TWI331253B - Alternating phase shift mask and method of the same - Google Patents
Alternating phase shift mask and method of the same Download PDFInfo
- Publication number
- TWI331253B TWI331253B TW095148741A TW95148741A TWI331253B TW I331253 B TWI331253 B TW I331253B TW 095148741 A TW095148741 A TW 095148741A TW 95148741 A TW95148741 A TW 95148741A TW I331253 B TWI331253 B TW I331253B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- recessed
- region
- phase
- shielding layer
- regions
- Prior art date
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種相移光罩及其製作方法,特別是,
關於一種以單一曝光消除相位衝突之相移光罩及盆 方法。 A 【先前技術】 隨著半導體產業之元件尺寸的日益縮小,對微影技術 解析度的要求也越來越高,因此光罩技術也隨之發展。目 前,使用交錯式相位移光罩為提高解析度的方法之一。 圖1A顯示交錯式相位移光罩的基本架構,圖m_1D 則用以顯示交錯式相位移光罩的基本原理。一般而言交 錯式相位移光罩主要係利用兩個來自相同光源的光束分 別經過光罩上的相移層及非相移層而產生18〇度之相位 差後’形成元全破壞性干涉。如圖1A所示,在透明基板 10形成圖案化的遮光層12,接著交錯地飯刻未被遮光層 12所覆蓋之透明基板10,而形成相移區16及非相移區 14,其中相移區16及非相移區14之間的相位差為18〇 度。也就是說,當光線通過相移區16及非相移區14時會 產生180度的相位差。 圖1B為通過非相移區14之光線的電場振幅空間分 佈’圖1C為通過相移區16之光線的電場振幅空間分佈,
4NTC/06004TW : 95020-TW 1331253 而圖id為這兩種不_㈣光線疊加後的振幅空間分 . (即干賴果)。由® id可看出,她相差⑽度的 . %線相互干錢’可在其交界處產生f場振巾|接近零的區 __· 域。因此,在遮光層12下之光線的電場振幅幾乎為零。 由於光強度正比於振幅的平方,因此遮光層12下的光強 度接近零,而達到預期的遮光效果。 然而’在設計光罩圖案時,常會遇到難以定義相位的 • 區域,而發生相位衝突的情形,如圖2A所示。圖2八繪 不一習知交錯式相位移光罩2〇〇的俯視圖,其中區域 202、2〇4、206為遮光區(如鉻層),其他區域為透光區。 若區域211及212係設計為相位18〇度之相移區,則區域 213應為相位〇度的非相移區。然而,介於遮光區2〇2與 204之間的區域215部分若設計為相位〇度,且介於遮光 區204與206之間的區域216部分也設計為相位〇度,則 遮光區204的兩側皆為相位〇度,無法利用相位差提高解 析度。 圖2B提供用以解決圖2A之無法定義相位的方法’ 其中圖2A的遮光區204改由兩個分離的區域2〇7及2〇8 所取代,再將區域207及208之間的透光部分設計為相位 180度之相移區214。然而,在相移區214邊緣(圖中虛線 所示)將發生相位0度與180度區域相接的情形,使得其 交界處的光強度接近於零。如此一來,當以光罩2〇〇對一
4NTC/06004TW : 95020-TW 6 正光阻層進行曝光顯影時,相移區214邊緣所對應到的光 阻部分將因光訊號強度不足而曝光不完全,無法在顯影步 驟中去除。 圖3顯示使用習知之相移光罩對正光阻進行曝光顯 影後之結果上視圖’其中虛線所示區域為相位〇度之區域 與相位180度之區域的交界處。因為光線相互干涉後的結 果’使得交界處的光強度過低,而造成曝光不足,因此光 阻圖案將會訂而不會被㈣,此即俗稱軌 image) ° 為了解決光阻殘㈣問題,f知的方法係針對可㈣ 光不完全而光阻殘㈣區域,再進行—次曝光顯^ 序。然而’習知方法增加了設計上的複雜度,且多一 罩不但提高成本也增加驗時間。科,兩 ^ 準將隨著元件尺寸的縮小而更加困難。 罩間的對 次的 因此,有必要提供一種相移光罩,其可藉由μ一 曝光顯影消除相位衝突。 早 【發明内容】 鑑於先前技術所存在的問題,本笋 光罩及其製造方法,用以在單—' 一種相移 突。 曝先步騾中消除相位衝
4NTC/06004TW : 95020-TW 1331253 根據本發明之一方面’提供了一種製造一相移光罩之 方法。此方法包含下列步驟:提供一透光基板;形成一遮 光層於透光基板上;圖案化遮光層,以裸露透光基板的一 部份;以及形成一第一凹陷區與一第二凹陷區於透光基板 内其中,第一凹陷區與圖案化遮光層鄰接,第二凹陷區 與第-凹陷區鄰接H凹舰具有—第—深度不同於 第二凹陷區之一第二深度。 根據本發明之另-Μ,提供—種祕光罩,以在草 :曝光步财齡相位触。本發明之柿光罩包含一透 光基板以及在透光基板上的—_化遮光層。透光基板包 含-第-凹陷區與-第二凹陷區。第—凹陷區與圖案化遮 光層鄰接’第二凹陷區雜第—凹陷區祕,且第一凹陷 區具有一第一深度不同於該第二凹陷區之一第二深度。 本發明之其他转,料將在後續制巾陳述,而部 分可由說明中輕易得知,或可由本發明之實施而得知。本 發明之各方面將可利用後附之中請專利範圍中所特別指 出之7L件及組合而理解並達成。f 了解,歧的一般說 及下列詳細說明均僅作舉例之用,並_以限制本發明。 【實施方式】 本發明揭露-種相移光罩及其製造方法,可使 次曝光步驟來消除兩個不_倾交接處所產生之相位
4NTC/06004TW : 95020-TW 8 1331253 【主要元件符號說明】 10 12 14 16 100 101 102、104、106 103 、 105 110 120 、 130 200 202、204、206、207、208 211、212、214 213 215 、 216 1200 、 1300 1202 ' 1302 1204 、 1304 1206 、 1306 1210 、 1310 透明基板 遮光層 非相移區 相移區 透明基板 表面 透光區 凹陷區域 遮光層 圖案化光阻層 相位移光罩 遮光區 相移區 非相移區 區域 相移光罩 相位0度透光區 相位180度透光區 相位90度透光區 遮光層
4NTC/06004TW : 95020-TW
Claims (1)
1331253 案號:95148741 99年2月25日修正-替換頁 十、申請專利範圍: 1. 一種製造一相移光罩之方法,包含下列步驟: 提供一透光基板; 形成一圖案化遮光層於該透光基板之一表面上; 形成複數個第一凹陷區於該透光基板内,其中該複數個 第一凹陷區係與該圖案化遮光層鄰接;以及 於每一該複數個第一凹陷區與該表面之交界處分別形 成複數個第一凹陷區,其中該複數個第一凹陷區具有一第一 深度不同於該複數個第二凹陷區之一第二深度。 2·如請求項1所述之方法,其中形成該第一凹陷區及該第二 凹陷區之步驟包含: 形成一第一圖案化光阻層於該透光基板及該遮光層 上; 以該第一圖案化光阻層為罩幕,蝕刻該透光基板之該部 份至該第一深度,以形成該第一凹陷區; 形成一第二圖案化光阻層於該透光基板及該遮光層 上;以及 以該第二圖案化光阻層為罩幕,蝕刻該透光基板之另一 部伤至5玄第二深度,以形成該第二凹陷區。 3.如請求項1所述之方法’其中該該透光基板包含一透光區 與該圖案化遮光層及該第二凹陷區鄰接,且該方法更包含 調整該第二深度,以改變該透光區與該第二凹陷區間之一 4NTC/06004TW : 95020-TW 15 案號:95148741 99年2月25日修正-替換頁 第—相位差。 4如3所述之方法’其中調整該第4度之步驟包含: 、第一相位差範圍約為30度至150度。 5‘如3所述之方法,更包含: 180 深度’使該透光區與該第—凹陷區具有約為 弟一相位差。 6. 項3所述之方法,其中該透找與該第—凹陷區係 7.如睛求項1所述之方法,該遮光層之材質係由選自金屬鉻 8 所述之方法,其中該圖案化遮光層的寬度約為
9. 一種相移光罩,包含: 第二凹陷 一透光基板,包含複數個第一凹陷區與複數個 區;以及 一圖案化遮光層於該透光基板之一表面上; 複數個第一凹陷區係分別介於每一該複數個第 該表面之間,且該複數個第一凹陷區具有一第 其中該複數個第一凹陷區係與該圖案化遮光層鄰接 凹陷區與 '采度不同於 4NTC/06004TW : 95020-TW 16 案號:95148741 99年2月25曰修正-替換頁 該複數個第二凹陷區之—第二深度。 10.如,求項9所述之相移光罩,其中該透光基板更包含一透 ,區與該圖案化遮光層及該第二凹陷區鄰接,其中該第二 /衣度係用以調整該透光區與該第二凹陷部之間之一第一相 位差。 • U·如請求項1G所述之相移光罩,其中該第-相位差範圍約為 3〇度至150度。 l2Ht#項10所述之相移鮮,其中該透光區與該第一凹陷 崢之間具有180度之一第二相位差。 13.如請求項10所述之相移光罩,其中該縣區與該第一凹陷 區係呈矩形。 14.如請求項9所述之相移光罩,該圖案化遮光層之材質係由 選自金屬鉻。 K如請求項9所述之相移光罩,其巾該_化遮光層的寬度 約為90毫微米。 4NTC/06004TW : 95020-TXV 17
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095148741A TWI331253B (en) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | Alternating phase shift mask and method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW095148741A TWI331253B (en) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | Alternating phase shift mask and method of the same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200827924A TW200827924A (en) | 2008-07-01 |
TWI331253B true TWI331253B (en) | 2010-10-01 |
Family
ID=44817465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095148741A TWI331253B (en) | 2006-12-25 | 2006-12-25 | Alternating phase shift mask and method of the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI331253B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6093117B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-03-08 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法及びパターンの転写方法 |
-
2006
- 2006-12-25 TW TW095148741A patent/TWI331253B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200827924A (en) | 2008-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5472814A (en) | Orthogonally separated phase shifted and unphase shifted mask patterns for image improvement | |
KR100201040B1 (ko) | 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조 방법 | |
KR900017127A (ko) | 마스크, 마스크 제조방법 및 마스크를 사용하는 패턴형성방법 | |
KR20060002043A (ko) | 포토마스크 | |
KR20080107242A (ko) | 포토마스크, 그 작성방법, 그 포토마스크를 이용한패턴형성방법 및 마스크데이터 작성방법 | |
TWI499861B (zh) | Close exposure mask | |
TWI436160B (zh) | 雷文生型相位移光罩及其製造方法 | |
JP2976192B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
TWI278017B (en) | Chromeless phase shifting mask for equal line/space dense line patterns | |
JPH03252659A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
TWI331253B (en) | Alternating phase shift mask and method of the same | |
TWI291594B (en) | Phase shifting mask for equal line/space dense line patterns | |
GB2302962A (en) | Phase shift mask | |
JPH10142768A (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 | |
US6416909B1 (en) | Alternating phase shift mask and method for fabricating the alignment monitor | |
JP2009205146A (ja) | フォトマスクの欠陥修正方法、フォトマスクの製造方法、位相シフトマスクの製造方法、フォトマスク、位相シフトマスク、フォトマスクセット及びパターン転写方法 | |
TW477918B (en) | Trimming mask with semitransparent phase-shifting regions | |
TW479159B (en) | Interlacing phase shift mask and its manufacturing method | |
KR100236045B1 (ko) | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
US6524751B1 (en) | Reticle design for alternating phase shift mask | |
TW561312B (en) | A phase shift mask | |
JP3125104B2 (ja) | 光学マスク及びその製造方法 | |
KR100190115B1 (ko) | 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법 | |
JPH03245145A (ja) | 投影露光方法 | |
TWI325516B (en) | Structure for improving mask-induced polarization effects |