TWI355562B - Lithographic apparatus and method for manufacturin - Google Patents

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1355562 九、發明說明：— 【發明所屬之技術領域】 本發明相關於一種微影裝置及一種元件製造方法，以及 —種由此製成之元件。 【先前技術】 微影裝置係一施加所需圖案 是基板之一目標物部分上。例如，一微影裝置可用於積體 電路（ICs)之製造中，在此情況中，一圖案化元件，或稱為 光罩或一主光罩，其可用於產生一形成於該1(:之一個別 層上之電路圖案，此圖案可以轉移至一基板（例如一矽晶 圓）上之一目標物部分（例如包含一或多個晶粒之部分）上。 圖案之轉移典型上係藉由成像於該基板上之一層輻射敏感 性材料（光阻卜大體上，單一基板包含—網狀的相鄰目標 物部分，其被依序圖案化。習知微影裝置包括俗稱之步進 機’其中每個目標物部分係利用一次將該整個光罩圖案曝 光到該目標物部分上來輻射’及俗稱之掃描裝置，其中每 目枯物部刀的輻射係利用在一既定方向(”掃描，，方向）， 射束掃描該圖案，而同步地以平行或反平行於該 宰1=該基板。亦可以藉由將圖案印在該基板上，使圖 案使圖案化it件轉移至絲板。 在一習知裝置中， 測 曰 中一基板可由一基板平台固持在一量 位置’以I測出4r_ J出該基板之特定外觀，例如偵 -位置及/或方位 別出絲板之 -或多個量測光束在，量測或伯測可以使用 在遠端實施或利用-或多個感測器。在 I16084-1000427.doc 1355562 特定基板外觀之量測後，該基板平台可移動而將該基板轉 移至-位置’該基板可在此由1案化輻射束照射。一或 多個基板外觀之量測結果(例如··該基板與基板平台之相 關位置及/或方位)即可使用，例如用於將圖案化輻射束對 焦及/或導向該基板之一所需部分上、將該基板平台相關 於輻射束而定位及/或利用一不同方式。 【發明内容】 吾人有必要將該裝置改良 成具有小型特徵之元件。 其中該裝置可用高準確度製 根據本發明之-實施例，其提供—種微影裝置，該裝置 包括-建構詩固定-基板之基板平卜該基板平台可移 動而將該基板轉移於一基板量測位置與一基板處理位置之 間一量測系統錢構用於當該基板平台將該基板固持在 該量測位置時即量測出該基板之至少一外觀或特徵。該量 測系統係建構用於將至少—量測光束及/或場放射向該基 板之表面。一投影系統係建構用於當該基板平台將該基 持在忒基板處理位置時將一圖案化輻射束投射到該基 目標物为上。一調節系統係建構用於將一調節流 體供給至該量測系統之該量測光束及/或場之一路徑之至 少一部分’以調整該路徑部分。 根據本發明之-實施例，其提供一種微影投影裝置，該 裝置匕括建構用於固定一基板之基板平台。該其板平二 可移動而將該基板轉移於一基板量測位置與一基：處理: 置之間。_量測系、統係建構用於當該基板平台將該基板固 116084-100Q427.doc 持在該量測位置時即i ¾板之

該量測系統係建構用於將至少一量測光束及/或場放射向 該基板之一表面。-投影系統係建構用於當該基板平台將 該基板固持在該基板處理位置時將一圖案化輕射束投射到 該基板之一目標物部分上。該裝置亦包括-空隙填充及/ 或空隙圍封體，其包含一流體流動控制表面，該流體流動 控制表面延伸相對立於該基板量測位置且接近於該量測位 置。該流體流動控制表面實質上延伸平行於-固持在該基 板量測位置之基板之基板表面。該空隙填充及/或空心 封體係建構用於將-調節流體導向該量測系統之該量測光 束及/或場之路徑之至少一部分。該路徑部分係延伸於該 流體流動控制表面與一基板表面之間。 根據本發明之—實柏ϊ存_|，# 4S. Μ 頁她例其耠供一種元件製造方法，包 含：將-基板固持於-量測位置；藉由至少一量測光束及 或#放射向β亥基板之一表面，以偵測出被固持在該量測

位置之該基板之至少一外觀、特徵、位置及/或方位。該 方法亦匕括將調節流體導向至該量測光束及，或場之一 路徑之至少-部分，以調整該路徑部分；及在該基板之至 少―外觀、特徵、位置及/或方位之偵測後，將該基板從 該量測位置移至一處理位置。 再者，本發明之一實施例提供一種微影裝置，該裝置包 括一建構用於固定-基板之基板平台。該基板平台可移動 而將該基板轉移於-基板量測位置與—基板處理位置之 間。一量測系統係建構用於當該基板平台將該基板固持在 116084-1000427.doc -9- 1355562 該量測位置時即量測出該基板之至少一外觀或特徵。該量 測系統係建構用於將至少一量測光束及/或場放射向該基 板之一表面。一投影系統係建構用於當該基板平台將該基 板固持在該基板處理位置時將一圖案化輻射束投射到該基 板之一目標物部分上。該裝置亦包括一空隙填充及/或空 隙圍封體，其包含一流體流動控制表面，該流體流動控制 表面延伸相對立於該基板量測位置且接近於該量測位置。 該裝置亦包括一系統，其用於將該空隙填充及/或圍封體 作溫度調整。 再者，本發明之一實施例提供一種使用本發明之一實施 例之一裝置或一方法而製成之元件。 【實施方式】 圖1概略說明本發明之一實施例之微影裝置。該裝置包 含：一照明系統（照明器）IL，其建構用於調整一輻射束pB (例如UV輻射或其他轄射）；一支撐結構（例如一光罩平 台）MT，其建構用於支撐一圖案化元件（例如一光罩’ 且連接到-第-定位元件PM，該第—定位元件係根據特 定參數而建構用於將該圖案化元件精確定位；一基板平台 (例如-晶圓平台)WT，其建構用於固定一基板(例如一： 佈光阻材料的晶圓）w，且連接到一第二定位力件㈣，該 第二定位元件係根據特定參數而建制於將該基板精確定乂 位，及-投影系統（例如一折射式投影透鏡系統肌，其建 構用於將-藉由圖案化元件MA而施加至輻射束叩之圖案 投射在基板W之一目標物部分。上(例如包含一或多晶粒)。 n6084-1000427.doc •10· 1355562 、 照明系統可包括許多*學組居類型―’例如折射型:一反射 型、磁性、電磁型、靜電型或其他光學組件類型，或其任 意組合，用於將輻射導引、塑形或控制。 該支擇結構支樓該圖案化元件，亦即承載。其將該圖案 化元件固定之方式絲決於該圖案化元件之方&、該微影 裝置之設計、及其他條件，例如該圖案化元件是否固定於 一真空環境内。該支撐結構可以使用機械式、真空式、靜 φ 電式或其他夾持技術將該圖案化元件固定。該支撐結構可 以是一框架或一 +台，❹其可依需要而固定或移動。該 支擇結構可以確保該圖案化元件在—要求位置，例如相關 於該投影系統者。本文所用之"主光罩"或”光罩"等詞可視 為同義於一般用詞"圖案化元件"。 本文所用之”圖案化元件"一詞應該廣泛地解釋成是指任 意可以用於賦予一輻射束具有一圖案化橫截面的元件，以 利產生一圖案於基板之目標物部分。應該注意的是施加於 • 輻射束之圖案可以不必正好對應於基板之目標物部分中之 所需圖案，例如若圖案包括相位變移特徵或所謂之輔助特 徵。一般來說，施加於輻射束之圖案將對應於位在一欲產 生於該目標物部分中之元件的一特定功能層，例如—積體 電路。 圖案化元件可為透射型或反射型。圖案化元件之例子包 括光罩、可程控之面鏡陣列及可程控之LCD面板。光罩已 I知於微影姓刻技術中，並包括二元式、交替相位變移式 及衰減相位變移式，以及多種混合式光罩類型。一可程控 116084-1000427.doc 1355562 之面鏡陣列範例採用小面鏡之矩陣配置方式，各面鏡可以 個別地傾斜’以將—人射之輻射束反射於不同方向。傾斜 面鏡將一圖案施加於一由面鏡矩陣反射之輻射束中。 文内所用之"投影系統"一詞應廣泛地解釋成涵蓋各種類 型的投影系、統’包括折射型、反射型、反射折射混合型、 磁性、電磁型及靜電型光學系統，或其任意組合， 於所使用之曝光輻射，或其他變數，諸如使用浸液或使用 一真空。文内所使用之"投影透鏡"一詞可視為同義於一般 用詞"投影系統、 如文内所述，該裝置為一透射型（例如採用一透射型光 罩）。另者，該裝置可為一反射型（例如採用上述之一可程 控面鏡陣列，或採用一反射型光罩）。 該微影裝置可為-具有二（二階段式）或更多基板平台（及 /或二或更多光罩平台）之類型，在此"多階段"機器中，額 外之平台可以並行地使用，或在—或更多平台上執行準備 步驟，而一或更多其他平台則用於曝光。 該微影裝置亦可為一類型，即該基板之至少一部分可由 一具有較高折射指數之液體覆蓋，例如水，以利於填充該 投影系統與該基板之間之—空隙…浸液亦可施加於該微 影裝置内之其他空隙’例如，該光罩與該投影系統之間。 浸潰技術為此技藝中已知用於增加該投影系統之數值孔徑 者。本文所用之"浸潰詞並非指—結構例如__基板者需 浸在液體内，而是指在曝光期間液體係位於該投影系統與 該基板之間。 ' 116084-1000427.doc •12· 1355562 _ -=. - — -- — d=-- — - · · ... _ 請參閱圖1 ’照明器IL择白一ϋ二ΪΓ''一一一一一一一一. 緣係自—輻射源SO接收一光束，該 源及該微影裝置可為分離之實體，例如當準直分 子雷射時。在此例子中’該源不被視為微影裝置之一部 分，且輻射束係藉由一先击偟 尤果傳达系統BD而自源so傳送至 照明裔IL ’該光束傳送系姑么丨l Α 得达糸統例如包含適當之導引面鏡及 /或一光束擴展器。在苴他例早由 例子中該源可為微影裝置之 一體成型部分’例如當該源為一水銀燈時。若有需要，該 源S 〇及照明器1 L連同光束傳送系統B D可視為一輻㈣ 統。 照明器IL可包含一調整器趟，以調整輻射束之角度強 度分佈’大體上，可調整照明器之一成像平面中之強度分 佈的至少外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱作為3外部及 s内。卩）此外，照明器IL可包含許多其他組件，諸如一積 分器IN及一聚光器c〇。照明器可用於調整輻射束，其截 面上具有所要求的均勻度及強度分佈。 • 轄射束PB入射於圖案化元件（例如光罩MA)上，其固定 在支撐結構（例如光罩平台MT)上，且由圖案化元件製圖。 穿越光罩MA後’輻射束pb通過投影系統PL，而將光束聚 焦在基板W之一目標物部分c上。藉由第二定位元件pW及 位置感測器IF(例如一干涉量測元件JF、線性編碼器或電容 性感測器）的幫助，基板平台WT可以精確地移動，例如以 便將不同目標物部分C定位在輻射束PB之路徑中。相似 地’第一定位元件PM及另一位置感測器（圖1未示）可用以 相關於輻射束PB之路徑而將光罩MA精確定位，例如在從 H6084.1000427.doc 13 1355562 一光罩庫中以機械方式取出後，或是在一掃描期間。大體 上，光罩平台MT之移動可以在一長程模組（粗略定位）及一 短程模組（微細定位）的幫助下實現，諸模組構成第一定位 元件PM之-部分。相似地，基板平台资之移動可以利用 一長程模組及一短程模組達成，諸模組構成第二定位元件 PW之一部分。在一步進機之例子中（相對於一掃描器”光 罩平台MT可以僅連接到一短程致動器，或是固定。光罩 MA及基板W可使用光罩對準記號M1、M2&基板對準記號

Pi P2對準。儘官所示之該等基板對準記號佔用專屬之目 標物部分，但是其亦可位於該等目標物部分之間之空隙 (此俗稱為劃線對準記號卜相似地，在超過一故晶粒設置 於光罩MA上之情況中，光罩對準記號可位於該等晶粒之 間。 所述之該裝置可以使用在以下模式之至少一者中： 1. 在步進模式中，光罩平台MT及基板平台琛丁基本上保 持固定，而施加於輻射束之一整個圖案則一次投射在一目 標物琿为C上（即單一靜態曝光）。基板平台WT隨後在X 及/或Y方向上移位，使得一不同目標物部分C可以曝光。 在步進模式中’曝光範圍之最大尺寸限制了在單一靜態曝 光時成像之目標物部分c之尺寸。 2. 在掃描模式中，光罩平台MT及基板平台WT為同步掃 描，而一施加於輻射束之圖案則投射在一目標物部分C上 (即單一動態曝光）^基板平台WT與光罩平台MT之相對速 度及方向可由投影系統PL之（縮小）放大及影像相反特徵所 I16084-1000427.doc •14· 1355562 • 決定。在掃描模式 >，曝光範圍之最大尺了在單_ 動態曝光時目標物部分之寬度（在非掃描方向中卜而掃亡 . 運動之長度決定了目標物部分之高度（在掃描方向中）。田 ' 3·在另一模式中，光罩平台财基本上保持固定以固持一 可程控之圖案化元件，且基板平台贾丁移動或掃描同時— 施加於輻射束之圖案則投射在一目標物部分(：上。在此模 式中，大體上採用一脈衝式輻射源，且可程控之圖案化元 φ 件係依需要而在基板平台WT每次移動後或在一掃描期間 連續輻射脈衝之間更新.此操作模式可施加於採用可程= 圖案化元件之無光罩微影技術中，例如上述之可程控面: 陣列。 上述使用模式之組合及/或變化或完全不同之使用模式 亦可採用》 在一實施例中，如圖i所示，基板平台WT可移動，其用 於將平台WT所固持之基板職至少一基板量測位置轉移 魯 1-基板處理位置。在圖4，用於將基板w定位於處理 位置之-基板平台位置係以WT(P)表#。用於將基板％定 位於1測位置之一基板平台位置則以WT(M)表示。舉例而 言，該量測位置可以遠距於投影系統之一下游端E，而該 處理位置可以接近於及/或相對立於投影系統之該下游端 E 〇 當基板平台wt將基板w固持於由WT(p)表示之基板處理 位置時，基板W可由投影系統.照明。特別是，當該基板在 由WT(M)表不之量測位置時，該基板未曝露於投影系統。 116084-1000427.doc •15- 1355562 較佳地，在基板平台從各別基板量測區移動至各別基板投 影區期間，基板w仍在基板平台琢丁上之同一位置。 例如，該基板之量測位置及處理位置可以位於該裝置之 同一内部或腔室中，例如該裝置之一基板區wz。舉例而 言，該裝置之一中間框架部3(例如一計量框架部）可以實質 上將此内部裝置區WZ分隔於一或多個其他裝置區，例如 分隔於一投影系統區Pz。另者，基板之量測位置及處理位 置可以位於不同區内，例如該量測位置即位於該裝置外。 基板平台WT在所需基板平台位置WT(M)& WT(p)之間之 移動可以藉由許多方式實施，此為習於此技者所熟知。例 如，此一移動之至少一部分可以藉由第二定位元件Pw、 一基板平台輸送器及/或一或多個其他輸送機構達成。在 另一實施例中，基板平台WT可大致在單一虛擬平面或高 度中從基板量測位置移至基板處理位置。以一非限制性範 例而言，在圖1中，基板平台w丁可在一實質水平方向11或 X-Y平面中移動，以將基板w移動於一實質水平方向中或 沿著X-Y平面而從量測位置移至處理位置，或者反之亦 然。 在一實施例中，該裝置可備有一量測系統10、u、12， 係建構用於當基板平台WT將基板w固持於量測位置時可 量測基板之至少一外觀及/或特徵。概略揭示於圖中之該 量測系統可依多種方式建構。在另—實施例中，量測系統 10、11、12可建構用於使用一或多個量測光束及/或場’ 以量測或監視基板。例如，在另—實施例中，量測系統 116084-1000427.doc • 16 - 1〇、11、12可將：[孓個量3光束8,9?石^^¥ 基板w之表面1如’在該例子中，m统亦可建構用 ;:由基板表面反射之光束8、9之一或多個路徑處偵測。 凊^胃意本申請案中之"量測光束及/或場"一詞應作廣義解 釋。"量測光束” 一詞可包括一電磁束、一電氣束、一光 束 粒子束、一音波束及/或一不同類型量測光束。例 如 里測場可以是一電磁場，或一適用於量測基板之一 或多個外觀之不同場。 例如，該量測系統可建構用於量測該基

^或特曰徵，例如使用-電磁性、音響性、電氣性及Z 電二性量測方法H同類型量測方法。相似地，，，導 °或放射量測光束及/或場應作廣義解釋，而與上述"量 J光束及/或％ "一詞之廣義解釋一致。例如，量測系統可 13電谷性對準系統及/或一音響性基板高度偵測系 統。 在又一實施例中，各量測光束8、9可以是一光束。在 光束凋應作廣義解釋。量測（光）束可以是一適當 之輻射束’其至少-部分可由-待量測基板w之表面反 射例如，里測光束可包括一在可見光範圍内之一或多個 輻射波長之光束及/或一具有一或多個不同輻射波長之光 束。 例如’遠量測系統可建構用於量測基板w與基板固定座 (或平台）WT彼此相關之一位置及/或方位。基板w之此一 位置及/或方位可包括一基板與基板平台彼此相關之一特 116084-1000427.doc -17· 丄妁5562 定對準及/或錯位、在與基板表面平行之方向中量測之一 或多個基板位置、基板之一定傾斜度、相關於基板表面而 沿垂直方向量測之基板高度、厚度及/或高度位置、及/或 其他基板位置及/或方位。例如，該量測系統可建構用於 提供資料’以偵測出基板與基板平台在6個不同自由度時 之彼此相關位置。再者，當平sWT將一基板冒固持於量 測位置時’該量測系統可建構用於偵測出基板平台WT之 位置。此外’當平台將基板固持於量測位置時，量測系統 可備有關於基板平台WT之一準確位置的（預定）資訊。該裝 i可包含控制構件以控制該量測系統，及可使用量測結果 以計算或估算出基板之特定外觀。該控制構件未作詳述， 因為對習於此技者而言應知該控制構件如何建構。 在一實施例中’該量測系統可備有一或多個對準感測器 12 ’以偵測出一基板W上所提供之特定對準標記，用於偵 測出基板在一特定平面中（例如圖1中之XY平面）之位置。 在圖2中’其說明一對準感測器12之一實施例。對準感測 器12可建構用於將一或多個對準量測光束9放射趨向於被 固定在量測位置之基板W之表面，及偵測出對準量測光束 9之反射部分。 再者’例如，該量測系統可備有一或多個高度感測器 10、11，係建構用於偵測出一固定於量測位置之基板…之 一特定高度。在圖2之實施例中，該高度感測器包含多數 個高度量測光束發射器10，係建構用於發射複數個實質上 平行之高度量測光束8，及一或多個高度量測光束偵測器 116084-1000427.doc -18- 1355562 11 ’用於偵測高度量測光束8之反射部分。如ϋ所示，對 準量測光束9及高度量測光束8可由各感測器1〇、u、12導 向基板表面之實質相同部分。另者，許多量測光束8、9可 - 以導向不同基板部分。此外，如圖2所示，一上述高度量 測光束之一入射角可以明顯大於（接近9〇。）一上述對準量測 光束之一入射角（入射角係相關於基板表面之一法向而量 測）。 φ 該量測系統亦可備有一或多個其他感測器，例如備有一 或多個平面形編碼器（圖中未示）。再者，若該量測系統係 建構成使用一或多個量測場，則量測系統可包含一或多個 適當場產生器，例如若量測場為一電磁場，則該量測系統 即包含一或多個電磁場產生器，此為習於此技者所熟知。 量測系統10、11、12可備有一遠端感測構件，以利於基 板被該投影系統照射之前先偵測基板w之位置及/或方位。 特別是，基板與基板平台之彼此相關位置及/或方位之量 # 測結果可用於將一圖案化輻射束聚焦及/或導向至基板之 一所需部分上、將基板平台相關於圖案化輻射束而定位、 或一不同方式。在另一實施例中，在從量測系統1〇、丨工、 12量測或偵測基板位置及/或方位進行至投影系統已將輻 射束投射至基板W上之一週期期間，基板w並未相關於基 板平台WT而重新定位。在此例子令，本量測系統之量測 結果並未依此將基板W相關於基板平台|了而（重新）對準。 另者，在圖案化輻射束投射至基板w上之前，量測系統 之量測結果係用於將基板w相關於基板平台而（重新）對 116084-1000427.doc 19 準。 在實施例中，該裝置亦包含一調節系統4、5()，其建

'冓用於調整該量測系統之多數個量測光束及/或場之一路 從之至少一邱八 U 。丨刀。此一調節系統4之一實施例概略揭示於 圖1 -5中。 处在圖1-5之實施例中，該調節系統包含一空隙填充及/或 二隙圍封體4 ’纟具有一流體流動控制表面14。流體流動 控制表面14延伸相對立於基板量測位置（如圖2)。流體流動 二制表面14係配置以提供或圍封一較窄之狹縫s，且一基 板W之至乂基板表面部分被固持於基板量測位置該基板 表面部f係背對於基板平台WT且在使用期間接收該量測 系統之S測光束8、9。在本實施例中，流體流動控制表面 實質上L伸平行於被固持在基板量測位置之基板w之基 板表面。在又一實施例中，流體流動控制表面14可延伸相 對立於一位於量測位置之基板之整個表面，且選項性地相 對立於一相對立基板平台WT之至少一表面部》。依此， 一較長且窄之狹缝S可設置於基板表面與空隙填充及/或空 隙圍封體4之間。 流體流動控制表面14因&可用許多方式配置及建構。例 此表Μ為-實質呈平坦狀、實質呈連續狀或未中斷 狀表面，除非另有明確指示（例如有關用於將量測光束發 射及接收之光圈之應用及/或有關用於將調節流體供給及/ 或去除或抽取之流體出口及/或人口之應用）。$者，流體 流動控制表面14可被構型’彡包括小型流體導引槽及/或 116084-1000427.doc •20· 1355562 —· -=—~—.____ 包含一定之切口，例如用於將流所 需之方向。 空隙填充及/或空隙圍封體4依此而提供一被動構件或障 壁，以防止周圍流體到達量測光東8、9之路徑，或減低周 圍流體可到達諸路徑之機會。特別是，該周圍流體可以是 通常可存在於該裝置之上述基板區貿2内的流體，例如氣 體或空氣。例如，該周圍流體可包括源自一或多個氣體喷 淋盗30之氣體’氣體噴淋器3〇可建構用於將氣體導向該裝 置之其他特毛區域，而非該基板量測位置之區域。舉例而 I，此一或多個氣體喷淋器30可提供用於調整一上述干涉 量測元件IF之一或多個干涉量測光束肿（如圖丨及]卜此 外，該周圍流體可包括-氣體或氣體混合物 吸入基板平台资後方之一尾流内，該尾流可由基板平^ W Τ之特定快速移動（例如！米/秒以上之速度）引起。 空隙填充及/或空隙圍封體4可用多種方式及由多種材料 建構。例如，_4實質上可為一實心體、結構、板件 及/或元件，或者此體件4可為一至少部分空心體、結構、 板件及/或元件。再者，空隙填充及/或空隙圍封體4可具有 -實質上呈流體密封性、或封閉性之外表面除非另有明 確指不。在—實施例中4隙填充及/或Μ圍封體4安裝 於該裝置之一中間框架部3，該 、 μ忙架。卩將一内部區域例如 基板區爾隔於該裝置之另-内部區域。例如，空隙填 充及/或空隙圍封體4可以一 障填 -框牟邱Η 土，體化連接於或固定於該裝置之 或者可與此-裝置部3製成—單件。空隙填充 116084-1000427.doc 1355562 及/或空隙圍封體4可由一或多種金屬、塑料、合金及/或上 述或其他材料之一組合型態製成。 在—實施例中，在使用期間，體件4之流體流動控制表 面W與該基板表面之間之最近距離尺(如圖2)、或流體流動 控制表面14與該基板表面之間之狹縫s之寬度R係小於約5 毫米。例如，流體流動控制表面14與該基板表面之間之最 近距離R '或狹缝寬度R可在大約1-2毫米範圍内。另者， 上述最近距離、或狹縫寬度R可小於約1毫米、或小於約1 〇 毫米、或大於約5毫米。 二隙填充及/或空隙圍封體4可備有該量測系統之上述感 、】器10 11 ' 12及/或場產生器之一或多者，如圖2所示。 此外，例如，在本實施例中，空隙填充及/或空隙圍封體4 可包含一或多個量測光束通道及/或量測光束導體，特別 疋光通道及/或光導體5，以將該量測系統之至少一量測光 束傳送通過感測器1〇、n、12之間之體件4之至少一部分 與流動控制表面14。另者，例如，若該量測光束並非光 束而疋例如一音束或一電容性量測光束，則該導體可包 括一音響性或電容性量測冑，以將該至少—量測力束傳送 通過該體件之該至少一部分及流動控制表面i 4。對習於此 技者而言’其可瞭解如何考量於各量測光束而建構該等量 測光束通道及/或量測光束導體。 在本實知例中，至少一光通道及/或光導體$備 有:固定式透光媒體。例如各光通道及/或光導體5可以是 實。之光導體，例如包含玻璃或一透明材料。另者，一 116084-1000427.doc -22· 1355562 光通迢及/或光導體5可以是一被填入一或多種透明流體、 液體、氣體或其混合物之中空通道，該通道可在流動控制 表面14處或其附近由一透明之覆蓋物關閉。 在本實施例中，調節系統4、5〇亦被建構用於提供一主 動調整，其藉由施加一調節流體1?至該量測系統之光束路 徑之至少一部分以調整該路徑部分，特別是將該路徑部分 作溫度性、光學性調整。例如，調節流體F可以是一控制 φ 氣體或一氣體混合物，例如超潔淨空氣、一或多種惰性氣 體或一不同流體，例如一液體。再者，在另一實施例中， 該調節系統可建構用於提供一溫度調整性調節流體F，特 別是當該系統被建構用於溫度性調整該流體時。舉例而 5，該調節系統可包含一用於將調節流體F加熱及/或冷卻 之加熱及/或冷卻系統、一或多個用於量測調節流體F溫度 之溫度感測器、及-用於控制一加熱及/或冷卻系統以將 調節流體F加熱及/或冷卻至—所需及/或預定穩定調整溫度 • 之溫度之控制系統。再者，該調節系統可包括一或多個流 體官線23、24及流體栗，以將調節流體”送至所需位置 及/或從該等位置去除或抽取調節流體卜可包括上述加熱 及/或冷部系統、控制系統、溫度感測器及栗之流體調節 系、.充係由圖1中之一系統部分5〇概略揭示。對習於此技者 而έ ’其可瞭解該等調節系統部分如何建構及配置。 在本實施例中，調節系統4、5〇可建構用於將調節流體F 實質上導向該量測系統之光束8、9之至少__部分㈣。再 者’該調節系統可建構用於將調節流體f至少實質上導向 116084-1000427.doc •23· 1355562 及/或沿著—欲固定在量測位置之基板w之一表面部分，該 表面部分係在使用期間接收該量測系統之至少一光束8、 9。因此，量測光束路徑之一妥善控制調整即可達成，其 造成該量測系統之—準確量測結果，該結果可由該裝置用 於製造具有小特徵、高精準度之元件。 在一實施例中，調節系統4、5〇可建構用於調整該量測 系統之至少一量測光束8、9之至少一路徑部分該路徑部 分係在使用期間延伸於流體流動控制表面14與該基板表面 之間。例如，在本實施例中，在使用期間當量測光束8、9 被導向至s亥基板表面時，則無調節流體F需供給至空隙 填充及/或空隙圍封體4之上述光通道及/或光導體5，因為 各光通道及/或光導體5可以提供一固定式透光媒體。 在本實知例中，s亥調節系統包含至少一流體出口 2 1，用 於在使用期間將調節流體F供給至延伸於流體控制表面i 4 與該基板表面之間之狹縫s。再者，該調節系統包含至少 一流體入口 22，用於將調節流體!^從狹縫s去除或抽取。流 體出口 21及流體入口 22可配置於多個位置。在本實施例 中，至；一流體出口 21及至少一流體入口 22係設置於流體 控制表面14内，或成為其一部分。出口21及入口 22可相關 於”亥量測系統之光束8、9之部分路徑而位於實質呈相對立 之側處（如圖3及4)，以將調節流體F供給至該路徑部分及 將調節流體F從該路徑部分去除/抽取。出口21及入口22亦 可相關於彼此且相關於光束8、9而配置於不同位置。此 外，忒調節系統可包含一或多個用於將調節流體F供給至 116084-1000427.doc • 24- 1355562 -=--—=_ -一 _— = -=. — ——iSS. .-. - - . · ~ -- 流體出口 21之流體供給管線23，及一或多個ϋϋϋ 體F從流體入口 22去除之流體抽吸管線24 ^該等供給及抽 吸管線23、24之至少一部分可以延伸通過空隙填充及/或 空隙園封體4，如圖4所示。此外，例如，調節流體出口 2 i 可以是一氣體噴淋器及/或沖洗罩之一部分。 各流體出口 21及流體入口 22可用多種方式建構。例如， 出口 21及入口 22可包括一多孔性材料、一適當之氣體施配 益、早絲布料或織物、一或多個具有氣孔之片材或一不同 之流體分配器。圖5係以截面說明一流體出口 21之實施例 之一部分。流體出口 21可包含複數個傾斜流體通道29，以 將流體從一上游流體供給管線或供給室2 3供給至上述之鄰 接狹縫S。在另一實施例中，流體出口 2丨可由一具有複數 個傾斜通道29之薄片26提供。該等通道實質上各可傾斜地 延伸通過薄片26，請參閱圖5。在本發明之—實施例中， 該薄片26之一厚度t(在本圖内之—z方向中量測）可以小於 約1毫米。例如，該厚度t可以大約為〇5毫米或更小。再 者，該薄片可以是-金屬片或一合金片，例如不錄鋼。在 此例子中’較小之流體通道29可以使用雷射鑽孔而高準確 性地製造。流體通道29亦可使用不同技術製成。再者，薄 片26可由塑料、一或多種不同材料製成。除了雷射鑽孔屬 不同製造方法可被施加以提供該通道29，例如將該等通首 蝕刻、藉由電氣放電加工製成該等通道、 ^ 製程如像是將金屬沉積於―光軍上。薄片26亦3可被 ”微渡網"。薄片26可包括-或多層之—或多種材料。^ 116084-1000427.doc •25- 1355562 26可以是 '或提供空隙填充及/或空隙圍封體4之一壁面或 壁部。薄片26之流體通道29可延伸於許多方向中。例如， 通道29可與該流體控制表面14圍成角度冷，該角度在大約 〇 -60範圍内。舉例而言，該角度可在大約2〇。_5〇。範圍 内，或大約20。-40°。此外，在一實施例中，複數個該等通 道29實質上延伸平行於彼此。依此，流體可由實質上相同 方向中之該等流體通道導向。較佳地，流體通道29係配置 以將調節流體F導向量測光束8、9之路徑。此外，在本實 施例中，各流體通道29係以一實質上呈筆直之方向延伸通 過薄片26。另者，該等流體通道可以彎曲、或延伸於其他 方向。流體通道29可具有不同直徑或尺寸。各該通道之— 直徑或寬度D例如可以小於約〇.2毫米。例如，該直徑或寬 度可以小於約〇.丨毫米◦當各該通道之該直徑或寬度約為 〇·〇8毫米、且該調節流體為一氣體或氣體混合物時，即可 得到良好之結果。 在又一實施例中，空隙填充及/或圍封體4包含一用於將 該體件作溫度調整之系統。如圖2及4所示，就此而言，空 隙填充及/或圍封體4可包含多數個流體通道4〇，以將一第 二溫度調節流體進給通過體件4。此一第二溫度調節流體 可為一氣體或氣體混合物、或一液體例如水 '或一不同流 體。上述流體通道40可用多種方式定形及建構，且可沿著 空隙填充及/或圍封體4而延伸於許多方向中及/或通過之， 如圖2及4所示。再者，該第二溫度調節流體可與用於將該 等量測光束之一部分珞徑作光學性調整之調節流體 116084-1000427.doc • 26· 1355562 同，或者其可為一不同流體。 … 該裝置可以備有一用於將空隙填充及/或圍封體4作溫度 T整之系統’其與上述被建構用於將一調節流體供給至該 量測系統之一量測光束路徑之至少一部分而將該路徑部分 作光學性調整之調節系統組合或不組合。 例如，若該裝置僅備有一用於將空隙填充及/或圍封體4 作溫度調整之系統，而未與該將一調節流體供給至該量測 • 系統之一量測光束路徑之至少一部分之調節系統組合，空 隙填充及/或圍封體4仍能提供一較佳之環境溫度調整，例 如在該等量測光束路徑附近。若基板平台在使用期間移動 •則更有利，因為其可導致一氣體或空氣流動通過該等量測 光束路徑，亦即該基板上方。在此例子中，此一氣體或空 氣流可以藉由該空隙填充及/或圍封體而簡便且有效作溫 度調整，例如透過熱傳導、輻射及/或對流，導致該等量 測光束路徑之一較均勻溫度。 _ 在又-實施財，職置係建構用於制—基板w之溫 度。舉例而言，空隙填充及/或圍封體4及/或基板平台 可包括一基板溫度伯測器或監視器8〇(其中一伯測器8〇概 略揭示於圖2中）。該裝置可建構用於提供一具有一調整溫 度之調節流體F，且該調整溫度相關於所偵測到之基板溫 度。例如，當該基板固定於量測位置時，調節流體f可用 於將基板W作溫度調整，或將基板保持在一預定基板溫 度。舉例而言，該裝置可建構用於提供一具有一調整溫度 之調節流體F，且該調整溫度相同於所偵測到之基板溫 116084-1000427.doc •27· 1355562 度。 再者，在另一實施例中，該裝置可建構用於偵測一基板 W之溫度，及將空隙填充及/或圍封體4作溫度調整至一與 所偵測到之基板溫度相關之溫度◊例如，空隙填充及/或 圍封體4可被達到及/或維持在一與所偵測到之基板溫度相 同之溫度。 在圖1-5之實施例使用期間，該裝置可實施一元件製造 方法，包含：使用基板平台WT將一基板霤固持在量測位 置；偵測出被固持在量測位置之基板W之至少一外觀、特 徵、位置及/或方位，其中量測光束8、9放射向基板w之表 面及其中由基板W之該表面反射之該等量測光束部分被偵 測；將調節流體F導向延伸通過狹縫s之量測光束8、9之至 少一部分路徑’以將該路徑部分作光學性調整；及在該基 板之至少一外觀、特徵、位置及/或方位偵測後，移動基 板平台WT以將基板w轉移至處理位置。 例如在基板w之量測期間，基板w可相關於該量測系 統而移動，例如將量測光束8、9掃描於該基板表面。 較佳地’至少在特定基板外觀及/或特徵之量測期間， 如上所述’藉由進給一溫度調節流體通過該體件之流體通 道40、及/或一不同方式，以將空隙填充及/或圍封體4作溫 度調整。依此’空隙填充及/或圍封體4之體積及/或尺寸之 可月b ’皿度感應性變化即可被中和。再者，溫度調整過之空 隙填充及/或圍封體4可以提供附近量測區之一確定溫度調 整，例如利用對流及/或輻射作熱交換。 U6084-1000427.doc -28- 丄:^562 延伸於空隙填充及/或圍封體4與晶圓表面之間之窄㈣ 可以使用本方法而妥為溫度調整。首先，該空隙填充及 圍封體4可以使調整或混合不良之基板區…流體到達 量測光束8、9之機會免除或減低。此外，—溫度調整過之 空隙填充及/或圍封體4可將鄰接之狭縫3溫度調整。再 者，會相至少_部分狭缝8之調節流體F可提供各別狭縫 P刀之i揍且主動式溫度調I。因此，會造成量測光束 8、9不必要光學路徑長度變異之溫度波動即可減低或避 免。、此對於行經狹縫S之光束路徑亦有纟，亦即延伸通過 空隙填充及/或圍封體4之光束部分（經過各別通道及/或導 體5)。 在晶圓量測過程之後，該基板可轉移至該處理位置，且 由一圖案化7L件MA製圖之圖案化輻射束可投射至該基板 上。在此，該基板之至少一外觀、特徵、位置及/或方位 之偵測結果可用於將該圖案化輻射束準確投射至該基板 上。 再者，在又一實施例中，該基板之至少一外觀、特徵、 位置及/或方位之偵測結果可用於將該基板相關於一投影 系統而對準’以將該圖案化輻射束準確投射至該基板上。 此外，在再一實施例中，該基板之位置及/或方位之偵測 或1測結果可用於將該基板相關於一被建構用於支擇一圖 案化元件MA之上述支撐結構MT而對準，或相關於圖案化 元件Μ A而對準。 依此’該量測系統之量測誤差可以減少，且該等元件可 116084-1000427.doc •29- 1355562 以咼準度製成。如上所述，在另一實施例中，在從該量測 系統量測或偵測該基板位置/方位進行至該投影系統已將 該輻射束投射至基板w上之一週期期間，基板w不需要相 關於基板平台WT而重新定位。 圖6說明該裝置之一可替代實施例，其不同於圖2_5所示 實施例之處在於流體出口 121及流體入口 122並非流體控制 表面14之一部分。例如，在圖6之實施例中，流體出口 121 及流體入口 122係接近於設在流體控制表面丨4與一基板表 面（圖6中未能見到）之間之狹縫s之相對立端，用於將調節 流體F導入且通過狹縫8，以調整延伸通過狹縫3之量測光 束路徑部分。在圖6之實施例中，調節流體F可以實質上平 行於虛擬平面，量測光束8、9即沿著該等虛擬平面而放 射。圖6之實施例之操作情形實質上相同於上述關於圖 之實施例者；惟，在圖6之實施例中，延伸於流體控制表 面14與一基板表面之間之狹縫8之大部分可由調節流體f主 動調整。 本裝置及方法可以改善該量測系統之再製性，例如高度 感測器、對準感測器及/或其他感測器者。本裝置及方法 可提供用於—供該等感測器光束行進通過之比較光學性恆 定媒體’特別是溫度及壓力惶定。因&，密度、及後繼折 射指數之變異皆可避免。此外，舉例而言，若該量測系統 使用或夕個％ ’例如若該系統包含—電容性量測系統， 則供各別量測場通過之一或多種媒體之介電常數變異即可 避免或減少。再者，若實施一音響量測系洗，則供各別音 116084-1000427.doc -30- 1355562 Ϊ量測光束或信號m過之一或多種ϋ：：—音1^即 可避免或減少。 例如’空隙填充及/或圍封體4可以至少一部分地填充該 裝置内之一間隙’例如在該基板量測位置上方。例如從上 起’空隙填充及/或圍封體4可從下方安裝於一計量框架 3 ’且該體件可具有窗孔供量測光束8、9透射《在另—實 施例中’空隙填充及/或圍封體4可包含一或多個供—干涉 量測系統之參考束用之面鏡。在另一實施例中，空隙填充 及/或圍封體4可被稱為一"流動板"，例如若該體件之一底 部14包括一平板件且在使用期間平行於該基板w。空隙填 充及/或圍封體4之一優點在於該體件可以取代例如該基板 量測位置附近之大部分空氣。體件4因此可以避免或減少 例如該量測系統之感測器10、丨丨、12與基板w之間空氣之 循環模式，例如在基板平台貿丁之移動期間。此可將狹縫s 内之折射指數之變異減到最小，且改善許多感測器之再製 性。另一優點在於空隙填充及/或圍封體4可將晶圓階段腔 室流體遮蔽於計量框架3，以防止該基板量測位置附近之 溫度性污染。再者，一項優點為空隙填充及/或圍封體4可 提供一介面，以用於一干涉儀之參考束用之面鏡。 此外，較佳地，空隙填充及/或圍封體4之一溫度分布、 其光通道及/或光導體5、及其周邊設備等之變異皆可由本 方法及裝置降低。例如，如上所述，欲減少空隙填充及 /或圍封體4之溫度波動時，該體件可以是一液體或水調整 式空隙填充及/或圍封體4。經發現一水調整式空隙填充 116084-I00Q427.doc -31 - 1355562 及/或圍封體4可以針對感測器量測光束8、9内之溫度波動 提供一溫度穩定效果，該波動係因晶圓平台移動所致。因 此，一溫度調整式空隙填充及/或圍封體4可以改善量測系 統10、11、12之性能。 儘官本文之特定參考為微影裝置使用在ICs的製造中， 應該瞭解的是文内所述之微影裝置亦可用於其他應用上， 例如積合式光學系統、磁域記憶體之導引與偵測圖案、平 面型顯示器、液晶顯示器（LCDs)、薄膜磁頭等等之製造。 習於此技者應瞭解在該不同應用之背景中，本文内所述之 術語"晶圓"或"晶粒"之任何的使用應該視為可以分別被更 普通術語"基板”或"目標物部分"所取代。本文中之基板可 在例如一軌跡（即一典型上將一層光阻劑施加於一基板且 將該曝光光阻劑顯影之工具）或一計量工具及/或一檢查工 具内曝光之前或後處理。施加時，本文内所揭露者可施加 於上述及其他基板處理工具，再者，該基板可處理一次以 上，例如為了產生多層1C，因此本文内所用之基板亦可視 為一含有多數處理層之基板。 儘管本發明實施例之使用情形係以光學微影裝置之背景 作為特別參考，應該瞭解的是本發明亦可用於其他應用， 例如壓印裝置，故其不限於光學微影裝置。在該壓印裝置 中’一圖案化元件内之一拓樸圖界定了一基板上所產生之 圖案。圖案化元件之拓樸圖可被壓至基板上之一層光阻材 料内’接著光阻材料係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其 一組合型態而固化。在光阻材料固化後，圖案化元件移至 116084-1000427.doc -32- 1355562 光阻材料外，一圖案即留在其中β 本文所用之"輻射Μ及"光束"等詞係涵蓋所有類型的電磁 輻射，包含紫外線（UV)輻射（例如具有一約為365、355、 248 I93、I57或126奈米波長）及遠紫外線（EUV)輻射（例 如具有-在5-20奈米範圍内之波長），還有諸如離子束或電 子束之類的粒子束。 本文所用之”透鏡"一詞可關於多種類型光學組件之任一 者或組合，包括折射型、反射型、磁性、電磁型及靜電型 光學組件。 雖然本發明之特定實施例已經在上文中加以描述，應瞭 解的是本發明另可在上述之外實施。例如，本發明可採用 :含有-或多個揭示上述方法之機器可讀命令序列的電腦 。 或〃有此電腦程式儲存於内之資料儲存媒體 (例如半導體記憶體、磁性或光學性碟片）形式。

刖文係用於說明，而非限制。因此， 解的是在不脫離文後請求項範圍下，上 成多種修改。 習於此技者可以瞭 述之本發明尚可達 應該瞭解的是"包含”-詞並不排除其他元件或步驟。再 者L"、"一個”並不排除複數個。再者，單—處理 元亦可達成請求項⑽述之多數個構件之功 :限：之任意參考符號不應被解釋成對請求項範圍 【圖式簡單說明】 參考伴隨之概略圖式加以描 本發明之實施例將舉例並 U6084-1000427.doc •33- 1355562 述，圖中相對應之參考編號表示相對應元件，及其中： 圖1概略說明本發明之一實施例之微影裝置； 圖2概略說明圖1所示裝置之一部分之截面圖； 圖3概略說明圖1及2所示裝置之一空隙填充及/或空隙 封體之仰視圖； 圖4概略說明沿圖3之線IV-IV之截面圖； 圖5說明圖4之細部結構Q ;及 圖6係一相似於圖3之可替代實施例之視圖。 【主要元件符號說明】 3 計量框架 4 空隙填充及/或空隙圍封體 5 光通道/光導體 8 高度量測光束 9 對準量測光束 10 ' 11 南度感測β 12 對準感測器 14 流體流動控制表面 21 ' 121 流體出口 22 、 122 流體入口 23 流體供給管線 24 流體抽吸管線 26 薄片 29 ' 40 流體通道 30 氣體喷淋器 50 調節系統 116084-1000427.doc -34 - 1355562 80 基板溫度偵測器/監視器 D 通道直徑或寬度 S 狹縫 F 調節流體 116084-1000427.doc -35-

Claims (1)

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諝專刑範圍r一 1. 一種微影裝置，包含 一基板平台，其經建構以固定一基板，該基板平台可 移動而將該基板轉移至一基板量測位置與一基板處理位 置之間； 一量測系統，其經組態以產生至少一量測光束及/或 場，當該基板平台將該基板固定在該基板量測位置時量 ^ 測該基板之至少一外觀及/或特徵；及 一調節系統，其經組態以將一調節流體供給至該量測 光束之一路徑之至少一部分及/或該量測系統之該場之至 少一部分，以調節該量測光束之該路徑部分及/或該場之 部分， 其中δ玄調即系統包含一流體流動控制表面，其係配置 =基板之對面側並與該基板隔開，該基板係由該基板 平口支擇’當該基板平台位於該基板量測位置内，該基 • 纟面接收該至少一量測光束及/或於該量測系統之 δ亥場曝光。 2.如請求項1之奘罟 、 Μ中該調節系統經組態以將該調節 流體實質上導 、 〜置測光束之路徑部分及/或該場之部 3 _ 如清求項1之裝署 μ ’/、中該調節系統經建構用於將言J 卽流體至少實質卜道 J ^ ^ 、導向及/或沿著一被固定在該量測七 一旦、目，止 相同部分，該表面部分係接收該至 先束及/或於該量測系統之該場曝光。 116084-1000427.doc 1355562 4 · jg Μ 唄1之裝置，其中該調節系統經建構用於將該調 節流體作熱調節。 月求項1之裝置，其中該量測光束之該路徑部分及/ J·曰 〜 ^之部分係延伸於該流體流動控制表面與該基板表面 之間。 、月求項1之裝置，其中該流體流動控制表面實質上延 7伸2仃於—固持在該基板量測位置之基板之基板表面。 如叫求項1之裝置，其中該流體流動控制表面與該基板 表面之間之最近距離、或該流體流動控制表面與該基板 表面之間之狹縫寬度係小於約5毫米。 求項1之裝置，其中該調節系統之該流體控制表面 包含至少-流體出口，用於將該調節流體供給至該狹 縫。亥狹縫係當-各別基板在該量測位置時由該流體控 制表面與一基板表面所提供。 9. 如請求項8之裝置，纟中該至少—流體出口設有一具有 複數個傾斜氣體通道之薄片。 10. 如請求項8之裝置，《中該至少—流體出σ及至少一流 體入:實質上係位於與該至少一量測光束之路徑部分及/ 或該置測系統之該場之部分相對之側處以將該調節流 體供給至該路徑部分及將該調節流體從該路徑部分去除 或抽取β 11. 如請求項1之裝置，進一步包含一 表面之空隙填充及/或空隙圍封體。 具有該流體流動控制 12·如請求項1丨之裝置 其中該空隙填充及/或圍封體包含一 116084-1000427.doc 1355562 將該體件作熱調節.....- 13. 如請求項12之裝置，其中該空隙填充及/或圍封體包含複 數個流體通道，以將一經熱調節之調節流體進給通過該 體件。 14. 如請求項11之裝置，其中該空隙填充及/或圍封體包含至 少一光通道及/或光導體’以將該量測系統之至少一量測 光束及/或該場傳送通過該體件之至少一部分。 15. 如請求項14之裝置，其中該至少一光通道及/或光導體提 供一固定式光透射媒體。 16. 如請求項1之裝置，其中該調節系統包含至少一流體閘 口’以將該調節流體去除或抽取。 1 7·如請求項16之裝置，其中該調節系統之該流體流動控制 表面備有至少一流體閘口。 18. 如請求項丨之裝置，其中該調節流體係一氣體或一氣體 混合物。 19. 如請求項丨之裝置，其中該基板可在一單一虛擬平面或 商度處從該基板量測位置移動至該基板處理位置。 2〇·如請求項1之裝置，其中該量測系統經建構用於量測該 基板昶對於該基板平台之一位置及/或方位。 21. —種微影裝置，包含·· 基板平台，其經建構以固定一基板，該基板平台可 移動的將該基板至少轉移至一基板量測位置與一基板處 理位置之間； 一量測系統’其經組態以產生至少一量測光束及/或 116084-1000427.doc 1355562 場’當該基板平台將該基板固定在該基板量測位置時量 測該基板之至少一外觀及/或特徵；及 一空隙填充及/或空隙圍封體，其包含一流體流動控制 表面，該流體流動控制表面相對於該基板量測位置延伸 且接近該基板量測位置，該流體流動控制表面實質上延 伸平行於一固定在該基板量測位置之基板之一表面，該 空隙填充及/或空隙圍封體係經組態以將一調節流體導向 該量測光束之一路徑之至少一部分及/或該量測系統之該 場之至少一部分，該量測光束之該路徑部分及/或該場之 該部分係延伸於該流體流動控制表面與該基板表面之 間。 22. —種製造半導體元件之方法，包含： 將一基板固持於一基板量測位置； 藉由至少一量測光束及/或場以偵測該基板之至少一外 觀、特徵、位置及/或方位，該基板係固定於該基板量測 位置；及 利用一調節系統將一調節流體導向該量測光束之一路徑之至 少一部分及/或該場之至少一部分，以調節該路徑之部 分，該調節系統包含一流體流動控制表面，其係配置於 該基板之對面側並與該基板隔開，當該基板平台位於該 基板量測位置内，該基板之一表面接收該至少一量測光 束及/或於該量測系統之該場曝光。 23·如請求項22之方法，其進一步包含當該基板係支撐於一 處理位置，則將輻射之一已圖案化光束投射至該基板 116084-1000427.doc 1355562 上’其中該基板之至少一外觀、特徵'位置及/或方位之 至少-谓測結果用於將該圖案化轄射束投射到該基板 上0 24.如請求項22之方法，其進一步包含當該基板係支樓於一 處理位置’則將輕射之一 pjgj宏 巳圖案化光束投射至該基板 上’其中該基板之至少-外觀、特徵、位置及/或方位之 至少^貞測結果用於在將該圖案化輻射束投射到該基板 上之前先相關於一投影系統而將該基板對準。 25·如請求項22之方法，進一步包含藉由一圖案化元件將該 輻射束圖案化，其中該基板之至少一外觀、特徵、位置 及/或方位之至少一偵測結果用於相關於一建構用於支撐 該圖案化70件之支撐結構、或相關於該圖案化元件而將 該基板對準。 26. —種微影裝置，包含： 一基板平台，其經建構用於固持一基板，該基板平台 可移動的將該基板轉移至一基板量測位置與一基板處理 位置之間； 一量測系統，其經組態以產生至少一量測光束及/或 場，當該基板平台將該基板固定在該基板量測位置時量 測該基板之至少一外觀及/或特徵； 一空隙填充及/或空隙圍封體，其包含一流體流動控制 表面’該流體流勤控制表面相對於該基板量測位置延伸 且接近該基板量測位置；及 一系統’其用於將該空隙填充及/或圍封體作熱調節。 116084-1000427.doc 1355562 27. 如請求項26之微影裝置，其中對該空隙填充及/或空隙圍 封體進行熱調節之系統包含複數個流體通道，其經建構 及組態以將一已熱調節之流體提供給該體。 28. 如請求項27之微影裝置，其中該熱調節之流體包含一氣 體。 29. 如請求項27之微影裝置，其中該熱調節之流體包含一液 體。 116084-1000427.doc