TWI303923B - - Google Patents

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TWI303923B
TWI303923B TW093106204A TW93106204A TWI303923B TW I303923 B TWI303923 B TW I303923B TW 093106204 A TW093106204 A TW 093106204A TW 93106204 A TW93106204 A TW 93106204A TW I303923 B TWI303923 B TW I303923B
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TW
Taiwan
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package
terminal
piezoelectric
sub
semiconductor element
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TW093106204A
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TW200428753A (en
Inventor
Kazuhiko Shimodaira
Yukari Nakajima
Katsuhiko Miyazaki
Yugo Koyama
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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    • H03B5/36Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
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Description

1303923 (1) -玖、發明說明 - 【發明所屬之技術領域】 * 本發明關於壓電振盪器使用壓電振盪器之行動電話裝 - 置及電子機器,該壓電振盪器具備:收容有壓電振盪片的 , 壓電振盪子封裝,及內藏有振盪電路,用於使該壓電振盪 片產生振盪的半導體元件。 【先前技術】 鲁 於H D D (硬碟驅動器)、攜帶型電腦或I C卡等小 型資訊機器、行動電話、汽車電話、或呼叫系統等行動通 信機器中,於封裝內廣泛使用壓電振盪器。於習知壓電振 盪器構成中,壓電振盪子部與振盪電路部係分別使用個別 之封裝予以構成,例如在構成振盪電路部之封裝上將構成 壓電振盪子部之封裝予以重疊、固定之構造爲習知(參照 專利文獻1 )者。此種構造可以迴避將壓電振盪片與振盪 電路收容於同一封裝時之各種不良情況。亦即,於樹脂封 @ 裝內同時收容壓電振盪片與振盪電路時,硬化時產生之氣 體將附著於壓電振盪片而導致特性降低。因而,如上述說 | 明,將壓電振盪片與振盪電路收容於個別之封裝,再將其 | 重疊於縱向即可迴避彼等不良情況,可以構成小型化。但 是,近年來於搭載壓電振盪器之各種機器中,更加小型化 成爲重要課題,因此壓電振盪器本身亦需要形成小型化。 如上述說明將壓電振盪片與振盪電路收容於個別之封裝再 於縱向予以重疊構成之壓電振盪器,係如圖1 1所示構 - -5 - (2) 1303923 成。 圖11爲製造上述習知壓電振盪器之中途製程之槪略 斜視圖。圖中,於內部收容有壓電振盪片之振盪子封裝2 之一面2 a固定引線框架1。引線框架1具有元件搭載部 4。於該元件搭載部4將I C晶片3予以固定。I C晶片 3之各端子,係藉由接合導線6被導線接合於引線框架i 所具備之多數個內引線部5。 (專利文獻1 :實開平2 — 43 1 2號之微薄膜) 【發明內容】 (發明所欲解決之課題) 但是,圖1 1之壓電振盪器,係於振盪子封裝2之一 面2 a固定引線框架1,於該引線框架1之元件搭載部4 將I C晶片3予以固定,全體厚度變大。本發明目的在於 提供一種可以縮小厚度方向尺寸,可以縮小安裝所要空間 的壓電振盪器,使用該壓電振盪器之行動電話及電子機 器0 (用以解決課題的手段) 爲達成上述目的之第1發明之壓電振盪器,係具備: 內部收容有壓電振盪片的振盪子封裝,及被固定於該振盪 子封裝之背面,且內藏有振盪電路的半導體元件;於上述 振盪子封裝之上述背面被固定有引線框架之內引線部,且 除去上述引線框架之外引線部以外,上述振盪子封裝及上 -6- (3) 1303923 述半導體元件被以樹脂模製。依第1發明之構成,內藏振 盧電路的半導體元件被固定於振盪子封裝之背面,且於該 背面被固定有引線框架之內引線部。亦即,半導體元件宇 內引線部被固定於振盪子封裝之同一面,內引線部之厚度 部分不會突出於振盪子封裝之表面側,該部分可以使全體 之厚度構成較薄。依本發明提供之壓電振盪器可以達成縮 小厚度方向之尺寸,縮小安裝所要空間之效果。第2發 明’係於第1發明之構成中,上述振盪子封裝之上述背 面’係較固定於該背面之上述半導體元件之接面具有較大 面積’使用上述半導體元件固定於上述背面狀態下呈露出 之露出面而將上述內引線部予以固定。依該第2發明之構 成,係於上述振盪子封裝背面,有效利用上述半導體元件 固定用區域以外之區域而將上述內引線部予以固定,因 此’內引線部之厚度部分之尺寸被半導體元件之厚度部分 吸收,可以容易形成厚度較薄之壓電振盪器。第3發明, 係於第1或第2發明之構成中,上述振盪子封裝係以金屬 製蓋體施予封裝,於上述振盪子封裝之背面設有導通於上 述蓋體的端子,藉由導通於上述蓋體的端子,與接觸於上 述半導體元件之上述內引線部間之接觸而施予電連接之固 定。依該第3發明之構成,對於上述振盪子封裝之和金屬 製蓋體呈導通之端子,係被電連接於半導體元件之接地端 子,因此壓電振盪器容易達成蔽磁效果。第4發明,係於 第1〜第3發明中任一發明之構成中,於上述振盪子封裝 之背面,設置和內部收容之壓電振盪片連接用的端子,連 (4) 1303923 接於上述半導體元件之上述內引線部係絕緣於上述端子狀 態下被固定之同時,連接於上述壓電振盪片之端子,與上 述半導體元件之振盪電路端子係藉由導線接合予以連接。 依該第4發明之構成,連接於上述壓電振盪片之端子,與 上述半導體元件之間係藉由導線接合予以連接。因此,不 介由內引線部可以進行和壓電振盪片間之連接,可以減少 浮動電容。第5發明,係於第1〜第3發明中任一發明之 構成中,於上述振盪子封裝之背面,設置和內部收容之壓 電振盪片連接用的端子,連接於上述半導體元件之上述內 引線部,係配置成平面上不與上述端子重疊且被設爲和上 述端子呈絕緣狀態之同時,上述端子與上述半導體元件之 振盪電路端子係藉由導線接合予以連接。依該第5發明之 構成,內引線部係配置成平面上不與端子重疊,因此內引 線部與端子間不接觸,可以取得距離,更能確保內引線部 與端子間之絕緣狀態,另外可以減少浮動電容。 第6發明,係於第1〜第5發明中任一發明之構成 中,除去上述振盪子封裝之蓋體中央部區域以外被施予上 述樹脂模製。依該第6發明之構成,僅半導體元件、內引 線部、振盪子封裝側面及振盪子封裝與蓋體之接面區域被 施予樹脂模製。因此,振盪子封裝之蓋體之大部分由模製 部分露出外部,有助於構成振盪電路之半導體之驅動所引 起之散熱。另外,蓋體由玻璃等透光性材料形成時,蓋體 不被樹脂覆蓋,介由該蓋體對內部之壓電振盪片照射雷射 光即可調整頻率。又,爲達成上述目的之第7發明之行動 (5) 1303923 電g舌裝置,係使用壓電振盪器之行動電話裝置,該壓電振 盪器係具備··內部收容有壓電振盪片的振盪子封裝,及被 固定於該振盪子封裝之背面,且內藏有振盪電路的半導體 元件;藉由在上述振盪子封裝之上述背面被固定有引線框 架之內引線部,且除去上述引線框架之外引線部以外,上 述振盪子封裝及上述半導體元件被以樹脂模製而形成之壓 電振盪器來獲得控制用時脈信號。又,爲達成上述目的之 第8發明之電子機器,係使用壓電振盪器之電子機器,該 壓電振盪器係具備:內部收容有壓電振盪片的振盪子封 裝’及被固定於該振盪子封裝之背面,且內藏有振盪電路 的半導體元件;藉由在上述振盪子封裝之上述背面被固定 有引線框架之內引線部,且除去上述引線框架之外引線部 以外’上述振盪子封裝及上述半導體元件被以樹脂模製而 形成之壓電振盪器來獲得控制用時脈信號。 【實施方式】 圖1〜3微本發明壓電振盪器之第1實施形態,圖1 爲其槪略側面圖,圖2爲槪略平面圖,圖3爲圖2之A -A線槪略斷面圖。又,於圖1,爲方便理解而將樹脂模製 部以透明表示其內部構成,圖中,壓電振盪器30具有: 用以收容壓電振盪片之振盪子封裝5 0 ;及I C晶片4 0, 其爲固定於振盪子封裝5 0背面之內藏振盪電路的半導體 元件。如圖3所示,振盪子封裝5 0,係將例如絕緣材料 之氧化鋁質陶瓷母片成形而形成之多數片基板予以積層 -9 - (6) 1303923 後,燒結而形成。一部分基板,係於其內側形成特定孔, 於積層處於內側具有特定之內部空間s丨,形成爲具開口 之矩形箱狀。壓電振盪片5 1被收容於該內部空間s 1 內。亦即’如圖3所示’於振盪子封裝5 〇之底部(於圖 3 ’上下被相反表不)之左端部附近,使呈露出於內部空 間S 1地設置電極部56,該電極部56爲例如於鎢金屬上 以鍍鎳及鍍金形成。該電極部5 6,係於圖2之振盪子封 裝50之寬度方向(圖中之上下方向)之兩端附近以同一 形態分別被形成(未圖示)。圖3 3之電極部5 6,係連接 於振盪子封裝50之圖2所示外部端子部52。同樣地,上 述未圖式之另一電極部,係連接於振盪子封裝50之圖2 所示外部端子部55。該電極部56及未圖式之另一電極 部’如後述說明,係電連接於I C晶片40 ,可對壓電振 盪片51供給驅動電壓。亦即,如圖3所示,於該電極部 5 6表面被塗敷導電性接著劑5 7,於該導電性接著劑5 7表 面載置壓電振盪片51之基部51a之引出電極部(未圖 示)’藉由導電性接著劑5 7之硬化予以接合。又,於未 圖式之另一電極部亦同樣適用導電性接著劑5 7,接合於 壓電振盪片5 1之驅動用引出電極部。導電性接著劑5 7 , 可使用,於具有接合力之接著劑成份之合成樹脂劑、添加 銀製細粒等導電性粒子者,可用例如矽系、環氧系或聚醯 亞胺系導電性接著劑等。壓電振盪片5 1,例如以石英形 成,亦可使用石英以外之例如鉅酸鋰、鈮酸鋰等壓電材 料。本實施形態之情況,壓電振盪片5 1可用例如將石英 -10- (7) 1303923 晶圓沿著預定方向切割成矩形之所謂A T切割振盪片或音 叉型振盪片。該壓電振盪片51於其表面設有:驅動用電 極之激磁電極,及連接於該激磁電極,引出壓電振盪片 51之接合端而形成之上述引出電極。於圖3 ’蓋體59爲 將壓電振盪片5 1氣密封裝於內部空間S 1內者,於該實 施形態中使用板狀蓋體。蓋體5 9,系使用焊料(未圖 示),被固定於振盪子封裝5 0之開口端予以封裝。蓋體 59較好是使用導體金屬、例如可用金屬系之F e - N i-C 〇之合金等。藉由導電部53a連接於由振盪子封裝50 之背面58(圖2之前方呈現之面及圖3之上面)露出而 形成之外部端子部5 3。又,於圖2,由振盪子封裝5 0之 背面58露出而形成之外部端子部54亦藉由同樣構造連接 於蓋體5 9。於該實施形態中,藉由後述構造,使用外部 端子部5 4可將蓋體5 9接地而達成蔽磁效果。作爲半導體 元件之I C晶片40,爲內部收容有以積體電路(未圖 示)形成之振盪電路者。該I C晶片40,係使用例如矽 %或環氧系接著劑被固定於振盪子封裝5 0之背面5 8 (圖 2之前方呈現之面及圖3之上面)之中心附近。此情況 下’如圖2所示,振盪子封裝5 0之背面5 8具有較I C晶 片40之接面更大之面積,於I c晶片40周圍形成露出面 58a。在丨C晶片4〇之與振盪子封裝50之接面之相反 面’設有幾個端子部。於圖2露出端子部41〜46之6個 端子部。I C晶片40之端子部之個數可依I C晶片種類 而爲較多或較少。此實施形態中,於圖2中,I C晶片 11 - (8) 1303923 4 〇之端子部4 2、4 3爲例如與振盪子封裝5 0間之連接 子。端子部4 1爲振盪電路之輸出入端子。端子部44爲 制端子,端子部4 5爲輸出端子。端子部4 6爲接地端子 於圖2,輸出入端子41、與振盪子封裝50之連接端 42、43及控制端子44,係沿I C晶片40之左端邊配置 相對於此,圖2中之輸出端子45及接地端子46,則沿I 晶片40之右端邊配置。又,如圖1及2所示,於振盪 封裝5 0之背面5 8,於分別與外部端子部5 2、5 3、5 4、 重疊之位置上,被固定由後述引線框架分離出之引線 61、 62、 63、 64 之內引線部 61a、 62a、 63a、 64a。彼 各內引線部之中,內引線部61a爲壓電振盪器30之電 端子,內引線部62a爲壓電振盪器30之輸出端子,內 線部63a爲壓電振盪器30之接地端子,內引線部64a 壓電振盪器3 0之控制端子。各內引線部之中,內引線 61a、62a、64a係在與彼等分別重疊之位置之外部端子 52、53、55呈電絕緣照太下被固定,內引線部63a則 與振盪子封裝5 0之接面區域之外部端子部5 4呈導通狀 下被固定。於此實施形態中,如圖1所示,引線部61 64,係由各內引線部6 1 a、6 4 a將外端側向下折彎,前 部之外引線部61b64b則於下端向內側折彎。又,於 2,於振盪子封裝50之寬度方向之大略中央部,於圖中 右位置,固定有補助引線部65、66用於保持製程中之 盪子封裝5 0。圖4爲內引線部與外部端子部被電氣絕 狀態下施予固定之方法之一例。圖中,於內引線 丄04 m 控 〇 子 0 C 子 55 部 等 源 引 爲 部 部 在 態 丄山 m 圖 左 振 緣 部 -12- (9) (9)1303923 6 2 a下面與振盪子封裝5 0之外部端子部5 3間,適用絕緣 性接著劑6 7。藉由該接著劑6 7使內引線部6 2 a與外部端 子部5 3呈絕緣狀態。此情況下,較好是形成由內引線部 6 2 a —體朝振盪子封裝側延伸之壁部6 2 b,壁部6 2 b作爲 隔離內引線部62a與外部端子部53之間隔物功能,則更 能確保絕緣效果。圖5爲將內引線部與外部端子部於電連 接狀態下施予固定之方法之一例。圖中,於內引線部6 3 a 下面與振盪子封裝5 0之接地端子之外部端子部5 4間,適 用導電性接著劑6 8。藉由該導電性接著劑6 8使內引線部 6 3 a與外部端子部 5 4之間呈導通狀態。又,如圖 2所 示,I C晶片4 0之端子部41電連接於內引線部6 1 a,端 子部42電連接於振盪子封裝50之外部端子部52。I C 晶片40之端子部43電連接於振盪子封裝50之外部端子 部55,端子部44電連接於內引線部64 A。I C晶片40 之端子部45電連接於內引線部62a。I C晶片40之端子 部4 6電連接於內引線部6 3 a。如圖2所示,彼等之電連 接係使用例如金線等導通線,藉由導線接合進行。因此, 壓電振盪片51所連接之振盪子封裝50之各端子,與各內 引線部間並非於固定位置被連接,而是被絕緣,和I C晶 片40連接之各內引線部係藉由導線接合而連接於振盪子 封裝5 0之各端子。因此,與壓電振盪片間之連接進行並 非介由內引線部,因此可以減少浮動電容。於上述電連接 進行後,藉由合成樹脂進行樹脂模製而將除了圖1之引線 部61之至少外引線部61b、64b以外之其他構成予以披 -13- (10) 1303923 胃°該樹脂模製部20,係用於對各端子或導線接合施予 '絕緣之同時’保護內部構造而設者,因此,可使用成型性 ^ '絕緣t生佳之合成樹脂、例如環氧樹脂使其射出至成型模 具:內而如圖示般予以形成,本實施形態構成如上述,因此 如圖2所示’丨c晶片40被固定於振盪子封裝50之背面 5 8 ’於該背面5 8再度固定引線框架之各內引線部6 i a、 6 2a、63a、64a。亦即,I C晶片40與內引線部被固定於 振盪子封裝 5 0之同一面,因此,內引線部 6 1 a、6 2 a、 63a、64a之厚度部分不會突出振盪子封裝50之表面側, 該部分厚度之未突出而可以使壓電振盪器30之全體厚度 構成較薄。特別是,振盪子封裝5 0之背面5 8具有較固定 於該背面5 8之I C晶片40之接面爲較大之面積,在I C 晶片40被固定於振盪子封裝50之背面58之狀態下使用 露出之露出面 58a,可以固定各內引線部 61a、62a、 63a、64a,因此,固定各內引線部 61a、62a、63a、64a 之區域,及固定I C晶片40之區域,可以適當設於振盪 子封裝 5 0之同一面5 8。依此則,內引線部6 1 a、6 2 a、 63a、64a之厚度部分可以確實被I C晶片40之厚度部分 尺寸予以吸收,容易形成厚度較薄之壓電振盪器。另外, 藉由金屬製蓋體5 9封裝振盪子封裝5 0 ’於振盪子封裝5 0 之背面58設置和蓋體59呈導通之外部端子部54 ’因此 壓電振盪器3 0容易達成蔽磁效果。另外’於振盪子封裝 5 0之背面5 8設置和收容於內部之壓電振盪片51連接用 的外部端子部5 2、外部端子部5 5,內引線部6 1 a、6 4 a電 -14- (11) 1303923 連接於彼等短。引,壓電振盪片5 1與I C晶>: 振盪器3 0之外部間之電連接容易進行°另外 示,引線部6 1或引線部64,係由與其上部之 50呈固定之各內引線部61a、64a向下方折彎 之61c、64c之處沿著壓電振盪器30側面延伸 此,於安裝激板K等使用焊錫如圖示進行安裝 別附著於引線部之各中途部分 6 1 c、64c ’而 邊 6 9、6 9。依此則可強化安裝構造。圖 6爲 3 0之製程之一例之簡單流程圖。圖中,首先 振盪電路的半導體元件、例如市售之I C晶片 部形成用之引線框架,及作爲振盪子封裝5 0 有石英振盪片的石英封裝。I C晶片不限於 型,亦可藉由訂單生產而製造者,型號不同時 位置會不同,此情況下需如後述變更電連接。 可使用製造封裝元件時一般使用者,例如42合 F e 合金、或者 C u- S n、C u — F e、C u 一 N i等之C u合金,或者於彼等添加第3元 金等所形成者。石英封裝,係和圖3詳細說明 裝50爲相同者,其構造已如上述說明。亦即 瓷製封裝形成必要之電極,接合壓電振盪片5 體59氣密封裝而製造。之後石英封裝之振盪:j 以單體進行其振盪頻率等相關之必要檢測(s 移至次一製程。圖7爲於振盪子封裝5〇之背g 線框架之內引線部之模樣(S T 12)。如圖 t 40及壓電 ,如圖1所 振盪子封裝 ,而於中途 而形成。因 時,焊錫分 容易形成側 壓電振盪器 ’準備內藏 ’及內引線 之例如收容 市售之既定 外部端子之 引線框架, —金等之 一 Z η、C υ 素之三元合 之振盪子封 ,例如於陶 1之後已藎 二封裝5 0係 ;Τ* 11 ), S 58固定引 示,振盪子 -15- (12) 1303923 封裝5 0之背面5 8所固定之內引線部不限於圖2說明之數 目,如符號 6 0 — 1、6 0 - 2所示可固定多數個。此情況 下,可以將彼等內引線部延伸方向不同之方向、例如與符 號 6 0 — 1、6 0 — 2所示多數個內引線部之延伸方向正交之 方向上所配置之補助引線部6 5、6 6,固定於振盪子封裝 之背面5 8,可以將多數個內引線部在位置不偏移情況下 予以保持、固定。之後,於振盪子封裝5 0之背面5 8之略 中央部,藉由接著劑等固定I C晶片4〇 ( S T 13 )。之 後,如圖示將I C晶片4 0之端子部,與振盪子封裝之外 部端子部52、53、54、55或多數個內引線部60 — 1、60 一 2藉由導線接合予以電連接(S T 1 4 )。於此狀態下, 配置於成型用模具(未圖示)內,將模製樹脂注入模具內 進行樹脂模製而形成圖1及圖2說明之樹脂模製部20 (S T 15)。之後,如圖1之說明使用特定治具形成引 線部6 1、64之彎曲構造,形成具有特定外引線部6 ! b、 64b之壓電振盪器30( ST 16),之後近星2必要之檢 測(S T 17 ),捆包(S T 1 8 ),成爲作爲製品可以送 貨之狀態。圖8爲本發明壓電振盪器之第2實施形態之槪 略平面圖,和第1實施形態相同之構件使用同一符號並省 略重複說明,以下以不同點爲中心說明之。壓電振盪器 70,其之被固定於振盪子封裝5 0之背面5 8的I C晶片 40—1之構成爲不同。亦即,和圖2比較時,I C晶片4〇 與I C晶片40— 1之端子部配置不同。於I c晶片々Ο-ΐ , 其 之輸出 入端子 41 、 與振盪 子封裝 50 間之連 接端子 -16- (13) 1303923 42、43係沿I C晶片40之左端邊配置,和第1實施形態 相同。但是不同點爲,於圖8,控制端子44被配置於I C 晶片40— 1之上端邊之略靠中央。於圖8,輸出端子45 及接地端子46則沿I C晶片40 - 1之右端邊配置。和上 述I C晶片4 0 - 1之構造差異對應地’於振盪子封裝5 0 之背面5 8,除和第1實施形態之外部端子部5 5同樣地以 端子作爲第1外部端子部5 5 - 1設於第1實施形態之相同 位置以外,如圖示般,於封裝內部和該第1外部端子部 55 — 1呈導通之第2外部端子部55 - 2於振盪子封裝50 之圖8被露出於下端邊之靠右側。又,於封裝內部和該第 2外部端子部5 5 - 2呈導通之第3外部端子部5 5 - 3於振 盪子封裝5 0之圖8被露出於上端邊之靠右側。此情況 下,如圖示般,藉由導線接合連接I C晶片4 0 — 1之連接 端子4 3與振盪子封裝5 0之第1外部端子部5 5 - 1,藉由 導線接合連接內引線部64a與振盪子封裝50之第2外部 端子部5 5 — 2,藉由導線接合連接I C晶片40 — 1之連接 端子44與振盪子封裝5 0之第3外部端子部5 5 - 3。依此 則和第1實施形態同樣第,可以藉由導線接合連接I C晶 片40 - 1之各連接端子與配置於周邊之外部端子部及內引 線部,可以進行I C晶片40 - 1與振盪子封裝5 0間之必 要之電連接。亦即,於振盪子封裝5 0之背面5 8露出必要 數目之端子用以連接壓電振盪片52,則可以使用具有不 同端子配置之I C晶片。圖9爲本發明壓電振盪器之第3 實施形態之槪略平面圖,和第1實施形態相同之構件使用 -17- (14) 1303923 同一符號並省略重複說明,以下以不同點爲中心說明之。 壓電振盪器9 0和第1實施形態之主要不同點在於,內引 線部61a、62a、63a、64a之配置位置及形狀。亦即,於 壓電振盪器90,內引線部 61a、62a、63a、64a,和在振 盪子封裝50內與壓電振盪片5 1呈電連接之端子之外部端 子部52、55,於平面上呈不重疊之配置。具體言之爲, 內引線部61a、62a、63a、64a,係使彼等之各主面和與壓 電振盪片5 1呈電連接之端子之外部端子部5 2、5 5之主面 成爲不重疊狀,使內引線部 61a、62a、63a、64a不接觸 外部端子部5 2、5 5地在平面上予以偏移配置。另外,內 引線部61a、64a具有切口部61d、64d,可於振盪子封裝 50之背面58上之有限範圍內,使其與外部端子部52、55 間於水平方向能取得較大距離。如圖示,該切口部6 1 d、 64d形成爲可以避開鄰接之外部端子部52、55之外形。 又,關於內引線部62a、63a,可以配置成爲和未連接於 壓電振盪片5 1之外部端子部5 3、5 4於平面上呈重疊狀, 但是,本第3實施形態中,內引線部62a、63a與外部端 子部53、54於平面上不重疊,依此則可以抑制壓電振盪 器90之厚度。另外,內引線部61a、64a,與外部端子部 5 2、5 5分別於平面上不重疊地配置,而欲避開與外部端 子部5 2、5 5間之接觸時,振盪子封裝5 0之背面5 8之固 定用接著劑,可以不使用第1實施形態之絕緣性接著劑 6 7 (參照圖4 ),可以使用導電性接著劑。本發明第3實 施形態之壓電振盪器9 0之構造如上述,因此可以發揮和 -18- (15) 1303923 第1實施形態同樣之作用效果。另外,內引線部6 1 a、 6 2 a、6 3 a、6 4 a與外部端子部 5 2、5 5於平面上呈不重疊 地配置,因此,內引線部61a、64a與外部端子部52、55 間之距離和第1實施形態比較可以取得較大,可以確保內 引線部61a、64a與外部端子部52、55間之電絕緣特性, 可以減少浮動電容。特別是圖9中,內引線部6 1 a、6 4 a 具有切口部61d、64d,內引線部61a、64a之端面與外部 端子部 5 2、5 5之端面間距離可以取得較大,更能確保兩 者間之電絕緣特性,可以縮小浮動電容。又,圖9之I C 晶片40之端子部44配置於內引線部64a附近,因此,如 第2實施形態之圖8所示,於振盪子封裝5 0設置外部端 子部5 5 — 2、5 5 — 3,不進行彼等之外部端子部與內引線 部64a之連接亦可,和圖8之壓電振盪器70比較可以縮 小浮動電容。圖1 〇爲本發明壓電振盪器之第4實施形態 之槪略側面圖,和第1實施形態相同之構件使用同一符號 並省略重複說明,以下以不同點爲中心說明之。壓電振盪 器8 0,被固定於振盪子封裝5 0之背面5 8之引線部形狀 爲不同。又,樹脂模製部2 0 — 1之披覆範圍不同。亦即, 圖中之樹脂模製部2 0 — 1,係將除了振盪子封裝5 0之蓋 體5 9之中央部區域以外之區域披覆。依此則,僅有I C 晶片40、內引線部61a、64a、振盪子封裝50之側面及振 盪子封裝5 0與蓋體5 9之接面區域被樹脂模製。依此構成 則振盪子封裝5 0之蓋體5 9之大部分由樹脂模製部2〇 一 1 露出外部可以促進構成振盪電路之半導體驅動之散熱。另 -19- (16) 1303923 外,蓋體5 9爲坡璃等透光性材料構成時,蓋體5 9不被樹 脂披覆,介由該蓋體對內部壓電振盪片照射雷射光等則可 以進行頻率調整(未圖示)。另外,輿圖1 0,和圖1比 較,振盪子封裝5 0係相反地將背面5 8朝下配置,被固定 於該朝下之背面5 8的各引線部6 1、64和圖1之情況比較 變短,被彎曲爲曲柄狀。依此則各引線部並非如圖1所示 朝側方突出而沿著振盪子封裝5 0側面朝向安裝基板K之 構造,寬度方向之尺寸小於圖1之壓電振盪器30。因 此,安裝空間小於圖1之壓電振盪器3 0。圖1 1爲使用本 發明上述實施形態之壓電振盪器的電子機器之一例之數位 式行動電話裝置之槪略構成圖。圖中,經由麥克風3 0 8被 轉換爲電氣信號之送信者聲音,於解調器、編/解碼器部 進行數位調變,於送信部 3 07進行頻率轉換爲R F (Radio Frequence )帶域之後,經由天線送信至基地局 (未圖示)。又,來自基地局之RF信號於受信部306進 行頻率轉換後,於解調器、編/解碼器部轉換爲聲音信 號,而由揚升器3 09輸出。另外,C P U ( Central Processing Unit) 301,係控制包含液晶顯示裝置及鍵盤 構成之輸出入部302.等之數位式行動電話裝置30〇全體之 動作。記憶體3 0 3爲被C P U 3 01控制之由R A Μ、 R〇Μ構成之資訊記憶裝置,於彼等之中儲存數位式行動 電話裝置3 0 0之控制程式或電話簿等資訊。本發明實施形 態相關之壓電振盪器之適用例有例如T C X〇 (Temperature Compensated X’stal Oscillator:溫度補償 -20- (17) 1303923 壓電振盪器)305。該T C X〇305 ’爲減少周圍溫度變 化引起之頻率變動的壓電振盪器,作爲圖1 1之受信部 3 0 6或送信部3 0 7之頻率基準源被廣泛應用於行動電話裝 置。該TCXO 305,隨著近年來行動電話裝置之小型 化、對小型化要求之變高,而使本發明實施形態之構造之 T C X 0小型化極爲有用。如上述說明’於數位式行動電 話裝置300之電子機器,藉由上述實施形態之壓電振盪器 30、壓電振盪器70、壓電振盪器80或壓電振盪器90之 使用可以縮小厚度方向之尺寸,因此有助於數位式行動電 話裝置3 0 0之全體之小型化。本發明不限於上述實施形 態,各實施形態或各變形例之各構成可將彼等予以適當組 合、省略、或和未圖示之其他構成予以組合等。 【圖式簡單說明】 圖1 :本發明壓電振盪器之第1實施形態之槪略側面 圖。 圖2:圖1之壓電振盪器之槪略平面圖。 圖3 :圖2之A — A線槪略斷面圖。 圖4 :圖1之壓電振盪器之內引線部與外部端子部被 電氣絕緣狀態下施予固定之方法之一例之槪略斜視圖。 圖5 :圖1之壓電振盪器於電連接狀態下施予固定之 方法之一例之槪略斜視圖。 圖6 :圖1之壓電振盪器之製程之一例之簡單流程 圖。 •21 - (18) 1303923 圖7 :圖6之製程之一部分之槪略斜視圖。 圖8 :本發明壓電振盪器之第2實施形態之槪略平面 圖。 圖9 :本發明壓電振盪器之第3實施形態之槪略平面 圖。 圖1 〇 :本發明壓電振盪器之第4實施形態之槪略側 面圖。 圖11 :使用本發明實施形態之壓電振盪器的電子機 器之一例之數位式行動電話裝置之槪略構成圖。 圖1 2 :習知壓電振盪器之製程之一部分之槪略斜視 圖。 [主要元件對照表] 30、70、80、壓電振盪器 5 1、壓電振盪片 40、I C晶片(半導體元件) 5 〇、振盪子封裝 61a 、 62a 、 63a 、 64a 、內弓丨線部

Claims (1)

  1. 1303923 附件1 a : 拾、申請專利範圍 第93 1 06204號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 6年7月27 日修正
    1· 一種壓電振盪器,其特徵爲具備:內部收容有壓 電振盪片以絕緣材料之基板積層而形成之矩形箱狀的振盪 子封裝,及使用接著劑被固定於該振盪子封裝之背面,且 $內藏有振盪電路的半導體元件;在上述振盪子封裝之背面 設置和上述壓電振盪片連接的端子,該端子與上述半導體 元件之振盪電路端子係藉由導線接合被連接,於上述振盪 子封裝之上述背面被固定有引線框架之內引線部,且除去 上述引線框架之外引線部以外,上述振盪子封裝及上述半 導體元件被以樹脂模製。
    2.如申請專利範圍第1項之壓電振盪器,其中 上述振盪子封裝之上述背面,係較固定於該背面之上 φ述半導體元件之接面具有較大面積,使用上述半導體元件 固定於上述背面狀態下呈露出之露出面而將上述內引線部 予以固定。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之壓電振盪器,其中 上述振邊子封裝係以金屬製盍體施予封裝’於上述振 盪子封裝之背面設有導通於上述蓋體的端子,藉由導通於 上述蓋體的端子’與接觸於上述半導體元件之上述內引線 部間之接觸而施予電連接之固定。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之壓電振盪器,其中 1303923 於上述振盪子封裝之背面,設置和內部收容之壓電振 盪片連接用的端子,連接於上述半導體元件之上述內引線 部係絕緣於上述端子狀態下被固定之同時’連接於上述壓 電振盪片之端子,與上述半導體元件之振盪電路端子係藉 由導線接合予以連接。 5. 如申請專利範圍第1或2項之壓電振盪器,其中 於上述振盪子封裝之背面,設置和內部收容之壓電振
    盪片連接用的端子,連接於上述半導體元件之上述內引線 部,係配置成平面上不與上述端子重疊且被設爲和上述端 子呈絕緣狀態之同時,上述端子與上述半導體元件之振盪 電路端子係藉由導線接合予以連接。 6. 如申請專利範圍第1或2項之壓電振盪器,其中 除去上述振盪子封裝之蓋體中央部區域以外被施予上 述樹脂模製。
    7. —種行動電話裝置,係使用壓電振盪器之行動電 >話裝置,該壓電振盪器係具備:內部收容有壓電振盪片以 絕緣材料之基板積層而形成之矩形箱狀的振盪子封裝,及 使用接著劑被固定於該振盪子封裝之背面,且內藏有振盪 電路的半導體元件;藉由在上述振盪子封裝之背面設置和 上述壓電振盪片連接的端子,該端子與上述半導體元件之 振盪電路端子係藉由導線接合被連接,在上述振盪子封裝 之上述背面被固定有引線框架之內引線部,且除去上述引 線框架之外引線部以外,上述振盪子封裝及上述半導體元 件被以樹脂模製而形成之壓電振盪器來獲得控制用時脈信 -2 - 1303923 號。 8 · —種電子機器,係使用壓電振盪器之電子機器, 該壓電振盪器係具備:內部收容有壓電振盪片以絕緣材料 之基板積層而形成之矩形箱狀的振盪子封裝,及使用接著
    劑被固定於該振盪子封裝之背面,且內藏有振盪電路的半 導體元件;藉由在上述振盪子封裝之背面設置和上述壓電 振盪片連接的端子,該端子與上述半導體元件之振盪電路 端子係藉由導線接合被連接,在上述振盪子封裝之上述背 面被固定有引線框架之內引線部,且除去上述引線框架之 外引線部以外,上述振盪子封裝及上述半導體元件被以樹 脂模製而形成之壓電振盪器來獲得控制用時脈信號。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7994877B1 (en) 2008-11-10 2011-08-09 Hrl Laboratories, Llc MEMS-based quartz hybrid filters and a method of making the same
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US7830074B2 (en) * 2006-08-08 2010-11-09 Hrl Laboratories, Llc Integrated quartz oscillator on an active electronic substrate
JP4852850B2 (ja) * 2005-02-03 2012-01-11 セイコーエプソン株式会社 圧電振動素子、圧電振動子、圧電発振器、周波数安定化方法、及び圧電振動子の製造方法
JP2006245098A (ja) * 2005-03-01 2006-09-14 Seiko Epson Corp 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器
US20070045640A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
JP2006311380A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Epson Toyocom Corp 圧電振動子及び圧電発振器
JP4534912B2 (ja) * 2005-08-30 2010-09-01 株式会社デンソー 角速度センサの取付構造
JP2007173431A (ja) * 2005-12-21 2007-07-05 Epson Toyocom Corp 圧電デバイス
JP2007189380A (ja) * 2006-01-12 2007-07-26 Epson Toyocom Corp 圧電デバイス及び電子機器
JP4742938B2 (ja) * 2006-03-29 2011-08-10 エプソントヨコム株式会社 圧電デバイス及びその製造方法
JP4765004B2 (ja) * 2006-09-04 2011-09-07 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2008259004A (ja) * 2007-04-06 2008-10-23 Epson Toyocom Corp 圧電デバイスおよびその製造方法
US10266398B1 (en) 2007-07-25 2019-04-23 Hrl Laboratories, Llc ALD metal coatings for high Q MEMS structures
US7876168B2 (en) * 2007-12-14 2011-01-25 Epson Toyocom Corporation Piezoelectric oscillator and method for manufacturing the same
US8151640B1 (en) 2008-02-05 2012-04-10 Hrl Laboratories, Llc MEMS on-chip inertial navigation system with error correction
US7802356B1 (en) 2008-02-21 2010-09-28 Hrl Laboratories, Llc Method of fabricating an ultra thin quartz resonator component
JP2010147850A (ja) * 2008-12-19 2010-07-01 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 表面実装用の水晶発振器
JP2010190706A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Panasonic Corp 慣性力センサ
US8176607B1 (en) 2009-10-08 2012-05-15 Hrl Laboratories, Llc Method of fabricating quartz resonators
US8912711B1 (en) 2010-06-22 2014-12-16 Hrl Laboratories, Llc Thermal stress resistant resonator, and a method for fabricating same
JP5281175B1 (ja) * 2012-04-27 2013-09-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び計測機器
US9230890B2 (en) 2012-04-27 2016-01-05 Lapis Semiconductor Co., Ltd. Semiconductor device and measurement device
CN104079249B (zh) * 2013-03-27 2018-05-04 精工爱普生株式会社 电子器件、电子设备、移动体、电子器件的制造方法
US9599470B1 (en) 2013-09-11 2017-03-21 Hrl Laboratories, Llc Dielectric high Q MEMS shell gyroscope structure
JP2015089102A (ja) * 2013-09-24 2015-05-07 日本電波工業株式会社 発振器
US9977097B1 (en) 2014-02-21 2018-05-22 Hrl Laboratories, Llc Micro-scale piezoelectric resonating magnetometer
US9991863B1 (en) 2014-04-08 2018-06-05 Hrl Laboratories, Llc Rounded and curved integrated tethers for quartz resonators
US10308505B1 (en) 2014-08-11 2019-06-04 Hrl Laboratories, Llc Method and apparatus for the monolithic encapsulation of a micro-scale inertial navigation sensor suite
US10031191B1 (en) 2015-01-16 2018-07-24 Hrl Laboratories, Llc Piezoelectric magnetometer capable of sensing a magnetic field in multiple vectors
US10175307B1 (en) 2016-01-15 2019-01-08 Hrl Laboratories, Llc FM demodulation system for quartz MEMS magnetometer
JP6276338B2 (ja) * 2016-07-25 2018-02-07 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び計測機器
JP6493995B2 (ja) * 2017-05-25 2019-04-03 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び計測機器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5392006A (en) * 1987-02-27 1995-02-21 Seiko Epson Corporation Pressure seal type piezoelectric resonator
JPH01135214A (ja) 1987-11-20 1989-05-26 Matsushima Kogyo Co Ltd 圧電発振器
JPH024312U (zh) 1988-06-20 1990-01-11
JP3099382B2 (ja) 1991-02-14 2000-10-16 セイコーエプソン株式会社 小型発振器
JPH04334202A (ja) 1991-05-10 1992-11-20 Seiko Epson Corp 圧電発振器
US5912592A (en) * 1994-07-04 1999-06-15 Seiko Epson Corporation Piezoelectric oscillator
JP3421747B2 (ja) 1995-02-15 2003-06-30 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器及び電圧制御発振器
JPH11284441A (ja) * 1998-03-30 1999-10-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 温度補償水晶発振器の製造方法
US6229249B1 (en) * 1998-08-31 2001-05-08 Kyocera Corporation Surface-mount type crystal oscillator
TW569424B (en) * 2000-03-17 2004-01-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Module with embedded electric elements and the manufacturing method thereof
US6703768B2 (en) * 2000-09-27 2004-03-09 Citizen Watch Co., Ltd. Piezoelectric generator and mounting structure therefor
US6456168B1 (en) * 2000-12-29 2002-09-24 Cts Corporation Temperature compensated crystal oscillator assembled on crystal base
US6833654B2 (en) * 2002-09-25 2004-12-21 Cts Corporation Dual crystal package
JP4222147B2 (ja) * 2002-10-23 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 圧電発振器及び圧電発振器を利用した携帯電話装置および圧電発振器を利用した電子機器

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