TWI362362B - A method of creating a patterned monolyaer on a surface - Google Patents

Description

九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係為一種在表面上製造圖案化單層的方法》 【先前技術】 發明背景 近年來’石夕晶圓積體電路領域的創新，構成電子產業 成長的主要因素。目前元件的尺規約為數十微米。電路設 計者之一項目標係進一步縮小電路組成元件所需晶片空間 大小。縮小電路組成元件利用的晶片空間，可減少操作該 晶片所需的電力，可降低電路溫度及允許電路更快速更有 效操作。曾經提出若干解決之道來形成奈米級之矽晶圓積 體電路，但該等解決之道皆有其限制。 矽晶圓製程的延伸已經發展出微機電系統(MEMS)。經 由結合沉積、蝕刻及光刻術製程，微米級機械結構已經與 電子元件組合。 於奈米級有較大興趣係形成作為化學感測器及生物感 測器、奈米電子元件及光子元件等結構。若干組成奈米級 結構之方法包括精密尺規微影術 '奈米壓印微影術、電子 組成元件的直接寫入、以及直接化學合成以及鍵聯具有共 價鍵之組成元件。此等習知辦法各有其缺點。 精密級微影術係利用X光、電子、離子、掃描探針咬 衝壓來界定裝置之組成元件於晶圓積體電路上。採用精^ 級微影衝之一大問題為裝置校準問題。其上已經建置元件 之晶圓必彡hx二維或二維以上於數分之―奈米尺寸校準。 此種控制層面於實作上極為昂責1子束微影術屬於一型 精密級微倾，電子束郷射產生小尺規之線路，但可 寫入線路之尺寸及㈣有限1子束微韻方法也須高度 真空’其可排除使敎部分有機材料來製造奈米級組成元 件。此外，電子束微影術速度慢、價格昂貴，因而於商業 上不合實際。 「另-項習知製造線路之方法為奈米壓印微影術 (肌」）。此種方法要求使龍具。此等模具典型係藉電 子束微影術方法製作，而f要高壓。就脫模以及缺陷的複 製上有問題。 藉電子、離子或掃描探針直接寫入裝置組成元件也有 ”缺點。此乃串列程序。因此將充滿複雜元件之晶圓直接 胃+萬億個組成元件）需要相當長時間 。如此造成 直接寫人於大型商業應關途之實作上並不實用。 另一方法係直接化學合成，組成元件與共價鍵鍵聯。 此種方法之問題為唯—已知高資訊内容 電路之化學類似物 為蛋白質及DNA〇此等化學類似物皆極為複雜，至今日為 止無法預/則之二次結構及三次結構造成化學類似物扭曲成 為螺旋狀、摺疊成為片狀、形成其它複雜的三度空間結構。 、”。果所形成之拓樸學無法用來製造奈米級結構。 因此需要有可使用商業上可行的製程，製造良好有序 奈米級結構之方法及系統。 【發明内容】 1362362 發明概要 本發明係為一種形成一圖案化單層於一基材上之方法，包 含：製備具有自我組裝性質之有機分子；施用該等有機分子至 一校準表面；以及由該基材分離該校準表面，留下有機分子 5 之有序圖案於該基材上。 圖式簡單說明 第1圖為根據本發明之一具體例製造之奈米級元件之 說明圖； 第2a圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之 10 製造方法之有機分子之說明圖； 第2b圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之 製造方法之有機分子之說明圖； 第3圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 造方法之溶液之施用之說明圖； 15 第4圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 造方法具有自我組裝後之有機分子單層之校準基材表面之 說明圖； 第5圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 造方法具有有機分子單層之校準基材表面正施用至一目標 20 基材之說明圖； 第6圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 造方法具有高度有序有機分子圖案於其表面之目標基材之 說明圖； 第7圖為根據本發明之一具體例，具有高度有序有機分 7 子圖案於其表面以及具有基材被蝕刻去除來製作奈米級元 件之目標基材之說明圖； 第8圖為流程圖’顯示根據本發明之一具體例，一種奈 米級元件之製造方法；以及 第9圖為流_，顯祿據本發明之—具體例，一種奈 米級元件之製造方法。 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 本發明之具體例係針對形成良好有序奈米級結構之方 法。形成奈⑽結構之方法對發展奈米級㈣電路有關鍵 重要性。例如半導體及介電材料等結構已經發展於基材 上，如同其它制之㈣諸如金Au，奈綠何為導體。 校準有機分子可為用於某些組成元件之介電材料。如前文 討論’小型積體電路之效料括當於運算元件實作時處理 時間較快速’溫度較低。但熟諳技藝人士須了解其它本發 明之具體例可於奈米級結構有用之應用用途實作，而未惊 離本發明之魏及範S，树明之频聽圍係定義於隨 附之申請專利範圍及其相當範圍。 Λ、'且教有機分子用來於校準基材上形 成奈米級結構。該方法彻某些有機分子於某絲材上作 2成為有序圖案之傾向。校準基材係由-種可輔助有機 / 刀子之自我組裝的材料製成。例如石墨可作為校準基材。 石墨具有★度有序之晶體平面，該晶體平面吸收垸基 聯苯分子，結果導賴由自她飾祕料層。此財 1362362 序層為建立奈米級之多種結構的基礎。 於一具體例，形成於校準基材上之有序層可用作為另 一物種之校準表面，該另一物種可為原子、可為分子或為 微粒。此種應用之物種偏好校準特定官能基。如此可進行 5 多項表面修飾，結果獲得經由形成於校準基材上之初始層 所界定之良好有序結構多層或良好有序結構之化學改性。 於另一具體例，於校準基材上有或無改性所形成之有 序層移轉至目標基材。然後此種自我組裝陣列用作為遮 罩。環繞該遮罩之材料可被蝕刻來於被遮罩區形成奈米級 10 結構。 根據本發明之一具體例，可控制奈米級結構之參數。 例如，若該奈米級結構為導線，則可經由使用不同處理步 驟及處理組成元件來控制導線長度、寬度、高度、間隔距 離及數目。奈米級導線之期望參數至少部分係依據有機分 15 子之組成決定。本發明之具體例提供允許設計者變更奈米 級之某些電路組成元件參數之手段。因此，有機分子之組 成為基於終產物之期望參數所做之設計選擇。 參照第1圖，提供所得具有奈米級結構之元件之一實 例。元件100包含一基材110，有線路120、130置於基材110 20 表面上。若結構120、130係用作為電線，則可由金屬製造。 此等結構依據應用用途而定可由其它材料製成。結構120、 130係藉高度h、寬度w及長度1定義，分開間隔d。根據本發 明之一具體例，可控制次奈米級結構之尺寸及位置。此等 尺寸及位置於實際上可改變。但根據本發明之一具體例， 9 丄362362 形成之結構實質為筆直平行，也具有符合一致之寬度及高 於該製程開始時，具有頭基團及尾基團之有機分子可 於溶液製備。然後有機分子被導入溶液中之校準基材、或 透過其它轉運機轉而被導域準基材。料分子也可藉液 體注入而導入或其它轉運機轉亦屬可能。 當有機分子接觸校準基材時，有機分子自動自我組 裝，形成單科列。單料列形成高度 10 =成對排列，頭基與其它頭基配對，尾基與其它尾^ 15 开^形成平行列。「高度有序」—詞係指示藉自我組裝分子 對案的相對術語。根據本發明之一具體例，成 加以^何行關距可基於有機分子及製㈣液之選擇 外立^石墨4可約束頭間隔。鏈及官能基可提供額 間隔&〜響頭基的讀彳m基的選擇也影響分子 =端結果有機分子㈣財成龍基，錢頭基校準， 機分:::f 弱凡得瓦 爾力將有 子有機 陣列可以兩種不同方式使用。首先，失 20 度 處理 7自我組裝單層之校準基材表面以分子或粒子 交互作用分:::::基材上之有序陣列之頭基交互作用。 〜子维持接觸=氣=相或溶液相輸送。允許 :欠陣列為止1此方自我組裝單層’直到形成二 米陣列之A+二工’可由以其它方式無法組裝成為奈 刀子或粒子，形成具有期望之電、化學或材料性 10 2之有序分子_餘子㈣。 我組裝單叙校準 彳錢分子之自 保校準基_==7標基材直接接觸，喊 h有機八:間之直接接觸，可施加輕微壓 有機分子組成係選擇各個有 μ 至組成該目標基材表面％強力被吸引 目標基材。t# ,此導财機分子固定至 目桿義材^機刀子接觸目標基材時，固⑼係連結至 之固定_連_基材二機分子 錄定端部分由標:材:開時，超出有機分子 面。各個有;m立而遠離目標基材表 椁美材表面/之一端固定至目標基材，有機分子於目 基材表面形成實質垂直線。 同特：卜’可最佳添加其它層。多層可彼此層疊來提供不 此虚所1同層、不同結構及不同舰給欲形成之裝置。 行。述方法及相當製程可根據本發明之具體例於多層進 間存間存在有狹窄空間。相鄰之非成對錯定端 目對較寬空間。較寬空_示為_分子賢立。 ^可翻不同有機分子組成來料預财式控制且形 有賴=有機分子間之間隔。非成對财端間之空間係依據 有機分子之長度而改變。 人暨立於目標基材上之有機分子可用於奈米級電路作為 ;斗$夕卜’未被有機分子覆蓋之目標基材區可被姓 刻去除，留下多列奈米級材料於目標基材上。至於又一步 驟，連結至奈米級材料之有機分子可以適當溶劑或蝕刻去 除。若基材有一導電材料層如金，則奈米級導線可形成於 目標基材上。如此可形成奈米級導線，可使用此種方法來 控制其參數及方向性。 一種形成電路之方法’諸如第1圖所示方法利用有機分 子，其傾向於自我組裝成為有序圖案。於一具體例中，於 自我組裝後’於基材表面上形成有序成列有機分子，且可 用作為蝕刻遮罩。另一具體例中，有序成列有機分子可用 作為介電電路元件。如後文討論，頭基係由亞群以及選擇 性之官能基組成。尾基係由烷基鏈組成，該烷基鏈之—端 係連結至頭基’另一端係由頭基伸出。尾基長度將決定— 列自我組裝頭基對與另一列自我組裝頭基對間之距離。 概略言之’本發明之具體例係針對於某些情況下傾向 於自我校準之分子。參照第2a圖’說明組成頭基及尾基之 g月b基及對應之亞群之概略方塊圖。某些分子有技準傾 向’此處頭基與頭基校準，而尾基與尾基校準^ _具體例 中’使用之有機分子為烷基-氰基聯苯液晶。烷基-氰基聯笨 類屬於有機分子。烷基-氰基聯苯液晶具有第2b圖表示之概 略結構。本發明之具體例非僅限於使用經取代之聯笨類， 反而可擴充至其它具有石墨狀亞群之分子例如菲類、丨，6、 二苯基苯及其它類似分子。某些分子傾向於石墨表面上如 HOPG表面上自我組裝成為高度有序圆案。烷基-氰基聯笨 有兩個有機亞群，亦即氰基聯笨及烷基鏈。聯苯為石墨狀 ，鮮’其構成分子縣之—部分。石墨狀包括任何具有sp2 成之刀子基團’其類似石墨薄片之斷片。芳香環屬於可 於實施祷明之緒歉spvt成實例。餘為直鍵餘和 :其界ο子尾基。院基表示未經界定之⑦(單鍵結碳原 鏈長。舉例言之’燒基之前標「己基」指示鏈長度含六 原子，「辛基」表示八個原子，「癸基」表示十個原子等。 度根據本發明之具體例，溶液及鏈長度或尾基可決定自 我組裝有機分子間之距離。 本發明之具體例係針對於校準基材表面分子之自我組 ^雖餘第2圖描述之具體例係指院基-氰基聯苯液晶， 並非王。卩具體例皆顯示液晶性質^其它具有石墨狀亞群 之有機分子也可有類似表現^聯苯亞群作為一個具體例舉 例說明。本發明非僅限於任何特定石墨狀亞群。於其它具 體例中，具有sp2鍵結混成之分子群具有石墨狀性質而可用 作為烷基-氰基聯苯液晶的取代。 「氰基」表示於聯苯亞群上之CN官能基。基於官能基 之吸弓丨力性質而定，此種氰基官能基可以另一官能基取 代。根據本發明之具體例，不同官能基被吸引至不同材料。 本具體例中，以巯基官能基來取代氰基官能基。巯基表示 —類結合含有一個硫原子之毓基官能基之材料。疏基造成 有機分子被吸引至金。另一可取代氰基之官能基實例為異 氛酸根。異氰酸根被吸引至鉑及鈀。其它官能基例如包括 胺類、異腈類、及其它類似之基團。 參和、第3圖’經取代之烧基-乳基聯笨之溶劑合製劑施 1362362 用至校準基材310上。校準基材31〇含有高度有序熱解石墨 (HOPG)。此項程序也可藉其它方法進行包括液體注入法、 氣相前驅物法及其它已知方法進行。本具體例是利用烷基_ 氰基聯苯液晶當施用至HOPG時具有自我組裝成為聯苯分 5子有序圖案之傾向。當施用至HOPG表面、或校準基材表面 時自我組裝之分子於表面上校準。本發明之具體例採用自 我組裝分子之此種傾向來於校準基材表面上校準成為有序 圖案。此種方法進一步包括用來形成有機分子溶液之溶劑 系統。所不表面為實質平坦，但依據應用用途而定，表面 10也可為非平坦、為可撓性、或具有其它方向性。 參照第4圖，於經取代之烷基_氰基聯苯溶液接觸校準 基材310後，烷基-氰基聯苯溶液自我組裝成為有機單層。 自我組裝之發生快速，約為數秒時間。於校準基材31〇表面 上觀察得形成之圖案。自我組裝後之有機.分子形成有序圖 15案，分子成對校準，形成平行列A、歹,JB而其間有間隔d。 所形成之列數目及列長度受到校準基材之尺寸所限但可幾 乎無限持續。如此也可控制此項參數。 分子之聯苯環於石墨層之類似結構上方校準。有機分 子經由弱凡得瓦爾力而結合至校準基材表面。官能基42〇顯 2〇示已經以巯基官能化之端基（亦即含有巯基官能基）。‘ 如第4圖所示，頭基校準另一頭基，而形成實質上均勻 且高度有序之列A及列B，此處頭基彼此配對。頭基的配對 係類似於界定位在列間之橫向間隔de根據本發明之一具體 例，各列寬度可根據所選用之頭基決定。此外，各列間之 14 1362362 秘向間隔d可經由選擇溶液而決定，該選用之溶液將根據期 望間隔而形成尾基。另-具體例中，橫向間隔可進—步經 由將自我組裝分子於烷溶劑溶劑合來修改。所示之校準表 面為實質上平坦，但依據應用用途而定也可為非平面、可 5 撓性或其它方向性。 參照第5圖，顯示於校準基材31〇已經進行自我組裝後 之下一步騾。含有自我組裝後之有機分子53〇之校準基材 510該側520’直接接觸目標基材57(^目標基材57〇顯示有 一層，亦即金屬層540於底層550上方。此種組配結構之範 10例為金層於矽頂上，後來可被蝕刻形成根據本發明之一具 體例之導線。 μ 第5圖所示之目標基材及校準基材實質為平坦。但其它 具體例中，任-基材可為非平坦或甚至為可挽性。根據本 發明之具體例，陣列可於非平坦面或可撓性面上校準，然 15後施用至基材上。同樣地，基材可為平坦、非平坦、可撓 性或其它方向性。此等基材適合施用校準面至基材表面， 來施用元件陣列於基材表面上。 20 可略微施加壓力來確保校準基材_與目標基材㈣ 之充分制。其它具體射，諸如㈣料材料可用於丨 標基材表絲替代金。Μ目標基材表 同官能基，來輔助自我組裝後分子的連結。本具二 ^機分子之各頭齡核基官能基，其對金提供強力吸; :。因此頭基官能基於接觸目標基㈣〇,頭基官能基將5 。及引至目標基材表面560。至於另一例，若在白或她為期: 15 1362362 之目標基材表面，則可使用異氰酸根作為官能基。其它可 使用之官能基包括氰化物、氰酸根、異氰化物及其它類似 之官能基。官能基之選擇係基於分子自我組裝後官能基連 結至目標基材表面之能力而選用。 5 第6圖顯示於校準基材310去除後之目標基材表面 560。檢查有機分子之一，頭基官能基625維持連結於目標 基材表面560，而分子之聯苯/烷基末端61〇由目標基材表面 560豎立。當聯笨/烷基末端豎立時，有機分子形成實質上 垂直線方向遠離目標基材表面56〇<)尾端出現校準目標基材 10表面560時，出現較寬間隔4，界定官能基615與官能基635 間之距離。頭基官能基成對校準另一頭基官能基之處，出 現相對窄間隔b。舉例言之，窄間隔b界定官能基615與官能 基625間之距離。實際上間隔b將比較寬的間隔心】、。此夕卜， 第6圖及其它相關各圖所示比例並非必要代表於實際應用 15之實際比例。例如因成對官能基實際上更緊密堆積，故間 隔b可比所示更小。根據本發明之具體例，不同長度之烷基 鏈及溶劑的選擇可用來以預測方式控制自我組裝後單層之 有機分子間隔。烷基鏈提供頭基的立體分隔。經由延長烷 基鏈長度，可加大間隔d。實際上，更多層可加至目標基材 20表面560來形成更多三維結構或更複雜的圖案於元件上。 如第7圖所示，未被有機分子所覆蓋之目標基材560區 域可被姓刻去除，留下二線12〇、13〇於目標基材570之底 層。二線120、130附著有有機分子。附著於二線12〇、130 之第7圖所示有機分子可被蝕刻去除，來提供第1圖所示元 16 1362362

件100 〇认<2 於另—具體例，自我組裝後之單層可如第6圖所示 用作為有序介電陣列於目標基材頂上 。如此根據本發明之 具體例’可形成奈米級電路材料及元件，可實質上控制其 尺寸及方向性。實際上，可添加更多層至組成元件，來於 元件上形成額外三維結構。

10 右有機分子用作為篩網來製造電路導線（例如於形成 於基底基材、矽晶圓等上方之金基材層上方之篩網），則於 間隔d之材料被蝕刻去除後，列寬度將界定所得導線寬度。 門隔d將界定導線間之間隔。至於另一例，可使用有機分子 作為介電電路元件，亦即介電線陣列。此種介電線之寬度 係等於列八或列B之寬度，例如隔開間隔d。 15

20 -"、、第8圖，說明具體實施本發明之一種方法。雖然此 種方法係以第8圖所示之步驟順序做說明，但本發明非僅限 二、、等v驟順序。於製程開始時，於步驟800製備有機分子 :液。如教討論’製備傾向於自我組裝成為有序圖案之 武機$子試樣具體例中’使用之有機分子為院基氮 ς聯本H本發財僅限於使収基氰基聯苯類，反而 〜擴充至可於適當容納表面上具有自我組賴向的分子。 :為具有石墨狀亞群之該等分子，其傾向於石墨表面如 G表面自我組裝1干亞群實例包括菲類、1,6二苯基 本及其它。 ^前文討論具體例中，於步驟_，錄官能基可 减訊基。俩制來造財機分子連結至金。硫 、示結合巯基官能基與一個硫原子— 之—類材料。可取代 17 5 5

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20 ::之另-官能基之實例為異氰酸鹽。異氰酸鹽表示結合 ”亂酸^基之-類材料。異氰酸鹽料結至韵及纪。 於步驟81〇,溶液制至校準基材其中有機分子 二我組裝成為有序圖案。如前文討論，於經取代之炫 ^ n讀接觸校準基材後，絲·氰基聯苯液晶自我 2成為有機單層°自我組裝可以數秒時間快速發生。形 冰之圖案例如參考第4圖之校準基材表面。當有機分子 液於;^準基材上自餘裝時，其形成有機分子組成之單 自我組I後之有機分子形成有相案。有序圖案形成 成^準且域平行列之有機分子。有機分子係經由微 弱凡得瓦爾力而結合至校準基材表面。 ^於步驟820,校準基材係與目標基材並排。如前文討 ’’自我《後的下個步驟係將校準基材與目標基材炎 =。含自我㈣後之有機分子之校準基材該側直接接觸目 =基材。略為施加壓力來確保校準基材與目標基材間的適 田接觸$具體例中，目標基材表面為金，底層為石夕。 有機分子的各個頭基含有經取代之疏基官能基，經取代之 疏基官能基由於對金有強力吸引力故被選用。因此，頭基 官能基當接觸目標基材時變成強力連結i目標基材。把或 麵等材料可用於目標基材表面替代金。不同的目標基材表 面的選擇將要求不同的官能基來輔助自我組裝後分子的連 結0 於步驟830 ’校準基材係與目標基材分開，留下有機分 子有序圖案於基材表面上。第6圖中’顯示校準基材被去除 18 1362362 後的目標基材表面560。檢查有機分子之_，頭基官能基615 5 維持連結至目標基材表面560，而分子之聯苯/烷基末端610 由目標基材表面560豎立。當聯苯/烷基末端豎立時，有機 分子由目標基材表面560取向遠離。實際上，用於製備有機 分子之烧基鏈不同長度及溶劑的選擇，可用來以可預測方 式控制於自我組裝單層陣列中，各個有機分子間之間隔。 參照第9圖，另一程序舉例說明於流程圖9〇〇。該程序

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20 始於步驟902，於步驟904，製備有機分子，諸如某些有機 分子傾向於某些條件下自然校準。於步驟9〇6，校準有機分 子施加至基材，於基材，有機分子自我組裝成為有序層Y 於步驟908 ’判定是否須加上額外層。如前文討論，根據本 發明之一具體例，可彼此添加堆疊多層。若欲添加更多層， 則處理前進至步驟91G，於步驟_，物種偏好施加至特定 官能基’或施加至前—有序層的物種。該處理迴圈返回步 驟_，可根據期望的層數迴圈多次。當不再需要沉積更^ 層時，處理前進至步驟912，於該處狀是否圖案化二 Γ!?欲移轉至另一基材。若否，則處理於步驟： 末。右疋’則處理前進至步驟916，有序圖案於校準基材上 與另-基材並置、然後於步驟918，進行校準基材與二 材的分離程序’留下多層有序圖案於另—基材上。且a 土 處理前進至步物Q’於該處判定圖案是否用作為遮罩二 否’則處理於步驟914結束。若是，則於步驟奶 : 轉後之圖案作為遮罩而於另—基材上形成結構。 由此等程序所得產物可就此使用，來形成有序介電陣 19 1362362 列於目標基材頂上，或可用作為遮罩層，來形成互補圖案 於目標基材上。根據本發明之一具體例，如此可形成奈米 級電路材料及元件、金屬線及介電結構，且可控制其尺寸 及方向性。 5 已經參照使用以自我組裝有機分子製造之單層來形成 奈米級電路元件之方法及裝置對本發明之具體例作說明。 但熟諳技藝人士顯然易知本發明有較為寬廣之用途。可未 悖離本發明之精髓及範圍實作根據本發明之其它具體例， 本發明之範圍須以如下申請專利範圍及其相當範圍界定。 10【圖式簡單說明】 第1圖為根據本發明之一具體例製造之奈米級元件之 說明圖； 第2a圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之 製造方法之有機分子之說明圖； 15 第2b圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之 製造方法之有機分子之說明圖； 第3圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 造方法之溶液之施用之說明圖； 第4圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 20 造方法具有自我組裝後之有機分子單層之校準基材表面之 說明圖； 第5圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 造方法具有有機分子單層之校準基材表面正施用至一目標 基材之說明圖； 20 1362362 第6圖為根據本發明之一具體例，用於奈米級元件之製 造方法具有高度有序有機分子圖案於其表面之目標基材之 說明圖， 第7圖為根據本發明之一具體例，具有高度有序有機分 5 子圖案於其表面以及具有基材被蝕刻去除來製作奈米級元 件之目標基材之說明圖； 第8圖為流程圖，顯示根據本發明之一具體例，一種奈 米級元件之製造方法；以及 第9圖為流程圖，顯示根據本發明之一具體例，一種奈 10 米級元件之製造方法。 【主要元件符號說明】 100.. .元件 110…基材 120…線、結構 130.. .線、結構 310、410...校準基材 420.. .官能基 510.. .校準基材 520…側 530…自我組裝後之有機分子 540.. .金屬層 550.. .基底層 560.. .目標基材表面 570.. .目標基材 21 1362362 610.. .聯苯/烷基末端 615、625、635...官能基 800-830、902-922…步驟 900.. .流程圖 d...間隔 h...南度 1...長度 w...寬度

Claims (1)

1. 丄允2362 37488pifl .爲第94U0278號中文專利範圍無 十、申請專利範圍： 1. 一種形.成-圖案化單層於一基材 J備：有自我組裝性質之有機分子;施用該等有二3子 以及由該基材分離該校準表面留； 石以序圖案於該基材上，其中該校準表面包含- t申請專利第Μ之方法，其中製 一用時偏好一 3.如中請專利範圍第w之方法，其中製 二種機分子來於施用時偏好校準至校準表 有序4圖項之枝，進—步包含利用該 準表㈣1狀方含讓該校 高度第1項之方法，其中該校準表面為 7右如申料概圍第i歡方法，其巾 自具有—絲及1基，以及選擇性之刀子各 子^如巾請專利範圍第7項之方法，其為一分 芳香項之料，其+朗基為具有 ι〇,如申請專·圍第7項之方法，其中該頭基為聯 23 I362362 修正曰期:100年6月i〇日 37488pifl 爲第94110278號中文專利範圍無劃線修正本 笨。 11. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該有序圖案 包括實質平行線’其巾該尾基尺寸可獅決定平行線間 之橫向間搞。 12. 如申請專利範圍第u項之方法，其中製備該等分 子包含製備其中含有有機分子之溶劑系統；以及其中用 來製備該溶㈣統之有機分子可決定該橫向間隔f 鲁 鲁 13. 如申請專利範圍第7項之方法，其中該有機分子 之官能基係基於製程處理要求而選擇。 如申請專利範圍第n項之方法，其中該等有機分 子各自含有聯苯亞群。 申請專利範圍第13項之方法，其中該等有機分 子各自3有巯基，以及其中該基材含有一金層。 16·如巾請專利範㈣13項之方法，其“等有機分 異減根作為官能基，以及基材含有選自鈾及把 子含13項之方法’其中該等有機分 官=====好根據其 面包括纪。 、表面’以及其中該基材表 18. 如申請專利範圍第13項之方法，其中該自我組裝 後之有機分子含有異氰酸根# g 、、、 扁好k有序異亂酸根官能基校準於表面。 19. 如申請專利範圍第f 子有一层其芬— 項之方去，其中各個有機分 尾基及一頭基，以及選擇性之一官能基，其中該 24 1362362 - f 37488pifl 爲第94110力8號中文專利範圍無劃線修正本修正日期:100年6月.10曰 . 等有機分子於施用後於橫向隔開。 20.如申請專利範圍第19項之方法，進一步包含將該 等有機分子於烧溶劑進行溶劑合作用；其中該溶劑合程 序可控制該等有機分子之橫向間隔。 • 21.如申請專利範圍第19項之方法，其中該等有機分 , 子各自包含經取代之烷基聯苯。 25