TWI323460B - Write-once inorganic information recording medium and the forming method of it recording layer - Google Patents

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Chengche Wu
Wei Hsiang Wang
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Description

九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明疋有關於-種記錄媒體及其記錄層的形成方 法特別疋一種只寫一次資訊記錄媒體及其記錄層的形成 方法。 【先前技術】 隨著資訊與多媒體世代的來臨,電腦、通訊、消費性 電子產品對於資訊記錄媒體需求強勁。在各種資訊記錄媒 體中,光記錄媒體因為其容量大、畫質佳、存取速度快、 體積小易攜帶,以及保存時間長這些優點,使得光記錄媒 體成為時下資訊記錄媒體的主流。 光記錄媒體,主要是利用雷射光去執行讀取和寫入的 動作。記錄所用的載體為碟片。藉由雷射光聚焦於碟片中 的記錄層,與其中的記錄材料反應,形成記錄點(recorded marks) ’將數位資訊寫入記錄層。讀取碟片時,再根據雷 射光掃瞄碟片時,有記錄點和無記錄點區域雷射光反射光 量強弱的不同,判讀碟片上的數位資訊。 根據光記錄媒體讀寫性質的不同’可區分為:唯讀(read only)碟片’如CD、DVD,只寫一次(Write_〇nce)碟片,如 CD-R,以及重覆讀寫(rewritable)碟片,如CD-RW。其中, 只寫一次(write-once)碟片因為雷射光寫入碟片記錄層,形 成記錄點的反應為不可逆反應。故僅能寫入—次,而無法 重複讀寫。 只寫一次(Write-once)碟片的記錄材料一般為有機染 料。有機染料因為合成和純化製程複雜,所以成本較高, 而且有機染料的填充性及膜層均勻性亦不佳。 此外,新一代的藍光碟片因為碟月的記錄容量更大, 故所用的雷射光波長更Μ,可預期的是適用的有機染料的 選擇將更少,合成的難度將更高。 【發明内容】 因此本發明的目的之一就是在提供一種只寫一次資訊 記錄媒體,其所用的無機記錄材料,具有良好的填充性和 膜層均勻@ ’故資料記錄密度高。並且此無機記錄材料对 ^和耐候度高,不容易質變,故在資料的保存上安全性更 咼,保存期限更長。並且此無機記錄材料吸收光區廣,除 了可應用於目前的CD-R、DVD.R外,還可以用於未來的 藍光碟片。 本發明的又-目的是在提供一種記錄層的形成方法, 此記錄層的材質為無機材料,故無有機材料製程複雜的問 題。使用此種形成方法,製程簡單又快速,適宜大量生產。 根據本發明之上述目的,提出一種只寫一次資訊記錄 媒體包含第-基板、記錄層、第—介電層和第二基板。記 錄層位於第-基板上,包含__種無機記錄材料此無機記 錄材料為蹄纪氧氮化物’化學式為Texpdy〇zNa,盆中 〜州,2<y<25 ’ 25<ζ<6〇,5<α<ΐ5,χ、y、z 和 & 為碲 (Te)、紅(Pd)、氧(〇)和氮(Ν)在無機記錄材料中所佔的莫耳 百刀比β記錄層的形成方法可為反應性濺鍍法、蘋果派靶 共濺鍍法或合金靶濺鍍法。上述的第一介電層位於記錄層 上’第一基板位於第一介電層上。 根據本發明之上述目的,提出—種記錄層的形成方 法。記錄層位於只寫一次資訊記錄媒體中,包含無機記錄 材料碲鈀氧氮化物,化學式為Texpdy0ZNa,其中15<χ<55, 2<y<25 ’ 25<ζ<6〇 ’ 5<α<15 ’ X、y、ζ 和 α 為碲(Te)、鈀(pd)、 氧(〇)和氮(N)在無機記錄材料中所佔的莫耳百分比,記錄 層的形成方法為濺鍍法。適合的濺鍍法包含反應性濺鍍 法、蘋果派靶共濺鍍法或合金靶濺鍍法。 由上述可知,在本發明的只寫一次資訊記錄媒體,利 用碲鈀氧氮化物作為記錄層的記錄材料,因為碲鈀氧氮化 物為無機材料,故不會有有機染料製程複雜的問題。而且, 無機材料的吸收光區較有機染料寬廣,因此’此無機記錄 材料除了可應用於目前的CD_r、DVD-R外,還可以用於 未來的藍光碟片。 【實施方式】 第1圖係缯·示依照本發明一較佳實施例的一種只寫一 次資訊記錄媒體的剖面示意圖。如圖所示,只寫一次資訊 記錄媒體從下至上依序包含第一基板1〇〇、記錄層11()、第 一介電層120和第二基板130。 在較佳實施例中’第一基板1〇〇的材質為玻璃、聚碳 酸知樹脂或聚甲基丙稀酸甲脂(p〇iy Methyl Methacrylate, 1323460 PMMA)。第二基板13〇的材質與第一基板_的材質相同, 亦為玻璃、聚碳酸酯樹脂或聚甲基丙烯酸罕脂。 圯錄層110的厚度較佳約為5 nm到60 nm ,其係主要 由一種無機記錄材料所組成。此無機記錄材料為碲鈀氧氮 化物’化學式為TexPdy〇zNe,其中15<χ<55,2<广25, 25<z<60,5<α<15,χ、y、2和 α 為碲(Te)、鈀(pd)、氧(〇) 和氮(N)在無機記錄材料中所佔的莫耳百分比。 Φ 第一介電層12〇的厚度較佳約為丨〇 nm到2〇〇 nm。第 一介電層120之材質較佳為氮矽化*(SiNx)、硫化鋅氧化 矽(ZnS-Si〇2)、氮矽化物(Α1Νχ)、碳化矽(sic)、氮鍺化物 (GeNx)、氮鈦化物(TiNx)、氧化鈕(Ta〇x)或氧化釔(γ〇χ)。 只寫一次資訊記錄媒體主要是利用記錄層11()中無機 記錄材料碲鈀氧氮化物來記錄資訊。碲鈀氧氮化物具有良 好的填充性和膜層均勻性,故資料記錄密度高。並且碲鈀 氧氮化物的耐光和耐候度高,不容易質變,故在資料的保 鲁存上女全性更尚,保存期限更長。另外,碑把氧氮化物的 吸收光區廣,除了可應用於目前的CD-R、DVD-R外,還 可以用於新一代的藍光碟片。 在寫入資訊時’雷射光會穿透第一基板100,聚焦於記 錄層110中的無機記錄材料碑纪氧氮化物上,蹄把氧氮化 物會吸收雷射光的能量,形成記錄點。在讀取資訊時,雷 射光會穿透第一基板100,掃瞄記錄層110。藉由有記錄點 和無記錄點區域雷射光反射光量強弱的不同,判讀碟片上 的數位資訊。 9

Claims (1)

1323460 十、申請專利範圍: 1. 一種只寫一次資訊記錄媒體,包含: 一第一基板; 一記錄層位於該第一基板上,其中該記錄層包含一無 機記錄材料,該無機記錄材料為碲鈀氧氮化物,化學式為 TexPdy〇zNa,其中 15<x<55,2<y<25,25<ζ<60,5<α<15, x、y、ζ和α為碲(Te)、鈀(Pd)、氧(〇)和氮(Ν)在該無機記 錄材料中所佔的莫耳百分比; 一第一介電層位於該記錄層上;以及 第一基板位於該第·一介電層上。 2. 如申請專利範圍第1項所述之只寫一次資訊記錄媒 體,更包含一反射層介於該第一介電層和該第二基板間。 3. 如申凊專利範圍第丨項所述之只寫一次資訊記錄媒 體’更包含·第二介電層介於該第一基板和該記錄層間。 4. 如申凊專利Ιε«圍帛1項所述之只寫—次資訊記錄媒 體^其中該記錄層的形成方法為反應性濺鍍法,使用的反 應亂體為氮氣和氬氣,使用的靶材為碲鈀氧化物 (Tex,Pdy,〇z,)合金,其中 15<χ,<55,2<y,<25,25<z <6〇,X,、 y和z為碑(Te)、把(Pd)和氧⑼在碎纪氧化物別爪) 合金中所佔的莫耳百分比。 14 1323460 5.如申請專利範圍第1項所述之只寫一次資訊記錄媒 體,其中該記錄層的形成方法為蘋果派靶共濺鍍法,使用 的反應氣體為氮氣、氧氣和氬氣,使用的靶材為碲(Te)和鈀 (Pd),依據碲、鈀在碲鈀氮氧化物中所佔的比例,分配碲、 鈀在靶材上的面積。 6.如申請專利範圍第1項所述之只寫一次資訊記錄媒 體,其中該記錄層的形成方法為合金靶濺鍍法,使用的靶 材為碲鈀氧氮化物,化學式為TexPdyOzNa,其中15<x<55, 2<y<25 » 25<ζ<60 >5<α<15}Χ'Υ'Ζ^σ a ^ ^ (Te) ' Is (Pd) ' 氧(〇)和氮(N)在碲鈀氧氮化物中所佔的莫耳百分比。 7. —種記錄層的形成方法,該記錄層位於一只寫一次 資訊記錄媒體中,該記錄層包含一無機記錄材料,該無機 記錄材料為碲鈀氧氮化物,化學式為TexPdyOzNa,其中 15<x<55,2<y<25,25<z<60,5<a<15,x、y、z 和 α 為蹄 (Te)、鈀(Pd)、氧(Ο)和氮(Ν)在該無機記錄材料中所佔的莫 耳百分比,該記錄層的形成方法為濺鍍法。 8. 如申請專利範圍第7項所述之記錄層的形成方法, 該記錄層的形成方法為反應性濺鍍法,使用的反應氣體為 氮氣和氬氣,使用的靶材為碲鈀氧化物(Tex,Pdy,Oz,)合金, 其中 15<x’<55,2<y’<25,25<z’<60,x’、y,和 z’為碲(Te)、 鈀(Pd)和氧(Ο)在碲鈀氧化物(Tex,Pdy,Oz,)合金中所佔的莫 15 1323460 耳百分比。 9.如申請專利範圍第7項所述之記錄層的形成方法, 該記錄層的形成方法為蘋果派靶共濺鍍法,使用的反應氣 體為氮氣、氧氣和氬氣,使用的靶材為碲(Te)和鈀(Pd),依 據碲、鈀在蹄纪氮氧化物中所佔的比例,分配碑、纪在乾 材上的面積。 10. 如申請專利範圍第7項所述之記錄層的形成方 法,該記錄層的形成方法為合金靶濺鍍法,使用的靶材為 - 碲鈀氧氮化物,化學式為TexPdyOzNa,其中15<x<55, 2<y<25 5 25<ζ<60 ,5<α<15,Χ'γ'Ζ^σ a ^ ^ (Te) ' Ιε. (Pd) ' 氧(Ο)和氮(Ν)在碲鈀氧氮化物中所佔的莫耳百分比。 16
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