TWI305154B - Apparatus and method for inhibiting decomposition of germane - Google Patents
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Description
1305154 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種抑制鍺烷之分解的裝置及方法,以及 一種包含此種裝置且設置來完成此方法之半導體製程系 統。 【先前技術】 鍺烷(GeH4)為一種高反應性氣體,其易受影響而自然分 解。依據反應之速度,鍺烷之自然分解會導致爆燃(次音速 反應)或是爆炸(超音速反應)。 於一密封包裝之鍺烷(例如:容納有此種氣體之封閉槽) 的自然分解可能會導致包裝内之壓力及溫度非常迅速地增 加。在極端的例子中,可能會發生壓力及溫度無法控制地 增加,會超過包裝之相對熱及氣壓極限,而造成包裝之爆 炸及鍺烷分散至室内環境中。 鍺烷之隨機爆燃為習知會發生的。結果,鍺烷之包裝密 度典型上藉由可在材料之分解下獲得之壓力所限制。此分 解反應 G e Η 4 ( g ) — G e ( s ) + 2 Η 2 ( g ) 指出產物的莫耳量為起始值(氣體的莫耳量)之兩倍。此效 應,結合分解反應之放熱特性,而造成在爆燃以及爆炸環 境中之槽内之壓力的迅速且大量增加。 鍺烷之前述易分解性已大大地限制此氣體之商業性應 用。而鍺烷在半導體製造中作為鍺(G e )的來源試劑為非常 有用的,例如,作為半導體薄膜及材料之摻雜或基體(b u 1 k ) 6 312/發明說明書(補件)/93-01 /92129740 1305154 元件,火災及爆炸之風險並伴隨著其之用途會導致於應用 其他較不適合之Ge來源試劑,或是,可選擇地,必須應用 雙重封管槽、阻火系統及其他安全設備,以確保自然分解 之風險不會危及半導體製造工廠及其之操作人員。 因此,提供一種使用鍺烷氣體之裝置及方法在此技術上 為實質的進步,其可避免先前技術之前述缺點。 【發明内容】 本發明大體上關於一種用於以實質上減低鍺烷氣體之 自然分解的風險及後果之方式提供鍺烷之裝置及方法。 在一裝置態樣中,本發明關於一種鍺烷儲存及輸送系 統,包含: 一具有一封閉内容積之氣體儲存及分配槽; 在該氣體儲存及分配槽之内容積中之活性碳吸附介質; 在該氣體儲存及分配槽中之鍺烷氣體,該鍺烷氣體包含 吸附在該内容積中之該吸附介質上之鍺烷氣體,以及存在 於一未吸附狀態之該内容積中之自由鍺烷氣體; 用於由該吸附介質脫附鍺烷及由該槽分配鍺烷之裝置; 其中,關於吸附於其上之鍺烷氣體,該活性碳吸附介質 為抗爆燃性,而在此條件下,於未吸附狀態之該内容積中 之該自由鍺烧氣體進行爆燃。 在一方法態樣中,本發明關於一種鍺烷儲存及分配方 法,包含: 在一封閉區域中,物理性吸附鍺烷氣體於活性碳吸附介 質上; 7 3 ] 2/發明說明書(補件)/93-01 /92129740 1305154 由該活性碳吸附介質選擇性地脫附鍺烷,以及由該封閉 區域排出錄燒; 其中,關於吸附於其上之鍺烷氣體,該活性碳吸附介質 為抗爆燃性,於此條件下,在未吸附狀態之該封閉區域中 之該自由鍺烧氣體進行爆燃。 活性碳吸附介質之抗爆燃性以及在氣體儲存及分配槽 之内容積中之自由鍺烷氣體進行爆燃之條件,係在 6 5 ° C 之溫度及6 5 0托耳之壓力下進行測量。 在另一態樣中,本發明關於一種供使用之活性碳吸附材 料之製備方法,此方法包含: 以惰性氣體淨化吸附材料; 由吸附材料排空該惰性氣體; 於真空下加熱該吸附材料至升高的溫度,以及維持此真 空及升高溫度一段足夠時間,以乾燥該吸附材料; 於真空下冷卻該吸附材料至室溫; 在升高溫度下,利用吸附(s 〇 r b a t e )氣體使吸附材料鈍 化,其中,吸附材料具有吸附特性; 由吸附材料去除吸附氣體;以及 於真空下冷卻吸附材料至室溫。 本發明之其他態樣、特性及優點將由以下之揭示及隨附 之申請專利範圍而更為彰顯。 【實施方式】 本發明係基於鍺烷可儲存在流體儲存及分配槽之物理 吸附狀態中,並於包含已接受下文中以更完全描述之方式 8 3 ]2/發明說明書(補件)/93-01/92129740 1305154 預處理之活性碳吸附劑之吸附介質上之發現,以致使流 儲存及分配槽包含具有吸附保留於其上之鍺烷的吸附劑 以及自由鍺烷,而此鍺烷氣體之儲存提供驚人且非預期 抗爆燃穩定性。 此發現之驚人且非預期之特性在於: (i )鍺烷本身極易進行分解; (i i )活性碳,雖製造作為熱解(碳化)產物,但為可燃 料;以及 (i i i )鍺院可物理性地吸附於活性碳上,以及藉由各 脫附機制而迅速地由其脫附,脫附機制包含活性碳吸附 之加熱、壓力差引發脫附(pressure-differential -mediated desorption)、引入載送氣體與活性碳接觸 以致使吸附的鍺烷藉由濃度梯度引發質量傳送來脫附, 將其合併一起,會建議儲存及分配槽(包含具有鍺烷 附於其上之活性碳吸附劑、以及在吸附床之空隙中之自 鍺烷、以及在内體積中之吸附床上方的上部空間中的自 鍺烷)之内容積的暴露至火花、火燄或是造成鍺烷爆燃之 他狀態會: (a) 使自由鍺烧燃燒且迅速分解,而生成兩倍大莫耳 積之本身為易燃且爆炸性的反應產物氣體(氫氣),以及 質上之熱及迅速溫度升高之伴隨發展; (b) 由於「自由」間隙及上部空間鍺烷氣體之爆燃所 生之熱及溫度上升,而使得鍺烷之熱引發脫附吸附性地 留於活性碳吸附劑上;以及 312/發明說明書(補件)/93-01 /92129740 體 之 材 種 劑 吸 由 由 其 體 實 產 保 9 1305154 (c )特別是由於活性碳材料本身易於燃燒,而使爆 遞遍佈於槽中之鍺烷氣體的全部存貨。 令人驚訝地,雖然發生自由上部空間鍺烷的爆燃, 並未傳遞至吸附在活性碳上之鍺烷,由吸附材料之鍺 脫附並不顯著,而碳吸附劑並未遭受燃燒,以及在未 槽之燃燒、爆炸及破裂下,所吸附之鍺烷保留在未 (undegraded)狀態 ° 因此,在無風險及危險且伴隨著先前技術之方法中 壓鋼瓶中之鍺烷氣體的使用下,前述之發現能使鍺烷 做為一試劑。
當應用揭示且主張於以 Glenn M. Tom等人為名義 1996年5月21日獲准之美國專利第5,518,528號之 的氣體儲存及分配槽時,其特色為包含結合於此之氣 配組件之槽,其中,該槽於其之内容積中包含具有 (s 〇 r b e d )氣體於其上之物理性吸附介質,本發明可允 烷於低壓下儲存,因為對於室内(大氣壓)壓力,在吸 質上之吸附鍺烷氣體的蒸氣壓可被忽略。美國專利 5, 518,528號之揭示藉此將全體内容合併於此,以供I 吸附氣體之低蒸氣壓表示氣體儲存槽之内部壓力 一貢獻為來自槽中之吸附床粒子之空隙之自由氣體, 來自槽之上部空間之自由氣體。 因此,對於在分配狀態期間,維持由槽之鍺烷的分 低鍺烷儲存壓力為可能的,同時維持在吸附介質上之 狀態之鍺烷氣體的基本存貨。 312/發明說明書(補件)/93-01 /92129740 燃傳 爆燃 烷的 發生 降解 之向 氣體 ,在 類型 體分 吸附 許錯 附介 案第 考。 的唯 以及 配, 吸附 10 1305154 為了完成依據本發明之鍺烷的抗爆燃儲存,在氣體儲存 及分配槽中需要足夠量之活性碳吸附介質,以致於吸附鍺 烷氣體的量實質上大於槽之内容積中之自由鍺烷氣體的 量。與此目標一致,槽之内容積的至少 30 %被活性碳吸附 介質所佔據為較佳,更佳為此容積之至少 7 5 %,以及特佳 為氣體儲存及分配槽之内容積之至少9 0 %。 分配操作可在任何適當方式中進行,包括其中之槽及吸 附床之加熱,以致於鍺烷可由槽中之活性碳的吸附粒子來 熱脫附,或選擇性地進入流經吸附床之載送氣體中,如以 James Dietz 及 James V. McManus 之名義於 1999 年 11 月 9曰所獲准之美國專利第5,9 8 0 , 6 0 8號所述,其之全體揭 示内容合併於此,以供參考。藉由載送氣體流動經過槽, 可建立質量傳送濃度梯度趨動力,以及進入載送氣體之所 產生之氣體的脫附會提供一產物氣流,其可藉由載送氣流 之流動、溫度及壓力來調整,以達成載送氣體中之鍺烷的 特定濃度。 然而,鍺烷氣體較佳藉由在啟動與槽結合之分配組件期 間之壓力差來分配,以開啟其中之流動控制閥(例如:在連 接至槽之頸部之閥頂端組件中之閥),以致使壓力差可引發 由活性碳吸附介質之鍺烷的脫附。 本發明亦可應用至以 Luping Wang及Glenn M. Tom之 名義於2000年7月18日所獲准之美國專利第6, 089,027 號所述之類型之氣體儲存及分配系統,其中,氣體儲存及 分配槽包含流動控制閥之壓力上游調節器(p r e s s u r e 11 312潑明說明書(補件)/93-01/92129740 1305154 regulator upstream) >以致使分配流體在流經流動控制閥 之前,流過壓力調節器,以及其中,槽可容納吸附性地保 留鍺烧於其上之活性碳吸附材料。調節器組件,特別是當 調節器之特徵為可調整的,可能會引起火花或熱產生之影 響,火花或熱產生會在其之移動期間於槽中產生爆燃狀 態。以下將憑經驗更完全地顯示,此種爆燃可能會由上部 空間之氣體(自由鍺烷)所發生,但將不會傳播至槽之吸附 氣體存貨。 美國專利案第 6,0 8 9 , 0 2 7號之全體揭示内容將合併於 此,以供參考。 在本發明之另一具體例中,除了吸附性地保留鍺烷氣體 之吸附介質之外,氣體儲存及分配槽可包含一數量之氫氣 吸收劑,例如,於包含氫氣滲透膜之囊中,以致於在例如 上部空間之氣體的爆燃期間,鍺烷氣體之任何分解會藉由 氫氣吸收劑而用化學方法吸附,以致於壓力增加會伴隨著 分解減到最少。此類型之氫氣吸收裝置會更完全地描述於 以Steven J. Hultquist等人之名義於2000年10月17 曰所獲准之美國專利案第6 , 1 3 2 , 4 9 2號中,其之全體揭示 内容將合併於此。 在本發明之又另一具體例中,儲存及分配槽之内容積可 具有設置於其之内容積之氫氣感測器,其在隨著在内容積 中之鍺烷分解期間,感測内容積中之釋出氫氣,可發送一 控制訊號送至中央處理單元之微處理器中,以監視氫氣的 存在以及槽中之鍺烷分解的程度,以致於可進行改善動作。 12 312/發明說明書(補件)/93-01 /9212974〇 1305154 在實施本發明之活性碳吸附劑之預處理包括處理物理 性吸附材料,以由吸附材料之外來吸附物中脫附,其之步 驟諸如: (a )加熱物理性吸附材料,以由其熱脫附外來吸附物; (b )使未吸附氣體流動而與物理性吸附材料接觸,以由 物理性吸附材料脫附外來吸附物,而進入流動之未吸附氣 體;以及 (c )利用真空狀態至物理性吸附材料,以由物理性吸附 材料真空脫附外來吸附物; 如更完全地描述於以 Luping Wang等人之名義於 2000 年7月4曰所獲准之美國專利第6, 083, 298號。 於此之美國專利第6, 083, 298號之全體揭示内容合併於 此,以供參考。 於本發明之廣泛實施中的吸附材料可如需要或預期地 利用任何適當方式被預處理、活化或加工,以獲得預期型 式及功能特性之吸附介質,例如:吸附力、多孔性、殘留 (residual heel)等等,以用於本發明之氣體儲存及分配系 統。例如,吸附材料可接受熱預處理過程,包括將其暴露, 以在升高溫度下選擇活化及/或鈍化氣體,以及間歇及/或 連續的排空以及惰氣淨化(i n e r t p u r g i n g )步驟。 在一說明具體例中,應用於氣體儲存及分配系統中之吸 附介質包含一活性碳,其依據以下製法進行預處理。 活性碳吸附劑首先以氦氣或其他惰性氣體循環淨化以 及排空,接著,吸附劑於真空下加熱至升高溫度,例如·_ 13 312/發明說明書(補件)/93-01/92129740 1305154 2 5 0。C等級之溫度,並用真空烘烤一段延長時間,例如·· 1 8小時,以消除吸附劑之任何濕氣含量。吸附劑最後於真 空下被冷卻至環境(室内)溫度,以及再次利用氦氣及其他 惰性氣體循環地淨化以及排空。 接下來,預定量之鍺烷被導入,例如基於吸附劑之重 量,約為2 %重量計之鍺烷。所產生之吸附劑及氣體接著被 密封在槽中,並加熱至約 2 0 0 ° C,同時監測壓力。此會影 響過度活化位置之鈍化。溫度維持在 2 0 0 ° C,直至壓力停 止增加,且歷經一段預定額外期間之時間,例如1天。在 額外期間之結束後,槽於2 0 0 ° C、歷經約 4小時被排空, 以及接著於真空下冷卻至室溫。在此冷卻結束後之槽中的 吸附劑裝入鍺烷氣體。 依據特定使用之吸附劑的特性,可瞭解例示性之活性碳 吸附劑之以上說明描述之預處理製法可顯著地在實用上進 行改變,以及可能需要其他步驟或通常應用於特定例子 中,以提供適於用在鍺烷之儲存及分配之型式之吸附劑。 例如,可利用活性碳吸附劑介質之活化,或熱加工,以改 變孔尺寸及/或孔尺寸分布,或用於特定環境及/或已利用 之特定材料之類型及特性之其他步驟。 用於本發明之實施之吸附材料包括一含碳吸附介質。如 使用於此之「含碳」一詞係參照於本發明之物理性吸附材 料,意指吸附材料包含元素碳做為吸附物質之主要成分。 礙吸附材料之較佳型式包括:藉由合成烴樹脂(例如:聚丙 烯腈、聚丙烯醯胺、磺化聚苯乙烯-二乙烯基苯、聚偏二氣 14 312/發明說明書(補件)/93-01/92129740 1305154 乙烯、2-喃甲醇(furfuryl alcohol)等等)之熱解所形成之 碳;纖維素燒焦物(c e 1 1 u 1 〇 s i c c h a r );木炭;由天然來源 材料(例如:椰子殼、樹脂、木頭、石油、煤等等)所形成 之活性碳。 碳吸附材料可藉由加熱小顆粒狀木炭至適當升高溫度 來活化。更佳的為所謂的珠狀碳型式之活性碳,其中,珠 狀,即,高度均勻直徑球形顆粒,具有約〇. 1至約1公分 範圍之直徑,以及更佳為約0. 2 5至約2公釐之直徑,以及 其他高填滿密度之微孔碳型式。 較佳於本發明之廣泛實施中之商業上可獲得之碳吸附 材料包含名為BAC-MP、BAC-LP及BAC-G-70R之珠狀碳材 料,可由 Kreha Corporation of America,紐約,NY 所獲 得;Ambersorb®含碳吸附劑,於商業上可由 Rohm & Haas 公司,費城,PA 所獲得,分級為 Ambersorb®563、 Amber sorb® 5 6 4 、Ambersorb® 3 4 8F 、 Ambersorb® 5 7 5 、
Ambersorb®572 、及 Ambersorb®1500; Calgon Filtrasorb 400®及BPLGAC碳吸附材料,商業上可由CalgonCarbon C o r p o r a t i ο η所獲得;以及珠狀活性碳吸附材料於商業上 可由 Blucher GmbH,Erkrath,德國所獲得。前述之 Ambersorb 材料實質上所具有之細孔的孔體積為大於 5 0 A,以及一般而言,相較於具有不超過約4 0人之細孔的 孔徑尺寸材料,較不傾向使用此大孔徑尺寸材料。 用於本發明之儲存及分配系統之吸附劑可具有適於最 終應用及有關之特定外來吸附物質流體物種之任何適當尺 15 312/發明說明書(補件)/93-01/9212974〇 1305154 寸、形狀及構造。吸附材料可例如為珠、細粒、丸、藥片、 粉末、微粒、擠壓成品、布或織物成形材料、蜂巢基質石 料(honeycomb matrix monolith)、(碳吸附劑及其他成分 之)複合物之型式、或前述構造之研磨成粉末或壓碎型式。 本發明之儲存及輸送系統通常可共同地包含一標準氣 體鋼瓶,以及一鋼瓶閥或結合至鋼瓶之其他流動分配組件 (調節器、監視器、感測器、流動導向裝置、壓力控制器、 質量流動控制器、管道、閥、儀器、自動開啟及關閉裝置 等等),且鋼瓶容納有吸附材料,以及其中,鋼瓶填充鍺烷 氣體(例如:至1大氣壓)。 藉由壓力差脫附並由本發明之儲存及輸送系統之流體 流動可迅速地藉由利用儲存及輸送系統之内容積中的壓力 與含有吸附劑之槽的外部之低壓力之間的壓力差來完成。 鍺烷氣體可在任何適當壓力下容納於鍺烷儲存及分配 槽中,如例如:約由1 0至7 5 0托耳範圍内之壓力,或是可 選擇地,可應用較高壓力(例如:超高氣壓,諸如高達約 5 0 p s i g )或是較低壓力。在鍺烷儲存及分配槽中之活性碳 吸附介質的優點為鍺烷氣體可以基本體積保存於吸附狀態 且於低壓下。 例如,含吸附劑槽可在次高氣壓力(例如6 0 0托耳)下容 納鍺烷氣體,以用於離子植入製程,其中,用於植入鍺成 分之離子植入腔室維持在真空狀態下或可選擇地在低壓 下,例如:低於1 〇 〇托耳,低於儲存及分配槽中之内容積 的壓力。因此,當氣體流動連通被建立在介於離子植入腔 16 312/發明說明書(補件)/93-0丨/92129740 1305154 室與含有吸附鍺烷氣體之儲存及分配槽之間時,鍺烷氣體 將由槽中之吸附劑脫附,以及流入離子植入腔室。儲存及 分配系統因而影響鍺烷氣體流動通過連接管道、閥及儀 器,以及可迅速地在預期之流速下被控制。利用諸如質量 流動控制器之裝置,當吸附劑槽之壓力隨著連續分配操作 而降低時,可達成固定的流動。 此外,或可選擇地,本發明之儲存及分配系統之氣體分 配組件可包含用於加熱吸附材料之裝置,以由其中熱脫附 吸附物流體。此加熱裝置可包括任何適當熱轉移或熱交換 裝置、構造或裝置,其可操作地與吸附材料結合,而影響 其之加熱,以由吸附劑介質熱脫附吸附物。因此,本發明 計畫鍺烷由其上儲存有鍺烷之吸附劑來熱及/或壓力引發 分配。 用於本發明之實施上之特定活性碳吸附材料,以及其之 孔徑大小、孔體積及表面積特性可於本發明之廣泛應用中 進行大幅改變。在未利用表面積及多孔性測定之不適當實 驗下,熟習本項技術者可迅速測定用於本發明之儲存及分 配系統之特定最終用途之適合吸附劑特性,例如,利用水 銀物理吸附儀,以及欲儲存於特殊候補吸附材料上及由其 分配之特殊流體的類似研究。 本發明之特性及優點將藉由以下非限制性實施例而更 完全彰顯。 (實施例1 ) 在此測試中,利用自由(未吸附的)鍺烷來進行爆燃研 17 312/發明說明書(補件)/93-01/92129740 10° 1305154 究,並利用如略示於圖1之鍺烷爆燃測試裝置 測試裝置1 0包括一個藉由與槽之内容積1 8 導管16之裝置來結合至鍺烷源14之不鏽鋼壓 槽亦包括結合至真空泵(未顯示)之氣體排放管 在槽1 2之内容積1 8中,係設置一連接至電 2 6之點火線圈2 2,如所顯示,係延伸透過封氏 子。槽1 2亦裝設有中央槽溫度感測器3 0、頂 器3 2、以及用於感測槽之内容積之壓力的壓力 在如圖1所示之測試系統的操作中,監視如; 之熱燈絲之槽的内容積 1 8中之溫度及壓力狀 測器(熱電偶)3 0及 3 2以及快速回應壓力變換 6 . 5伏特之電壓,且開始由源頭1 4流入槽之鍺 以及氣體將由排放管線2 0之槽中去除。在點火 之6 5 0托耳壓力維持在槽中。 在藉由熱燈絲之槽中之鍺烷氣體的點火期間 2所示地增加,針對自由錯烧的爆燃,其為藉_ 示之測試裝置所產生之溫度(以攝氏溫度表示 p s i g表示)、以及點火器電壓為時間(以秒表开 圖表。點火引發壓力增加超過五次,由原本之 力變為70 psig,以及溫度達到210°C之最大ί (實施例2 ) 在此測試中,利用如圖3所示之另一爆燃測 行爆燃研究。 圖3所示之爆燃測試裝置5 0包括一藉由一 312/發明說明書(補件)/93-01/92129740 連通之進給 力槽1 2。此 線20。 引線24及 3槽1 2之蓋 端溫度感測 變換器28 。 b熱線圈22 態之溫度感 器28接受 烧的爆燃, 之前,録炫 壓力如圖 由圖1所略 )、壓力(以 ;)之函數之 6 5 0托耳壓 i. ° 試裝置,進 頂蓋所圍繞 18 1305154 之不鏽鋼槽52,以界定其中之内容積54。在内容積中設置 一具有鍺烷氣體吸附於其上之活性碳吸附顆粒床5 6,以及 鍺烷將存在於槽之上部空間5 8中。 測試槽内容積為 9 0 %填充有具有吸附於其上之鍺烷之吸 附介質,以及佔有殘留 1 0 %之槽的内容積之上部空間。活 性碳吸附劑在將放置於槽之内容積中之前,進行預處理, 如先前所描述的。 如所示地,在槽之内容積中設置一連接至電引線 6 2及 6 4之點火線圈6 0。内容積壓力狀態藉由快速動作壓力變換 器6 6所監視,以及内容積中之溫度藉由熱電偶溫度感測器 6 8在吸附床之下端、中央部份及上端被監視,以及槽之上 部空間的溫度藉由熱電偶溫度感測器70所監視。 如實施例1,在6 5 ° C溫度之點火後,溫度及壓力被收集 而可使改變特徵化。 爆燃測試之結果被顯示於圖 4,針對自由鍺烷的爆燃, 其為藉由圖 3所略示之測試裝置所產生之溫度(以攝氏溫 度表示)、壓力(以p s i g表示)、以及點火器電壓為時間(以 秒表示)之函數之圖表。 此測試的結果顯示吸附的鍺烷並未爆燃。溫度及壓力的 小增加與存在於上部空間之鍺烷(未填充活性碳吸附劑之 槽内容積的1 0 % )的爆燃直接相互關聯。 更重要地,在上部空間開始之反應並未傳導至吸附於碳 上之鍺烷分子。在測試完成後,吸附的鍺烷被脫附,以確 認其並未被降解。材料之定量分析證實起始鍺烷材料維持 312/發明說明書(補件)/93-01/92129740 19 1305154 未受損傷。 圖5為依據本發明之一具體例之鍺烷儲存及分 略示意圖。 氣體儲存及分配系統 1 1 0包括一氣體儲存 112,其可為傳統氣體鋼瓶之型式,並具有一圍繞 之鋼瓶牆1 1 4。 在槽 1 1 2之内容積中係設置一活性碳物理吸 1 1 6。此吸附材料典型上以微細分割型式來應用, 珠、細粒等等,以提供具有如標準物理吸附 Brunnauer-Emmit-Teller)技術所測量之高表面 材料床。 氣體儲存及分配槽1 1 2如顯示為拉長特性,具 閥上部組件1 2 0之中間頸狀部位1 1 8,在所示之J 其包括單一阻擋閥體 124,其具有結合於此之j wheel ) 1 26 >以用於手動開啟及關閉閥體中之閥。 具有一聯接器(coupling)126,例如與其連接之 器,當手輪1 2 6旋轉至開啟閥體1 2 4之閥時,以 由氣體儲存及分配槽之吸附材料脫附之鍺烷氣體 藉由此設置,當下游分配軌跡之外部壓力在槽 容積的壓力之下時,鍺烷氣體可由氣體儲存及分 出,例如在離子植入應用的例子中,其中,下游 氣淨化器(i ο n i z e r )維持在極低之壓力狀態中。 可選擇地,聯接器1 2 6可連接氣體儲存及分配 一包含泵、鼓風機、推出器、引出器、壓縮器、 312/發明說明書(補件)/93-01 /92129740 配裝置之 及分配槽 一内容積 附性材料 諸如:丸、 儀(例如 積的吸附 有連接一 I體例中, 卜輪(hand 閥體124 VCR連接 用於分配 〇 1 1 2之内 配容器釋 負離子空 槽1 1 2至 風扇、低 20 1305154 溫泵、壓力建立通路或做為由槽1 1 2之吸附材料釋出鍺烷 吸附氣體之其他推動流體推進器裝置之岐管或流動通道。 另可選擇地,槽1 1 2或其中之吸附材料可直接地或間接 地被加熱,而影響由槽中之吸附材料分配氣體之熱脫附。 對於此目的,例如,槽1 1 2可設置在加熱套(未顯示)中, 或具有内部設置於貫穿吸附床之槽中的加熱線圈(亦未顯 示)。 說明顯示於圖5之系統1 1 0允許鍺烷氣體由槽1 1 2之物 理性吸附材料以任何適當形式(壓力差引發脫附及/或熱引 發脫附)選擇性分配,以排放由槽中分配之氣體。 雖然本發明已參考說明具體例及特性多樣地揭示於 此,將可瞭解以上描述之具體例及特性並未用來限制本發 明,以及其他變化、修改及其他具體例將由該等熟習本項 技術者來自身建議。因此,本發明可廣泛地被建構,包含 後文將提出之申請專利範圍。 【圖式簡單說明】 圖1為鍺烷爆燃測試裝置之略示意圖; 圖2為針對自由鍺烷的爆燃,藉由圖1所略示之測試裝 置所產生之溫度(以攝氏溫度表示)、壓力(以 psig表示) 以及點火器電壓作為時間(以秒表示)的函數之圖表; 圖3為另一鍺烷爆燃測試裝置之略示意圖,其中,鍺烷 係吸附在碳吸附材料上; 圖4為針對自由鍺烷的爆燃,藉由圖3所略示之測試裝 置所產生之溫度(以攝氏溫度表示)、壓力(以 psig表示) 21 312/發明說明書(補件)/93-01 /92129740 1305154 以及點火器電壓作為時間(以秒表示)的函數之圖表;以及 圖5為依據本發明之一具體例之鍺烷儲存及分配裝置之 略示意圖。 (元件符號說明) 10 鍺烷爆燃測試裝置 12 不鏽鋼壓力槽 14 鍺炫源 16 導管 1 8 内容積 20 氣體排放管線 2 2 加熱線圈 2 4 電引線 2 6 電引線 28 壓力變換器 3 0 中央槽溫度感測器 32 頂端溫度感測器 50 爆燃測試裝置 5 2 不鏽鋼槽 54 内容積 5 6 活性碳吸附顆粒床 58 上部空間 6 0 點火線圈 6 2 電引線 6 4 電引線 22 312/發明說明書(補件)/93-01 /92 ] 29740 1305154 6 6 壓力變換器 6 8 熱電偶溫度感測器 7 0 熱電偶溫度感測器 110 氣體儲存及分配系統 112 氣體儲存及分配槽 114 鋼瓶牆 116 活性碳物理吸附性材料 118 頸狀部位
12 0 閥上部組件 1 24 阻擋閥體 126 聯接器;手輪
312/發明說明書(補件)/93 -01 /92129740 23
Claims (1)
1305154 曰修(史)止替換頁 拾、申請專利範圍: 1 . 一種鍺烧儲存及分配系統,包含
2006 2 7 0CT 替狹务 具有封閉内容積之氣體儲存及分配槽; 在該氣體儲存及分配槽之内容積中之活性碳吸附介質; 在該氣體儲存及分配槽中之鍺烷氣體,該鍺烷氣體包含 吸附在該内容積中之該吸附介質上的鍺烷氣體以及存在於 未吸附狀態之該内容積中之自由鍺烷氣體; 用於由該吸附介質脫附鍺烷及由該槽中分配鍺烷之裝 置;
其中,於未吸附狀態之該内容積中之該自由鍺烷氣體進 行爆燃之狀態下,相對於吸附於其上之鍺烷氣體,該活性 碳吸附介質為抗爆燃的,在該鍺烷氣體包含吸附於該内容 積中該吸附介質上之鍺烷氣體和存在於該内容積中處於未 吸附狀態之自由鍺烷氣體之前,該已經藉由於升高溫度下 與一預處理量之鍺烷氣體接觸並自該活性碳吸附介質脫附 該預處理量之鍺烷氣體而預處理以鈍化其活性位置的活性 碳吸附介質,係被提供於該氣體儲存及分配槽中。 2.如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性碳吸附介質佔有該内容積之至少3 0 %。 3 .如申請專利範圍第 1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性碳吸附介質佔有該内容積之至少7 5 %。 4.如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性碳吸附介質佔有該内容積之至少9 0 %。 5 .如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 24 326聰檔糖92129740\92129740(替換)-1 1305154
衫年(·〇丹巧3 ;..Κ尤)止:¾'挾負 中,該活性krcif~寶~~^"^"^烷吸附於其上之前已進 理,藉由選自包含以下之步驟之至少一步驟,可由其 外來吸附物,該步驟係包含: (a )加熱該活性碳吸附介質,以由其熱脫附外來吸附 (b )使未吸附氣體流動與該活性碳吸附介質接觸, 由該活性碳吸附介質脫附之外來吸附物進入流動的未 氣體;以及 (c )於該活性碳吸附介質中提供真空狀態,以由該 碳吸附介質真空脫附該外來吸附物。 6. 如申請專利範圍第 5項之鍺烷儲存及分配系統 中,該活性碳吸附介質已藉由步驟(a)來處理。 7. 如申請專利範圍第 5項之鍺烷儲存及分配系統 中,該活性碳吸附介質已藉由步驟(b)來處理。 8. 如申請專利範圍第 5項之鍺烷儲存及分配系統 中,該活性碳吸附介質已藉由步驟(c )來處理。 9 .如申請專利範圍第 1項之鍺烷儲存及分配系統 中,一壓力調節器設置於該氣體儲存及分配槽之内 中,以用於控制由該槽分配之鍺烷氣體的壓力。 1 0 .如申請專利範圍第 1項之鍺烷儲存及分配系統 中,一吸收劑設置於該氣體儲存及分配槽,且設置來 性化學吸附在該氣體儲存及分配槽之鍺烷氣體的分解 生之氫氣。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之鍺烷儲存及分配系統 中,藉由隔離該吸收劑使之不會滲透至不同於氫氣之 326V總檔 \92\92129740\92129740(替換)-1 行處 脫附 物; 以使 吸附 活性 ,其 ,其 ,其 ,其 容積 ,其 選擇 所產 ,其 氣體 25 (Ό }^ );:;: 1305154 的氫氣可滲透薄膜,該吸收劑以一保護關係設置於該内容 積 1 2 .如申請專利範圍第 1項之鍺烷儲存及分配系統,進 一步包含一氫氣感測器,係設置在該氣體儲存及分配槽之 内容積中,且可操作地設置,以發射指示内容積之氫氣存 在的訊號。
1 3 .如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該用於由該吸附介質脫附鍺烷及由該槽中分配鍺烷之 裝置包含結合至該氣體儲存及分配槽之閥上部組件,閥上 部組件包括一流動控制閥,其可選擇性地被啟動,以開啟 該用於由該槽分配鍺烷氣體之流動控制閥。 1 4.如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性碳吸附介質為合成烴樹脂之熱解產物。 1 5 .如申請專利範圍第 1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性碳吸附介質為天然產生材料之熱解產物。 1 6.如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性碳吸附介質以分割型式設置。 1 7.如申請專利範圍第1 6項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該分割型式包含一般球形顆粒型式。 1 8.如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性碳吸附介質包含珠狀活性碳。 1 9 .如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該活性吸附介質為選自包含珠、細粒、丸、片、粉末、 顆粒、擠壓物、布、織物成形材料、蜂巢、石料型式、複 26 326聰檔職92129740\92129740(替換)-1 夕弈月2 7曰修(更)正替
1305154 合物以及其之研磨成粉末及壓碎型式之族群的一型式。 2 0 .如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該用於由該吸附介質脫附鍺烷及由該槽中分配鍺烷之 裝置包含選自包括閥、調節器、監視器、感測器、流動導 向裝置、壓力控制器、質量流動控制器、管道、儀器以及 開啟及關閉裝置之族群中之至少一裝置。
2 1 .如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,在該氣體儲存及分配槽中之壓力為10至750托耳之範 圍。 2 2 .如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,在該氣體儲存及分配槽中之壓力為超大氣壓力。 2 3.如申請專利範圍第2 2項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該超大氣壓力並未超過約50 psig。 2 4.如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該用於由該吸附介質脫附鍺烷及由該槽中分配鍺烷之 裝置包含由該活性碳吸附介質熱脫附鍺烷氣體之裝置。 2 5.如申請專利範圍第1項之鍺烷儲存及分配系統,其 中,該用於由該吸附介質脫附鍺烷及由該槽中分配鍺烷之 裝置包含鍺烷分配組件,其建構且設置用來影響由該活性 碳吸附介質之鍺烷氣體的壓力引發脫附。 2 6 . —種儲存及分配鍺烷之方法,包含 在封閉區域中之活性碳吸附介質上之物理性吸附鍺烷 氣體亦包含於未吸附狀態之自由鍺烷; 選擇性地由該活性碳吸附介質脫附鍺烷以及由該封閉 27 326V總檔 \92\92129740\92129740(替換)-1 1305154
區域排放鍺烧;L"•一一一一 其中,於未吸附狀態之該封閉區域中之該自由鍺烷氣體 進行爆燃之狀態下,相對於吸附於其上之鍺烷氣體,該活 性碳吸附介質為抗爆燃的,
在物理吸附鍺烷氣體於一亦包含有處於未吸附狀態之 自由鍺烷氣體的包圍區域中之活性碳吸附介質上之步驟之 前,該活性碳吸附介質已經藉由於升高溫度下與一預處理 量之鍺烷氣體接觸並自該活性碳吸附介質脫附該預處理量 之鍺烷氣體而預處理以鈍化其活性位置。 2 7 . —種供使用於鍺烷儲存及分配之活性碳吸附材料之 製備方法,該方法包含: 以惰性氣體淨化該吸附材料; 由該吸附材料排空該惰性氣體; 在真空下加熱該吸附材料至升高溫度,以及維持該真空 及升高溫度一段足夠時間,以乾燥該吸附材料; 於真空下冷卻該吸附材料至室溫; 在升高溫度下以鍺烷氣體鈍化該吸附材料; 由該吸附材料去除鈍化之鍺烷氣體;以及 在真空下冷卻該吸附材料至室溫。 28 326V總檔\92\92129740\92129740(替換)-1
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