TWI396763B - 濺鍍式鍍膜承載台及鍍膜機台 - Google Patents

Description

濺鍍式鍍膜承載台及鍍膜機台

本發明涉及一種鍍膜設備，尤其涉及一種濺鍍式鍍膜承載台及鍍膜機台。

鍍膜技術係一種新穎之材料合成與加工新技術，係表面工程技術領域之重要組成部分。鍍膜技術係利用物理、化學手段於固體表面塗覆一層特殊性能之薄膜，從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導電、導磁或絕緣等許多優越性能，從而達到提高產品品質、延長產品壽命、節約能源和獲得顯著技術經濟效益之作用。濺鍍係鍍膜技術中之一種，其利用輝光放電產生之離子去撞擊靶材，將靶材內之原子撞出而沈積於基材上。由於濺鍍具有極佳之沈積效率、大尺寸之沈積厚度控制、精確之成份控制及較低之製造成本等優點，因此於工業上之應用非常廣泛。

現在為了防止手機相機光學模組中之鏡筒、鏡座等元件受到手機中其他元件之電磁幹擾，通常需要於光學模組中之鏡筒、鏡座等組件上鍍一層抗EMI(Electro Magnetic Interference)膜。於業界，常用連續式濺鍍機(in-line sputtering)對鏡筒、鏡座等元件進行鍍膜，這種連續式濺鍍機具有速度快、產量高且鍍膜品質好等優點。然而，這種連續式濺鍍機所包括之用於承載待鍍元件之載台之散熱性能不佳，導致載臺上之元件溫度過高進而造成扭曲變形等損傷。

有鑒於此，提供一種散熱性能良好之濺鍍式鍍膜承載台及鍍膜機台實為必要。

本發明提供了一種濺鍍式鍍膜承載台，其包括：一第一載具及一中空之第二載具。該第一載具包括一承載部及與其相對之底部。該承載部延伸出至少一個突起，該突起具有與待鍍元件相配合之形狀，用於承載待鍍元件，並將待鍍元件之熱量傳遞至第一載具之底部。該第二載具與該第一載具之底部緊密結合，用於吸收該第一載具之底部傳遞之熱量。

本發明還提供了一種濺鍍式鍍膜機台，其包括一腔體、一濺鍍源及一承載台，該承載台包括：一第一載具及一中空之第二載具。該第一載具包括一承載部及與其相對之底部。該承載部延伸出至少一個突起，該突起具有與待鍍元件相配合之形狀，用於承載待鍍元件，並將待鍍元件之熱量傳遞至第一載具之底部。該第二載具與該第一載具之底部緊密結合，用於吸收該第一載具之底部傳遞之熱量。

相較於先前技術，該濺鍍式鍍膜承載台具有用於承載待鍍膜元件之第一載具結構，該第一載具具有至少一突起，該突起之形狀與待鍍膜元件之形狀相配合，於對待鍍膜之元件進行鍍膜時，待鍍膜之元件套設於該突起上，由於該第一載具及突起均由導熱性能良好之金屬製成，且待鍍元件套設於該突起之上，使待鍍元件與該突起及第一載具之接觸面積最大，可使待鍍元件之散熱面積達 到最大，故待鍍元件之熱量可以通過第一載具傳導至該第二載具從而防止待鍍膜之元件上之溫度過高進而對其造成損傷。

下面將結合附圖，對本發明作進一步之詳細說明。

請參閱圖1及圖2，本發明實施例提供之濺鍍式鍍膜承載台100包括一第一載具10及一中空之第二載具20。

該第一載具10為長方形平板狀結構，其包括一承載部11及與其相對之底部12，該承載部11延伸出至少一個突起13，該突起13具有與待鍍元件相配合之形狀，用於承載待鍍元件，並將待鍍元件之熱量傳遞至第一載具之底部12。

該待鍍元件將套設於該至少一個突起13上。該至少一個突起13為複數，其均勻排布於該第一載具10上。該突起具有之形狀與該待鍍元件相互配合。例如：此處待鍍膜之元件為一種鏡筒，該鏡筒係一種中空圓柱體結構，那麼突起13之結構可以設置成圓柱體，該圓柱體突起之大小與鏡筒內部之空間大小相同，以使該待鍍元件，即鏡筒之內壁，跟該突起完全接觸，而達到接觸面積最大，從而利於熱量之傳遞。

可以理解的是，該突起13亦可以為其他結構，例如長方體、圓錐體或其他不規則形狀，只要能夠承載待鍍膜之元件並使待鍍膜之元件與該突起13及承載部11緊密接觸即可。

可以理解的是，該第一載具10之結構亦可以係其他結構，例如圓形板狀結構，扇形或其他形狀等，其可以根據具體需要而設計。

該第一載具10之材料應選自導熱性能良好之金屬材料，例如：銅、鋁、鐵、鎳、鈦、鋼、碳鋼、不銹鋼，及銅、鋁、鐵、鎳、鈦之中至少兩種金屬之合金等。於本實施例中，該第一載具10所用材料為銅。

該第二載具20為中空結構之長方形或其他形狀結構，該第二載具20與該第一載具10之底部12緊密結合，用於吸收該第一載具10之底部12傳遞之熱量。

於本實施例中，該第一載具10和中空之第二載具20均為平板形結構。可以理解的是，其具體形狀和結構可以根據實際需要而設計，並不局限於此結構。

該中空之第二載具20內收容有冷卻流體21，該冷卻流體21可為純水、氨水、甲醇、丙酮、庚烷或其混合液體，於該冷卻流體21中亦可加入導熱粒子進一步提高導熱效率，如奈米碳管、奈米碳球、銅奈米粉或以上至少兩種成分組合之粒子。

該第二載具20上具有進液口22和出液口23，該進液口22和出液口23分設於該第二載具20上。於本實施例中，該進液口22和出液口23分設於該長方形結構第二載具20之縱向方向之兩端，該冷卻流體21從該進液口22流入並從出液口23流出。可以理解的是，該進液口22和出液口23之數量及設置位置可以根據實際需要進行設計。

可以理解的是，該第二載具20可以為其他形狀結構，例如正方形，橢圓形等等，其亦可以係非一體結構，由至少兩個熱管構成，同時其內部具有冷卻流體21，並且亦具有相應之進液口22和出液口23用於流入或流出該冷卻流體21。

請參見圖3及圖4，本實施例中以待鍍膜之元件係鏡頭模組之鏡筒為例加以說明，濺鍍源101設置於該第一載具10之正上方，即與該至少一個突起13相對。該至少一個鏡筒102被分別套設於該至少一個突起13之上，並且鏡筒102之內壁與突起13緊密接觸，該鏡筒102與該第一載具10之承載部11密切結合。當該至少一個鏡筒102被進行鍍膜時，冷卻流體21從該進液口22流入並從出液口23流出。由於該第一載具10及其突起13由導熱性能良好之金屬製成，該鏡筒102上之熱量會經由該第一載具10之承載部11傳導至其底部12，該熱量再經由與該第一載具11之底部12緊密接觸之第二載具20傳給該冷卻流體21，最終該鏡筒102上之熱量會經由從進液口22進入並從出液口23流出之冷卻流體21帶走，從而防止鏡筒102上之溫度過高進而損傷該鏡筒102。

本發明實施例提供之一種濺鍍式鍍膜機台，其包括一腔體、一濺鍍源及一如上所述之承載台。該腔體係一真空濺鍍腔體，該腔體內包括有：一濺鍍源，及一如上所述之承載台。鍍膜時，將複數個待鍍膜元件放置於承載臺上，對其進行鍍膜。詳細過程如前所述，此處不再贅述。

綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。

100‧‧‧承載台

10‧‧‧第一載具

11‧‧‧承載部

12‧‧‧底部

13‧‧‧突起

20‧‧‧第二載具

21‧‧‧冷卻流體

22‧‧‧進液口

23‧‧‧出液口

101‧‧‧濺鍍源

102‧‧‧鏡筒

圖1係本發明實施例提供之濺鍍式鍍膜承載台之立體示意圖。

圖2係圖1中沿II-II之截面示意圖。

圖3係利用圖1中承載台對待鍍膜之元件進行鍍膜之一狀態示意圖。

圖4係圖3中沿IV-IV之截面示意圖。

100‧‧‧承載台

10‧‧‧第一載具

11‧‧‧承載部

12‧‧‧底部

13‧‧‧突起

20‧‧‧第二載具

23‧‧‧出液口

Claims (18)

1. 一種濺鍍式鍍膜承載台，其改良在於，包括：一第一載具，所述第一載具包括一承載部及與其相對之底部，該承載部延伸出至少一個突起，該至少一個突起具有與待鍍元件相配合之形狀，用於承載待鍍元件，並將該待鍍元件之熱量傳遞至該第一載具之底部；一中空之第二載具，所述中空之第二載具與該第一載具之底部緊密結合，用於吸收該第一載具之底部傳遞之熱量。
2. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該第一載具所用材料選自：銅、鋁、鐵、鎳、鈦、鋼、碳鋼、不銹鋼，或銅、鋁、鐵、鎳、鈦之中至少兩種金屬之合金。
3. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該第一載具和中空之第二載具均為平板形結構。
4. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該第一載具之至少一個突起，為圓柱形結構。
5. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該第一載具之至少一個突起為複數，其均勻排布於該第一載具。
6. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該中空之第二載具內收容有冷卻流體，該冷卻流體為純水、氨水、甲醇、丙酮、庚烷或其混合液體。
7. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該中空之第二載具內收容有冷卻流體，該冷卻流體中具有導熱粒子，其成份為奈米碳管、奈米碳球、銅奈米粉或以 上至少兩種成分組合之粒子。
8. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該中空之第二載具設有冷卻流體入口和冷卻流體出口。
9. 如申請專利範圍第1項所述之濺鍍式鍍膜承載台，其中，該第二載具之結構為非一體結構，由至少兩個熱管構成。
10. 一種濺鍍式鍍膜機台，其包括一腔體、至少一濺鍍源及至少一承載台，其改良在於，該承載台包括：一第一載具，所述第一載具包括一承載部及與其相對之底部，該承載部延伸出至少一個突起，該至少一個突起具有與待鍍元件相配合之形狀，用於承載待鍍元件，並將該待鍍元件之熱量傳遞至該第一載具之底部；一中空之第二載具，所述中空之第二載具與該第一載具之底部緊密結合，用於吸收該第一載具之底部傳遞之熱量。
11. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該第一載具所用材料選自：銅、鋁、鐵、鎳、鈦、鋼、碳鋼、不銹鋼，或銅、鋁、鐵、鎳、鈦之中至少兩種金屬之合金。
12. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該第一載具和中空之第二載具均為平板形結構。
13. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該第一載具之至少一個突起，為圓柱形結構。
14. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該第一載具之至少一個突起為複數，其均勻排布於該第一載具。
15. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該中空之第二載具內收容有冷卻流體，該冷卻流體為純水、 氨水、甲醇、丙酮、庚烷或其混合液體。
16. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該中空之第二載具內收容有冷卻流體，該冷卻流體中具有導熱粒子，其成份為奈米碳管、奈米碳球、銅奈米粉或以上至少兩種成分組合之粒子。
17. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該中空之第二載具設有冷卻流體入口和冷卻流體出口。
18. 如申請專利範圍第10項所述之濺鍍式鍍膜機台，其中，該中空之第二載具之結構為非一體結構，由至少兩個熱管構成。