TWI358235B - Sensing membrane and micro-electro-mechanical syst - Google Patents

Description

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三達编號：TW3993PA 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於〜種感測薄膜及應用其之微機電系 統裝置，且特別是有關於—種姻半導體製賴製造之感 測薄膜及應用其之微機電m i。 【先前技術】 鲁 > 近年來 >肖費性電子產品在市場上愈來愈受到消費者 的歡迎’各式各樣的電子產品已經充斥在現代人的日常生 ’舌中。隨著近年來電子產品逐漸朝向多功能、小體積之趨 勢發展’業界無不致力於發展整合性更佳以及成本更低之 產品。為了能夠有效地縮減產品的體積，近年來微機電系 統（Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)裝置係廣 泛地應用於各類產品中，常見的例子包括微機電式麥克 風、加速感測器（G-sensor)等。 • 在各式各樣的微機電系統裝置中，係包括一種應用薄 膜之感測裝置。感測裝置係藉由薄膜感受外界訊號發生之 ' 振動，將外界訊號轉換（transducing)為電性訊號以進行 w 各種訊號之感測。在此種應用薄膜之感測裝置中，薄膜感 受外界訊號而發生振動的靈敏度，對於感測裝置的性能具 有決定性的影響。然而，一般在薄膜的製造過程中，特別 是當薄膜由複合材料製成時，更因為不同讨料間不同膨脹 係數的影響，常使得完成之薄膜的結構中異有大量的薄膜 殘留應力。此種薄膜殘留應力不僅影響到薄膜的靈敏度， 1358235

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三達编號：TW3993PA 殘留應力。應力分散結構具有多個第一貫穿孔及多個第二 ' 貫穿孔，第一貫穿孔位於本體與第二貫穿孔之間。連接部 *； 係連接應力分散結構及基板。 - 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉實施 « 例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 依照本發明較佳實施例之感測薄膜係應用於微機電 ^ 系統裝置中。感測薄膜係利用依序圍繞本體之至少兩組貫 穿孔，釋放感測薄膜本身材質之薄膜殘留應力，以減少殘 留應力對於薄膜感測靈敏度之影響，更可進一步減小感測 薄膜之面積。以下係提出較佳之實施例作為本發明之詳細 說明，然此些實施例係用以作為範例說明，並不會限縮本 發明欲保護之範圍。再者，實施例中之圖示亦省略不必要 之元件，以清楚顯示本發明之技術特點。 Φ 請參照第1圖，其繪示依照本發明較佳實施例之微機 電系統裝置之示意圖。微機電系統裝置100例如是一微機 - 電式麥克風（MEMS microphone )，並且至少包括一基板 . 50及一感測薄膜80。基板50具有一腔體50a，腔體50a 係貫通基板之上下兩表面。感測薄膜80係經由連接部15 連接基板50，藉以將感測薄膜80設置於基板50上，且感 測薄膜80係遮蓋腔體50a之上方開口，使得感測薄膜80 可於基板50上進行振動。 另外，本實施例之微機電系統裝置100更包括一背板 1358235

三達编號：TW3993PA (backplate) 70。背板70係平行設置於感測薄膜8〇上， 且實質上與感測薄膜80相隔一間距。背板70具有多個入 V 聲孔70a，外部之聲音訊號係穿過入聲孔70a接觸感測薄 ·_ 膜80 °感測薄膜80感受到聲壓變化後係發生振動，微機 電式麥克風係藉由感測薄膜80與背板70間電容值之改 變’進行電聲轉換（electro-acoustic transducing)，其運作 、彡為為悉此技術領域者所熟知，係不再加以贅述。 •=處係以微機電式麥克風為例進 速感測器、』=:ΪΓ00亦彻變焦反射鏡、加 件之微機電^統裝^。ασ3'者微波開關等應用感測薄膜元 關於咸測薄膜80之實 例，並辅以第2圖至第5^方式，以下係提出多個實施 _進行詳細說明。 第一實施例 • 請參照第2A圖，其给 測薄膜之示意圖。感測薄照本發明第一實施例之感 ‘散結構13以及一連接部15 1〇包括一本㈣、一應力分 • U，用以分散1膜_4應力分散結構13係圍繞本體 應力分散結構丨3且有多個^ (加灿麗⑽―1 St觀）。 孔13b，窜 ' 系—貫穿孔13a及多個第二貫穿 弟一貫穿孔13a係仞#丄 之間。遠尨* 吁位於本體11與第二貫穿孔13b 逆接部15係連接靡★、 一基板fB %刀分散結構13及微機電系統之 貫穿孔13 土极（未顯示於圖中）。如 a 之間㈣之1^苐二貫穿孔13b t間，以及此 费β 1、 第2Α圖所示，相鄰之兩第一 1358235

三達編號：TW3993PA 經由第一貫穿孔13a之空間進行釋放，剩餘之應力接著由 ♦ ^ —彈性件131及彈性環130引導至第二貫穿孔nb，並 ；藉由第二貫穿孔13b再一次釋放應力。接下來更進一步由 ·-與第一彈性件131交錯配置之鄰近兩個第二彈性件， 將應力分散至連接部15。以此方式，感測薄膜1〇係可藉 由應力分散結構13，分散釋放不同位置之局部壓應^ (local compression stress)。此外，由連接部^朝向本體 # 11方向之殘留應力（以第2A圖之第二應力分散方向D2 為例），一部份先經由第二貫穿孔13b之空間進行釋放，剩 餘之應力接著由第二彈性件132及彈性環13〇導引至第一 貫穿孔13a’並藉由第一貫穿孔13a再一次釋放應力。接 下來更進-步由與第二彈性件132交錯配置之鄰近兩個第 =彈性件13卜將應力更分散至本體u。以此方式，感測 薄，10係可藉由應力分散結構13’分散釋放不同位置之 局部張應力（locaitension stress)。一旦壓應力及張應力得 • 崎放，即可避免薄膜殘留應力影響感測薄膜^靈^ 度。 1 ' 依照本實施例之第一彈性件131、第二彈性件132 .彈性環U0，係分別以s形結構及波浪狀結構為例，如第 2A圖所示。然於本發明所屬技術領域令具有通常知識者， 可知前述元件之形狀並不以此為限。第一彈性件⑶’ 二彈性件m亦可分別具有M $、z形或其他不同之形 狀’純環130亦可為鑛齒狀或其他結構。請參照第 圖，其緣示第2A圖中之應力分散結構具有不同形狀時的 1358235

三達编號：TW3993PA 示意圖。感測薄膜10’之應力分散結構13,中，每一第一彈 性件131’及每一第二彈性件132,實質上為長條狀，彈性環 13 0為邊緣平滑之一圓形環狀結構，第一貫穿孔13 a，及第 一貝穿孔13b’具有平整之邊緣。 另一方面’本實施例中係以16個第一彈性件131及 16個弟一彈性件132 ’並且對應形成16個第一貫穿孔13a 及16個第二貫穿孔13b為例，如第2A圖所示。然而此些 元件之數目係不限制於此，且第一彈性件131與第二彈性 件132亦可具有不相同之數量。此些第一彈性件131較佳 地以相等之間距連接彈性環130，第二彈性件132亦較佳 地以相等之間距連接彈性環130,因此感測薄膜10經由連 接部15連接至基板時，應力分散結構13係可平均地支樓 本體11。另外’每個第一彈性件13ι以及每個第二彈性件 132亦可連接於彈性環130之同一位置。 上述依照本發明第一實施例之感測薄膜10中，應力 分散結構13係以具有多個第一貫穿孔131圍繞本體11， 並取具有多個第二貫穿孔132圍繞第一貫穿孔13ι為例進 仃說明。然而’應力分散結構13更可包括一第二彈性環以 及多個第三彈性件，使得感測薄膜10除第一、第二貫穿孔 131 」132外’更具有多個第三貫穿孔圍繞第二貫穿孔132。 換"之’凡具有依序圍繞本體11之兩組或者兩組以上之貫 穿孔，益、、 精以進行薄膜殘留應力分散及釋放者，均屬於本發 明之範圍。 此外’本實施例中，感測薄膜1〇之材質可例如是碳 11 1358235

三達编號·· TW3993PA 基聚合物（carbon-based polymers)、石夕（silicon)、氮化石夕 (silicon nitride)、多晶石夕（polycrystalline silicon)、非晶 •- 石夕（amorphous silicon)、二氧化石夕（silicon dioxide)、碳 . 化石夕（silicon carbide)’ 以及錯（germanium)、鎵（gallium)、 石申化物（arsenide )、碳（carbon )、鈦（titanium )、金（gold )、 鐵（iron )、銅（copper )、鉻（chromium )、鎢（tungsten )、 銘（aluminum )、翻（platinum )、鎳（nickel )、钽（tantalum ) 等金屬或其合金。其次，感測薄膜10可例如應用微影製 * 程，將感測薄膜10蝕刻出應力分散結構13之圖形。 此外，根據實驗結果可知，當第一貫穿孔13a及第二 貫穿孔13b於垂直徑向之方向上的長度增加時，係增加釋 放薄膜殘留應力之比例。以下係採用一圓形感測薄膜進行 測試’此感測薄膜具有一圈圍繞本體配置之多個貫穿孔， 薄膜半徑為250//m，薄膜厚度為0.275 //m。測試結果請 參照第3圖，其繪示薄膜殘留應力釋放百分比與貫穿孔幾 φ 何配置關係之曲線圖。當貫穿孔之圓孤所對應之圓心角增 加’或者貫穿孔於垂直徑向方向之長度增加時（相當於貫 • 穿孔面積增加時），薄膜殘留應力釋放之百分比係相對增 . 加。另外’由測試結果可知，當貫穿孔之面積增加時，感 測薄膜之共振頻率係相對降低，且當感測薄膜之半徑減小 時，感測薄膜之共振頻率係相對增加。因此，在相同感測 薄膜厚度及共振頻率之條件下，可藉由增加貫穿孔面積， 來達到減小感測薄膜半徑之目的。亦即在相同共振頻率及 相同感測薄膜厚度之條件下，相對於習知感測薄膜，應用 1358235

三達編號：TW3993PA 本實施例之感測薄膜可具有較小之面積。 由於感測薄膜上具有圍繞本體11之應力分散結構 u ’可有效分散及釋放感測薄膜10之薄膜殘留應力，避免 殘留應力影響感測薄膜振動之靈敏度，進而可提升微機 電系統裝置100 (繪示於第1圖中）之感測靈敏度。同時 藉由在相同共振頻率下具有較小面積之感測薄膜10,可縮 小微機電系統裝置100整體之體積。如此係可在單位面積 晶圓上製造更多數目的元件，有助於降低成本。 第一貫施例 本實施例之感測薄膜與上述依照本發明第一實施例 之感測薄膜，不同之處主要在於應力分散結構之設計，其 餘相同之處係略去不再重複贊述。 請參照第4圖，其繪示依照本發明第二實施例之感測 薄膜之示意圖。感測薄膜20包括一本體21、一應力分散 結構23以及一連接部25。應力分散結構23係圍繞本體 21，並且包括一彈性環230、多個第一彈性件231及多個 第一彈性件232。本實施例中，本體21例如是圓形，且應 力分散結構23具有多個第一貫穿孔23a、多個第二貫穿孔 23b、多個第三貫穿孔23c及多個第四貫穿孔23心此些第 一貫穿孔23a分別形成於本體21、兩個第一彈性件及 彈性環230之間；此些第二貫穿孔现分別形成於彈性環 230、兩個第二彈性件232及連接部乃之間；各第三义 孔23c位於各第一彈性件231連接於彈性環咖之= 13 处’合 1358235

三達蝙號：TW3993PA 第四貫穿孔23d位於各第二彈性件232連接於彈性環23〇 之處。 / 本實施例中，各個第三貫穿孔23c以及各個第四貫穿 - 孔23d分別例如疋一矩形，且矩形之長轴方向係通過本體 21之中心，亦即各第三貫穿孔23c及各第四貫穿孔23d分 別沿著本體21之徑向配置。第三貫穿孔23c較佳地未接觸 本體21 ’第四貫穿孔23d較佳地未接觸連接部25。感測薄 φ 膜係藉由第一貫穿孔23a及第二貫穿孔23b釋放本體 21至連接部25或連接部25至本體21方向之殘留應力， 並且藉由第三貫穿孔23c及第四貫穿孔23d釋放彈性環 230之沿本體21切線方向的殘留應力。 第三實施例 本實施例之感測薄膜與上述第一實施例之感測薄 膜，不同之處在於感測薄膜之形狀，以及第一貫穿孔及第 鲁二貫穿孔之配置方式，其餘相同之處以下係不再加以重複 贅述。 . 請參照第5A圖，其繪示依照本發明第三實施例之感 . 測薄膜之示意圖。感測薄膜30包括一本體31、一應力分 散結構33以及一連接部35。應力分散結構％係圍繞本體 31，並且具有多個第一貫穿孔;33a及多個第二貫穿孔33b， 且第一貫穿孔33a係位於本體31與第二貫穿孔33b之間。 連接部35係連接應力分散結構33及微機電系統之一基板。 更進一歩來說，本實施例中本體31為多邊形，並且 14 1358235

三達编號：TW3993PA 具有複數侧邊3GS。此些第—孔❿

饥係為長條狀，且各第—貫穿孔仏係實質上平行= 應之側邊30S。-個第—貫穿孔仏係對應位於一個以 之第二貫穿孔观旁，1各第二貫穿孔饥係實質上平行 於對應之第-貫穿孔33a。本實施例中，本體Μ係以 形為例，應力分散結構33如具有對應於㈣地之四個 苐-貝穿孔说為例做說明，如第5a圖所示。然而本體 31之形狀係不限制於此，本體亦可為五邊形、六邊形或更 多邊形。此外，此些貫穿孔33a、33b亦不限制為長條形， 其亦可為不之雜。每—個第—貫穿孔仏係對應有 三個第二貫穿孔33b，此些第二貫穿孔別實質上均平行 於對應之第-貫穿孔33a，且此些第二貫穿孔33b與對應 之第一貫穿孔33a等長。 再者，本實施例之連接部35更可例如是包括多個凸 緣35a，各個凸緣35a係沿著垂直於對應侧邊3〇s之方向 向外凸出，感測薄膜30係藉由此些凸緣35a連接基板。 另外一方面，此些第二貫穿孔33b亦可與對應之第一 貫穿孔33a不等長。請參照第5B圖，其繪示具有不同於 第5A圖中第一及第二貫穿孔之感測薄膜之示意圖。如第 5B圖所繪示之感測薄膜30,，各第二貫穿孔33b，短於對應 之第一貫穿孔33a’。連接部35,亦可包括多個凸緣35a，， 此些弟一貝牙孔Wb为別沿對應側邊3〇s’之方向，配置於 凸緣35a’之兩侧，如此係可提升感測薄膜3〇,藉由凸緣35&， 連接於基板之支撐強度。 15 1358235

三達編號：TW3993PA 第四實施例 本實施例之感測薄膜與上述第三實施例之感測薄 膜，不同之處在於第一貫穿孔及第二貫穿孔之配置方式， 其餘相同之處以下係不再加以重複贅述。 請參照第6圖，其繪示依照本發明第四實施例之感測 薄膜之示意圖。感測薄膜40包括本體41、應力分散結構 43以及連接部45。該本體41為四邊形，並且具有多個侧 邊40s。應力分散結構43中多個第一貫穿孔43a為長條狀， 且各個第一貫穿孔43a係平行於對應之側邊40s。本實施 例中，此些第二貫穿孔43b分別為一矩形開口，且一個矩 形開口之面積遠小一個第一貫穿孔43a之面積。此些第二 貫穿孔43b係依照多個矩形陣列Μ排列，且一個矩形陣列 Μ係對應位於一個第一貫穿孔43a旁。此些矩形陣列Μ之 長邊，平行於所對應之各個第一貫穿孔43a，且例如是與 對應之各個第一貫穿孔43a等長。 另外，本實施例之連接部45可例如包括多個凸緣 45a，各個凸緣45a係沿著垂直於對應側邊40s之方向向外 凸出，感測薄膜40例如是藉由此些凸緣45a連接於基板。 於另一實施方式中，此些矩形陣列Μ長邊之長度亦可短於 對應之第一貫穿孔43a之長度，且此些矩形陣列Μ係沿對 應側邊40s之方向，配置於凸緣45a之兩侧。此時一個第 一貫穿孔43a係對應於兩個矩形陣列M。然而矩形陣列Μ 長邊之長度係可針對需求進行調整，且一個第一貫穿孔 33a亦可對應兩個以上之矩形陣列Μ，端視設計上的需求。 1358235

三達编號：TW3993PA 向的殘留應力。然於另—實施方式中，各第三貫穿孔63c 亦可位於各第—彈性件632，連接於彈性環㈣，之處。另 外，本實施例中係不限定第三貫穿孔63c之形狀，其可例 如是方K如第7B圖所不）、平行對應之側邊術，之矩形、 垂直對應之侧邊60s，之矩形或者不規則形狀。 上述依照本發明較佳實施例之感測薄膜及應用其之 微機電系統裝置，利用至少包括多個第—彈性件、彈性環 以=夕個第—彈性件之應力分散結構，分散不同位置之局 部壓應力或局部張應力。再者，至少利㈣繞本體之多個 第貝牙孔及多個第二貫穿孔，來達到釋放薄膜殘留應力 之效果。其係相谷於傳統應用感剛薄膜之微機電系統裝 置，並且可提升微機電系統裝置之靈敏度。此外，更可藉 由縮減感測薄膜之面積，減小微機電系統裝置之體積，進 一步降低成本。 、綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上， 然其並_錄定本發明。树日㈣屬㈣領域中具有通 常知識者，在謂縣發明之料域㈣，#可作各種 之更動_飾。因此’本發明之保護範圍#視後附之申請 專利範圍所界定者為準。 1358235

三達编號：TW3993PA 【圖式簡單說明】 第1圖繪示依照本發明較佳實施例之微機電系統裝置 之不意圖， 第2A圖繪示依照本發明第一實施例之感測薄膜之示 意圖； 第2B圖繪示第2A圖中之應力分散結構具有不同形狀 時的示意圖； 第3圖繪示薄膜殘留應力釋放百分比與貫穿孔幾何配 置關係之曲線圖； 第4圖繪示依照本發明第二實施例之感測薄膜之示意 圖； 第5A圖繪示依照本發明第三實施例之感測薄膜之示 意圖； 第5B圖繪示具有不同於第5A圖中第一及第二貫穿孔 之感測薄膜之示意圖； 第6圖繪示依照本發明第四實施例之感測薄膜之示意 圖； 第7A圖繪示依照本發明第五實施例之感測薄膜之示 意圖，以及 第7B圖繪示第7A圖中之應力釋放結構具有三組貫穿 孔時的示意圖。 【主要元件符號說明】 10、10’、20、30、30’、40、60、60’、80 :感測薄膜 19 < S )

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三達编號：TW3993PA Η、21、31、4卜 61 :本體 13、13,、23、33、33’、43、63、63’ ：應力分散結構 ; 13a、13a，、23a、33a、33a，、43a、63a、63a，：第一 貫穿孔 13b、13b，、23b、33b、33b’、43b、63b、63b，：第二 貫穿孔 23c、63c :第三貫穿孔 23d :第四貫穿孔 15、25、35、35,、45、65 :連接部 30s、30s，、40s、60s(l)、60s(2)、60s’ ··侧邊 35a、35a’、45a、65a :凸緣 50 :基板 50a :腔體 70 :背板 70a :入聲孔 φ 100 :微機電系統裝置 130、130’、230、630、630’ ：彈性環 - 131、131’、231、631、631’ ：第一彈性件 • 132、132’、232、632、632, ··第二彈性件 D1 :第一應力分散方向 D2 :第二應力分散方向 Μ:矩形陣列 20

Claims (1)

1358235 ---- 螽J. 正替換頁 ---1 2011/9/5_2抝修正 十、申請專利範圍： 1. 一種感測薄膜，應用於一微機電系統裝置中，該感 測薄膜包括： 一本體； 一應力分散結構，圍繞該本體，用以分散一薄膜殘留 應力（residual stress)，該應力分散結構具有複數個第一貫 穿孔（perforation)及複數個第二貫穿孔，該些第一貫穿 孔係位於該本體與該些第二貫穿孔之間；以及 一連接部’連接該應力分散結構及該微機電系統裝置 之一基板， 其中該應力分散結構包括： 一彈性環，圍繞該本體； 複數個第一彈性件，連接該彈性環的内緣及該本體； 及 複數個第二彈性件，連接該彈性環的外緣及該連接 部， 該應力分散結構還具有複數個第三貫穿孔，各第三貫 穿孔分別位於所述各第一彈性件連接於該彈性環之處。 2·如申請專利範圍第1項所述之感測薄膜，其中該本 體為圓形’且各該第—彈性件及各該第二彈性件分別沿該 本體之徑向配置。 ° 3.如申請專利範圍第i項所述之感測薄膜，其中該些 第彈1·生件及該些第二彈性件係交錯連接於該彈性環之兩 側0 21 1358235

2011/9/5.21-修正 4. 如申請專利範圍第丨頊戶斤述之感測薄犋，其中該些 第一貫穿孔分別形成於該本體、兩個該第一彈性件及該彈 性環之間，該些第二貫穿孔分别衫成於該彈性環、兩個該 第二彈性件及該連接部之間β 5, 如申請專利範圍第丨硪所述之感測薄膜，其中該彈 性％為波浪狀結構。 6·如申請專利範圍第i頊所述之感測薄祺，其中該些 第一彈性件為8形結構。 7. 如申請專利範圍第丨頊户斤述之感測薄犋，其中該些 第二彈性件為S形結構。 8. 如申請專利範圍第丨項所述之感測薄祺，其中該本 體、該些第一彈性件、該彈性環、該些第二彈性件及該連 接部係一體成形。 9. 如申請專利範圍第1項所述之感測薄膜，其中各該 第二貫穿孔分別為一矩形，且各該矩形之長軸方向通過該 本體實質上之中心。 1〇.如申請專利範圍第1項所述之感測薄膜，其中該 應力分散結構更具有複數個第四貫穿孔，各該第四貫穿孔 實質上分別位於各該第二彈性件連接於該彈性環之處。 u.如申請專利範圍第10項所述之感測薄膜，其中各 該第四貫穿孔分別為—矩形，且各該矩形之長轴方向通過 該本體實質上之中心。 12.如申請專利範圍第丨項所述之感測薄膜其中該 為夕邊升並且具有複數個側邊，各該第一貫穿孔係 22 1358235 4 (0¾修正替換頁 2011/9/5.2°11 修正 實質上平行於該對應側邊。 13. 如申請專利範圍第12項所述之感測薄膜，其中一 個該第一貫穿孔係對應位於一個以上之該第二貫穿孔旁， 各該第二貫穿孔係實質上平行於該對應第一貫穿孔。 14. 如申請專利範圍第13項所述之感測薄膜，其中該 些第二貫穿孔至少部分地與所對應之該些第一貫穿孔實質 上等長。 15. 如申請專利範圍第13項所述之感測薄膜，其中該 些第二貫穿孔分別短於所對應之該些第一貫穿孔。 16. 如申請專利範圍第13項所述之感測薄膜，其中該 些第一貫穿孔為長條狀。 17. 如申锖專利範圍第13項所述之感測薄膜，其中該 些第一貫穿孔為不規則形狀。 18. 如申請專利範圍第13項所述之感測薄膜，其中該 些第二貫穿孔為長條狀。 19. 如申請專利範圍第13項所述之感測薄膜，其中該 些第二貫穿孔為不規則形狀。 20. 如申請專利範圍第12項所述之感測薄膜，其中該 連接部包括： 複數個凸緣，係沿著垂直於該些侧邊之方向向外凸 出，用以連接該基板。 21. 如申請專利範圍第12項所述之感測薄膜，其中該 些第二貫穿孔係依照複數個矩形陣列排列，且一個該第一 貫穿孔係對應位於一個以上之該矩形陣列旁，該些矩形陣 23 1358235 正刪丨 2_e修正 列之長邊實質上分別平行於所對應之各該第一貫穿孔。 22. 如申請專利範圍第21項所述之感測薄膜，其中至 少部分之該些矩形陣列之長邊與所對應之該些第一貫穿孔 實質上等長。 23. 如申請專利範圍第1項所述之感測薄膜，其中該 本體為多邊形，並且具有複數個側邊，各該第一貫穿孔實 質上沿著一個以上之該側邊配置。 24. —種微機電系統裝置，包括： 一基板； 一感測薄膜，包括： 一本體； 一應力分散結構，圍繞該本體，用以分散一薄膜 殘留應力，該應力分散結構具有複數個第一貫穿孔及複數 個第二貫穿孔，該些第一貫穿孔係位於該本體與該些第二 貫穿孔之間；及 一連接部，連接該應力分散結構及該基板；以及 一背板，平行設置於該感測薄膜之一側，且實質上與 該感測薄膜相隔一間距， 其中該應力分散結構包括： 一彈性環，係圍繞該本體； 複數個第一彈性件，連接該彈性環之内緣及該本體； 及 複數個第二彈性件，連接該彈性環之外緣及該連接 部， 24 1358235

2011/9/5.2^1 修正 該應力分散結構還具有複數個第三貫穿孔，各該第三 貫穿孔實質上分別位於各該第一彈性件連接於該彈性環之 處。 25. 如申請專利範圍第24項所述之微機電系統裝 置，其中該本體為圓形，且各該第一彈性件及各該第二彈 性件分別沿該本體之徑向配置。 26. 如申請專利範圍第24項所述之微機電系統裝 置，其中該些第一彈性件及該些第二彈性件係交錯連接於 該彈性環之兩側。 27. 如申請專利範圍第24項所述之微機電系統裝 置，其中該些第一貫穿孔分別形成於該本體、兩個該第一 彈性件及該彈性環之間，該些第二貫穿孔分別形成於該彈 性環、兩個該第二彈性件及該連接部之間。 28. 如申請專利範圍第24項所述之微機電系統裝 置，其中該本體、該些第一彈性件、該彈性環、該些第二 彈性件及該連接部係一體成形。 29. 如申請專利範圍第24項所述之微機電系統裝 置，其中該應力分散結構更具有複數個第四貫穿孔，各該 第四貫穿孔實質上分別位於各該第二彈性件連接於該彈性 環之處。 30. 如申請專利範圍第24項所述之微機電系統裝 置，其中該本體為多邊形，並且具有複數個侧邊，各該第 一貫穿孔實質上平行於該對應側邊。 31. 如申請專利範圍第30項所述之微機電系統裝 25 1358235 湓9月〇g修正替频 . -* 2011 /9/5_2加修正 置，其中一個該第一貫穿孔係對應位於一個以上之該第二 貫穿孔旁，各該第二貫穿孔實質上平行於該對應第一貫穿 孔。 32. 如申請專利範圍第30項所述之微機電系統裝 置，其中該些第二貫穿孔係依照複數個矩形陣列排列，且 一個該第一貫穿孔係對應位於一個以上之該矩形陣列旁， 該些矩形陣列之長邊實質上分別平行於所對應之各該第一 貫穿孔。 33. 如申請專利範圍第24項所述之微機電系統裝 置，其中該本體為多邊形，並且具有複數個側邊，各該第 一貫穿孔實質上沿著一個以上之該側邊配置。 26