TWI383245B

TWI383245B - 用於成形微透鏡之使用多段式光微影製造灰階遮罩的方法

Info

Publication number: TWI383245B
Application number: TW097101663A
Authority: TW
Inventors: Yoshi Ono; Bruce D Ulrich; Wei Gao
Original assignee: Sharp Kk
Priority date: 2007-01-24
Filing date: 2008-01-16
Publication date: 2013-01-21
Also published as: US7678512B2; TW200844644A; KR20080069926A; US20080176148A1; JP2008181077A; KR100961425B1

Description

用於成形微透鏡之使用多段式光微影製造灰階遮罩的方法

本發明有關於影像感測器，詳言之，提供一種在微透鏡陣列中具有幾乎100%的填充比例之影像感測器。

欲從相機獲得高品質的影像，能從畫面中收集到越多光線越好。最好能將照射影像感測器表面的光線導向主動畫素元件以達到最大偵測及信號強度。已知的影像感測器在其微透鏡陣列中沒有接近100%的填充比例(fill factor；FF)。填充比例之定義為可收集並偵測到光線之面積量對於影像感測器之面積的比例。

有兩種已知的方法可用來形成稱為微透鏡之聚光元件。最常用的方法為曝光並顯影光阻的圓柱形圖案，每一個單位單元使用一個圓柱體。執行光阻回焊以將圓柱體改變成半球體。回焊使用時間/溫度組合來熔化光阻。所用之典型的條件為在170℃ 60秒。使用此技術的填充比例限制在大約78%，因為半球形狀的覆蓋面積為圓形，並且因為希望有微透鏡矩形陣列，因此在單位單元角落會有未使用面積。這就是將圓形配合矩形產生的問題。此種形成微透鏡之方法在成本考量上有經濟效益，但缺少收集所有可得光線的能力。

另一種方法為使用灰階遮罩直接圖案化光阻，而不使用回焊程序。在此方法中，使用的光罩為特別的灰階光罩。於2003年5月13日准予專利給吳(Wu)等人之名稱為「全玻璃光罩空白之直接寫入(Direct write all－glass photomask blanks」的美國專利案號6,562,523 B1以及於2003年2月25日准予專利給吳(Wu)之名稱為「灰階全玻璃光罩(Grayscale all－glass photomasks)」的美國專利案號6,524,756 B1描述這些程序。在這些專利中描述的光罩大致上為平面的。以電子束曝光大約1μ m厚的矽酸鋅層，轉變其傳送性質，取決於電子束劑量而使層變不透明。藉由變化各個微透鏡的透射比，曝光與顯影後所得之形狀為具有真實100%填充比例之希望的形狀。

於1996年7月16日准予專利給青山(Aoyama)等人之名稱為「(Method of manufacturing lens array)」的美國專利案號5,536,455描述複數個基於透鏡的元件。

於2001年4月24日准予專利給俄伯摩芬齊(Abramovich)之名稱為「(Color image sensor with embedded microlens array)」的美國專利案號6,221,687 B1描述使用Si_x N_y 層及其之反應性離子蝕刻來形成微透鏡陣列。

於2002年10月29日准予專利給丹尼爾(Daniell)之名稱為「(Lens Arrays)」的美國專利案號6,473,238 B1描述具有空氣隙的透鏡陣列。

於2006年6月27日准予專利給伯愛丁格爾(Boettiger)等人之名稱為「(Controlling lens shape in microlens array)」的美國專利案號7,068,432 B2描述調整微透鏡材料的熔化性質。

於2006年7月18日准予專利給傑汗(Jeon)之名稱為「(CMOS image sensors and methods for fabricating the same)」的美國專利案號7,078,260 B2描述透鏡陣列，其中透鏡具有實質上平坦上表面。

然而，上述方法的問題在於光罩的高成本，對實際商業用途而言太過於昂貴。這是因為光罩的製造程序為序列式的，亦即以電子束之多劑量接續性曝光各微透鏡。

有鑒於上述，本發明提供製造微透鏡的灰階遮罩之方法，以低成本達成接近100%填充比例。此外，本發明提供製造其中用石英作為基底之遮罩的方法，並亦提供製造具有對稱或不對稱形狀之微透鏡的方法。

一種製造灰階遮罩的方法，包括製備石英晶圓基底、於石英晶圓基底上沈積一層SRO、使用多段式光微影來圖案化並蝕刻SRO以形成初始微透鏡圖案、圖案化並蝕刻SRO以在SRO中形成凹陷圖案、沈積不透明薄膜於SRO上、圖案化並蝕刻不透明薄膜、沈積與平坦化平坦化層、將石英晶圓切割成矩形塊，其大小小於選定之空白遮罩、將石英晶圓的矩形塊接合至空白遮罩以形成灰階遮罩以及使用灰階遮罩來形成光學成像器上的微透鏡陣列。

此外，根據製造灰階遮罩的方法，較佳進一步包含在該沈積SRO之前施加防刮保護至該石英晶圓。

此外，根據製造灰階遮罩的方法，較佳進一步包含在該接合之前從該石英晶圓移除防刮保護。

此外，根據製造灰階遮罩的方法，較佳該圖案化並蝕刻該SRO以在該SRO中形成凹陷圖案包括蝕刻預定SRO量。

此外，根據製造灰階遮罩的方法，較佳該沈積不透明薄膜於該SRO上包括沈積厚度與在該圖案化並蝕刻該SRO以在該SRO中形成凹陷圖案期間移除之該預定SRO量相等之不透明薄膜。

此外，根據製造灰階遮罩的方法，較佳該製備石英晶圓基底包括製備具有與矽晶圓相同物理SEMI標準尺寸之石英晶圓基底。

此外，根據製造灰階遮罩的方法，較佳該沈積不透明薄膜於該SRO上包括沈積取自由Ti、TiN、Al、Cr、CrO、Cu、Pd、Pt及其氧化物所構成的薄膜群組之薄膜。

此外，根據製造灰階遮罩的方法，較佳該平坦化層係由具有含有與該SRO之折射率的實部匹配之實部的折射率之材料所形成。

此外，使用製造的灰階遮罩來形成光感測器之微透鏡陣列亦在本發明的範疇內。

在實際生產期間，除了灰階區域外需要有不透明區域，其會需要額外的處理步驟。製備空白石英晶圓、於該石英晶圓基底上表面上沈積一層SRO、使用多段式光微影於陣列區域中圖案化並蝕刻該SRO以形成微透鏡圖案，圖案化並蝕刻在需要不透明區域之周圍區中的SRO，其中、沈積不透明薄膜於該SRO上並加以圖案化與蝕刻、沈積並平坦化平坦化層、將該石英晶圓切割成可容納於選定空白遮罩區內的塊；將這些塊接合至該選定的空白遮罩以形成灰階遮罩以及使用灰階遮罩形成光感測器上的微透鏡。

本發明之一目的在於提供具有幾乎100%填充比例之微透鏡陣列。

本發明之另一目的在於提供製造基於石英之遮罩的技術。

提供本發明之概述與目的以助於迅速了解本發明之本質。可參照下列本發明之實施例的詳細說明連同圖示獲得本發明更詳細的了解。

在本發明之方法中，使用富矽氧化物(SRO)作為部分傳送層。變化SRO的厚度以控制光阻之曝光。藉由圖案化並蝕刻SRO薄膜而產生立體結構。初始薄膜厚度大約為0.75 μm，並且沈積在作為基底的石英(Qz)晶圓上。

揭露一種製造特別用來產生具有小於5 μm及大於1 μm之間距的微透鏡陣列的灰階遮罩之方法。典型透鏡具有凸面，典型具有拋物線或半球形函數形式(functional form)，因此打擊在透鏡上任何地方的光線會在具有折射改變率的表面被折射，並會被偏向至光偵測器的主動區。光阻中之拋物線或半球形狀的形成係藉由使用變化光線的傳送之灰階遮罩，使光線以控制的方式曝光光阻而產生立體希望的形狀。

可使用本發明之方法達成近100%填充比例(FF)，其亦提供達成此高填充比例的具成本經濟效益的程序。本發明不限於製造微透鏡。本發明將產生之光阻圖案的形狀控制成希望的形狀，其可用來圖案化非微透鏡陣列的結構。本發明提供形成對稱或不對稱形狀之微透鏡的概要方法。

藉由圖案化SRO或吸收薄膜，傳送之變化為薄膜厚度的函數，並且藉由使用與SRO薄膜透明度相同的薄膜，例如使各材料的折射率的實分量匹配，不會產生干擾效應，以及不會有光折射。結果為真實的灰階光罩。

一開始，在母光罩上，設計各種不同大小的圖案陣列，皆為相同透鏡間距，其使用傳統以Cr/CrO及石英製成的二元光罩產生微透鏡陣列。Cr/CrO薄膜阻擋所有的光線，而石英區域則允許光線穿過光罩。此母光罩，常稱為遮罩(reticle)，或母遮罩並非本發明之灰階遮罩，而係用來產生本發明之灰階遮罩。接著使用灰階遮罩在CMOS或CCD IC程序中產生微透鏡陣列。藉由使用母遮罩重疊各種大小的圖案，以預定的曝光，曝光之同心圖案之複合會產生希望的光阻形狀之圖案。這才是用來產生微透鏡陣列的圖案。

茲參照第1圖，以10概略描述本發明之方法。第一步驟為製備用作基底的石英(Qz)晶圓12。石英晶圓與矽晶圓有相同的物理SEMI標準尺寸規格。

對石英晶圓施加防刮保護。由於在分切與接合後完成的石英基底上與下表面為光學表面，因此不能有任何瑕疵。這包括在灰階光罩曝光期間會影響光路徑之刮痕及粒子。防刮保護層可包括氧化物、氮化物、聚亞醯胺、金屬或可移除而不影響石英基底光學性質的任何其他材料。可或可不使用此防刮保護，然而，在較佳實施例中，施加防刮保護至石英基底的上或前側及下或後側表面，依序先從上表面接著再到下表面。接著移除上側防刮保護，然而，其在沈積下或後防刮保護材料時可保護表面。

防刮保護程序可包括：將鈦薄膜蒸氣式沈積至前面，使用人工處理使得僅邊緣會受到刮痕、將鈦薄膜蒸氣式沈積至石英晶圓的後側，同樣使用人工處理、將TEOS電漿輔助化學氣相沈積(PECVD)至石英晶圓的後側，由於在此步驟中的自動處理會刮傷前表面，任何刮痕限於鈦層、最後藉由濕蝕刻移除前側鈦，此濕蝕刻為高度選擇性並且不會影響下層石英晶圓。在前側鈦蝕刻時TEOS層保護後側鈦。這些或類似的防刮保護步驟必須為本發明之方法的一部分，其中可使用傳統矽處理工具，然而，傳統矽處理工具並非通常設計成保護矽晶圓的後或下表面，然而在本發明之方法所產生的光學遮罩中為必要的，因此本發明的方法中需要額外的處理步驟來防止傳統矽處理工具對石英晶圓的破壞。

接著將富矽氧化物(SRO)(Si_x O_y )沈積至基底的上表面並加以圖案化及蝕刻16。圖案化與蝕刻SRO提供初始微透鏡圖案。SRO層為所得之光罩的灰階性質之關鍵。以此灰階光罩曝光其他基底所用的光線之傳送當穿過SRO層時會有強度衰減性質。此衰減會依循貝爾法則(Beer’s Law)，其中輸出的光強度，在穿過SRO層會自輸入光強度根據下列公式後衰減： I＝I₀ *exp(－αd)，其中α＝消光係數，具有1/距離的大小，其中d為薄膜的厚度。

以光阻塗覆SRO，並加以圖案化及蝕刻而形成凹陷圖案18。此步驟藉由濕蝕刻或乾蝕刻移除預定量的SRO薄膜。所移除之SRO的量係於圖案化的區域中以相同厚度的不透明薄膜取代。可或可不使用此步驟。此步驟的目的在於使整個經處理的石英晶圓的上表面維持一致的高度，這在本發明之灰階遮罩的製造中為關鍵的。

將不透明薄膜層沈積於SRO上並加以圖案化及蝕刻20。在較佳實施例中，沈積一層鈦，其厚度等於步驟18中蝕刻掉的SRO量。將凹陷區域中的不透明薄膜圖案化得界定出圖案區域、對準標記、遮罩辨別等等。不透明薄膜可為任何不透明薄膜，如Ti、TiN、Al、Cr、CrO、Cu、Pd或P及其氧化物。通常使用金屬薄膜。如前述，不透明薄膜的厚度等於前一個凹陷蝕刻步驟所移除之SRO的量。

沈積平坦化層22，其在較佳實施例中為SiO_x N_y 層，會在後續CMP步驟中被部分移除。薄膜的折射率之實分量與SRO的匹配。消光係數應為零。若實分量不匹配，會發生對最後的微透鏡陣列不利的兩件事。第一為因反射及干擾效應而對透射比失去控制，以及第二為折射，其之產生起因於SRO的形狀。此折射效應會改變在光阻表面的成像平面之放射性強度圖案。欲使本發明之方法為商業上可行，則控制局部曝光強度為一項關鍵要素。

由於SiO_x N_y 沈積為保角式PECVD沈積，其中可微調SiO_x N_y 折射率，以及其中經處理的石英晶圓之上表面並非平面且跟隨SRO圖案的輪廓，執行CMP步驟24以實質上平坦化上表面。

將石英晶圓切割26，並因此從圓的晶圓轉變成矩形。將矩形塊接合至空白的遮罩基底。此程序步驟本身會產生微粒物。使用金剛石鋸刀片來實際切割石英基底。必須徹底清理基底，因為以水簡單的清洗及烘乾步驟無法提供足夠的乾淨度。若基底上有殘留任何粒子，這些粒子後來會從光罩印刷出來成為瑕疵。

若有施加防刮保護至石英晶圓，則在化學移除步驟中移除石英晶圓的底部上之任何剩餘的防刮保護，該步驟移除防刮保護並清理遮罩接合部分的最終表面。在接合步驟之前，矩形石英基底的兩側皆須無任何瑕疵。

本發明之方法的最後步驟為接合步驟30。在矩形石英基底及空白遮罩兩者上執行必要的預接合清理。在清理之後，將這兩塊互相對齊並接合。殘留在兩塊之間的任何粒子會妨礙兩表面的接合，因這兩表面實際上不能互相分離。接合不足會在以肉眼觀看時出現牛頓環(Newton rings)的現象。牛頓環的存在會嚴重影響控制光阻平面之孔徑強度的能力，因為會有干擾效應。

使用成熟的IC程序來製造灰階遮罩。程序之最後步驟為將分切的石英晶圓接合至空白遮罩，並如第2及3圖中所示。製備空白石英遮罩32。石英晶圓34(於第2圖顯示為接合的)具有微透鏡陣列36形成於其上。接合劑顯示於透鏡陣列36與空白石英遮罩32之間。外場38含有指標40。非主動區域42圍繞主動區域44，並且具有資料標籤46形成於其上。板子標籤48形成於外場38中。

本發明之方法的步驟敘述及所製造之結構的敘述係顯示於第4至7圖中。提供傳統遮罩50，其用來曝光石英晶圓50上的SRO層52，形成母遮罩，其後續會被分切及接合至空白遮罩54。最終的微透鏡陣列在CMOS或CCD晶圓56上。

將設計圖案化至傳統遮罩上

用於製造半導體裝置及本發明之方法中的典型光微影步進器為5X縮小步進器，以Hg i線(365 nm)曝光。灰階遮罩意圖用於相同的步進器上，因此微透鏡陣列尺寸係由母遮罩的透鏡間距而定，其實質上為目標CCD或CMOS影像感測器上之希望的間距之25X。目前這一代的影像感測器具有2 μm×2 μm的間距或單位單元大小，或母遮罩上50 μm的間距及灰階遮罩上10 μm的間距。母遮罩包括數個陣列，皆具有相同的50 μm的間距，但含有直徑大小不一之圓形。特定大小圓形直徑的陣列定義為地帶。欲產生灰階遮罩，將數個地帶圖案化至SRO層上，各地帶界定出不同厚度的SRO。當使用本發明之方法的灰階遮罩時，為了達成平順的微陣列形狀，必須有足夠數量的地帶以確保任兩接續使用的地帶間之直徑差小於步進器的解析度。例如，在CMOS或CCD晶圓，若單位單元大小＝2 μm×2 μm及對準器次解析度0.2 μm會沿著對角線產生： (SQRT(2)μm)/(0.2 μm/地帶)＝7地帶

因此，在灰階遮罩上會有1 μm/地帶的分隔，以及更進一步，在傳統遮罩上會有5 μm/地帶的分隔。

在第8及9圖中顯示傳統遮罩上四個地帶圖案佈局的兩個範例，一個為亮場LF，另一個為暗場DF，第8及9圖描繪四個地帶圖案佈局所需之兩個傳統遮罩，分別具有互相相反極性。第8及9圖中描繪的各地帶代表大型圓形陣列，任何給定地帶中的圓形皆為相同大小。

使用傳統遮罩曝光石英晶圓

茲參照第10及11圖，描繪曝光步驟，其中晶圓的中間部分會接受曝光，標示為E_TL 、E_TR 、E_BL 及E_BR ，其分別描繪第8及9圖之石英晶圓平面之四個不同的曝光劑量。使用多段式光微影，其中所有各別的曝光同心式重疊。第10及11圖的E_ACC 圖描繪在石英晶圓平面累積的曝光劑量。第10及11圖之每一個中的一個部分，標示為鏡射PRT對EXP圖，為對曝光光線之光阻反應曲線。這係用來判斷該使用的適當劑量。最後第10及11圖中的PR圖描繪曝光與顯影後之光阻輪廓。PRT_i 為曝光前的初始光阻厚度。

光阻反應曲線用來藉由從希望的光阻輪廓反推而判斷個別的曝光。光阻反應曲線的使用在光阻層級高度與曝光劑量之間有具有直接的相關性。曝光軸中的曲線越寬越好，曲線越寬則曝光與產生的光阻層級高度之間的相關性更準確。

使用灰階光罩曝光CCD或CMOS晶圓或其他基底

一旦製造出灰階遮罩，其直接用來圖案化光阻中的微透鏡陣列。此圖案可接著蝕刻轉移至下層薄膜以供微透鏡陣列之製造用。

第12圖為針對各種k值之透射比對SRO薄膜的圖，其中k值為折射率之複數(complex number)的虛分量，以0.01/nm步階從0變化到0.04/nm並分別以曲線A至E表示。圖中的SRO兩側皆為空氣。注意到曲線A無強度阻尼，因薄膜厚度的干擾效應而為正弦曲線。注意到曲線E具有最多阻尼，且具有最高k值。透射比之指數阻尼與SRO厚度之正弦干擾函數耦合。

由於接合步驟前需要有CMP，SRO與下層SiO_x N_y 厚度之總和為固定的厚度。此係描繪於第13圖中。此薄膜堆疊在CMP步驟後有固定的厚度t。

光學路徑穿過第13圖中所示的薄膜堆疊。當使用消光係數為零的非吸收薄膜，如SiO_x N_y 或SiO₂ ，作為薄膜堆疊之最頂端薄膜，則須注意要將折射率的實部與SRO的匹配。當此發生時，經過薄膜堆疊之透射比中不會有振盪，因為薄膜堆疊為固定厚度，所以不會有干擾效應。為了描述這點，第14圖的圖顯示針對SiO_x N_y 及SiO₂ 之透射比T對SRO厚度。曲線係從下列薄膜堆疊厚度t_filmstack 之公式衍生而來： t_filmstack ＝t_SRO ＋t_SiOxNy ＝c 或 t_filmstack ＝t_SRO ＋t_SiO2 ＝c，其中c為定值。

第15圖描繪上述公式用於第14圖中所示之透射比對SRO厚度的計算中之應用。注意到薄膜堆疊保持為定值。因此SRO薄膜上方的上覆薄膜必須為折射率匹配，以當使用灰階遮罩時提供曝光光線之劑量的足夠控制。

因此，已揭露一種製造灰階遮罩的方法。應理解到可對其作出進一步的變化與修改仍不悖離所附之申請專利範圍所界定的本發明之範疇。

如上述，本發明有關於製造灰階遮罩的方法，包含：製備石英晶圓基底、於該石英晶圓基底上沈積一層SRO、使用多段式光微影來圖案化並蝕刻該SRO以形成初始微透鏡圖案、圖案化並蝕刻該SRO以在該SRO中形成凹陷圖案、沈積不透明薄膜於該SRO上、圖案化並蝕刻該不透明薄膜、沈積與平坦化平坦化層、將該石英晶圓切割成矩形塊，其大小小於選定之空白遮罩、以及將該石英晶圓的該些矩形塊接合至該空白遮罩以形成灰階遮罩。

藉由使用由根據本發明之製造方法製造的灰階遮罩，可達成以低成本製造具有接近100%填充比例之微透鏡的效果。

雖已藉由數個較佳實施例說明本發明，可有改變、修改、變異及各種替代等效者，其落入本發明之範疇內。應注意到有許多實施本發明之方法與裝置的替代方式。因此下列之申請專利範圍應解釋成包括所有此種改變、修改、變異及各種替代等效者為落入本發明之真實精神與範疇內。

32‧‧‧空白石英遮罩

34‧‧‧石英晶圓

36‧‧‧微透鏡陣列

38‧‧‧外場

40‧‧‧指標

42‧‧‧非主動區域

44‧‧‧主動區域

46‧‧‧資料標籤

48‧‧‧板子標籤

50‧‧‧傳統遮罩

52‧‧‧SRO層

54‧‧‧空白遮罩

56‧‧‧CMOS或CCD晶圓

第1圖為本發明之方法的區塊圖。

第2圖描繪灰階遮罩之剖面圖。

第3圖描繪灰階遮罩的上平面圖。

第4至7圖描繪本發明之方法的程序。

第8及9圖描繪兩個傳統遮罩，互相具有不同極性。

第10及11圖分別描繪第8及9圖之光阻曝光輪廓。

第12圖為描繪透射比對SRO厚度之圖。

第13圖描繪薄膜堆疊。

第14圖描繪兩不同薄膜堆疊之透射比對SRO厚度。

第15圖描繪SRO與SiO_x N_y 或SiO₂ 之相對厚度的關係。

Claims

一種製造灰階遮罩的方法，包含：製備石英晶圓基底；於該石英基底之上表面上沈積一層富矽氧化物(SRO)；使用多段式光微影來圖案化並蝕刻該SRO，以形成初始微透鏡圖案；圖案化並蝕刻該SRO以在該SRO中形成凹陷圖案；沈積不透明薄膜於該SRO上；圖案化並蝕刻該不透明薄膜；沈積並平坦化平坦化層；將該石英晶圓切割成矩形塊，其大小小於選定之空白遮罩；以及將該石英晶圓的該些矩形塊接合至該選定的空白遮罩，以形成灰階遮罩，其中該圖案化並蝕刻該SRO以在該SRO中形成凹陷圖案包括蝕刻預定量的SRO，其中該沈積不透明薄膜於該SRO上包括沈積不透明薄膜，其厚度與在該圖案化並蝕刻該SRO以在該SRO中形成凹陷圖案期間已移除之該預定量的SRO量相等，及其中將該不透明薄膜的層沈積成厚度等於藉由蝕刻所移除掉的SRO量。
如申請專利範圍第1項之方法，其中包括在該沈積SRO之前，施加防刮保護至該石英晶圓。
如申請專利範圍第2項之方法，其中包括在該接合之前，從該石英晶圓移除該防刮保護。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該製備石英晶圓基底包括製備具有與矽晶圓相同物理SEMI標準尺寸之石英晶圓基底。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該沈積不透明薄膜於該SRO上包括沈積取自Ti、TiN、Al、Cr、CrO、Cu、Pd、Pt及其氧化物所構成的薄膜群組之薄膜。
如申請專利範圍第1項之方法，其中該平坦化層係由具有折射率之材料所形成，該材料之具有實部的折射率係與該SRO之具有實部的折射率匹配。
一種製造灰階遮罩的方法，包含：製備石英晶圓基底；於該石英基底之上表面上沈積一層富矽氧化物(SRO)；使用多段式光微影來圖案化並蝕刻該SRO，以形成初始微透鏡圖案；圖案化並蝕刻該SRO以移除預定量的SRO；沈積不透明薄膜於該SRO上；圖案化並蝕刻該不透明薄膜；沈積並平坦化平坦化層，其具有等於已移除之該預定量的SRO之厚度，其中該平坦化層係由具有折射率之材料所形成，該材料之具有實部的折射率係與該SRO之具有實部的折射率匹配；將該石英晶圓切割成塊，具有小於選定之空白遮罩的大小；以及將該石英晶圓的該些塊接合至該選定的空白遮罩，以形成灰階遮罩，其中將該不透明薄膜的層沈積成厚度等於藉由蝕刻所移除掉的SRO量。
如申請專利範圍第7項之方法，其中包括在該沈積SRO之前，施加防刮保護至該石英晶圓。
如申請專利範圍第8項之方法，其中包括在該接合之前，從該石英晶圓移除該防刮保護。
如申請專利範圍第7項之方法，其中該製備石英晶圓基底包括製備具有與矽晶圓相同物理SEMI標準尺寸之石英晶圓基底。
如申請專利範圍第7項之方法，其中該沈積不透明薄膜於該SRO上包括沈積取自Ti、TiN、Al、Cr、CrO、Cu、Pd、Pt及其氧化物所構成的薄膜群組之薄膜。
一種製造微透鏡陣列之方法，包含：使用如申請專利範圍第1或7項之灰階遮罩來形成光學成像器之微透鏡陣列。