TWI338131B - Method for analyzing membrane structure and apparatus therefor - Google Patents

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TWI338131B TW093130085A TW93130085A TWI338131B TW I338131 B TWI338131 B TW I338131B TW 093130085 A TW093130085 A TW 093130085A TW 93130085 A TW93130085 A TW 93130085A TW I338131 B TWI338131 B TW I338131B
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Yoshiyasu Ito
Kazuhiko Omote
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Description

九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 各本明係有關膜構造解析方法及其裝置者。具體上, 本=明知有關於由具有S種分解能及動態範圍之光學系所 备又竹的測疋數據’同時配適模擬演算數據,以解析膜試料 構造的膜構造解析方法及其裝置者。 【先前技術】 X線的反射率測定,係以觀察膜之各界面反射之X線 干涉的現象’對敎結果配適模擬演算數據,而能予以解 _ ^之在度、膜厚度及其粗度(roughness )者。其最表面 ㈣的密度’彳由全反射臨界角度算出’而該層以外:密 即可由其干涉譜之振幅大小算出。而且各層臈厚度即 :由振動周期异出。該粗度即能由反射率測定數據全體之 哀減率及在高角度側的干涉譜振幅的衰減算出(參照專利 文獻1 )。 《專利文獻1》日本·特開2〇〇卜349849號公報。 [發明所需解決的問題] 以層膜厚度為數百奈米的多層薄膜為對 ,測定時,即須將入射χ線的發散角度及波長擴展設 =於微小範圍後進行。有例如於入射側使用Si或Ge等士 王結晶之單色光鏡(m〇n〇chr〇meter)者。完全結晶單夯 抑制由光源發生的X線波長擴展,且僅取出 、’兄
64 . ▲ 卞订成分的X ",/、照射於薄膜的)(線強度,即較不使用完全姅曰W 光鏡時小到1/1〇至之程度。尤於使用四結心= 316142 5 1338131 時’能減少約1 / 1 00的入射X線強度,因而,於χ線反射 率測疋時’有動態範圍(dynamic range)不充足的情形。 也就是說;使用完全結晶單色光鏡時,因動態範圍過 ―小無法測定至高角度側,致使有無法充分評價粗度的情 形。亦有於多層膜中有薄膜層時,因對應於該膜厚的振動 周期小,乃有忽視該層而立即進行配適(fittingh々情形。 第3圖係解析一種使用Ge(22〇)四結晶光學系,以測 疋Si系薄膜數據(入射χ線之發散角度為〇. 〇〇45。左右) 者。對該測定數據進行模擬數據配適的結果,可預測該薄 膜於基板上形成單層膜,而於表2所示之解析結果亦有r 值為〇. 01586之非常吻合結果。 [表2] —------ 1~~--- 密度 [g/cm3] 膜厚[nm ] 粗度[nmJ R值 Si2〇2CH3 'TTol2~ ~3?δΓ3〇~ L45 Si基板 ----—----- 2. 33 - 0. 81 ------- 0.01586
p ’膜密度、膜厚度、粗度㈣參數初期值設; 而…,度貫施配適,即可進行如第4圖所示之配i 而、,‘口果為與表2所示4士要;t日η 、 ㈣A 的解答,同時,亦能將1 •G15712’雖小’且有精度提升現象。 316142 6 1338131 [表3]
si俨反1表2。果及表3結果’亦可知悉界面粗度之大小 關係反轉。 確^上^遭遇多個解答之處亦不少,要判定那個為正 雙方是否皆無充分的解析,僅使用第3 " 圖所不之測定數據而實施即有其困難性。粗度數 :的Ϊ轉'象二雖可由測定到更高角度側的數據予以: ’於動態範圍不足時’亦不能進行充分的解析。 …本《明係有鑑於上述問題而作,而提供—種對X線反 射率測定所獲得的測定數據,施行配適 冓造之膜構造解析中,防止由配適之解 1较指&析,以獲得高準確度的膜構造解析結果之膜構 &知析方法及其裝置為課題者。 【發明内容】 [解決問題的手段] 本發明解決上述課題之第1方案係: 提供-種膜構造解析方法,將單層膜或多層膜所成之 法:料的構造,以X線反射率測定法解析之膜構造解析方 中,將同一膜試料以分解能及動態範圍二者之至少一個 316142 7 唯於由取小二乘法的解析,由於配適之順序及方法, 2以初期值之適合及不適合等,難以單純地使殘差二乘和 為最小’而由發散導致無法配適之事亦不少。已知通常解 2之對X線反射率測定數據的模擬演算數據之配適係以實 施下記順序而收束其解答。 (1) 製作包含基板薄膜之層構造模型。 (2) 對測定數據及模擬渖曾 贫數據,使較缸界角為低角度 之彔大強度為一致。 ⑶使測定數據之強度與模型背景強度為一致。 ⑷決定在模型參數中能固定之值。很多情形因基板為 :::固:該密度。若膜厚及密度等其他參數中有既知參 數則予以疋數化。 (5 )以目視,由手動方々、| 、 私站 式決疋測定數據及模擬演算數據 為一致。 (6)實施自動配適。 (Ό求取測定數據與模擬 久食令^ y士 、蚨决异數據之差異為最小時之 爹數值為琅適值。此時,婪旧 -T ? ^ ^ η n-2 « 取小二乘和的殘差為小數點以 數(10之層級),gp可判 之配適。 丨』判斷為已經具有相當準確度 於本發明的膜構造解柘古i山 XV ^ At γ . 斤方法中,在其測定時,對於以 问刀解月b X線,¾射膜試料 — 公解处γ从Λ ώ 4又件之弟1測定數據,及以低 为解π X線照射膜試料而獲 Μ ^ ^ Μ η 又侍之弟2測定數據’分別將模 械开數據同時予以配適, v$ll , — 以Λ知荃數之最適化。 例如,藉由完全社曰。。a 、°日日早色光鏡對膜試料照射X線以取 316142 10 1338131
得第1測定數據,另外T 不稭由完全結晶單色光鏡對膜試料 照射X線而取得第?.‘目丨丨中& u 仟弟Z測疋數據。然後,對各測定數據,同 時配適模擬演算數據,以進 ^ 。。 進仃麥數取適化。右於入射側設 兀王,、口日日早色光鏡時’即可獲得高分解能、且 範圍之測定數據,另—古; 八乍勒心 方面’若於入射側不設置完全处晶 單色光鏡而測定時,即可捭γ俏八疋王、·.口日日 之測定數據。 D—、且廣闊動態範圍 第1圖係於入射側不使用— σ 果仏與W η… 日日羊色光鏡的測定結 =政角度U5,動態範圍9位數)。可知能獲得較廣 闊的動態範圍,且可觀測到較大周期振動。由I可預測 4膜试料上有極薄的層膜存在。 、 共與多^ 唯因上述測定為低分解能 先予糸,故相當於膜厚約彻⑽的振動則無法觀測。 1第2圖表示對第i敎數據及第2測定數據同時進 己適七果所後得的模擬演算數據。配適結果所 試料構造最適參數係如表1所示。 又’、 [表1] 膜厚[nm]粗度[nm]
密度 [g/cm3] 由上述解析可知悉形成有,僅 結晶單色光鏡獲得的測定數據進行 中側吹置凡全 氧化臈層。且關於粗度亦無陷於局部性之二出現的叫 丨王之·%析,而能求得 316142 11 如上所述’將兩種不prj γ 予以同時配適,即可同:刀^能及動感範圍的測定數據 及動態範圍不同的測定=析粗度及膜的厚薄。而分解能 為分解能及動態範圍,丨亦能使用2種以上,且不僅 數據予以同時解析而可期;個測定波長’將該 ,^ Μ侍问樣的效果。 本發明的膜構造解析 解析方法之構成者。且H為實施上述膜構造 係為進行X線反射率測:方丰本發明的膜構造解析裝置, 本構成的膜構造解析裝置::χ線反射率測定裝置為基 解能及動態範圍 ::、備.以將同-膜試料以分 測定多個測定數據之數據;;1=件相異之測試條件進行 定的多個測定數據,i 手段’及由數據測定手段測 造決定手段者。丨以冋時解析,以決定膜構造之膜構 X線反=""地表不本發明的膜構造解析裝置,係於一般 單色光鏡為置中,將設置於x線入射側之完全結晶 色先知為可移動方式,而於 試料照射X線,以獲得上述;; 移動完全結晶單多#— 佩丹 試料昭射X線P兄’错由完全結晶單色光鏡對膜 定數據及第”上述第2測定數據’將獲得的第1測 逸,- 屑疋數據輸入於電腦等之膜構造決定手段, 者:处膜構造解析方法算出最適於表示膜構造的參數 以上係本發明中 之 態樣例,但本發明不限定於該事 316142 12 1338131 例’而能於各細部考慮及採用各種形態者。 明,得對以X線反射率測定獲得的測定數據, ;二己適模擬演算數據,以解析膜構造之膜構造解析令, ==適之解析結果陷於局部性解析,而 度的膜構造解析結果。 卞门半確 =是說;在習用技術中,提升分解能的結 現象,—職造時無法獲得充分資 :中V:用:配適的參數最後成為局部解答本 :二使::分解能且為狹窄動態範圍之測定數據,= :: 廣闊動態範圍之測定數據,能對反映膜試;;構 句話說;由本發明對具有複速局部解答的問題。換 度之表示構造之參數。_層構造的膜試料’求得高精 因X線反射❸収’係廣泛地㈣於各 =機能及特性的評價,因此,以高 : 2本發明之料造料方^其裝 = 向度的期待其實用化。 ^用…破而 【圖式簡單說明】 弟1圖以本發明膜解批 表。 斤方法後得之測定數據例所示圖 苐2圖以本發明膜解析 所示之圖表。 第3圖以習用膜解析方 示之圖表。 方法中實施的配適最適化結果 法中實施的配適最適化結果所 η 316Η2 1338131 第 示之另 圖以習用膜解析方法中實施的配適最適化結果所 圖表。 316142

Claims (1)

1338131 弟93〗30085蛇專利申,^ 十、申請專利範圍: ("年*月2°日 造解析方法,係將單層膜或多 :::徵射率測定法解析之膜構造解析:; 之至少解⑽咖二者 2. 3. 數據予以同時解析,以決定輯造。 収 一種臈構造解析方法,係對單芦 料的表面臨界角附近之角卢〜结”曰、所成膜之試 數據,使至幻個心獲得之測定 :亍模擬演算而獲得之模擬演算數據予以配適, 數據與模擬演算數據的差異為最小時之參 值,以決定膜關構造之膜構造解析方法,其=為. 對以南分解能X線照射膜試•獲得第丨測定數據為及 以低分解能X線照射膜試料而獲得之第2測定數據,分 別將模擬演算數據同時予以配適。 -種膜構造解析裝置,係將單層膜或多層臈所成膜之試 料的構造,以X線反射率測定法解析之膜構造解析裂 置,其特徵為具備:數據測定手段’將同一膜試 解能及動態範圍二者之至少-個條件相異之測試條件刀 進行多個數據的測定;及膜構造解析手段,藉由同時解 析由該數據測定手段所測定之多個測定數據,以決定膜 構造。 一種膜構造解析裝置,係對單層膜或多層膜所成之膜试 料的表面臨界角附近之角度之X線入射而獲得之測定 316142絛正版 15 4. 1338131 第93130085號專利申請案 數據,使至少1個以上之表 (99年㈠2曰) 行模擬演算而獲得模擬演首數據$ ^生的參數變化而進 據與模擬演算數據的差異值=數 構造之膜構造解析裳置,其特徵為具 1據土疋手段’對以高分解能X線照射膜試料而獲 仔數據、及以低分解能X線照射膜試料而獲得 之第2測定數據予以測定;及膜構造解析手段,對由該 數據測定手段所測定之第1測定數據及第2測定數據, 刀別將模擬屬异數據同時予以配適,藉此測定膜構造。 16 316142修正版
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