，故奈米製造便逐漸重要。奈米製造提供更大的程序控制，同時能夠加強降低所形成之構造的最小特徵尺寸。其他已經使用奈米製造之發展領域包括生物科技、光學技術、機械系統與類似物。

奈米製造技術之一範例係普遍稱之為壓印光微影。示範性壓印光微影程序係描述於許多公開案中，諸如美國專利申請公開案2004/0065976號，該公開案申請成為美國專利申請案10/264,960號，標題為「在一基材上佈置特徵，用以複製具有最小尺寸變化性之特徵的方法與模具」；美國專利申請公開案2004/0065252號，該公開案申請為美國專利申請案10/264,926號，標題為「在一基材上形成一層，以有助於度量衡標準之製造的方法」；以及美國專利案第6,936,194號，標題為「用於壓印光微影程序之功能性圖案成形材料」，上述所有專利係指讓於本發明之受讓人，並以 參考方式併入本文中。

上述各個美國專利申請公開案以及美國專利案中所揭露之壓印光微影技術包括在一可聚合化層中形成一浮雕圖案，以及將一對應該浮雕圖案之圖案轉移到一下方基材。該基材能夠佈置在一運動台上，以獲得一所需位置，有助於其形成圖案。為此目的係使用一樣板，其係以一可形成液體存在於樣板以及基板之間而與該基材隔開。該液體係加以固化，以形成一固化層，其中紀錄有一圖案，該圖案係符合樣板與液體相接觸之表面的形狀，樣板接著係與固化層分離，以致於使該樣板與基材分離。基材與固化層接著係進行加工，以便將一對應固化層中之圖案的浮雕影像轉移進入該基材中。

發明概要

一種用以使一透明壓印樣板模具對齊一基材之系統，其包含一掃瞄感應器系統，該系統產生一束光學能量，且係構造成僅接受從偵測表面反射，產生在一相對於基材之一表面的角度範圍中之部分光學能量。格柵係配置成圍繞一對應壓印樣板之作用區域，該等格柵在對應到一預定尺寸增額之節距處具有偵測表面，以便能夠判定位置。該系統進一步包含一工具定位系統，用以藉著工具座標判定，定位位在透明樣板模具下方的基材。該系統具有一定位台，其配置於感應器系統以及基板之間，該定位台係構造成相對於基材之一表面佈置壓印樣板模具的一作用區域。

該系統具有一控制器，用以產生控制訊號，其運作用以定位基材以及感應器系統。該等感應器訊號反應從樣板或基材反射或散射之接受光學能量中的變化。

首先係揭露一種在台件座標中定位與對齊樣板之方法。樣板具有可壓印特徵之一作用區域。樣板上之格柵係與壓印特徵同時產生，且因此係準確地對於該等壓印特徵定位。格柵可由連續線段或是多重段線段所構成。感應器系統產生一光學能量束，且係構造成僅接受屬於相對於測量表面之表面的微小角度範圍內的部分之光學能量。感應器訊號係在一控制器中進行處理，以便在工具座標中定位樣板。

在另一實施例中，當測量光束係經由一反射表面加以反射，該表面係為傾斜，以便將反射光束導引到感應器之接收器時，相同之光學感應器能夠定位基材之邊緣。當基材之邊緣阻擋返回光束時，位於接收器處的光學能量產生變化，如此顯示出基材邊緣之位置，便能夠判定基材之中心位置以及基材之直徑ID。

在另一實施例中係揭露一種在台件座標框架中定位/配向壓印基材之類似的系統/方法。基材在以具有相符格柵進行壓印之後包含格柵。基材上之格柵具有對應於樣板的格柵相同之節距，能夠使用與樣板所使用相同的感應器，以便藉著收集來自於基材格柵的光學能量定位/配向該基材。藉由測量位於基材上之壓印格柵的位置與方位，格柵相對於基材之誤差能夠用以補償後續壓印之對中以及方位 誤差。用於對中誤差之補償能夠加以調整，以便使位於基材上之壓印特徵能夠加以偏壓到一預定方向。

圖式簡單說明

第1圖係為一具有與一基材相隔開之模具的光微影系統之簡化側視圖；第2圖係為第1圖中所示之基材的一側視圖，該基材上具有一圖案形成層；第3A圖顯示具有一圍繞一作用區域之附加格柵的樣板；第3B圖顯示根據文中之實施例，由一感應器系統照射在第3A圖之樣板上的一格柵之背側上的光束；第3C圖顯示第3B圖中之該感應器的示範性波形；第4A圖顯示根據文中之實施例，第3B圖之感應器系統在其光束跨過一基材邊緣，且照射在一夾頭之倒角表面上時的狀況；第4B圖顯示第4A圖中之感應器在感應器系統掃瞄跨過基材邊緣時的一示範性波形；第5圖顯示掃瞄跨過一基材邊緣上之斜面的感應器系統；第6A圖顯示原處對齊測量法架構掃瞄跨過壓印在基材上之格柵，並且跨過基材邊緣以及夾頭倒角的感應器系統；第6B圖顯示適合用以判定一壓印圖案在一基材上之位置的測量法；第7A圖係為一用於文中之一實施例的方法步驟之流程圖；第7B圖係為一用於文中之另一實施例的方法步驟之流程圖。

較佳實施例之詳細說明

第1圖顯示一種構造成用以在一基材12上形成一浮雕圖案的系統10。基材12能夠耦合到一基材夾頭14。如圖所示，基材夾頭14係為一真空夾頭，然而，基材夾頭14可為任何形式的夾頭，包括但非限定於：真空式、插銷式、溝槽式，或者是電磁式夾頭，如同美國專利第6,873,087號，標題為「用於壓印微影程序之高精度方位校準以及間隙控制台」中所描述者，其係以參考方式併入本文中。基材12以及基材夾頭14能夠支撐在一台件16上。此外，台件16、基材12以及基材夾頭14能夠佈置在一基底(未顯示)上。台件16能夠提供對於X與Y軸之運動。

一圖案成形裝置17係與基材12隔開。圖案成形裝置17包含一樣板18，該樣板具有一從其朝向基材12延伸之台面20，台面上具有一圖案成形表面22。此外，台面20能夠稱之為一模具20，台面20亦能夠稱之為一奈米壓印模具20。在另一實施例中，樣板18能夠大體上不具備模具20。樣板18且/或模具20能夠由此等材料所形成，包括但非限定於：熔態二氧化矽、石英、矽、有機聚合物、矽氧烷聚合物、矽硼玻璃、氟碳聚合物、金屬以及硬化藍寶石。如圖所示，圖案成形表面22包含藉由複數個隔開的凹處24以及突出物26加以界定之特徵。然而，在另一實施例中，圖案成形表面22能夠大體上平滑且/或平坦。圖案成形表面22能夠界定一原始圖案，其形成欲形成在基材12上之一圖案的基礎。 樣板18能夠耦合到由一組夾頭所選出之一個樣板夾頭28，包括但非限定於：真空式、插銷式、溝槽式，或者是電磁式夾頭，如同美國專利第6,873,087號，標題為「用於壓印微影程序之高精度方位校準以及間隙控制台」中所描述者。此外，樣板夾頭28能夠耦合到一壓印頭30，以有助於樣板18之移動，且因而有助於模具20的移動。在以下的詳細描述中，該樣板18與模具或台面20能夠稱之為一樣板模具以簡化描述。

系統10進一步包含一流體分配系統32。流體分配系統32係構造成將聚合性材料34沈積在基材12上。系統10能夠包括任何數量的流體分配器，且流體分配系統32本身能夠包含複數個分配單元。聚合性材料34能夠使用任何已知的技術佈置在基材12上，例如：液滴分配、旋轉塗佈、沈浸塗佈、化學蒸汽沈積(CVD)、物理蒸汽沈積(PVD)、薄膜沈積、厚膜沈積以及類似技術。典型而言，聚合性材料34係在將模具20移動進入一預定的基材12鄰近處以前配置在基材12上，從而在模具20與基材12之間建立一所需的體積。然而，聚合性材料34之數量能夠加以估量，故當將模具20佈置在所需的基材鄰近處20時能夠充填該所需的體積。

參考第1圖與第2圖，系統10進一步包含耦合到一能量40之能量來源38，以便沿著一路徑42導引能量40。壓印頭30以及台件16係構造成疊印模具20與基材12，並且將其配置在路徑42中。壓印頭30、台件16任何一者或是二者能夠藉由聚合性材料34加以充填。在以聚合性材料34充填過所 需的體積之後，能量來源38便產生能量40(例如寬帶超紫外光輻射)，以便使聚合性材料34硬化且/或交互連結，從而形成基材12之一表面44的形狀、圖案成形表面22，並且在基材12上界定出一圖案成形層46。

圖案成形層46能夠包含一殘留層48以及複數個顯示為突出物50與凹處52的特徵。系統10能夠藉由一處理器54加以控制，該處理器係與台件16、壓印頭30、流體分配系統32以及能量來源38資料交流，其中該處理器54以貯存在記憶體56中之一電腦可讀程式加以運作。

上述系統能夠進一步使用在參考美國專利第6,932,934號，標題為「於一壓印微影程序期間形成不連續薄膜」；美國專利第7,077,992號，標題為「階段與重複壓印微影程序」；以及美國專利第7,179,396號，標題為「正調雙層壓印微影法」；以及美國專利第7,396,475號，標題為「使用壓印微影形成階狀構造」的壓印微影程序與系統，所有專利係以參考方式併入本文中，在另一實施例中，上述系統能夠用於任何已知的技術，例如，光微影(各種波長，包括G線、I線、248奈米、193奈米、157奈米以及13.2~13.4奈米)、接觸微影、電子束微影、X射線微影、離子束微影以及原子束微影。

本發明有助於偵測位在壓印工具上的透明樣板模具，尤其是適用於具有圖案的媒介物壓印工具。典型而言，對於圖案形成而言需要一個位數微米的同心度對齊性。如此需要一系統以及方法，其能夠判定樣板作用區域以及基板 之間在工作台座標中幾個微米範圍內的相對位置。符合此系統需求係由於對於樣板18邊緣放置模具20的不良準確性而變得更加複雜(亦即，樣板18之邊緣不能用以判定樣板18作用區域的位置)。此外，樣板18係以其作用區域面對晶圓夾頭14(向下)之方式加以佈置，如此限制了能夠偵測耦合到模具20之樣板18的感應器之佈置。因此，需要一種能夠偵測樣板18，同時觀測其非作用區域側，並且判定其在工作台座標中的位置，而無須使用樣板18之邊緣作為一參考的系統。同樣地，為了偵測基材12，能夠僅使用基材12之邊緣或倒角作為一參考。

其他相關的問題係為壓印圖案對於基材12之同心度對準性的方向誤差。此一後壓印測量法提供重要的資料，以更新基材12之對中位置。在加工期間於工具中必須實行線上後壓印測量法。

第3A圖係為一具有一帶有一作用區域303之壓印模具(例如，模具20)的樣板301之一表面圖。在此實施例中，圓形格柵302係繞著該作用區域303形成。該格柵302在壓印模具(例如，模具20)之製造期間係形成在作用區域的相同側。第3B圖係為一發射器307以及一感應器304之一側視圖，文中為求簡化而稱之為感應器系統315。發射器307與感應器304係對於垂直於與表面308平行之表面成一角度加以佈置。來自於發射器307之光線照射到透明樣板模具，並且照射在格柵302之背側上。從格柵302反射之光線隨著照射光線從格柵的井部309移動到尖端310而變化。當照射光 線處於井部309中時，格柵之邊緣與反射光線會產生干擾，且當光線照到尖端310時則不會產生干擾。格柵302係形成一準確節距，以致於使電子訊號在與一距離參數成正比的時間具有電壓轉變。感應器304與發射器307係以此方式佈置，以致於使得僅屬於某角度範圍內的反射光線能夠到達該感應器304。第3C圖顯示具有一波峰322以及一波谷321之一電壓波形320，其係為藉由感應器304在格柵之「齒格」通過發射器307的光束305時所接收之反射光線306所產生的典型波形。所顯示之脈衝的寬度係與格柵「齒格」的實體寬度或節距成正比。

第4A圖顯示發射器307與感應器304相對於基材401以及夾頭402之一側視圖。在此實施例中，入射光線305與反射光線306與基材401以及夾頭402之邊緣產生作用。夾頭402能夠構造成帶有一反射斜角或是倒角403，以確保反射光線306在基材401之邊緣通過時會錯開感應器304。以此方式，基材401之邊緣能夠藉由到達感應器304的反射光線之急遽下降而加以偵測。

第4B圖顯示當感應器系統315掃瞄涵蓋基材401之邊緣，並且照射在夾頭402上時，藉由感應器304所產生的一示範性波形。強度412表示當光線305從基材401反射之感應器訊號，且強度411則表示當光線305照射在夾頭402之表面403上的感應器訊號。

第5圖顯示基材401之邊緣係構造成具有一倒角501的一實施例。在此實施例中，當感應器系統315掃瞄涵蓋基材 401之邊緣時將會產生一訊號變化。倒角501之角度將會使入射光線305採用另擇路徑306，如此致使較少的反射光線照射在感應器304上。

第6A圖顯示一實施例，其中格柵302係與一作用區域一起壓印成為壓印格柵601。一旦訂定基材401之邊緣，感應器系統315接著能夠進行掃瞄，直到格柵301之第一「齒格」定位為止。以此方式，便能夠判定樣板301對於基材401之邊緣的位置。在此案例中，壓印特徵之位置能夠使用感應器系統315對於基材的邊緣加以訂定。感應器在測量基材之邊緣與格柵期間的位置保持不變。

第6B圖顯示一成形基材602，其具有一內部邊緣603以及一外部邊緣(未顯示)。感應器系統315能夠從基材之內部邊緣掃瞄跨過格柵601。同樣地，掃瞄亦能夠從基材之外部邊緣跨過該等格柵。在此顯示圖中係進行四種測量(d1~d4)，各個垂直軸線上進行兩次測量。以此方式，便能夠判定壓印圖案對於基材602的同心度。

本發明藉著提供一種判定樣板301以及基材401在台件內位置座標的構件而解決問題。一組用於樣板位置偵測之格柵302於樣板製造程序期間係在預先界定位置加以蝕刻成為樣板301。由於格柵302組係與作用區域一併製造，故能夠作為參考，以判定樣板301作用區域之位置。這些格柵302可為矩形或是圓形，依照初始之θ(角度)對齊需求而定。格柵302具有一基於入射雷射光束(發射器307)之波長而加以設計的特定節距。格柵302之尺寸係基於雷射光束307 的光斑尺寸以及系統需要之位置敏感度而加以設定。該系統涉及在樣板301與基材401上方佈置一雷射發射器307以及一光電偵測器304。光電偵測器304係以一種方式加以佈置，使其僅能接收以一特定角度反射之光線306。樣板301係佈置到一裝載機械上，並藉著位於偵測感應器下方之X-Y台件加以移動。光電偵測器304係構造成當雷射光束306沒有照射在格柵302上時產生一空訊號。然而，當雷射307照射在格柵302上時，第一階繞射光線(306)將會照射在光電偵測器304上，藉以產生一電子訊號。此訊號能夠用以判定樣板301在XY台件中(例如，第1圖中的16)或是工具座標的位置。在繞射模式中，當光束306離開基材401之邊緣時，感應器304上將不會偵測到回射光線306之強度。然而，當光束306照射在基材401之邊緣上時，該邊緣便能夠將回射光線306導引到感應器304。

在另一實施例中，一小傾斜表面403係設置在雷射發射器307以及位於晶圓夾頭402上的光電偵測器304之間。此反射表面403之傾斜程度係等於光源與偵測器之間角度的一半。當將基材401放置在夾頭402上時，內部邊緣將會覆蓋該傾斜表面403。在此實施例中，當光束305照射在晶圓夾頭402上時，來自於發射器307之光束305係完全地反射進入偵測器304。當掃瞄光束305照射到基材401之邊緣時，該光束305不是遭到阻擋就是導引入一不同的角度(光束306)，以致於不會有光束到達光電偵測器。此訊號401之急遽下降(斜率412)能夠用以偵測基材401的邊緣。

樣板301與基材401所用之感應器可為相同的單元，如此接著消除了對於樣板301與基材401使用兩組不同之感應器時所需要的校正程序。

當樣板格柵302係壓印在基材401上時，複製之格柵601能夠提供樣板301對於基材401的對中資訊。相同的感應器系統315此時能夠偵測兩種參考物：壓印格柵601以及基材401之邊緣。

第7A與7B圖係為併入文中之方法步驟。在步驟701中，一感應器系統係佈置在透明模具以及基材上方。該感應器系統產生一束光學能量，且係構造成僅接收從偵測表面以一角度範圍加以反射之部分的光學能量。感應器系統亦產生感應器訊號，以反應接收從透明樣板模具與基材之偵測表面所反射的光學能量之變化。在步驟702中，透明樣板基材係反應控制訊號加以佈置，以便在工具座標中定位透明樣板模具。透明樣板模具具有一帶有可壓印特徵之作用區域，其藉由格柵加以圍繞，該等格柵在對應一預定尺寸增量之一節距處具有偵測表面。在步驟703中，基材係反應控制訊號加以佈置，以便在工具座標中定位基材，基材具有構造成偵測表面之邊緣。在步驟704中，感應器訊號係在一控制器中進行處理，以便在工具座標中對於基材定位該透明樣板模具。在步驟705中係產生控制訊號，藉以在工具座標中對於透明樣板模具準確地定位該基材。

在另一實施例中係併入額外的步驟。在步驟706中，格柵與作用區域之一圖案係壓印在該基材上。在步驟707中， 該等格柵與作用區域在基材上之壓印圖案係藉著感應器系統加以掃瞄，藉以從對應到基材邊緣的偵測表面以及位於壓印格柵上之偵測表面產生感應器訊號。在步驟708中，該等感應器訊號係在一控制器中進行處理，以便在工具座標中對於基材之邊緣定位該壓印圖案，以判定作用區域對於基材之同心度，有助於程序控制。

根據本發明之實施例，第7A~7B圖中所需要的步驟能夠透過處理器54加以控制，以便在系統10上運作。該等處理步驟能夠儲存成一儲存在記憶體56內之電腦系統中的程式步驟。

以上所述之本發明的實施例係為示範性質，能夠對於上述揭露內容進行許多改變與修正，同時仍屬於本發明之範疇。因此，本發明之範疇不應藉由上述描述加以限制，而應參考所附申請專利範圍以及其完全同等物加以界定。

10‧‧‧系統

12‧‧‧基材

14‧‧‧基材夾頭

16‧‧‧台件

17‧‧‧圖案成形裝置

18‧‧‧樣板

20‧‧‧台面

22‧‧‧圖案成形表面

24‧‧‧凹處

26‧‧‧突出物

28‧‧‧樣板夾頭

30‧‧‧壓印頭

32‧‧‧流體分配系統

34‧‧‧聚合性材料

38‧‧‧能量來源

40‧‧‧能量

42‧‧‧路徑

44‧‧‧表面

46‧‧‧圖案成形層

48‧‧‧殘留層

50‧‧‧突出物

52‧‧‧凹處

54‧‧‧處理器

56‧‧‧記憶體

301‧‧‧樣板

302‧‧‧格柵

303‧‧‧作用區域

304‧‧‧感應器

305‧‧‧光束

306‧‧‧反射光線/另擇路徑

307‧‧‧發射器

308‧‧‧表面

309‧‧‧井部

310‧‧‧尖端

315‧‧‧感應器系統

320‧‧‧電壓波形

321‧‧‧波谷

322‧‧‧波峰

401‧‧‧基材

402‧‧‧夾頭

403‧‧‧倒角

411‧‧‧強度

412‧‧‧強度

501‧‧‧倒角

601‧‧‧壓印格柵

602‧‧‧基材

603‧‧‧內部邊緣

701-708‧‧‧步驟

第1圖係為一具有與一基材相隔開之模具的光微影系統之簡化側視圖；第2圖係為第1圖中所示之基材的一側視圖，該基材上具有一圖案形成層；第3A圖顯示具有一圍繞一作用區域之附加格柵的樣板；第3B圖顯示根據文中之實施例，由一感應器系統照射在第3A圖之樣板上的一格柵之背側上的光束；第3C圖顯示第3B圖中之該感應器的示範性波形；第4A圖顯示根據文中之實施例，第3B圖之感應器系統 在其光束跨過一基材邊緣，且照射在一夾頭之倒角表面上時的狀況；第4B圖顯示第4A圖中之感應器在感應器系統掃瞄跨過基材邊緣時的一示範性波形；第5圖顯示掃瞄跨過一基材邊緣上之斜面的感應器系統；第6A圖顯示原處對齊測量法架構掃瞄跨過壓印在基材上之格柵，並且跨過基材邊緣以及夾頭倒角的感應器系統；第6B圖顯示適合用以判定一壓印圖案在一基材上之位置的測量法；第7A圖係為一用於文中之一實施例的方法步驟之流程圖；第7B圖係為一用於文中之另一實施例的方法步驟之流程圖。

301‧‧‧樣板

302‧‧‧格柵

304‧‧‧感應器

305‧‧‧光束

306‧‧‧反射光線/另擇路徑

307‧‧‧發射器

308‧‧‧表面

309‧‧‧井部

315‧‧‧感應器系統

Claims (17)

1. 一種用以使一樣板模具對齊一基材之系統，其包含：一配置在該樣板模具以及基材上方之感應器系統，其產生一光學能量束，且係組配成僅接受從該基材與該樣板模具之偵測表面以一角度範圍加以反射之部分的光學能量；繞著該樣板模具之一作用區域配置之格柵，其中該等格柵具有間距對應一預定尺寸增量之偵測表面；一工具定位系統，用以在工具座標中相對於該樣板模具定位該基材，以反應基材控制訊號，其中該基材具有數個經組配成偵測表面之邊緣；一配置在該感應器系統與該基材之間的定位台，該定位台係組配成在該工具座標中相對於基材之一表面定位該樣板模具的該作用區域，以反應樣板控制訊號；及一控制器，用以產生該等基材與樣板控制訊號，並且相對於該感應器系統定位該基材與樣板模具，以反應由該感應器系統所產生的訊號，該感應器系統反應於所接收到之光學能量方面的變化，該光學能量係從該等格柵及該基材之該等偵測表面反射。
2. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該等格柵係在形成該樣板模具之該作用區域的壓印特徵之同時形成為位於該樣板模具上的壓印特徵。
3. 如申請專利範圍第1或2項之系統，其中該感應器系統包 含一雷射光發射器，其產生該光學能量束；以及一對於雷射光之頻率敏感的光偵測器，其接收從偵測表面以一角度範圍加以反射之部分的光學能量。
4. 如申請專利範圍第3項之系統，其中從一偵測表面以屬於一預定角度範圍加以反射之雷射光係照射到該光偵測器上。
5. 如申請專利範圍第1項之系統，其中該等格柵係組配成具有對應一預定距離參數之間距的一系列之平行等距矩形波峰以及波谷。
6. 如申請專利範圍第1項之系統，其中一固持該基材之夾頭係組配成具有偵測表面，以有助於定位基材之邊緣，該等偵測表面包含一反射斜角或導角，該反射斜角或導角確保當通過該基材之邊緣時，反射的能量錯開該感應器系統。
7. 如申請專利範圍第6項之系統，其中格柵係在該作用區域的特徵壓印到該基材上之同時壓印到該基材上，且其中該控制器係組配成用以控制該感應器系統，使得該感應器系統掃描過該基材之邊緣，以定位同一個該基材之邊緣，並且一旦該基材之邊緣被定位，該感應器系統會一直掃描到該格柵被定位為止，藉以決定該樣板相對於該基材之一邊緣的位置。
8. 如申請專利範圍第7項之系統，其中該基材具有一內邊緣以及一外邊緣，且其中該感應器系統係從該基材之該內邊緣掃描跨過該格柵及從該基材之該外邊緣掃描跨 過該格柵，以決定該壓印作用區域對於該基材之邊緣的同心度。
9. 一種用以將一樣板模具對齊一基材之方法，其包含：將一感應器系統放置在該樣板模具以及該基材上方，該感應器系統產生一光學能量束，並且係組配成僅接受從偵測表面以一角度範圍內加以反射之部分的光學能量，其中該感應器系統產生感應器訊號，以反應從該樣板模具以及該基材之偵測表面反射的接收光學能量方面之變化；反應於控制訊號來定位該樣板模具，以便在工具座標中定位該樣板模具，其中該樣板模具具有一作用區域，該作用區域帶有由格柵所圍繞之可壓印特徵，該等格柵具有間距對應到一預定尺寸增量之偵測表面；反應於控制訊號來定位該基材，以便在工具座標中定位該基材，其中該基材之邊緣係組配成偵測表面；在一控制器中處理該等感應器訊號，以便在工具座標中相對於該基材定位該樣板模具；及產生該等控制訊號，藉以在工具座標中準確地對於該樣板模具定位該基材。
10. 如申請專利範圍第9項之方法，其進一步包含：在該基材上壓印該等格柵以及該作用區域之一圖案；以該感應器系統掃瞄位於該基材上之該等格柵與該作用區域的壓印圖案，從而由對應到基材邊緣之偵測 表面以及該壓印格柵上之偵測表面產生感應器訊號；及在該控制器中處理該等感應器訊號，以便在工具座標中對於該基材之該等邊緣定位該壓印圖案，以決定該作用區域與該基材之同心度，以助於程序控制。
11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中該等格柵係在該樣板模具之該作用區域的壓印特徵形成之同時形成為該樣板模具上的壓印特徵。
12. 如申請專利範圍第10項之方法，其中該等格柵係在該樣板模具之該作用區域的壓印特徵形成之同時形成為該樣板模具上的壓印特徵。
13. 如申請專利範圍第9、11或12項之方法，其中該感應器系統包含一雷射光發射器，其產生該光學能量束；以及一對於該雷射光之頻率敏感的光偵測器，其接收從偵測表面以一角度範圍內加以反射之部分的光學能量。
14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該雷射光發射器以及光偵測器係相對地加以定位，以致於僅使得從一偵測表面以一預定角度範圍內加以反射之雷射光會照射到該光偵測器上。
15. 如申請專利範圍第9項之方法，其包含一步驟，使該等格柵係在壓印該作用區域之特徵於該基材上的同時壓印到該基材上。
16. 如申請專利範圍第15項之方法，其進一步包含：藉由該感應器系統掃描該基材上的該等格柵及該作用區域之壓印圖案； 從對應該等基材邊緣的偵測表面以及從該等壓印格柵上的偵測表面產生感應器訊號；及處理該控制器中的該等感測器訊號，以在工具座標中相對於該基材之該等邊緣定位格柵的該壓印圖案，並且用以決定該作用區域與該基材之同心度。
17. 如申請專利範圍第9項之系統，其中該等格柵係組配成為具有間距對應一預定距離參數的一系列之平行等距矩形波峰以及波谷。