TWI393948B - Touch panel structure and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

觸控面板結構及其製造方法

本發明係有關觸控面板結構及其製造方法，旨在提供一種可保護金屬結構而不會形成氧化或刮傷，確保電路不會發生短路之觸控面板結構及其製造方法。

觸控板(Touch Panel)通常被配置在手機、照相機、PDA等電子產品的顯示幕前方使用，以便增進機具操控及訊號輸入的便利性；而在各式觸控板種類中，由於電容式觸控板具有性能穩定、使用壽命長等優點，因此逐漸被廣泛使用在通訊產品(Communication)、電腦產品(Computer)以及消費類電子產品(Consumer)等方面；如所知者，習知電容式觸控板的電容感測結構略係包括一X軸感應層及一Y軸感應層，使X、Y軸感應層絕緣地設置該觸控板體之內，並將X、Y軸感應層分別接地並連接至一控制電路，運作時，藉由使用者的手指或導體碰觸的瞬間產生一個電容效應，因而可藉由電容值之變化確定手指或導體之位置；由於電容式觸控板可用手指進行輸入，具有輸入操作的便利性，而其輸入操作不需經過觸壓，不會讓面板有承受反覆應力、變形導致損害的缺點，所以產品性能穩定、使用壽命長。

如第一圖所示為一種習有觸控面板之結構示意圖，該觸控面板1係設有一透光基板11，該透光基板11上表面設有複數間隔排列之上透明導電結構12，以作為X軸感應層，而該透光基板11下表面設有複數間隔排列之下透明導電結構13，以作為Y軸感應層，而各上透明導電結構12並覆蓋有金屬結構14，而各金屬結構14係裸露在外，容易形成氧化或被刮傷，使得電路無法正常傳遞而形成短路，進而影響整觸控面板導通之結果。

故出現另種習有結構，如第二圖所示，係進一步於各金屬結構14上覆蓋有透明光阻15，雖該透明光阻15覆蓋於各金屬結構14上可形成保護作用，可防止氧化及刮傷之情形；惟，製作透明光阻之步驟係於製作上透明導電結構之後，而製作透明光阻需要較高之溫度(例如150℃~250℃)，此製作溫度會影響上透明導電結構之特性，容易產生缺陷，進而影響整觸控面板之特性。

有鑑於此，本發明旨在提供一種可保護金屬結構而不會形成氧化或刮傷，確保電路不會發生短路之觸控面板結構及其製造方法。

為達上述目的，本發明之觸控面板係設有一透光基板，而該透光基板下表面設有複數間隔排列之下透明導電結構；其中，該透光基板上表面設有複數間隔排列之金屬結構以及上透明導電結構，各金屬結構間係設有填充結構，該填充結構與金屬結構間之厚度差為±30%以內，而上透明導電結構則覆蓋於各金屬結構上，藉由上透明導電結構來保護該金屬結構，可防止該金屬結構因外露而形成氧化或刮傷，確保電路不會因此而短路。

為能使　貴審查委員清楚本發明之主要技術內容，以及實施方式，茲配合圖式說明如下：

本發明之觸控面板2係設有一透光基板21，如第三圖所示，該透光基板21設有上、下表面211、212，而該透光基板下表面212設有複數間隔排列之下透明導電結構22，該下透明導電結構22可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)，該透光基板上表面211設有複數間隔排列之金屬結構23以及上透明導電結構24，各金屬結構23間係設有開口25，各開口25內係設有填充結構26(可以為透明光阻)，該填充結構26與金屬結構23間之厚度差為±30%以內，如圖所示之實施例中，該填充結構26之厚度係與該金屬結構23之厚度相同，而上透明導電結構24則覆蓋於各金屬結構23上，該上透明導電結構24可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)。

而本發明之觸控面板結構製造方法，其係至少包含下列步驟：步驟A、提供一透光基板21，如第四圖(A)所示；步驟B、形成複數金屬結構23，藉由濺鍍方式於該透光基板21一表面211形成複數金屬結構23，而各金屬結構23間並形成有開口25，其中先利用濺鍍方式於該透光基板表面形成一金屬膜，再利用黃光製程形成複數金屬結構；步驟C、形成填充結構26，於各金屬結構23間之開口25處形成有填充結構26，其中，先於透光基板21設置金屬結構23之表面211塗佈設置填充表層27(可以為透明光阻)，如第四圖(B)所示，該填充表層27係填充於開口25以及覆蓋於金屬結構23表面；再進行背面曝光，於透光基板21另側表面212進行曝光，如第四圖(C)所示，並藉由各金屬結構23作為光罩，並使該填充表層27形成有複數感光區域271以及未感光區域272；最後，可藉由顯影方式移除各未感光區域272，各感光區域則形成填充結構26，如第四圖(D)所示，且如圖所示之實施例中，該填充結構26可高於該金屬結構23，且該填充結構26與金屬結構23間之厚度差為±30%以內，該金屬結構23以及填充結構26之厚度可以為1000A～5000A，而上述形成填充結構之製作溫度可控制為150℃~250℃(以230℃為佳)，製作時間可為30~60分鐘(以30分鐘為佳)；步驟D、形成上透明導電結構24，如第四圖(E)所示，於各金屬結構23上覆蓋有上透明導電結構24；步驟E、形成下透明導電結構22，於該透光基板另側表面212形成複數間隔排列之下透明導電結構22，如第三圖所示。

本發明藉由上透明導電結構24來覆蓋保護該金屬結構23，可防止該金屬結構23因外露而形成氧化或刮傷，確保電路不會因此而短路，進而確保觸控面板導通之結果，且本發明填充結構(透明光阻)之製作步驟係於製作上透明導電結構之前，故不會影響上透明導電結構之特性，當然不容易產生缺陷，而不會影響整觸控面板之特性。

如上所述，本發明提供一種觸控面板結構及其製造方法，爰依法提呈發明專利之申請；惟，以上之實施說明及圖式所示，係本發明較佳實施例者，並非以此侷限本發明，是以，舉凡與本發明之構造、裝置、特徵等近似、雷同者，均應屬本發明之創設目的及申請專利範圍之內。

1．．．觸控面板

11．．．透光基板

12．．．上透明導電結構

13．．．下透明導電結構

14．．．金屬結構

15．．．透明光阻

2．．．觸控面板

21．．．透光基板

211．．．上表面

212．．．下表面

22．．．下透明導電結構

23．．．金屬結構

24．．．上透明導電結構

25．．．開口

26．．．填充結構

27．．．填充表層

271．．．感光區域

272．．．未感光區域

第一圖係為習有觸控面板之結構示意圖。

第二圖係為另種習有觸控面板之結構示意圖。

第三圖係為本發明中觸控面板之結構示意圖。

第四圖(A)~(E)係為本發明中觸控面板之製造流程示意圖。

2．．．觸控面板

21．．．透光基板

211．．．上表面

212．．．下表面

22．．．下透明導電結構

23．．．金屬結構

24．．．上透明導電結構

25．．．開口

26．．．填充結構

Claims (15)

1. 一種觸控面板結構，該觸控面板係設有一透光基板，而該透光基板下表面設有複數間隔排列之下透明導電結構；其特徵在於：該透光基板上表面設有複數間隔排列之金屬結構以及上透明導電結構，各金屬結構間係設有填充結構，而上透明導電結構則覆蓋於各金屬結構上。
2. 如請求項1所述之觸控面板結構，該上、下透明導電結構可以為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide,ITO)。
3. 如請求項1所述之觸控面板結構，該填充結構可以為透明光阻。
4. 如請求項3所述之觸控面板結構，該填充結構係以背面曝光方式，並藉由各金屬結構作為光罩，形成於各金屬結構間。
5. 如請求項1或3所述之觸控面板結構，該填充結構之厚度係與該金屬結構之厚度相同。
6. 如請求項1或3所述之觸控面板結構，該填充結構與金屬結構間之厚度差為±30%以內。
7. 一種觸控面板結構之製造方法，其係至少包含下列步驟：A、提供一透光基板；B、形成複數金屬結構，於該透光基板一表面形成複數金屬結構，而各金屬結構間並形成有開口；C、形成填充結構，於各金屬結構間之開口處形成有填充結構； D、形成上透明導電結構，於各金屬結構上覆蓋有上透明導電結構；E、形成下透明導電結構，於該透光基板另側表面形成複數間隔排列之下透明導電結構。
8. 如請求項7所述觸控面板結構之製造方法，該步驟C進一步包含有下列步驟：C1、於透光基板設置金屬結構之表面設置填充表層，該填充表層係填充於開口以及覆蓋於金屬結構表面；C2、進行背面曝光，於透光基板另側表面進行曝光，並藉由各金屬結構作為光罩，並使該填充表層形成有複數感光區域以及未感光區域；C3、移除各未感光區域，各感光區域則形成填充結構。
9. 如請求項8所述觸控面板結構之製造方法，該步驟C3中係藉由顯影方式將未感光區域移除。
10. 如請求項7或8所述觸控面板結構之製造方法，該步驟B中係先利用濺鍍方式於該透光基板表面形成一金屬膜，再利用黃光製程形成複數金屬結構。
11. 如請求項7或8所述觸控面板結構之製造方法，該金屬結構以及填充結構之厚度可以為1000A~5000A。
12. 如請求項7或8所述觸控面板結構之製造方法，該步驟C中形成填充結構之製作溫度可控制為150℃~250℃，製作時間可為30~60分鐘。
13. 如請求項12所述觸控面板結構之製造方法，該製作溫度係以230℃為佳。
14. 如請求項12所述觸控面板結構之製造方法，該 製作時間係以30分鐘為佳。
15. 如請求項7或8所述觸控面板結構之製造方法，該步驟C中該填充結構與金屬結構間之厚度差為±30%以內。