TWI387731B - 測距裝置 - Google Patents

Description

測距裝置

本發明係一種測距裝置，尤其是指一種具有可自動調整光路的測距裝置。

在現今離軸系統的測距裝置，因為內部的光學系統是符合本身的量測範圍而設計配置，所以因為光學系統的限制，使得測距裝置的量測範圍通常必須大於0.3m以上的某一段範圍，原因在於當目標物在近距離時，例如是0.3m以內，由於光發射到目標物而反射回來的光入射角度太大，使得以原本的光學系統所導引的反射光RL無法到達光感測元件102，無法接收到反射光RL的訊號，進而無法由該反射光RL的訊號計算目標物的距離。

而現今技術中，亦有提出解決無法近距離量測之缺點的技術手段，係利用移動接收裝置的方式，調整接收裝置的位置去接收各種角度入射的光訊號，於美國專利號US005949531A的專利文獻中，揭露一種距離量測裝置，係利用一彈片的一端裝設有接收器，一端固設於裝置本體，在該彈片下方裝置有一凸輪機構，該凸輪機構被驅動產生旋轉時，因凸輪表面輪廓形狀，會帶動該彈片的上下變動，因此，藉由控制經過設計表面形狀的凸輪，由其轉動的角度量，就可以控制裝設於該彈片一端的接收器產生上下位置的調整，而達到控制該接收器位置，以接收各種角度入射的光訊號，唯，利用彈片及凸輪來控制接收器的位置變化，會需要較大的空間來設置彈片及凸輪，且彈片及凸輪會有材料的疲勞及磨損而造成定位點誤差等等的缺點。

有鑑於此，為改善上述的缺點，本發明提供一種測距裝置，可以自動調整光路而有具有較大量測範圍的能力。該測距裝置包括：一反射裝置，用以反射一反射光、一第一電磁元件，用以控制該反射裝置定位在一第一位置，包括一激磁狀態及一不激磁狀態，其中於該激磁狀態時，產生磁場作用區、一定位模組，用以控制該反射裝置定位在一第二位置、以及一控制單元，對應一感測訊號控制該第一電磁元件為該激磁狀態或該不激磁狀態。

本發明利用控制單元來比較感測訊號值的大小是否低於一預設值，以判定目標物的遠近，當感測訊號值低於預設值時，代表目標物在近距離，因此該控制單元控制該第一電磁元件為不激磁狀態，使得該反射裝置被定位在第二位置，因而改變光的行經路徑，使得測距裝置可以接收到足夠強度的訊號，而可據以計算出待測物的距離值。

本發明的測距裝置可以具有較大的量測範圍，且其所具有的反射裝置在在位置改變動作所採用的手段，可以降低元件的磨耗，因此不易降低反射元件定位的準確度，進而提升使用的壽命。

為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出數個實施例，並配合所附圖式作詳細說明。

請參閱圖1所示，係本發明第一實施例之測距裝置硬體配置示意圖。本發明第一實施例之測距裝置包括一光發射元件101、一光感測元件102、一會聚透鏡103、一反射裝置104、一第一電磁元件105、一定位模組106以及一控制單元107。於本發明第一實施例中之測距裝置是一雷射測距儀10，用以對較遠距離及較近距離的一目標物進行量測操作，其中該近距離是指該測距裝置在該光學系統內的各光學元件配置為固定時，該測距裝置能量測到目標物的最短距離能力，於本發明實施例中，係假設距離在0.3mm以內，而該遠距離係假設距離是超過0.3mm。

請參閱圖3，係本發明第一實施例之測距裝置在量測遠距離目標物的光路示意圖。本發明第一實施例之測距裝置的該光發射元件101，用以對一目標物發出一量測光ML。於本實施例中，該光發射元件101是一雷射二極體，用以在進行測距操作時，對目標物發出光訊號做為該量測光ML，而該目標物的表面被該量測光ML照射到時，會反射該量測光ML而成為一反射光RL。

該光感測元件102，用以感測由該目標物反射該量測光ML的該反射光RL，並且對應產生一感測訊號。該光感測元件102於本發明實施例中是一突崩光二極體(Avalanche Photo Diode，簡稱APD)，用以感測該反射光 RL，並且可對應該反射光RL的強度，而輸出對應的電訊號。

一會聚透鏡103，用以將該反射光RL會聚在該反射裝置104的一反射元件1042。該會聚透鏡103可以是一凸透鏡或一非球面透鏡，可將由該目標物反射的該反射光RL會聚在該反射裝置104上，以增加該光感測元件102可接收該反射光RL的效率。

一第一電磁元件105，用以控制該反射裝置104定位在一第一位置，包括一激磁狀態及一不激磁狀態，其中該第一電磁元件105為該激磁狀態時，會產生磁場作用區。該第一電磁元件105可以對應一第一控制訊號而發生該激磁狀態或該不激磁狀態，其中該第一控制訊號是一電流，當該電流通過該第一電磁元件105的方向不同時，會使得該激磁狀態產生磁性的改變，例如是S極或N極，意即產生吸力或排斥力。於本發明第一實施例中，該第一電磁元件105為電磁鐵，以該激磁狀態為產生磁吸力為例。

一定位模組106，用以控制該反射裝置104定位在一第二位置。於本發明第一實施例中，該定位模組106包括一第二電磁元件，於一實施例中，該第二電磁元件是電磁鐵。

一反射裝置104，用以反射該反射光RL。該反射裝置104被用來反射穿過該會聚透鏡103的該反射光RL，且因為該反射裝置104經過光學設計的設置，而與入射的光軸呈一傾斜角度，因此在該測距裝置的一量測距離內，例如是大於0.3mm以上的某一距離範圍內，皆可將該反射光RL反射至該光感測元件102的位置。

請參閱圖2，係本發明第一實施例之反射裝置104結構示意圖，該反射裝置104係樞接於該測距裝置的對應位置上，使得該反射裝置104可繞著樞接點而產生擺動的動作。於本發明第一實施例中，該反射裝置104包括一導磁部1041及一反射元件1042，其中該導磁部1041係裝設於該反射裝置104的至少一區域，且該導磁部1041於該反射裝置104上的位置必須在該第一電磁元件105及該第二電磁元件的磁場區域內，藉由該第一電磁元件105或該第二電磁元件的激磁狀態，與該導磁部1041相互作用，而控制該反射裝置104定位在該第一位置或該第二位置。舉例來說，當該第一電磁元件105為激磁狀態時，產生磁吸力，並且在該第二電磁元件為不激磁狀態時，裝設於該反射裝置104上的該導磁部1041會被該第一電磁元件105吸引，而使得該反射裝置104被定位在一第一位置。反之，當該第二電磁元件為激磁狀態時，且該第一電磁元件105為不激磁狀態時，該反射裝置104被該第二電磁元件產生的磁吸力定位在該第二位置。由上述可知，該反射元件1042的傾斜角度可因為該反射裝置104被定位在該第一位置或該第二位置時，而產生不同的傾斜角度變化，因此該反射光RL入射的角度亦對應產生變化，繼而改變了該反射元件1042反射該反射光RL的出射光路，而改變了該反射光RL的行進路徑。

一控制單元107，對應該感測訊號，控制該第一電磁元件105為該激磁狀態或該不激磁狀態。該控制單元107於接收到該感測訊號後，將該感測訊號值與已定義的一預設值進行比較，當該感測訊號值低於該預設值時，該控制單元107發出該第一控制訊號，而於該感測訊號值高於該預設值時，該控制單元107發出該第二控制訊號。於本發明第一實施例中，該控制單元107是一微處理器(Micro Compute Processor,簡稱MCU)。於一實施例中，該控制單元107是一數位訊號處理器(digital signal processor,DSP)、一中央處理器(central processing unit,CPU)、一可程式化邏輯元件(complex programmable logic device,CPLD)、一場式可程式閘陣列(field programmable gate array,FPGA)或是一系統單晶片(system on-chip,SOC)。於本實施例中，該預設值係於出廠前，經由實驗取得代表適合該光感測元件接收的最低亮度數值，並且預先儲存於一儲存媒體內，例如是電氣可擦拭可規化式唯讀記憶體(Electrically Erasable,Programmable Read-Only Memory,簡稱EEEPROM)或快閃記憶體(FLASH MEMORY)，於進行比較的程序中，由該控制單元107讀出儲存於該儲存媒體內的該預設值。

請再參閱圖3，藉以說明測距裝置在量測遠距離目標物時的光路情形。當該測距裝置被啟動，並進行對目標物測距的操作時，該光發射元件101會先發出該量測光ML，該目標物的表面被該量測光ML投射後，會將該量測光ML反射為該反射光RL，在經過該會聚透鏡103後，該反射光RL將會聚在該反射裝置104上。該反射裝置104此時定位在該第一位置，並且該反射裝置104的該反射元件1042將該反射光RL反射，而將該反射光RL投射在該光感測元件102上，以供該光感測元件102進行感測，而該光感測元件102會依據所感測的該反射光RL強度，對應輸出該感測訊號至該控制單元107。該控制單元107於接收到該感測訊號時，將該感測訊號值與該預設值進行比較，因為此時的反射光RL大部份的被投射在該光感測元件102上，因此該感測訊號值將較高，並且高於該預設值。值得一提的是，該測距裝置於每次的測距操作時，例如按下量測按鈕，該控制單元107即產生並輸出該第一控制訊號至該第一電磁元件105，使該第一電磁元件105為激磁狀態，藉由激磁狀態所產生的磁力，將該反射裝置104上的該導磁部1041吸住，使得該反射裝置104定位在該第一位置，因此該反射裝置104會被預設定位在該第一位置，而該反射裝置104在該第一位置上時，該測距裝置內的該光感測元件102可以接收到在0.3mm以上距離之目標物所反射的反射光RL，而該控制單元107依據該感測訊號，計算出該目標物的距離。

請參閱圖4A，係本發明第一實施例之測距裝置在量測近距離目標物的光路示意圖，用以說明測距裝置在量測近距離目標物時的光路情形。當隨著該目標物的距離愈近時，由該目標物反射的該反射光RL入射到該會聚透鏡的入射角度(與該會聚透鏡103光軸的夾角)將會愈大，因此，當該目標物距離小於預設的距離時，該反射裝置104反射該反射光RL的反射角(與該反射裝置104的法線夾角)會愈小，使得反射的該反射光RL偏離該光感測元件102，因而使得該控制單元107接收該光感測元件102輸出的該感測訊號值會愈來愈低。當該感測訊號值低於該預設值時，該控制單元107無法依據該感測訊號計算距離值。因此，該控制單元107於該感測訊號值低於該預設值時，停止發出該第一控制訊號，並發出該第二控制訊號。

請參閱圖4B，係本發明第一實施例之測距裝置在量測近距離目標物的修正光路示意圖，用以說明測距裝置在量測近距離目標物時，藉由控制該反射裝置104的定位位置，以改變光路的示意圖。當該控制單元107停止發出該第一控制訊號，並發出該第二控制訊號時，該第一電磁元件105為不激磁狀態且該第二電磁元件為激磁狀態，因此，該第二電磁元件將該反射裝置104的導磁部1041吸住，使該反射裝置104定位在該第二位置。因為該反射裝置104在該第二位置的傾斜角度較該第一位置的傾斜角度小，因此改變了該反射光RL入射該反射裝置104的反射角，藉此將該反射的光路修正至該光感測元件102的位置，使得該光感測元件102可以接收到大部份的反射光RL，此時由光感測元件102輸出的該感測訊號值會大於該預設值，該控制單元107再依據該感測訊號計算該目標物的距離。

請參閱圖5A，係本發明第二實施例之測距裝置在量測近距離目標物的光路示意圖，與第一實施例相同的部份在此不再贅述，在本發明第二實施例之測距裝置的該定位模組106包括一定位柱1061及一拉伸彈性元件1062，其中該拉伸彈性元件1062係同時裝設於該反射裝置104及該定位柱1061上。當該測距裝置於進行測距操作時，該控制單元107控制該第一電磁元件105為激磁狀態，將該反射裝置104定位在該第一位置，此時該第一電磁元件105所產生的磁力大於該拉伸彈性元件1062的拉力。因近距離目標物量測時，該反射裝置104反射的出射光路會遠離該光感測元件102，因此該控制單元107接收的該感測訊號值會低於該預設值。請參閱圖5B，係本發明第二實施例之測距裝置在量測近距離目標物的修正光路示意圖，當該控制單元107接收的該感測訊號值低於該預設值時，該控制單元107停止發出該第一控制訊號，使該第一電磁元件105為不激磁狀態，因此該反射裝置104被該拉伸彈性元件1062拉回，而定位在該第二位置，而達到控制該反射裝置104的傾斜角度，進而修正該反射光RL反射的光路。

本發明雖以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準如圖4所示為本發明實施例之電路圖。

10．．．雷射測距儀

101．．．光發射元件

102．．．光感測元件

103．．．會聚透鏡

104．．．反射裝置

1041．．．導磁部

1042．．．反射元件

105．．．第一電磁元件

106．．．定位模組

1061．．．定位柱

1062．．．拉伸彈性元件

107．．．控制單元

ML．．．量測光

RL．．．反射光

圖1為本發明第一實施例之測距裝置硬體配置示意圖。

圖2係本發明第一實施例之反射裝置104結構示意圖。

圖3係本發明第一實施例之測距裝置在量測遠距離目標物的光路示意圖。

圖4A係本發明第一實施例之測距裝置在量測近距離目標物的光路示意圖。

圖4B係本發明第一實施例之測距裝置在量測近距離目標物的修正光路示意圖。

圖5A係本發明第二實施例之測距裝置在量測近距離目標物的光路示意圖。

圖5B係本發明第二實施例之測距裝置在量測近距離目標物的修正光路示意圖。

10．．．雷射測距儀

101．．．光發射元件

102．．．光感測元件

103．．．會聚透鏡

104．．．反射裝置

105．．．第一電磁元件

106．．．定位模組

107．．．控制單元

ML．．．量測光

RL．．．反射光

Claims (9)

1. 一種測距裝置，包括：一反射裝置，用以反射一反射光；一第一電磁元件，用以控制該反射裝置定位在一第一位置，包括一激磁狀態及一不激磁狀態，其中於該激磁狀態時，產生磁場作用區；一定位模組，用以控制該反射裝置定位在一第二位置；以及一控制單元，對應一感測訊號控制該第一電磁元件為該激磁狀態或該不激磁狀態。
2. 如申請專利範圍第1項所述之測距裝置，更包括：一光發射元件，用以對一目標物發射一量測光；一光感測元件，用以感測該目標物反射該量測光的該反射光，並且對應產生該感測訊號。
3. 如申請專利範圍第1項所述之測距裝置，其中該反射裝置更包括一導磁部及一反射元件，其中該導磁部位於磁場作用區。
4. 如申請專利範圍第1項所述之測距裝置，其中該定位模組更包括：一第二電磁元件，包括一激磁狀態及一不激磁狀態，其中於該激磁狀態時，產生磁場作用區。
5. 如申請專利範圍第1項所述之測距裝置，其中該控制單元更包括當該感測訊號值小於一預設值時，控制該第一電磁元件為該不激磁狀態。
6. 如申請專利範圍第4項所述之測距裝置，其中該控制單元更包括當該感測訊號值小於該預設值時，控制該第二電磁元件為該激磁狀態、當該感測訊號值高於該預設值時，控制該第一電磁元件為該激磁狀態。
7. 如申請專利範圍第1項所述之測距裝置，其中該定位模組更包括一定位柱。
8. 如申請專利範圍第7項所述之測距裝置，其中該定位模組更包括一拉伸彈性元件，一端裝設於該定位柱，另一端裝設於該反射裝置。
9. 如申請專利範圍第1項所述之測距裝置，更包括一會聚透鏡，用以將該反射光會聚在該反射元件。