TWI313842B - - Google Patents

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1313842 九、發明說明： 【發明所屬之_技術領域】 發明領域 本發明係有關於-種RF標籤及製造RF標藏之方法。 5 【先前技術】 發明背景 為管理各種商品、物品及其他對象物，常使用RF標鐵。 此系統具有多數RF標籤及讀取來自RF標籤之資訊或將資 s孔寫入RF標戴之讀取或寫入裝置（以下稱為「RF標籤讀取 10機」）。RF標籤常伴隨對象物。讀取機亦稱為詢問器 (interrogator)。RF標籤亦可稱為RFID標籤、無線標籤或冗 標籤等。RF標籤亦可寫入諸如識別資訊(ID)、製造號碼、 製造日期、製造場所及其他資料。 RF標籤一般有主動式(active式)及被動式(passives)。 15主動式RF標籤可自備電力，而可使RF標籤讀取機之裝置結 構簡單。後者無法自備電力，而藉從外部接收電源，進行 ID資訊之傳送等動作。被動式從使!〇7標籤便宜之觀點而言 較佳，未來有發展性。 從使用之信號之頻域觀點，有電磁結合方式及電磁波 20 方式。前者使用數千赫左右之頻域或13兆赫左右之頻域 等。後者可使用UHF頻域(例如950MHz)或2.45千兆赫等更 高之頻域。從增加可通信距離或縮小RF標籤尺寸等之觀點 而言’以使用高頻率信號為佳。有一例為電磁結合方式最 高僅可通信1公里左右。又，950MHz只要1波長為30cm左右 1313842 即可，13MHa則可達23公里。 RF標籤伴隨之對象物有許多種，在RF標籤之設計上特 別重視對象物是否具導電性。若對象物為絕緣性，則在安 裳RF標籤前後，閉票箴之動作特性並無太太改變。然而， 5若將^^標籤安裝於如金屬殼體般之導電體時，該導體之影 像電流於RF標籤通信時產生。因而，RF標籤之動作特性在 安裝至導電體對象物前後大有不同。 又，在RF標籤伴隨之物體尺寸為較小之製品用途或外 觀上重視美感之製品用途(例如大型摩托車之計算器，展示 1〇於櫥窗内之花瓶等）上，或許要求將RF標籤收容於對象物 中。此時，若收容RF標藏之對象物可通過電磁波(uhf頻 域），則應可與RF標籤進行無線通信。然而，此時，端視所 收容之RF標籤附近是否有金屬面，RF標籤之動作特性大有 不同。 15 本案申請時之非專利文獻1揭示可安裝於金屬之習知 RF標籤。 非專利文獻1 : http://www.awid.com/product/mt_tag/mt.htm 【發明内容】 20 發明欲解決之課題 非專利文獻1所記載之習知RF標籤具有作為較半波長 長之偶極天線而動作之天線構造。更具體而古，μ入 、 σ 於介電體 之表面設置顯示天線圖形之導電性材料，於介Φ 1电體裡面形 成金屬層，全長設計為1/2波長左右。由於動作頻 1313842

902-928MHz，故+ | AL 文王長為17cm左右。然而，有在依舊相當大 之尺寸上，對安tRF賴之對象物之種類受到大幅限制之 問題。 發明欲解決之手段 本發明即是鏗於上述問題而發明者，其課題為提供一 種於具有金屬面之小殼體亦可收納之RF標籤及製造此RF 標敏之方法。 在本發明所使用之RF標籤包含有第1線路、供電電路及 第2線路’該第i線路係連接於接地導地，形成電性封閉迴 天線者；該供電電路係連接於前述第1線路 刀歧二及接地導體間者；該第2線路係連接於前述 點與則述供電電路並聯設置，而構成電感器者。 根據本《日月，具有金屬面之小殼體亦可 圖式簡單說明 ％織° 15 切明L彳之RF減之概略立體圖。 圖係_示導電性線路與接地導體之位置關係者。 ,3圖係用以說明RF標籤之動作者。 第4圖係^說明RF標籤之動作者。 第5圖係用、 用以說明偶極天線及環形天線之特性者。 20 第6A圖係& 1 T'顒不本發明一實施例之1〇7標籤之製程 第6Β圖係ι心 布° 顯不本發明一實施例之RF標籤之製程者。 第6C圖係一， ’、4示本發明一實施例之RF標籤之製程者。 第6D圖係一， 、 。 _不本發明一實施例之RF標籤之製程者。 第7A圖传& _ [。 、具不本發明一實施例之RF標籤之另—制。 力 衣程 1313842 者。 第7B圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之另一製程 者。 第7C圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之另一製程 5 者。 第8圖係顯示模擬假設之RF標籤者。 第9圖係顯示有關天線及1C晶片之等效電路圖。 第10圖係顯示有關線元件長度及對應之晶片容量之模 擬結果者。 1〇 第11圖係顯示有關線元件長度及天線電阻之模擬結果 者。 第12圖係顯示有關線元件長度及天線電阻之模擬結果 者。 第13圖係顯示RF標籤之頻率特性者。 15 第14圖係顯示有關頻率及晶片容量之模擬結果者。 第15圖係顯示有關頻率及天線增益之模擬結果者。 第16圖係顯示將RF標籤收容於具金屬面之殼體中之狀 態者。 第17A圖係顯示具線寬不均之線路之RF標籤者（之一）。 20 第17B圖係顯示具線寬不均之線路之RF標籤者（之二）。 第17C圖係顯示具線寬不均之線路之RF標籤者（之三）。 第17D圖係顯示供電電路之安裝位置不同之RF標籤 者。 第17E圖係顯示具線間隔不均之線路之RF標籤者（之 8 1313842 第17F圖係顯示具線間隔不均之線路之rf標籤者（之 第17G圖係顯示電感器之線路與天線分別準備2RF標 籤(之一)者。 第17 Η圖係顯示電感器之線路與天線分別準備之標 籤(之二)者。 【實施冷式3 用以實施發明之最佳形態 10 本發明之一態樣為於設置在構成偶極天線之第丨線路 之供電電路並聯設置構成電感器之第2線路。第丨線路連接 於接地導體，以於動作時，利用影像電流。天線與供電電 路之阻抗匹配性可藉調整電感而達成。藉此，可獲彳曰亦叮 伴隨具金屬面之物體之極小型RF標籤。 15 前述第2線路亦可形成具連接前述第丨線路上之2個分 歧點之線路。藉使偶極天線之線路與電感器線路之一部广 共通化，可使RF標籤全體之尺寸縮小。第％路與第 之分歧點位置可調整成匹配偶極天線及供電带 ^ 电路之阻抗。 前述第1線路及第2線路亦可設置於具預定介電常數之 間隔件材料。第1線路及第2線路與接地導體間理办上可為 空氣層，而從確保RF標籤之強度之實用觀點而古，—於1 等間設置間隔件材料。 前述第1及第2線路可具有沿長方體之邊之形狀藉 此，RF標籤之尺寸實質上等於長方體尺寸。 曰 20 1313842 形成前述第1線路及第2線路，俾使流至前述第】 第2線路之電流之影像電流流至前述接地導 偶極天線之尺寸縮小 線路及 體。藉此，可使 以連接於接地導體之平行第丨線路元件對及與該對垂 5直相交之平行第2線路元件對形成前述第1線路及第2線2 亦了藉使線路之圖形簡易，不僅可使產率提高，且可有 效地抑制流經線路之信號之不必要反射。 丽述第2線路元件對延伸之長度較前述第丨線路元件對 延伸之長度的2倍短。藉此，可保障第丨線路形成之天線不 10是以環形天線而是以偶極天線動作。 RF標籤之接科體亦可連接於該RF#鐵伴隨之物體 之金屬面。藉將更穩定之接地電位供給好標鐵，可使阳票 籤之特性（天線增益等）提高。 不 亦可以微帶線路形成前述第丨線路及第2線路。 15…本發明一形態之RF標鐵製造方法係執行將形成相鄰之 • 第1及第2窗框並延伸成帶狀之導電層形成具柔軟性之薄膜 之步驟及將前述薄膜彎折，而使導電層形成第i窗框之區域 與未形成窗框之區域相對後，將前述薄膜貼合於絕緣性間 隔件材料之步驟。藉此，可簡易製造可伴隨具有金屬面之 20 物體之小型RF標籤。 本發明-形態之RF標籤製造方法係執行於絕緣性間隔 件材料表面形成構成偶極天線之第丨線路及構成電感器之 第2線路之步驟及將前述間隔件材料板裡面之接地導體與 前述第1及第2線路連接之步驟。並於前述第i線路上之分歧 10 1313842 a及接地導體間α置供電電路，前述第2線路連接於前述第 、、友路上之77歧點’並设置成與前述供電電路並聯。藉此， 可利用既有之微帶線路之製程，製造可伴隨具有金屬面之 物體之小型RF標籤。 5第1實施例 第1圖顯示本發明_實施例之灯標鐵之概略立體圖。 灯標籤具有間隔件1〇、設置於間隔件1〇正面及上面之導電 1·生線元件、6又置於線元件上之供電電路(設置於B C間之虛線 内）及叹置㈣隔件1Q下面(裡面）之接地導體（第謂）。第] 1〇圖顯示導電性線路與接地導體之位置關係。 間隔件10具有諸如2.6之預定介質常數，且呈長度L(例 如31mm)、寬度W(例如13mm)及厚度τ(例如6醒)之預定尺 寸之長方體形狀。數值不僅一例，亦可採用各種數值，主 要根據本發明，長度L為較使用之波長頻域)之一半短 15 即可。 於間隔件10之正面及上面形成導電性線要件。如圖所 丁 /〇長方體之邊設置導電性線元件。線元件用於表示線 路之全部或—部份。通過A、B、C、D、E、F、G、H各點 =線路形成第1封閉曲線(封閉迴路），而構成偶極天線。進 吁電波之傳送接收及資訊之記憶及處理之積體電路（亦稱 為供電電路)設置於線元件BC間。 於第1封閉迴路上設置2個分歧點c、f，點C、F間亦以 導電性線元件結合。包含此線元件〇)之線路CFGHA位於與 供電電路電性並聯之關係，而構成電感器。 1313842 接著，說明動作原理。如第2圖所示，間隔件1〇上之線 路電性連接於間隔件裡面之接地導體。因而，RF標鐵動作 時，影像電流流至接地導體，第2圖所示之線路可視為與第 3圖所示之線路等效。進一步，當將包含線元件(^之電感器 5與構成偶極天線之部份分離時，第3圖所示之線路可視為與 第4圖所示之線路等效。如第4圖所示，此rf標籤具有通過 點ABCDEFGHKJA之1個折疊偶極天線及以包含cf之線路 形成之(與供電電路並聯設置）之電感器。如後述之模擬結果 所示，電感器之電感係藉使線元件BD上之點c之位置(在第 10 3圖中為線元件GE上之點F之位置）變化而加以調整。藉將此 電感適當調整，可適當匹配偶極天線與供電電路之阻抗。 在第1圖、第2圖所示之線元件中，直接有助電磁波輕 射者為線元件AB及線元件GF之部份。因而，間隔件材料1〇 之厚度T愈厚，天線之增益等性能愈佳。 15 如上述’線元件之長度W、L、T可採各種值，但至少 需滿足W<2(L+T)之關係。這是由於可保障天線發揮偶極天 線之功能之故。假設W=2(L+T)時，天線便不是偶極天線， 而是發揮環形天線之功能。在本實施例所假設之各條件 下，電感之阻抗調整後之天線之阻抗應進入如第5圖所示之 20第1象限(I)。圖中白色圓形記號顯示阻抗調整前之偶極天線 (W<2(L+T))之阻抗。當藉使線元件之分歧點c之位置改 變，而使電感改變時，如圖中箭頭所示，阻抗產生變化。 相對於此，環形天線之阻抗屬於第2象限(II)，對應圖中X記 號。針對此天線，即使改變分歧點C之位置而改變電感，如 12 1313842 圖中之箭頭所示，亦只有阻抗改變。因此，在環形天線中， 難以使阻抗進入第1象限内。 第6A圖至第6D圖分別顯示本發明一實施例之RF標籤 之製程。第6A圖至第6C圖顯示平面圖及側面圖，第6D圖僅 5 顯示側面圖。在第6 A圖所示之步驟中，準備具預定物性之 間隔件10。間隔件10具有諸如介質常數2.6及介質損失(t a η δ) 0.008。在第6Β圖所示之步驟中，利用如蒸鑛般眾所皆知之 金屬成膜技術，於間隔件10之上面及下面全部形成導電 層。導電層具有諸如5xl06S/m之導電率。在第6C圖所示之 10 步驟中，使用微影成形般之習知圖像成形技術，形成間隔 件10上面上之導電層。藉此圖像，形成第1圖、第2圖所示 之線路之大半（線元件AB及線元件GH以外之所有線元 件）。線路亦可形成為微帶線路。在第6D圖所示之製程中， 形成從B點附近之線路貫通間隔件10而到達裡面之導電層 15 之貫通孔。同樣地，形成從G點附近之線路貫通間隔件10 而到達裡面之導電層之貫通孔。於該等貫通孔填充導電性 材料，將間隔件上面上之線路與裡面之接地導地電性連接。 另，為簡化說明，省略設置供電電路之步驟。供電電 路可在第6C圖之步驟以後之適當階段設置於線元件BC 20 間。又，為簡化說明，同時形成間隔件上面之線路用導電 層及裡面之接地導體用導電層，該等亦可分別形成，亦可 以不同之材料形成。 第2實施例 第7A圖至第7C圖分別顯示本發明一實施例之RF標籤 13 1313842 之製程。在第7圖所示之步驟中，延伸成帶狀之導電層7〇形 成具柔軟性之薄膜75。在本實施例中，薄膜使用聚對苯二 甲酸乙一醇酯(PET)薄膜，可使用可支標導電層7〇之撓性薄 膜。另，在弟6圖中亦疋如此，需留意為方便說明，而將膜 5厚誇張描繪。成膜可以習知任何適當之方法執行。除了使 用蒸鍍之方法外，亦可使用藉由印刷機之印刷技術等。 在弟7B圖所示之步驟中，形成貫通導電層及pet薄膜 φ 之2個® 71、72。之後於該等窗周圍形成導電性線路。在本 實施例中，於PET薄膜形成導電層後’形成2個窗，亦可在 10第7A圖所不之步驟之階段中，於PET薄膜75形成形成有PET 薄膜之導電層。 在第7C圖所示之步驟中，導電層及pET薄膜貼合於間 隔件ίο之上面、正面。此時，導電層及PET薄膜75在第7B 圖以虚線所示之2處彎曲90度。如此，不以間隔件1〇為基 15礎，形成導電層亦可。根據本實施例，不僅可簡易製造RF • 標籤，亦可大幅擴大變更製程之自由度。例如準備導電性 天線之業者與準備間隔件之業者可相同，亦可不同。又， 由於天線加工與間隔件加工平行進行，故從生產率之觀點 而言為佳。 20 第3實施例 第8圖顯示模擬假設之RF標籤。表示圖中尺寸之數字單 位為公釐（寬度13mm、長度3lmm、厚度6議）。間隔件上面 及正面形成第1圖所示之導電性線路之圖形，間隔件之裡面 連接於理想之接地導體。在模擬中，相對於線元件bc&Gf 14 1313842 之各長度算出晶片交旦 .,里Ccp(pF)、天線電阻Rap(Q)及天線增 盈（dBi)。特別需留音 〜、天線長度較典型之UHF頻域之波長 (30cm左右）短之點。 有關天線與供電電路之等效電路如第9圖所示。當匹配 5 2線與供電電路⑻日日日片）之阻抗時，除了兩者之電阻成分相 :外’天線之電感Lap及供電電路之容量成立預定關

Rap - Rep 及 〇Lap-(〇)Ccp)-l 1〇 ωΑ角頻率。使第8圖之線元件BC及GF間之距離S變 化，調整天線之電感Lap，以滿足上述之關係，可使天線及 供電電路之阻抗匹配。 第10圖顯示線it件長S及對應其之晶片容量Cep之關 係。可知隨著線元件長s從4.2mm增加至8mm，晶片容量CCp 15從0.86pF幾乎以直線減少至0.54PF。例如若在950MHz之典 • 型UHF頻域之動作頻率之晶片容量Ccp為〇.6pf左右時，令線 元件長度S約7mm即可。 第11圖顯示線元件長度s與天線電阻Rap之關係。可知 隨著線元件長S從4.2mm增加至8mm，天線增益從_2 45dBi 20幾乎以直線緩缓增加至。可知若線元件長S約7mm 時，天線電阻為12.7Ω左右。 第12圖顯示線元件長度S與天線電阻Rap之關係。可知 隨著線元件長S從4_2mm增加至8mm，天線增益從_2 45dBi 幾乎以直線增加至-1.99dBi。可知若線元件長8約7111111時， 15 1313842 天線增並為-2.1 dBi左右。 在決定匹配之阻抗之元件(Rap、Lap及增益）中，最優先 決定電感Lap(容量Ccp)。這是由於對阻抗之匹配性最重要之 故。雖天線之增益亦重要，但假設即使天線增益高，仍為 5與供電電路不匹配之狀態，則難以獲得高增益。 第13圖顯示第8圖所示之RF標籤之頻率特性。將^ 800MHz至1 · 1 GHz每隔25MHz便算出之阻抗描繪於圖卜 950MHaz ’晶片容量為〇 682pF時之阻抗以圖中之箭項夺 示。此日才之線元件長S為6_2mm左右。如圖中所示，由於艮 10使頻率大幅變化，阻抗之變化並未太大，故此RF標織可P 於廣域之製品用途。 用 15 20 第14圖就RF標籤之3個接地方法，分別顯示頻率及曰曰 容量之關係。在模擬上，假設RF標籤之裡面（1)連捿於無 大之理想之接地導體，（幻連接於金屬板‘，、、 未連接於其他金屬。如圖巾所示，不論何種接地方法， 著頻率從_MHz增加至1.1GHz，晶片容量從約13心 減少至約G. 7 p F。因而可知不論將接地方法如何處理線 對天線與供電電路之阻抗之匹配性造成大料。這致 論RF標籤伴社㈣衫财導紐，灯賴之天=不 電阻抗可自己匹配。因@H 、、、/、供 α而本貫施例之rf標籤可伴隨

品可擴展為多樣。 I 第15圖就RF標織之3個接地方法(上述⑴、 顯示頻率及天線增益 (2) (3)) 加 之關係。不論何種方法隨著頻率之掏 增益亦增加，其增加方法因接地方法而異 當頻率從 16 1313842 ； _MHz增加至hlGHz時，⑴之接地方法中，增益從約 -5.5dBi增加至OdBi，在(2)接地方法中，增益從_9.5·增加 至-1.5dBi ’在（3)之接地方法中，增益從_1〇2·增加至 -6.2dBi。由此碰結果可知，從提高天線增益之觀點而言， 5給予更穩定之接地電位之接地方法較有利。 再者’根據第Μ圖之模擬結果，由於接地方法並未對 天線與供電電路之匹配性造成大幅影響，故宜將处標鐵儘 φ 連接於穩定之接地電位。由此觀點，RF標籤伴隨之物 體具金屬殼體，且將RF標蕺收容於其中時，如第關所示， K)虾標籤宜連接於金屬殼體。在圖中所示之例巾，將rf標鐵 收合於具金屬面161及絕緣性材料面162之殼體中，处標鐵 裡面之接地導體連接於金屬面161之狀態。絕緣性之材料面 162亦可由塑膠構成。 弟4實施例 15

20 第ΠΑ圖至第17H圖顯示RF標鐵之天線、電感器、供電 電路及接地導體等之各種變形例。構成天線或電感器之導 電性線路之寬度如說明完畢之實施例般皆形成均等亦可， 如第ΠΑ圖、第17B圖、第17C圖般，以不均等之線寬形成 料亦可，财慮斷線科駄觀點，線寬錄粗。從節 省導電性材料之觀點，線寬宜較細。 供電電路(IC)可設置於处標籤之上面側，亦可如第nD 圖所示’設置於正面側。惟，由於間隔 件之厚度T較薄，長

之觀點而言，宜將1C 度L較長，從謀求1C搭載步驟之方便 搭载於上面。 17 1313842 5 10 15 20 導弘!·生線路可b長方體之間隔件之邊，亦可如第”E 圖、第nF圖所示’線路形成於±面或正面上。又，平行線 路之間隔利騎㈣。惟，從射輯少躲經線 信號之影響(反射等)之觀點而言，宜減少線路之彎曲次數。 構成電感器之線路可共有偶極天線之線路而設置 可如第17G圖、第ΠΗ圖所示，分開設置。惟，為適當、 有關電感器之影像電流，線路下需有導體。 以上，說明了本發明之較佳實施例，本發明並不限於 此，只要在本發明主旨之範圍内可進行各種變形及變更。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示本發明一實施例之RF標籤之概略立體圖。 第2圖係顯示導電性線路與接地導體之位置關係者 第3圖係用以說明RF標籤之動作者。 第4圖係用以說明RF標籤之動作者。 第5圖係用以說明偶極天線及環形天線之特性者。 第6A圖係顯示本發明一實施例之rf標籤之製程者。 第6B圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之製程者。 第6C圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之製程者。 第6D圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之製程者。 第7A圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之另— I程 者 者 第7 B圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之另—擎_ 第7C圖係顯示本發明一實施例之RF標籤之另—製_ 18 1313842 者。 第8圖係顯示模擬假設之RF標籤者。 第9圖係顯示有關天線及1C晶片之等效電路圖。 第10圖係顯示有關線元件長度及對應之晶片容量之模 5 擬結果者。 第11圖係顯示有關線元件長度及天線電阻之模擬結果 者。 第12圖係顯示有關線元件長度及天線電阻之模擬結果 者。 10 第13圖係顯示RF標籤之頻率特性者。 第14圖係顯示有關頻率及晶片容量之模擬結果者。 第15圖係顯示有關頻率及天線增益之模擬結果者。 第16圖係顯示將RF標籤收容於具金屬面之殼體中之狀 態者。 15 第17A圖係顯示具線寬不均之線路之RF標籤者（之一）。 第17B圖係顯示具線寬不均之線路之RF標籤者(之二）。 第17C圖係顯示具線寬不均之線路之RF標籤者（之三）。 第17D圖係顯示供電電路之安裝位置不同之RF標籤 者。 20 第17E圖係顯示具線間隔不均之線路之RF標籤者（之 一）。 第17F圖係顯示具線間隔不均之線路之RF標籤者（之 二）。 第17G圖係顯示電感器之線路與天線分別準備之RF標 19 1313842 籤(之一)者。 第17H圖係顯示電感器之線路與天線分別準備之RF標 籤（之二)者。 【主要元件符號說明】 10...間隔件 D · · ·點 70...導電層 E···點 75...薄膜 F·.·點 161·.·金屬面 G···點 162...材料面 H···點 A··.點 K...點 B···點 J···點 C.··點 20

Claims (1)

1313842 I 日修(吏)正本I 第94130120號申請案申請專利範圍修正本 98.5.13 十、申請專利範圍：

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20 1. 一種RF標籤，包含有： 第1線路，係連接於接地導體，形成電性封閉迴路， 而構成偶極天線者； 供電電路，係配設於前述第1線路之分歧點及接地 導體間，且串聯於前述第1線路者；及 第2線路，係連接於前述分歧點，與前述供電電路 並聯設置，而構成電感器者； 前述第1線路及第2線路設置於具有預定介電常數 之間隔件材料，且，前述第1線路及第2線路具沿長方體 之邊之形狀。 2. 如申請專利範圍第1項之RF標籤，其中前述第2線路為連 接前述分歧點與前述第1線路上之另一分歧點之線路。 3. 如申請專利範圍第1項之RF標籤，其中前述第1線路及第 2線路係形成為可使流至前述第1線路及第2線路之電流 之影像電流流至前述接地導體。 4. 如申請專利範圍第1項之RF標籤，其中以連接於接地導 體之平行第1線路元件對及與該對垂直相交之平行第2 線路元件對形成前述第1線路及第2線路。 5. 如申請專利範圍第1項之RF標籤，其中前述第2線路元件 對延伸之長度較前述第1線路元件對延伸之長度的2倍 短。 6.如申請專利範圍第1項之RF標籤，其中前述分歧點之位 置係調整成可匹配前述偶極天線及前述供電電路之阻 21 1313842

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抗。 •如申明專利範圍第1項之RF標籤’其中前述接地導體連 接於該RF標籤伴隨之物體之金屬面。 8.如申明專利項之RF標籤，其中前述紅線路及第 2線路係由微帶線路形成。 9種RF標戴之製造方法，係於絕緣性間隔件材料板表面 形成構成偶極天線之第】線路及構成電感器之第2線 再將^述間隔件材料板裡面之接地導體與前述第1 及第2線路電連接者，該方法更包含以下步驟： a又置供電電路，該供電電路係配設於前述第丨線路上 之分歧點及接地導體間，且φ聯於前述第通路者； 將前述第2線路連接於前述第丨線路上之分歧點，並 設置成與前述供電電路並聯；及 將前述第1線路及第2線路設置於具有預定介電常數 之間隔件材料，且，使前述第丨線路及第2線路具沿長方 體之邊之形狀。 22