TWI302630B - - Google Patents

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TWI302630B
TWI302630B TW094121693A TW94121693A TWI302630B TW I302630 B TWI302630 B TW I302630B TW 094121693 A TW094121693 A TW 094121693A TW 94121693 A TW94121693 A TW 94121693A TW I302630 B TWI302630 B TW I302630B
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TW
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layer
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image sensor
lens
sensor according
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TW094121693A
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Inventor
Zung Peter
Tzu Han Lin
Fang Chang Liu
Original Assignee
Visera Technologies Co Ltd
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

1302630 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係與影像感測器有關,特別是指一種具有較佳 光學特性之影像感測器。 5【先前技術】 常見的各種數位影像擷取裝置,不論是數位相機、數 位攝影機,或是可照像手機等等,決定影像品質的關鍵皆 • 在於各影像擷取裝置中所具有之影像感測器;目前主要的 影像感測器可分為感光搞合元件(Charge Coupled Device, ίο以下稱CCD)感測器,以及互補性氧化金屬半導體 (Complementary Metal-Oxide Semiconductor,以下稱 CMOS) 感測器二種,由於CMOS感測器具有省電、體積小,以及 價格相對較為低廉的優點,因此,即使CMOS感測器之影 像品質較差,仍然被大量地使用於光學滑鼠與可照像手機 15等消費性電子產品。 ⑩ 一般的CMOS影像感測器(9〇),如第四圖所示,感測 器(90)包含有一電路板(91),電路板(91)設有一感測晶片 (92),以及一環設於感測晶片(92)之承置座(93),承置座(93) 的頂部設有一鏡頭組(94),鏡頭組(94)包含有一鏡片(95)以 2〇及一定位座(96),承置座(93)内部具有一濾光板(97),濾光 板(97)係位於鏡頭組(94)與感測晶片(92)之間,當外界環境 的光線經由鏡頭組(94)之鏡片(95)射入承置座(93)内部時, 濾光板(97)可先過渡掉光線中的紅外線,防止射入光線中之 紅外線進入感測晶片(92),同時藉由鏡片(95)將光線成像於 4 1302630 【圖式簡單說明】 第一圖係本發明第一較佳實施例之剖視圖; 第二圖係本發明第二較佳實施例之剖視圖; 第三圖係本發明第三較佳實施例之剖視圖;以及 5 第四圖係習用影像感測器之示意圖。 【主要元件符號說明】 10影像感測器 20感測晶片 21光學感應層 22矽晶層 10 23結構層 24极乳樹醋 25導線 26焊接凸塊 30板體 31間隔件 32開口 40濾光層 41遮光層 42隔離區 43透光區 50鏡片 52頂面 54底面 15 60影像感測器 61感測晶片 62遮光層 63濾光層 64板體 65鏡片 66間隔件 67光學感應層 70影像感測器 68透光區 20 71遮光層 72透鏡 73透光區 7 4感測晶片 75光學感應層

Claims (1)

1302630
十、申請專利範圍: | / / 1·一種影像感測器,包含有·· 一感測晶片,該感測晶片具有一光學感應層; 一板體’該板體係呈透明狀,該板體之底面係設於該 光學感應層; 5 一濾光層,該濾光層係覆設於該板體之頂面; 一遮光層,該遮光層係覆設於該濾光層,且用以控制 光線通過之數量;以及 鏡片’该鏡片底面係設於該遮光層。 2·依據申睛專利範圍第1項所述之影像感測器,其中該 ίο感測晶片係為利用CSP(Chip Scale Package)方式製成之互 補性氧化金屬半導體晶片(c〇mplementary Metai_〇xide Semiconductor,CMOS)。
環氧樹酯(EPOXY)相互結合, 、3.依據申請專利範圍第1項所述之影像感測器,其中該 感測晶片具有相互堆疊之該光學感應層、—々晶層,以及 該矽晶層與該結構層之間藉由 ,且該光學感應層電性連接於 該結構層底面之若干焊接凸塊。 濾光層係用以過濾射入該鏡片内之紅:
’其中該
4·依據申請專利範圍第1 ’其中該 位於5亥隔離區中央之透光 ▲學感應層之位置。 〉诼墩測器,其中該 開口,該間隔件係 10 1302630 設於該感測晶片,使該感測晶片之光學感應層顯露於該開 σ 〇 • 7·依據申請專利範圍第1項所述之影像感測器,其中該 鏡片係為透明UV聚合材料經模製成形方式(uv Replication • Process)製成。 - U. 8 ·依據申請專利範圍第1項所述之影像感測器,其中該 鏡片具有一呈凸起狀之頂面,而該底面係呈平坦狀。 Φ 9·一種影像感測器,包含有: 一感測晶片,該感測晶片具有一光學感應層; 1〇 一間隔件,該間隔件具有一開口,該間隔件係設於該 感測晶片’使該感測晶片之光學感應層顯露於該開口; 一遮光層,該遮光層係覆設於該間隔件,且用以控制 光線通過之數量; 一濾光層,該濾光層係覆設於該遮光層; I5 —板體’該板體係呈透明狀,該板體之一侧面設於該 Φ 濾光層;以及 一鏡片,該鏡片係設於該板體之另一側面。 10·依據申請專利範圍第9項所述之影像感測器,其中 該感測晶片係為利用CSP(Chip Scale Package)方式製成之 20互補性氧化金屬半導體晶片(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)。 11·依據申請專利範圍第9項所述之影像感測器,其中 該感測晶片具有相互堆疊之該光學感應層、一石夕晶層,以 及一結構層;該光學感應層、該矽晶層與該結構層之間藉 11 1302630 由環氧樹酯(EPOXY)相互結合,且該光學感應層電性連接 於該結構層底面之若干焊接凸塊。 . I2·依據申請專利範圍第9項所述之影像感測器,其中 • 該濾光層係用以過濾射入該鏡片内之紅外線(IR)。 • 5 I3·依據申請專利範圍第9項所述之影像感測器,其中 该遮光層具有一隔離區,以及一位於該隔離區中央之透光 區,該透光區之位置對應於該光學感應層之位置。 • Μ·依據申請專利範圍第9項所述之影像感測器,其中 该鏡片係為透明UV聚合材料經模製成形方式⑴乂 ίο Replication Process)製成。 15·依據申請專利範圍第9項所述之影像感測器,其中 該鏡片具有一呈凸起狀之頂面,而該底面係呈平坦狀
12 :1302630 —j———、
補充 圖式: 10
第一圓 60
第二囷
TW094121693A 2005-06-28 2005-06-28 Image sensor TW200700895A (en)

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