TWI306975B - - Google Patents

Description

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發明之背景 本發明係有關液晶顯示裝置及其製造方法，特別是關於 用以擴大視野角度的構造及其製造方法。 近年具備反射太陽光等外光顯示晝像的反射顯示功能的 液晶顯示裝置己經實用化。一般而言，此種液晶顯示裝置 在藉由反射光顯示畫像時’使反射光散射，以擴大視野角 度。該液晶顯示裝置中所具備的反射電極，為使反射光散 射’其表面上具有凹凸。 以既往此種具有凹凸層的液晶顯示裝置為例，吾人所知 的有記載於特開2000-258762號公報的液晶顯示裝置。依據 該特開2000-258762號公報上所記載的液晶顯示裝置所述， 以陣列（array)基板做為反射電極的基底層，具備由絕緣層 所形成的凹凸層。反射電極依循該凹凸層的凹凸形狀形成 為凹凸狀。 該凹凸層依以下所例舉的方法形成。即首先在基板上塗 布正像（positive)型感光性樹脂，之後，隔著具有特定形狀 的光罩（mask)，對該感光性樹脂做曝光、顯影，藉以在感 光性樹脂上形成凹凸形狀。而後，將己顯影的感光性樹脂 加熱’即所謂的後烘（post-bake) ’藉以熔化感光性樹脂，使 凹凸形狀成平滑狀，同時使感光性樹脂硬化。依照上述方 法’以形成凹凸層。 以上述特開2 0 0 0 - 2 5 8 7 6 2號公報上所記載的形成凹凸層的 情況而言’係在硬化感光性樹脂時以高溫加熱。然而，後 烘時急遽上昇的溫度’有時會使感光性樹脂產生過度熔化 -4- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1306975 A7

，因此難以在感光性樹脂上形成所欲的凹凸形狀。因上述 原因，具備反射顯示功能的液晶顯示裝置，會有難以擴大 视野角度的問題產生。 發明摘要 鑑於上述的問題點，本發明的目的在於提供不產生反射 不均下擴大視野角度的液晶顯示裝置及其製造方法。 依照本發明第1形態的液晶顯示裝置製造方法為： 其所製造的液晶顯示裝置係於第丨基板與第2基板間具有 液晶層，且於前述第丨基板的液晶層方向上具凹凸形狀的凹 凸層，該製造方法之特徵在於： 前述凹凸層係藉由下述製程所形成： 成膜製程，使基板上感光性樹脂成膜的； 第1曝光製程，將已成膜感光性樹脂，隔著特定形狀的光 罩’對該感光性樹脂做曝光； 第2曝光製程，對第i曝光製程中已曝光的感光性樹脂做 顯影的顯影製程、對已顯影的感光性樹脂全體做曝光； 及加熱製程’將第2曝光製程中已曝光感光性樹脂做加 熱。 此外’依照本發明第2形態的液晶顯示裝置為： 於第1基板與第2基板間具有液晶層； 前述第1基板的液晶層側上具有具凹凸形狀的凹凸層； 前述凹凸層係藉由下述製程所形成： 成膜製程，使基板上感光性樹脂成膜； 第1曝光製程，將已成膜感光性樹脂，隔著特定形狀的光 -5- 本紙張尺度適用中@國家標準(CNS) A4规格(21G χ 297公董)一 1306975

覃’對該感光性樹脂做曝光； 顯衫製程，對第1曝光製程中已曝光的感光性樹脂做顯 影； 第2曝光製程’對已顯影的感光性樹脂全體做曝光；及 加熱製程，將第2曝光製程中已曝光感光性樹脂做加熱。 依照本液晶顯示裝置及其製造方法，在對感光性樹脂加 …、引的第2曝光製&中，將感光性樹脂全體做曝光，因而可 以提高加熱前的感光性樹脂黏性。從而’可以在對感光性 樹脂加熱的加熱製程中，抑制感光性樹脂的過度熔化。 藉此，可以易於控制感光性樹脂上所形成的凹凸形狀， 且也能均一形成對應於光罩特定圖案的所欲凹凸形狀。此 外，由於凹凸形狀能均一形成’所以能抑制反射不均情形 的發生，此外也可以擴大視野角度。 本發月附TT的對象與特長敘述於後，由以下敘述可得到 理解’或藉由本發明的實施而習#。本發明的對象與特長 透過後述所提及的手段與組合令獲得及瞭解。 圖示之簡要說明 圖示ίτ'構成内容說明的一部分，用以參照本發明中所舉 的具體事物。圖示 '前述發明概要及以下發明之具體詳細 說明’皆用以解釋說明本發明之要旨。 圖1係概略顯示與本發明實施形態有關的液晶顯示裝置的 組成。 圖2係概略顯示圖丨上所示液晶顯示面板的剖面構造。 圖J係概略顯示圖2上所示陣列基板上開關（switching)元 • 6 -

j3〇6975 A7 B7 ;、發明説明（4 ) — '— 件週邊的剖面構造。 圖4 A至圖4E係顯示圖1上所示液晶顯示面板中絕緣層的 製程。 圖5A至圖5D係比較例1的液晶顯示裝置中絕緣層的製程。 圖6 A至圖6E係比較例2的液晶顯示裝置中絕緣層的製程。 圖7係本實施形態及比較例1、比較例2的個別液晶顯示裝 置的角度範圍及反射不均發生率的測定結果 發明之詳細說明 以下，參照圖示詳細說明有關本發明的一種實施形態之 液晶顯示裝置及其製造方法。 如圖1所示，以主動矩陣（active matrix)式的反射式液晶顯 示裝置為例，具備有液晶顯示面板1〇。該液晶顯示面板1〇 包括做為第1基板的陣列基板1 〇〇、與該陣列基板丨〇〇呈相對 方向配置做為第2基板的對向基板2〇〇、構成配置於陣列武 板100與相對方向基板200之間液晶層的液晶組成物3〇〇。 此一液晶顯示面板10中，顯示晝像的顯示區域1〇2形成於 使陣列基板100與對向基板200相貼的密封材料1〇6所包圍的 區域内側。 η 顯示區域102中，陣列基板100具有像素電極13〇、掃描線 Y、訊號線X及做為開關（switching)元件的薄膜電晶體（Thh Film TransistorOllO等。m χ n個像素電極13〇以矩陣狀配置 。m條的掃描線Y沿該像素電極丨3〇的行方向配置。n條的訊 號線X與掃描線Υ個別交又，沿該像素電極13〇的列方向配 置。m X η個的薄膜電晶體丨1〇，即像素TFTu〇，對應讯 •Ί · 1306975

個像素電極13G個別配置於訊號線χ與掃描線γ交又位置的鄰 近偏旁。 沿顯示區域1〇2外圍的週邊區域1〇4中，陣列基板1〇〇具有 提供掃描線Υ驅動訊號的掃描線驅動電路财提供訊號線X 驅動訊號的訊號線驅動電路1 9等。 如圖2及圖3所示’於顯示區域1〇2中，陣列基板_在玻 璃基板等透明絕緣性玻璃基板1〇1之上具有像素丁Ftu〇、絕 緣層120及像素電極丨30等。像素TFTU0係對矩陣狀配置的 像素做個別對應而形成。絕緣層12〇係對包含像素TFTn〇的 顯不區域102做被覆而形成。像素電極13〇於絕緣層丨2〇上依 像素間隔配置。 各像素TFT 1 1 〇連接沿像素電極} 3 〇行所形成的掃描線γ及 沿像素電極130列所形成的訊號線χ。即像素TFTn〇具有多 矽（poly-silicon)膜所形成的半導體層U2。該半導體層丨12配 置於玻璃基板ιοί上所配置的下鍍膜（under (；〇£^叫）層16〇 之上。此外，該半導體層丨12具有通道（channel)區域112(：兩 側上依塗布各雜質所形成的汲（drain)區域丨12D及源（soured 區域112S。 泫像素TFT1 10包括隔著閘（gate)絕緣膜162與半導體層i 12 呈相對方向配置的掃描線γ為一體的閘（gate)電極。像素 TFT 1 10的汲電極1 88則與訊號線χ一體形成，隔著貫穿閘絕 緣膜162與層間絕緣膜丨76的接觸孔（c〇ntact h〇ie)177，與半 導體層1 12的汲區域1 12D做電性連接。像素TFTl 1〇的源電 極1 89隔著貫穿閘絕緣膜162與層間絕緣膜176的接觸孔 本紙張尺度適财g S家標準(CNS) A4規格(210X297公 1306975 A7 Γ-—-__Β7 五、發明説明（6 ) (contact hole)178，與半導體層112的源區域U2S做電性連 接。 像素電極130由將通過鋁、銀、銀合金等液晶層3〇〇的入 射外光做反射的金屬料所形成。該像素電極13〇隔著貫穿絕 緣層120的貫穿孔（through hole)l26，連接像素TFT 110的源 電極189。 3亥訊號線X及掃描線Y等的配線部分由紹、麵鶴等具遮光 性的低電阻材料所形成。於本實施形態下’掃描線γ及閘 (gate)電極163主要由鉬鎢所形成’訊號線X源電極丨88、及 源電極189則主要由鋁所形成。 例如透明光阻所成的絕緣層120係以正像型感光性樹脂所 形成。該絕緣層120做為像素電極130的基底層，也是液晶 層300方向的表面上具凹凸形狀的凹凸層。於此形狀的絕緣 層120上所配置的像素電極130依循該絕緣層ι2〇的凹凸形狀 形成為凹凸狀。 對向基板200於顯示區域1 〇2之中，包括有玻璃基板等透 明絕緣性玻璃基板20 1上的濾色（c〇l〇r fiiter)層202及對向電 極204等。濾色層202依個別綠色（G)藍色（B)紅色（R)像素做 間隔配置。該濾色層202(R、G、B)由對綠色、藍色及紅色 各色成分的做個別透過的3色的染色樹脂層所構成。對向電 極204由與陣列基板1〇〇上的全體晝素電極13〇呈共同相對方 向配置的ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物）等的透光性 導電性材科所形成。 此外，液晶面板10包括依照需要配置於陣列基板丨〇〇表面 -9- 1306975 五、發明説明（ 上被覆像素電極130的配向膜、配置於對向基板·表面上 向電極2。4的配向膜以及配置於對向基板2。。内面 偏无片。 的 於此-反射式液晶顯示襄置中，自對向基板2〇〇方向入射 的太陽光等外光，通過對向基板2⑻的玻璃基板2qi、濟色 層2〇2及對向電極綱，入射至液晶層3〇〇。通過液晶層3〇〇 的卜光由依照需要所形成的像素電極】3 〇與對向電極2料 之間的電位差所控制下的液晶組成物予以改變波長。 通過液晶層300的外光，由反射電極13〇予以反射。藉由 反射電極130所反射的反射光，於再次通過液晶層3〇〇時依 照需要予以改變波長，自對向基板2〇〇選擇性射出。以上述 方式，將外光反射並顯示畫像。反射光藉由具凹凸表面的 畫像電極130予以反射之故，所以產生散射。因此，具此種 構造的液晶顯示裝置與使用平坦表面晝像電極丨3 〇者相較， 可以擴大視野角度= 其次，說明有關上述液晶顯示面板1 〇的製造方法。 於陣列基板100的製程中，首先在厚度〇.7.mm的玻璃基板 101上使氮化石夕（silicon nitride)膜及氧化石夕（silicon oxide)膜 相繼成膜，形成2層構造的下鍍膜（under coating)層160。 其次，在下經膜層.160上使無結晶石夕（amorphous silicon) 膜成膜，再將該無結晶矽膜以雷射光束照射做韌化 (annealing)，藉此予以多結晶化。之後，對己多結晶化的石夕 膜，即多石夕膜，做圖案成形（patterning) ’形成TFT 1 1 0的半 導體層112。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X 297公釐) 1306975 A7 B7 五、發明説明（8 ) ---- 其-人使氧化矽膜全面成膜，以形成閘絕緣膜162。接著 在閘絕緣膜162上’使鉬鎢合金膜等金屬膜全面成膜。之後 對該金屬膜依特定的形狀做圖案成形。依以上方法，形成 掃描線Y以及與掃描線γ成一體的閘極丨63等各種配線。 ，、人以問極163做為遮罩，向半導體層η 2佈值 雜質《藉此，形成TFT11〇汲區域！ 12D及源區域丨12S。而後 ’藉基板全體的韌化使雜質活性化。 其-人，使氧化矽膜在基板上全面成膜，以形成層間絕緣 膜176。接著形成貫穿閘絕緣膜ι62及層間絕緣膜I%至 TFT1 10沒區域丨12D的接觸孔177，以及形成至TFT1 1〇源區 域112S的接觸孔178。 其次’使鉬鎢的積層獏等金屬膜在層間絕緣膜1 76上全面 成膜。而後，將該金屬膜依特定的形狀做圖案成形。藉此 ’形或訊號線X、與訊號線X 一體的TFT丨丨〇的汲電極1 88以 及TFT 110的源電極189。 其次’在基板上形成做為凹凸層功能的絕緣層丨2〇。以下 參照圖4A至圖4E，詳細說明有關絕緣層丨2〇的製造方法。 即圖4A所示的成膜製程中，藉旋轉機（spinner)將透明 或黑色紫外線硬化型壓克力樹脂光阻（acry resin resist^ 400的感光性樹脂在基板1 〇 1上全面塗佈、成膜。此外， 該圖4Α至圖4Ε ’因圖面簡化之故，省略下鍍膜層ι6〇等的 詳細組成。 其次’如圖4Β所示’在第1曝光製程中，將已成膜的光阻 膜400隔著具特定形狀的光罩（ph〇to-mask)4I0做曝光。此時 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1306975 A7 B7 五、發明説明（9 ’光阻膜400以例如365 nm波長約80 mJ/cm2程度的曝光量 做曝光。即，在此適用的正像型感光性樹脂特性為曝光部 分會進行光架橋反應，而進行光架橋反應的部分可藉特定 的顯影液予以熔化去除。在該第1曝光製程中’為使光阻膜 400形成凹凸形狀，設定光架橋反應不會進行到光阻膜4〇〇 底部程度的曝光量。 其次，如圖4C所示’在顯影製程中，將依第}曝光製程所 曝光的光阻膜400以特定的顯影液，如tmAH 0.7%的水溶 液，顯影約20秒後水洗。依該顯影製程，唯有光阻膜4〇〇上 進行光架橋反應的部分在顯影液中被炼化去除。藉此，光 阻膜400的厚度方向上形成具有高度為不露出下層程度的凹 凸形狀。 其次，如圖4 D所示，在第2曝光製程（後曝光）中，將已顯 影的光阻膜400全體做曝光。此時，對光阻膜4〇〇以大於第1 曝光製程的曝光量’例如以以365 nm波長約500 mJ/cm2程 度的高曝光量做曝光。即’在此適用的正像型感光性樹脂 具有曝光部分進行光架橋反應’對熱黏性提高不易熔化的 特性。在第2曝光製程中，為了抑制光阻膜4〇〇在加熱時發 生過度溶化’設定曝光量為光阻膜4〇〇全體可進行光架橋反 應的程度。 之後，如如圖4E所示’在加熱製程（後烘）中，將依照第2 曝光製程所曝光的光阻膜400放置於熱板（h〇t p丨ate)等加熱 β上’以例如約2 2 0 C私度的r§j溫加熱。該加熱製程中，·~~ 部分的光阻膜400因熱而溶化’在光阻膜4〇〇上形成凹凸形 -12 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4规格(210X 297公釐） 1306975 A7 -----— ___B7 五、發明説明（------ 狀此時藉由第2曝光製程中對光阻膜400全體做曝光’ 可以备易控制光阻膜400上所形成凹&形狀’使所欲的凹凸 形狀全體均一形成。 依照以上製程形成表面上具有凹凸形狀的絕緣層⑶。 接著形成此-絕緣層120的製程之後，形成做為開關元件 的丁？丁11〇與像素電極13〇相接觸的貫穿孔126。其次，將紹 成膜於絕緣層12G上。再將ΙΤ〇膜依特定的像素圖案做圖案 成形。藉此，形成接觸開關元件丨丨〇的像素電極13 〇。其次 ，在基板全面上塗佈烘烤多硫亞氨（polyirmde)等配向膜材 料’以形成配向膜。 依以上方法，形成陣列基板1〇〇。 另一方面，在對向基板2〇〇的製程中，首先在厚度0 7 mm 的玻璃基板2G1上形成個別對應紅色像素、綠色像素及藍色 像素的濾色層202(R、G、B)。其次，在濾色層2〇2上使ιτ〇 成膜’形成對向電極2〇4。其次，在基板上全面塗佈烘烤多 硫亞氨等配向膜材料，藉此形成配向膜。 依以上方法，形成對向基板2〇〇。 在液晶面板10的製程中，留下液晶佈值口 32，將密封材 料106包住液晶收容空間，沿陣列基板丨〇〇外緣做印刷塗佈 ，在陣列基板100的配向膜與對向基板2〇〇的配向膜相互對 向之下，配置陣列基板100與對向基板2〇〇 ;加熱使密封材 料1 06硬化將兩基板相貼。其次，將液晶組成物3〇〇由液晶 佈值口 32佈值，再以密封材料33封閉液晶佈值口 32。 依照以上製造方法製造液晶面板1 〇。 4 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS) A4規格(21〇X 297公爱) 1306975

以上述方法所製造的液晶顯示裝置， 类面上可以形士 ία 〜十仏素電極丨3 0的 表面亡了以形成均一的凹㈣狀，因此 射外光時’可以抑制反射 素電極130反 角度。 月凡知生，也能擴大視野 其次’將依上述實施形鲅 制诰方半斩制1 〜、所衣&的液晶顯示裝置與其他 氣ie方法所製造的液晶顯 顯示性能。 mm說明其比較下的 成膜制程曝？:所不’比較例1為液晶顯示裝置，具有依 成膜衣私-曝光製程-顯影製程.加熱製程(後供)所形成凹凸 形狀的絕緣層120。圖5A至圖冗所示的製程與圖4A至圖π 所示的製程㈣’而圖5〇所示的製程與圖4E所示的製程相 同。 如圖6A至圖6E所示，比較例2為液晶顯示裝置，且有依 成膜製程_曝光製程顯影製程·第1加熱製程⑽烘mel/bake)-第2加熱製程（後供）戶斤形成凹凸形狀的絕緣層12〇。圖^至 圖6C所示的製私與圖4八至圖4(：所示的製程相同’而圖所 不的製程與圖6E所示的的製程相同。於圖6D所示的約加熱 製程中’卩較低於第2加熱製㈣溫& ’例如1〇代的溫度 ，對感光性樹脂400加熱，使感光性樹脂所形成的光阻4〇〇 在一定程度硬化後固定形狀。 關於此3種液晶顯示裝置’則以視野角度範圍及反射不均 發生率做為顯示性能加以測定。圖7所示為實驗結果。此外 ，曝光製程（第1曝光製程）、顯影製程以及後烘（第2加熱製 程）的條件都定為相同。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1306975 A7

示 方 正 範 因 上 再者在此的角度魟圍則依以下做規定。#，對液曰 U的對向基板以3 Q "(相對於對向基板法線的入射^' 向正對光時反射率的角度分布做喊。角度範圍以去除 反射方向全角度反射率總和為⑽％時，相當於其7〇。/。的 圍。角度粑圍愈小’正反射方向附近的反射率則愈大： 此視覺認^為視野角度狹窄。而，角度範圍愈大， 可認定為視野角度寬廣。 斤月反射不均發生率，係各種類的液晶顯示裝置依特定 數目製造時’因反射不均被判定為不良品數目的比率。 匕如圖7比較例丨所示，顯影製程之後，熔烘或後曝光兩者 白不進行，僅進行後烘的情況下，對應於視野角度的角度 粑圍為非常狹窄的5。。相對地，如比較例2，在顯影製程 後進行熔烘的情況下，角度範圍為27。；此外，如實施形 恕所不，在顯影製程後進行後曝光的情況下，角度範圍為 28。，可以擴大視野角度。 此外’以比較例2的情況而言，反射不均發生率高達4〇% 相對地’比較例1及實施形態的情況而言，兩者反射不均 發生率皆為〇% ’可以充分抑制反射不均的發生。 意即’如本實施形態顯影製程後進行後曝光，可藉以抑 低反射不均發生率，而且已得到確認其能擴大視野角度的 角度範圍。 以上為基於以下所示的理由所做的結論。即’如比較例1 所示’示於圖5 C的顯影製程之後，於圖5 D所示的後烘時急 遽以高溫加熱，感光性樹脂4〇〇的黏性不夠，因此容易過度 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210X297公釐)

裝 訂

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熔化。其結果疋在後烘時，感光性樹脂4〇〇全體的熔化量變 大，而凹凸形狀的高低差則變小。上述被認為是角度範圍 變窄的原因。 此外，如比較例2，以低溫熔烘時，使感光性樹脂4〇〇在 疋度硬化後固疋形狀。然而，感光性樹脂4〇〇的溫度控 制範圍非常小。因此溶烘時會發生多多少少的溫度差異， 而產生多多少少的熔化量差異。一般熔烘及後烘等加熱製 程係將基板放置於熱板上進行。此時所用的熱板，依置放 點不同’有時會超出感光性樹脂4〇〇的溫度控制範圍而發生 溫度不均。因此’熔烘時的溫度不均使感光性樹脂4〇〇表面 所形成的凹凸形狀會有差異產生。 其結果為’後烘時感光性樹脂4〇〇上不同處的熔化量會有 所不同。即熔化量大之處的凹凸形狀差異小，而熔化量小 之處的凹凸形狀差異大。如前所述，在感光性樹脂4〇〇上依 表面處的不同，凹凸形狀的高低差異會有所不同。如是凹 凸形狀的參差可認為是反射不均產生的原因。 如上所述’比較例1及比較例2的製造方法’難以在感光 性樹脂400表面上形成所欲的凹凸形狀。相對地，如上述實 施形態，藉由在顯影製程後進行後曝光，可以抑制後烘時 正像型感光性樹脂400的熔化，因而可以控制形成於感光性 樹脂400表面的凹凸量。 如以上說明，依照本實施形態在感光性樹脂加熱前，將 感光性樹脂全體做曝光。因此，加熱前的感光性樹脂黏性 得以提高。進而，在加熱製程中對感光性樹脂加熱時，可 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公茇) 1306975

以容易控制感光性樹脂的凹凸形狀 藉以上方法’對應於光罩 以均一形成，因而可以抑制 大視野角度。進而可以提供 其製造方法。 知·疋的圖案的所欲凹凸形狀可 反射不均的發生’並且可以擴 高顯示品質的液晶顯示裝置及 此外’上述實施形態係以反射式，，在b賴_壯_ 汉耵式/夜日日顯不裝置為例做說 明’但本發明不限定於該例。例 1甘]如本發明同樣可適用於具 備反射顯示功能的顯示裝置。由半透過性金屬材料所形成 具有反射電極的透過顯示功能以及具有反射顯示功能的液 晶顯示裝ϊ ’或具備同-像素内達成透過顯示功能的透過 電極以及達成反射顯示功能的反射電極的液晶顯示裝亦可 同樣適用。 本技術範疇的熟練者可以輕易地對本發明做修改及得到 額外的優點。因此，本發明在宏觀上，不限於在此所敘述 的特定細節和所顯示的具體型態。因此，在不脫離原發明 專利申請範圍及與其具同質性者的概念精神與範略下，可 做各種的修改。 -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐） 1306975

裝 A7 B7 五、發明説明（15 ) [圖示符號之說明] 10 ： 液晶顯示面板 18 ： 掃描線驅動電路 19 ： 訊號線驅動電路 32 ： 液晶佈值口 33 ： 密封材料 100 陣列基板 101 玻璃基板（陣列基板） 102 顯示區域 104 週邊區域 106 密封材料 110 薄膜電晶體（像素TFT) 111 半導體層 1 12C :通道區域 112D • >及區域 112S .源區域 120 絕緣層 126 貫穿孔 130 像素電極（反射電極） 160 下鍍膜層 162 •閘絕緣膜 163 閘極 176 -層間絕緣膜 177 :接觸孔 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 1306975 A7 B7 五、發明説明（16 ) 178 :接觸孔 1 8 8 :汲電極 189 :源電極 200 :對向基板 201 :玻璃基板（對向基板） 202 :濾色層 204 :對向電極 3 0 0 ·液晶組成物 400 :光阻（感光性樹脂） 410 :光罩 X :訊號線 Y :掃描線 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

1. 修正替換本 74年f月厶曰 I%6^^09587號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(94年1月） 申請專利範園 X . ?里狀B—日顯不裝 〆 ^ …穴π眾造的液晶顯示裝置 係於弟1基板與第2基板間呈有、、存曰β 门八有液晶層，且於前述第1基板 的液晶層方向上且凹A取此、AA 八凹凸形狀的凹凸層，該製造方法之特 徵在於： 特 前述凹凸層係藉由下述製程所形成： 成膜製程’其係使感光性樹脂成膜於基板上者； —第1曝光製程，其係將已成膜之感光性樹脂，隔著有特 定圖案的光罩，對該感光性樹脂做曝光者； 顯影製程，其係對第1曝光製程中已曝光的感光性樹 脂做顯影者； 第2曝光製程，其係對已顯影的感光性樹脂全體做曝 光者； 及加熱製程，其係將第2曝光製程中已曝光之感光性樹 脂加熱； 其中前述第2曝光製程中的曝光量係多於前述第i曝光製 程中的曝光量。 2. 根據專利申請範圍第1項之液晶顯示裝置製造方法，其中 前述第1基板包括開關元件及與連接該開關元件的像素電 極； 前述凹凸層係作為前述像素電極的基底之絕緣層。 3. 根據專利申請範圍第2項之液晶顯示裝置製造方法，其中 前述像素電極係由自前述第2基板側通過前述液晶層的入 射外光做反射的金屬材料所形成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公董) 1306975 六、申請專利範圍 4. 5. 6. 8. 根據專利申請範圍第1項之液晶顯示裝置製造方法，其中 前述凹凸層係由正型感光性樹脂所形成。 一種液晶顯示裝置，其特徵在於： 於第1基板與第2基板間具有液晶層； 則述第1基板的液晶層側上具有具凹凸形狀的凹凸層； 前述凹凸層係藉由下述製程所形成： 成膜製程，其係使感光性樹脂成膜於基板上者； 第1曝光製程，其係將已成膜之感光性樹脂，隔著有特 定圖案的光罩，對該感光性樹脂做曝光者； 顯影製程，其係對第丨曝光製程中已曝光的感光性樹脂 做顯影者； 第2曝光製程，其係對已顯影的感光性樹脂全體做曝光 者；及 加熱製程，其係將第2曝光製程中已曝光之感光性樹 脂加熱。 根據專利申請範圍第5項之液晶顯示裝置，其中前述第i 基板包括開關元件及與連接該開關元件的像素電極；前 述凹凸層係作為前述像素電極的基底之絕緣層。 根據專利申請範圍第6項之液晶顯示裝置，其中前述像素 電極係由自前述第2基板側通過前述液晶層的入射外光做 反射的金屬材料所形成。 根據專利申請鼓圍第5項之液晶顯示裝置，其中前述凹凸 層係由正型感光性樹脂所形成。 -2 本紙張尺歧财® ®家標準(CNS)^ii^〇X297公楚)