TWI344904B - Producing method of transfer body with organic film thermal-transferred thereon and, transfer body with organic film thermal-transferred thereon - Google Patents
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Description
1344904 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機膜被熱轉印體之製造方法、有機膜被 熱=體’特別係對有機膜的表面上所形成之上述有機膜 =成體施加熱能’而使該所形成的有機膜從有機膜形成體 ^ ’熱轉印於被熱轉印對象體表面，而製造出有機膜被 熱轉印體的有機膜被熱轉印體之製造方法、有機膜被熱轉 印體。 【先前技術】 .錢EL元件係在基板上設有於電極與電極間至少且有 發光層的有機固體層，並從二側電極將電子與正孔注入有 機固體層中的發光層，俾在有機發光層產生發光的元件， 而可進行高輝度發光。此外，因為利时機化合物之發 先，，故具有發光色選擇範圍較廣等特徵，可期待其使用作 為光源或有機EL顯示裝置等。特別係有機乩顯示裝置一 #般係廣視野、高對比、高速響應性及辨視性均優越，將可 期待使用作為薄型、輕量且低消耗功率的平板顯示器等方 面。 對具備此種有機EL元件的有機EL顯示器所使用之有機 材料施行圖案化的手法’已知有> :將稱為藤蔽遮罩 (shadow raask)具有金屬製之細開口部的遮罩載置於基板 前面’在真空處理室内將有機物施行加熱蒸鑛而形成所需 圖案的方法（备蔽遮罩法）；或者將可溶於有機溶劑中的有 機材料使用喷墨塗佈法施行圖案化的方法等。 312XP/發明說明書(補件)/95_! 1/95 i 28!! 9 5 1344904 近年’如下述非專利文獻1與非專利文獻2，報告有將 有機材料暫時在通稱施體薄板（donor sheet)的構件上形 . 成所需區域的幾乎整面’再將施體薄板（有機膜形成體） 的有機膜依相對面方式載置於欲被形成的基板（被熱轉印 對象體）上，並從施體薄板未形成有機膜之一面，依既定 寬度照射雷射，再對該照射部分施行將光轉換為熱，而使 有機膜從施體薄板上熱轉印於基板上之通稱L丨τ丨（Laser β Induced Thermal Imaging，雷射熱轉印）的技術。有報告 指出該技術相較於蔭蔽遮罩法、喷墨塗佈法，係轉印性能 -佳，頗適於有機EL顯示裝置的高精細像素化等。 [非專利文獻 1]SID 02 Digest 21.3 p784-787 [非專利文獻2]FPD International研討會2004有機 EL(6)大型化生產技術講義E_6 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 然而，本發明者等針對· UTI法使有機膜從施體薄 ，轉基板上’並對已轉印了有機膜的有機膜被熱轉印 土板進行檢驗，結果發現有轉印性能不佳的情況。 ，若利用該Lm技術施行有機膜的熱轉印，則 2對基板照射了雷射的施體薄板部分所對應之部分以 t = ”機膜，將有除所需部分以外不可轉印的 3量皮(轉印的轉印性能不佳的狀況(本說明書中亦稱 貝罝得輸（mass transfer)」）。 再者，本發明者等更進—步探討，結果發現該質量傳輸 312XP/發明_書(補件)/95-11/95丨28丨丨9 6 1344904 -述有機膜施行熱轉印，則可製造能獲得可適當防止質量傳 輸之優越轉印性能的有機膜被熱轉印體。 • 「有機膜被熱轉印體之製造方法」 將在正孔輸送層164上施行發光層166熱轉印的態樣， 例不如圖1 ’並針對本實施形態的有機膜被熱轉印體之製 這方法進行說明。另外，本實施形態之一例係使用L ^ 丁工 法所施行的熱轉印方法進行說明。此外，有機乩元件1〇〇 係以藉由將發出RGB各色的有機EL元件施行分開塗佈而 進行製造的方式（分開塗佈法）為例進行說明。 如圖1所不，在基板10上（特別係在樹脂基板中，正確 地說係在阻障膜12上，但為求說明上的便利，係設定為 基板10表面。以下亦同），分別將各自對應R、G、B之成 為第1電極的陽極14列，各自隔開既定間隔而形成。其 人在所形成之第1電極14的陽極14上，分別形成正孔 注入層162(圖1中未圖示）、正孔輸送層164，正孔輸送 鲁層164(圖1中未圖示）將形成被熱轉印對象體的熱轉印對 象面。 其次，針對將發光層166施行熱轉印的熱轉印對象表面 (大致為後述基板1〇表面的雷射光線照射對應部）外緣以 上的外側，設置連續構造的凸型構造物丨。藉由設置該凸 型構造物1，將依使凸型構造物丨表面高於第丨電極14 表面的方式形成階差構造。 在熱轉印對象表面外緣以上的外側設置階差構造，係指 在外緣或其以上的外側設置階差構造的概念。此外，若階 312XP/發明說明書(補件)/95_11/95128119 1344904 差構造fe南於熱轉印前的熱轉印對象表面外緣即足夠[例 如本實施形態令，凸型構造物1(階差構造）之高度若較正 孔輸送層164(熱轉印對象表面）高即可]，以不致妨礙熱 轉印對象表面以夕卜的部分高於階差構造之事。此外，階差 構造若高於熱轉印前的熱轉印對象表面即可，於熱轉印後 所轉印的有機膜外緣亦可高於階差構造。 所明有機膜」若屬於能從有機膜形成體至少對被熱轉 卩、子象體表面進行熱轉印的有機膜即可，可從經熱轉印所 形成的膜材料等適當選擇使用。可屬於含有機物的膜’進 一步含有無機氧化物或金屬等其他成分亦無妨。 型構k物1 4之階差構造最好與進行熱轉印的對象 表面外側形成為保持一定距離。換言之，本實施形態中， 最好為凸型構造物1在發光層166之成為熱轉印對象的基 板^表面上，使第1電極Η外緣形成直線狀的步驟，並 在較料緣更靠外侧的基板1Q表面上平行該外緣直線地 ^成凸型構造物1。另外’雖最好為平行，惟並不僅限於 此’亦可形成為直線或曲線狀。 凸型構造物1等的階差構造最好為連續的列型構造 —，惟並不僅限於此’亦可對基板1G表面作成僅有基板 表面的表面（未形成凸型構造物丨）、與於基板1〇表面 /成凸型構造物1的凸型構造物！非連續形成之表面構 ^^卜，點_差構以僅限於設置複數個，亦可僅設 只要至少在熱轉印對象處的外緣以上之外側的 至一其中一部分設置階差構造便可。 312ΧΡ/^^明書(補件)/95·11/95128119 10 1344904 圖2所示係凸型構造物1等的階差構造之截面形狀圖。 如圖2所示’本案發明的階差構造之截面形狀並無特別 •限制，在屬於能發揮該階差構造作用效果之形狀的前提 下’可為任何形狀，例#目2(3)所示的具角之長方形形 狀亦可如®| 2(b)所示的帶圓肖長方形形狀。此外，亦 可如圖2(c)所示的正錐形形狀，亦可如圖2(d)所示的反 錐形形狀。 鲁，凸型構造物1等階差構造可依照適當選擇的方法予以 形j，並無特別的限制，例如可對基板10利用濕式蝕刻 施仃蝕刻而形成。此外，尚有如濺鍍法、CVD法等，亦可 採取諸如真空蒸鍍、離子蒸鍍、溶膠-凝膠法、旋塗法、 喷塗法CVD等一般的薄膜製成方法。若屬於有機膜的話， ^可採取諸如旋塗法、依印刷方式所施行的方法、蒸錄法 等予以形力。凸$構造斗勿丨$階差構造係可由無機物形 成，亦可由有機物形成，並無特別限制，材質係可適當選 •擇。 再者，凸型構造物1與基板並未必一定要進行接合， 例如亦可僅將凸型構造物丨放置於基板上而可物理性*地 分離。此外，階差構造的設置方法，亦可藉由對發光層 166所熱轉印的基板1〇之熱轉印對象表面施行蝕刻等， 而使其較低於周圍’以設置階差構造。 凸型構造物1等階差構造若至少於在基板1〇上施行對 應的有機膜之熱轉印之際便形成即可，亦可在其前後未形 成凸型構造物1等階差構造，或亦可予以去除。 312XP/發明說明書(補件)/95-11/95128119 η 1344904 凸型構造物i等階差構造係可如本實施形態般，形成為 包圍被熱轉印的熱轉印對象表面之二側或四邊或其以上 .的狀態，亦可設置僅對應至其中一外緣的凸型構造物i等 之階差構造。 凸型構造物1等階差構造'與熱轉印對象表面外緣可相 接觸’但最好隔開距離設置。 其-人，利用LITI法在基板1〇的正孔輸送層164表面 •上丄轉印R、G、B各自對應的發光層166(有機膜）。具體 而言，係從作為於表面形成發光層166(有機膜）之有機膜 .表面形成體的施體薄板200,從施體薄板背面側朝基板1〇 照射㈣210’而將發光層166(有機膜）熱轉印於基板1〇 的熱轉印對象表面上。 轭體薄板200係包括有其表面上所形成的發光層 166(有機膜）部’以及具有將光能量轉換成熱能的光熱轉 換功能之光熱轉換部202。 •光熱轉換部202的材質並無特別限制，只要適當選擇使 用能將發光層166(有機膜）施行熱轉印的材質即可，並卑 特別的限制。 熱轉印時所使用的雷射種類、照射時間、每單位時間的 照射量、輸出等，只要適當選擇使用即可，並無特別的限 制。 將雷射210從背面側依大致對應於基板1〇表面之献轉 印對象面的方式，對施體薄板2〇〇的光熱轉換部2〇2崎 照射並知描。藉由該照射、掃描，在施體薄板2〇〇表面上 312XP/發明說明書(補件)/95· 11/95128119 12 1344904 所形成的發光層166(有機膜）’將被熱轉印於基板1〇表 面的熱轉印對象面上，而可製得在基板1〇表面或正孔輸 送層164表面上熱轉印了發光層166(有機膜）的有機膜被 熱轉印體。同樣地，亦可形成其他之形成有機固體層16 的層，而形成從陽極14側依序為正孔注入層162/正孔 送層164/發光層166/電子輸送層167/電子注入層168的 有機固體層16。 再者’針對R、G、B的分開塗佈方法，本方法係例如使 用R用之施體薄板並將有機膜施行塗佈後，再使用^或^ 的施體薄板’㈣UTI法在所對應的基板表面之熱轉印 對應表面上施行熱轉印的方法。 本貫施形態將可適當防止除了雷射照射的施體薄板部 分所對應部分以外處，亦有有機膜被熱轉印至基板上，而 連所需部分以外之不該熱轉印的部分亦遭熱轉印，即所謂 =印性能不佳的質量傳輸’而可依較佳轉印性能製造有機 、=熱轉印體。藉此，例如全彩顯示器將可良好地施行卜 、B之分開塗佈，而使全彩顯示器高精細像素化。 有之製造方法，若使用於 敍,、特別不谷易受f量傳輸的影響，故 肖该方法，可適當防止於所需部分以外之不 :轉分亦遭熱轉印’即所謂轉印性能不佳的質量 高:細:素可:等較佳轉印性能製造有機⑪顯示裝置，適於 本實施形態中，雖例 312XP/發明說明書(補件)/95ii/95】28ii9 示有機EL元件的有機固體層形成 13 1344904 方法，而該有機膜被熱轉印體之製造方法係可一般地使用 將有機膜施行熱轉印的方法。例如亦可應用於上述實施形 •態中構成阻p早膜、保護膜的層等。此外，亦可應用於彩色 濾光片或有機發光裝置材料之需要轉印、精細圖案化的領 域。不僅限於有機EL顯示裝置，亦可適用於一般顯示器， 例如液晶顯示器、電泳型顯示器、電子紙張、黑白顯示哭 本實施形態中係使用LITI法，惟並不僅侷限於該方 法，亦可一般地使用藉由將光轉換為熱能而施行有機膜熱 •轉印的方法。此外，亦可一般地應用將有機膜轉印於被熱 轉印對象體表面上的方法，而產生熱能的手法並不僅限於 利用施體薄板將光轉換為熱能的方法。例如可施行熱射線 的照射，亦可使用利用了熱感應頭（thermal head)之印刷 機4的熱熔融轉印式印刷方法。此情況下，將有施體薄板 不尚要光熱轉換材料的情形。本實施形態中，雖將第1電 籲極使用作為陽極，但是將第1電極使用作為陰極當然亦不 會有任何問題。 . 「有機EL元件」 以下’針對本發明實施形態根據圖式進行說明。另外， 本實施形態僅為實施本發明的一形態，本發明並不侷限於 * 本實施形態。 圖3所示係依照圖1所示之有機膜被轉印體製造方法所 製造的有機EL元件1 00之剖視圖。 基板10的構成材料可適當選擇使用諸如玻璃基板、樹 312XP/發明說明書(補件)/95-11/95128119 14 1344904 脂基板等。例如使用樹脂為如：熱可塑性樹脂、熱硬化性 樹脂、聚碳酸酿、聚甲基丙烯酸甲_、聚芳香⑽、聚醚礙、 聚砜、聚對苯二曱酸乙二酯聚酯、聚丙烯、玻璃 酸酯、醋酸纖維素、聚乙烯、聚氣乙嫌、 、 Λ 不虱c肺、聚笨乙烯、聚醯 胺、聚醯亞胺、聚偏二氣乙烯、聚乙烯醇、乙烯·醋酸乙 烯酯共聚物皂化物、氟樹脂、氣化橡膠、離子聚合物、乙 烯·丙烯酸共聚物、乙烯•丙烯酸酯共聚物等各種基板。 此外，不僅限於以樹脂為主成分的基板，可為將玻璃基板、 胃或貼合玻璃與塑膠的基板，亦可為在基板表面塗敷鹼阻障 •膜（alkaline barrier film)、或阻氣膜。另外，當為由 該等透明基板相反側射出光的頂部發光型等情況下，基板 10未必一定要呈透明。 阻障膜12係當使用玻璃基板等情況時，未必一定要形 成，但若形成，則因為可保護從基板側遭受水分或氧等之 侵蝕，故較佳。當形成阻障膜12的情況時，可適當選擇 φ使用材料。 阻障膜12可為多層構造亦可為單層構造，可為無機膜 亦可為有機膜’但是最好含有無機膜，因為可提升對於因 水分或氧等造成之侵钱的阻障性。 無機膜係可採用例如：氮化膜、氧化膜或碳膜或矽膜 等’更具體而言，有如：氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽 膜、或鑽石狀碳（DLC)膜、非晶碳膜等。換言之，可舉例 如：SiN、AIN、GaN 等氮化物；SiO、Al2〇3、Ta2〇5、ZnO、 GeO等氧化物；siON等氮氧化物；SiCN等氮碳化物；金 312XP/發明說明書(補件)/95-11/95128119 1344904 屬氟化合物、金屬膜等。 二如:帽、。叫膜、嘆吩膜'或聚對 、辰氧祕脂、丙烯酸樹脂、聚對二曱笨、 一 ，稀煙'全氣縫、四氣乙稀、一氣三氣二= -氣乙歸等）、金屬⑥氧基醇鹽咖⑽、C2H5〇 亞胺前驅物1系化合物等之聚合膜等。€ *醯 二障係可舉例如：由2種以上物質所構成之積層 由無機保護膜、石夕烧偶合層、樹脂密封膜所構成之 二由無機材料所構成之阻障層；由有機材料所構 ，之覆盍層形成的積層構造；Si_aHY等金屬或半導體、 ^_的化合物、無機物所構成之積層構造；無機膜與 有機膜父互積層的構造；在Si層上積層著Si〇 :、 的構造等之積層構造等。有機E“件则由;二= ^則依序積層著陽極14/有機固體層16/陰極1δ所;;膜 :極二係只要使用具有能夠輕易注入正孔之能階的層 iur^"°iT〇(indium tin 下亦：於有機el顯示裝置屬於頂部發光型的情況 下，亦可不使用透明電極，而使用一般電極。 透明導電性材料利用濺鍍等形成例如 二ίτο,亦可取代改用諸如氧化鋅_膜、 ΙΖ0(氧化姻鋅合金）、金、碘化鋼等。 有” W係從陽極14側起，由正孔注入層162/ 正孔輸送層〗64/發光層】66/電 ⑽㈣成。 電子輸送層167/電子注入層 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95·11/95128119 1344904 • 正孔'主入層162係設置於陽極14與正孔輸送層丨μ之 .間，屬於促進從陽極14所施行之正孔注入的層。利用正 •孔層162,便可將有機EL元件100的驅動電壓進行 $ $壓化。此外’亦具有使正孔注人安定化並使元件長壽 p化等功用，以及將在陽極14表面上所形成之突起等凹 凸面被覆’以減少元件缺陷等功用。 旦相關正孔注入層162的材質，只要適當選擇其離子化能 每$為在陽極14之功函數、與正孔輸送層164的離子化能 里之間即可。可使用例如三苯基胺四聚體（TPTE)、銅酞菁 等。 正孔輸送層164係設置於正孔注入層Μ〗與發光層166 之間，屬於促進正孔輸送的層，具有將正孔適當地輸送至 發光層166的功用。 正孔輪送層164的材質係可適當選擇使用其離子化能 量為位於正孔注入層162與發光層166之間。例如可採用 籲 TPD(三苯基胺衍生物）、 -N，N-diphenyl-benzidene，N，N-二（伸萘-1-基）二 笨基聯苯胺）。 發光層166係使所輸送之正孔、與同樣進行輸送的後述 電子進行再結合，而進行螢光發光或磷光發光的層。發光 層166係可適當選擇滿足能因應上述發光態樣之性質的 材料。可使用諸如：鋁喹啉酚錯合物（Aiqs)、雙（苯并經 基喹啉）鈹錯合物（BeBq)、三（二苯甲醯基甲基）菲繞啦銪 錯合物（Eu(DBMMPhen))、二曱苯基乙烯基聯苯基 312XP/發明說明書(補件)/95-11/95128119 17 1344904 聚(對苯伸乙烯）、聚烷基噻吩般之疋共軛高分 專。例如若為發出綠色光’可使用鋁喹啉酚錯合 (AIq3)。 電子輸送層167係設置於電子注入層168與發光層166 之間’具有將電子輸送至發光層166的作用。電子輸曰送層 167係可使用例如鋁喹啉酚錯合物等。 曰 電子注入層168係設置於電子輸送層167與陰極18之 間，具有促進從陰極18施行電子注入的功能。 相關電子輸送層168材質，係可適當選擇使用陰極Μ 之功函數、與發光層166之電子親和力之間的材料。例如 電子輸送層168可採用Li職化鐘）、U2()(氧化 膜（例如0.511111)等。 寺厚 通常構成該等有機固體層16的各層係由有機物構成， 且有由低分子有機物構成的情況，亦有由高分子有機物 成的情況。本實施形態中，至少i層係依照Lln法進行 製造’而其他的層則可利用其他的有機膜被轉印體製造； 法、或其他方法進行製造，但是亦可全部的層均依照 法或其他有機膜被轉印體製造方法進行製造。其他方法有 如：由低分子有機物構成的有機固體層，係利用一般蒸铲 法等乾法製程（真空製程），而由高分子有機物構成的= 固體層，則利用一般諸如旋塗法、刮刀式塗佈法、浸塗法、 噴塗法、以及印刷法等濕式製程予以形成等方法。 構成有機固體層16的各層中所使用之有機材料，可舉 例如作為高分子材料之PED0T、聚苯胺、聚對苯伸基乙^ 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-11/95128119 18 U44yU4 "" 聚塞吩衍生物、聚對苯衍生物、聚烷基伸 乙炔衍生物等。 =外’本實_態中，有機固體層16雖舉例由正孔注 以；I-162、、正孔輸送層164、發光層166、電子輸送層167、 電子;主入層1 68所構成者，惟並不僅侷限於此構造， 只要至少含有發光層166的構造即可。 ::如配合所採用之有機材料等的特性，除了發光層之單 :構造等之外，尚可由例如：正孔輸送層/
層/電子輸送層等之？爲姓、A 層構w、正孔輸送層/發光層/電子 輸送層專3層構造，备jE ^ 構&和甚至更進一步具備有電荷（正孔、 ^ )注入層等之多層構造等所構成。 =有機固體層16中亦可於發光層166與電子輸送 置正孔限制層。正孔係有突穿過發光請 陰：18的可能性。例如當於電子輸送層⑽使用 H r藉由使正孔流入於電子輸送層中，將使 忒A1 q3發光，若無法將正孔 # ^ ϋί ^ -T 札對閉於發先層中，則有降低發 广… 所以’亦可設置正孔限制層，以防止正 孔從發光層166流入於電子輪送層168中。 為了使對有機固體層16的電子注入能良好 極^最好選擇使用功函數或電子親和力較小的材料 適當使用諸如：Mg : Ag人令 *,,.. +屬M 1:Ll合金等合金型（混合 ί /二陰極18係可將Ah Mg、Ag等金屬材料’利用 真空蒸鍍等方式形成為例如15〇酿厚。 保護膜2G係可為多層構造，亦可為單層構造，可為無 312XP/發明說明書(補件)/95-11/95128119 19 1344904 機膜亦可為有機膜，但是最好含有無機膜，以提升對於因 水分或氧等所造成之侵蝕的阻障性，而保護膜20則非必 要的構成要件。 *無機膜係可使用諸如：氮化膜、氧化膜或碳膜或矽膜 等，更具體而言，可舉例如：氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧 化矽膜、鑽石狀碳（DLC)膜、非晶碳膜等。換言之，可舉 例如：SiN、AIN、GaN 等氮化物；SiO、Al2〇3、Ta2〇5、ZnO、 ㈣等氧化物；Si0N等氮氧化物；以⑶#氮碳化物；金 屬氟化合物、金屬膜等。 有機膜係可舉例如：呋喃膜、^比咯膜、噻吩膜、或聚對 二曱苯膜環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚對二曱苯、氟系高分 子全氟烯烴、全氟醚、四氟乙烯、一氣三氟乙烯、二氣 二=烯等）、金屬烷氧基醇鹽（CH3〇M、C2H5〇m等）、聚醯 亞胺前驅物、茈系化合物等聚合膜等。 保護膜20係可舉例如：由2種以上物質所構成之積層 構每，由無機保護膜.、矽烷偶合層、樹脂密封膜所構成之 積層構造；由無機材料所構成之阻障層；由有機材料所形 成之覆蓋層構成的積層構造；由Si_CXHY等金屬 與有機物的化合物、無機物所構成之制構造；無機膜盥 有機膜交互積層的構造；在~層上積層iSi〇2或S. 的構造等之積層構造等。 =障膜12、保護膜2G中，所構成之有機㈣將形成於 無機膜之針孔與表面凹凸埋藏，俾使表面平坦化。此外， 亦有發揮緩和無機膜之膜應力的效果的情形。 312XP/發明說明書(補件)/95-11/95128119 20 鍍法、CVD法等，並 可。亦可採取諸如： 、喷塗法、旋塗法、 保護膜20之製造方法係有如··濺 無特別的限制，只要使用適當方法即 真空蒸鍍、離子蒸鍍、溶膠_凝膠法 CVD等一般的薄膜製作方法。 有機E L·元件1 〇 〇之各μ的制、土 + $ m 〈谷層的製造方法，當然可依照真空 療鑛法予以形成，亦可播兩 ^ 乂刀J抹取CVD法、濺鍍法等。此外，塗 佈方式中，作為印刷方式俜 、、 乃八係了使用諸如：凹版塗佈、凹版
逆轉塗佈、間歇式塗佈、模頭塗佈、刮刀塗佈、流延塗佈、 觀式塗佈、氣刀塗佈、棒塗佈、擠出塗佈、平版印刷、紫 卜Λ硬化平版印刷、凸版印刷、孔版、網版印刷、簾流塗 佈、塗佈棒塗佈、逆轉塗佈、凹版塗佈、接觸式塗佈、刮 刀式塗佈、平滑塗佈、喷塗、坡流塗佈、毛刷塗佈等各種 印刷方式。除將下層形成乾燥被覆膜之後，再於其上施行 塗佈，此外亦可將下層與其上層，在濕式狀態將2層重疊 之後再施行乾燥。 春 < 有機EL元件之發光態樣〉 針對上述有機EL元件1 〇 〇的發光態樣進行說明。 有機EL元件1〇〇中，正孔係從陽極14輸送至有機固體 層16中的正孔注入層162。所輸送的正孔被注入於正孔 輸送層164中。注入於正孔輸送層164中的正孔被輸送給 發光層166 » 再者’有機EL元件100中，電子係從陰極18輸送至有 機固體層16中的電子注入層168。所輸送的電子被注入 於電子輸送層167中。所輸送的電子被輸送至發光層166。 312ΧΡ/發明說明書(補件)/95-11/95128119 21 丄
έ士二輸心的正孔及電子在發光層166中進行再結合。當再 際’將利用所發出的能量使EL產生發光。該發光 發序通過正孔輪送層164、正孔注入層162、陽極t 阻^膜12、基板1G而導出於外部，則可觀識到該發光。 二陰極18使用A1等情況時，陰極層18與電子輸送 / 的界面將成為反射面，由該界面反射且朝陽極U 貝別進，並穿透過基板10再射出於外部。所以，當將如 上述構造財機EL元件制於顯示料情況時，基板 1 側將成為顯示觀察面。 有機EL顯示裝置中，於欲實現全彩顯示的情況下，可 牛例如.將發出RGB各色的有機EL元件分開塗佈而進行 ; '的方式(分開塗佈法）；將白色發光的單色發光之有機 L元件與％色濾光片組合的方式（彩色濾光法）；將藍 色發光或白色發光等單色發光之有機EL元件、與色轉換 層組合的方式（色轉換法）；屬於單色有機EL元件、且對 有機發光層照射電磁波等而實現複數發光的方式（光漂白 方式）等，惟本實施形態並無特別的限制，可適當選擇 用。 [實施例] 以下’採用實施例與比較例進行更詳盡說日月。另外，本 案發明並不僅侷限於以下實施例，例如階差構造的寬度、 間距、厚度等。 (實施例1) 如圖4所示’在玻璃基板4〇上製成1〇條由寬度5〇Mm、 312XP/發明說明書(補件)/95· 11/95128119 22 1344904 間距200 /zm、厚度115〇111的ίτ〇所構成之陽極4丨（圖以堇 .條)。其次，在陽極41、41之間’使用感光性聚醯 •亞胺材料製成u條寬度間距200 ^、厚度15^ •的，差構造42(圖4中圖示2條）。然後將其安置於真 空热鑛裝置中，並利用一般的真空蒸錢法，形成厚度^ 之由CuPc所構成之正孔注入層43，並進一步形成厚度 45nm之由a_NPD所構成的正孔輸送層^。其中，該實施 例1中，階差構ϋ 42表面亦形成正孔注入層㈡與正孔輸 迗層44,但是只要最後的階差構造高度高於所轉印部分 •的高度即可，所以並不會有特別的問題。 其次，在氮環境中的LITI轉印裝置内，將Αιφ利用真 空蒸鍍法整體均勻形成厚度60nm薄片的施體薄板，載置 成上述正孔輸送層44與A1W密接的狀態。然後，以陽極 41為中心的方式，依寬度12〇βηι、雷射功率i.2J/cm2將
Alq3膜45施行熱轉印。再者，將轉印了 Alq3的基板再度 #安置於真空蒸鍍裝置内，而形成〇.2nm的LiF(未圖示）， 並形成厚度l〇〇nm之由A1所構成陰極46。 最後，依照普通方法使用密封罐4γ將整體密封，便完 成實施例1的有機EL顯示裝置。 (比較例1) 於上述實施例1中，除了未形成階差構造42之外，其 餘的步驟均完全如同實施例1般進行，完成比較例1的有 機EL顯示裝置。 (結果） 312XP/發明說明書(補件)/95·11/%丨28119 23 1344904 將上述實施例1的有機EL顯示裝置、與比較例1的有 機EL顯示裝置進行比較，結果實施例〗的有機EL顯示裝 f僅在所需區域中均勻地形成Α1Φ，並呈繞良好的發光狀 怨’相對的，比較例1之有機EL顯示裝置中，於所需區 域以外的區域亦發生質量傳輸現象，除了無法獲得元件之 均勻發光之外’亦無法施行其他色彩的分開塗佈。 【圖式簡單說明】 圖1為本實施形態的有機膜被轉印體製造方法的示音 說明圖。 〜 圖2(a)、（b)、（C)、（d)為本實施形態的階差構造之 面形狀圖。 圖3為本實施形態的有機EL元件之示意剖視圖。 圖4為實施例1的有機EL顯示裝置之示意剖視圖。 【主要元件符號說明】 1 階差構造（凸型構造物） 10 基板 12 阻障膜 14、41 陽極（第1電極） 16 有機固體層 18、46 陰極（第2電極） 20 保護膜 40 玻璃基板 42 階差構造 43、162 正孔注入層 312XP/發明說明書(補件)/95·11/95128119 24 1344904 44 、 164 45 47 100 166 167 168 200 •202 .210 正孔輸送層 Alqs 膜 密封罐 有機EL元件 發光層 電子輸送層 電子注入層 施體薄板 光熱轉換部 雷射 312XP/發明說明書(補件)/95-11/95128119 25
Claims (1)
1344904 t ··«. 十、申請專利範圍： 月s~日修(¾正替換頁FEB · 5雇 替換本 1. 一種有機膜被熱轉印體之製造方法，係對有機膜表面 上所形成有機膜形成體施加熱能，而將該所形成的有機膜 從上述有機膜形成體表面熱轉印於被熱轉印對象體表面 上，俾製造有機膜被熱轉印體的有機膜被熱轉印體之製造 方法； < 上述被熱轉印對象體表面係形成將較高於熱轉印前的 上述熱轉印對象處外緣之階差構造，設置於較熱轉印對象 處外緣更外側之至少其中一部分處的構造； 將上述有機膜熱轉印於被熱轉印對象體表面上，而製造 出有機膜被熱轉印體。 t 2·如申請專利範圍帛1項之有機膜被熱轉印體之製造 方法’其中，上述熱能係供應光能量，並將該供應的光能 量轉換成熱能，而施行上述熱轉印。 3·如申請專利範圍第2項之有機膜被熱轉印體之製造 方法，其中’上述歧量的供應係利用雷射光線照射 施。 4.如申請專利範項中任一項之有機膜被熱轉 印體之製造方法’其中，上述階差構造係在上述被熱轉印 對象體表面上設置凸部而形成。 ^如中請專利範圍第1至3項中任一項之有機膜被熱轉 Ml之製造方法’其中’上述被熱轉印對象體係玻璃基板 或樹脂基板。 6.如申請專利範圍第j至 3項中任一項之有機膜被熱轉 326纖檔 \95\95128119\95128119(替換 26 * · 印體之製造方法，其中 製造時所使用的有機膜 91年2月厂日修(<)正替換頁 上述有機膜係有機el顯示裝置 7,種有顧被熱轉印體，係對有機膜表面上所形成有 _形成體施加熱能’而將該所形成的有機膜從上述有機 膜形成體表面熱轉印於被熱轉印對象體表面上的有機膜 被熱轉印體； 上述被熱轉印對象體表面係形成將較高於熱轉印前的 上述熱轉印對象處外緣之階差構造，設置於較上述熱轉印 對象處外緣更外側之至少其中一部分處的構造。
326 纖檔 \95\95128119\95128119(替換)·1 27
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