TWI293634B - Photosensitive polymer having cyclic backbone and resist composition containing the same - Google Patents

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1293634 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明（I ) 本發明背景 1. 本發明領域 本發明係有關於一種化學倍增式光阻劑組成物，且更 特而言之係有關於一^種具有環狀主鍵之光敏性聚合物’及 由之得到且使用於ArF準分子雷射的光阻劑組成物。 2. 相關技藝之敘述 當半導體元件變得高度整合之時，在微影製程中便需 要形成精細圖案。更甚者，當半導體元件的容量增高至超 過1千兆兀時’則所要求之圖案大小爲具有低於 0.2微米之設計法則。因此，習用的光阻劑材料在使用KrF 準分子雷射(248毫微米)時即有所限制。於是在微影製程中 已著手發展可使用ArF準分子雷射(193毫微米)來顯影之新 光阻劑材料。 相較於習用的光阻劑，使用ArF準分子雷射進行微影 製程時所使用之光阻劑材料欲成爲商業用途時仍存有數種 困難。最典型的問題爲聚合物的透光度，及對乾式蝕刻之 阻抗性。 已廣泛地了解，（甲基)丙烯酸酯聚合物通常係在ArF 中做爲光阻劑材料。更特而言之，最典型的光阻劑材料爲 由IBM公司所製造之聚(異丁烯酸甲基酯-異丁烯酸三級丁 基酯-甲基丙烯酸）三元共聚物系統。然而，該等聚合物對 乾式蝕刻的阻抗性非常弱。 依此’爲增加乾式蝕刻的阻抗性，則使用具有主鏈之 水5物’該主鏈係由脂環化合物組成，例如異冰片基，金 3 本紙張尺度過用中_家標準（CNS)A4規格（210 X 2Q7公釐） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 1 111 — 1111 1293634 A7 B7 五、發明說明（>) 鋼烷基或三環癸基。然而，因此得到的光阻劑對乾式蝕刻 仍顯現出弱的阻抗性。 同時，因爲脂環化合物爲疏水性，即該脂環化合物係 包含在三元共聚物內，因此對底層之黏著性不佳。 爲解決上文中所述及的問題，已提出一種具下式之四 元共聚物，其中則導入羧酸基至聚合物之主鏈中。（參見J. Photopolym. Sci. Technol·，7(3)，507 (1994))。 f V A )m ( =0 y n t v =0 )P又 =0 /q =〇 CH3 Η

-------------— (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若光阻劑層得自於具有上述結構之聚合物時，其對底 層之黏著性仍極差。同時，通常使用於顯影之顯影溶液在 使用之前需先稀釋。 另者’目前已硏發出以下式代表，具有脂環保護基之 異丁烯酸酯共聚物(參見 J. Photopolym. Sci. Technol.，9(3) ，509 (1996)) 〇

〇 〇 :〇 〇

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· I I I I 1293634 A7 B7 五、發明說明（6 ) 若光阻劑層得自於具有上述結構之聚合物時’其對乾 式蝕刻仍具有差的阻抗性。同時，當線圖案由光阻劑層形 成時，可觀察到嚴重粗糙的線邊緣。同時，使用於製備該 共聚物之原料在製造費用上極高。特別地，爲了改良黏著 性性質，於之導入具有內酮基之單體。然而，單體花費過 高。因此，欲硏發一種新的單體來取代昂貴的單體，且可 商業使用地做爲光阻劑。 目前已硏發出另一種習用的聚合物，即以下式表示之 環烯-順丁烯二酸酐(COMA)交替聚合物(參見L Photopolym. Sci. TechnoL，12(3)，501 (1999))。 ------------Φ---- (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

R

· I I I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光阻劑若得自於具有上述結構之聚合物則具有差的解 析度，透射度，黏著性質和產率。同時，由於該主鏈的結 構性質，光阻劑層具有大約20CTC或更高的玻璃轉化溫度 。因此，在製程中使用該光阻劑層會造成數種問題。 本發明槪要 爲解決上述之問題，本發明之目的係提供一種光敏性 聚合物，其爲價廉且對乾式蝕刻具有足夠強的阻抗性，同 時對底層顯現出極優良的黏著性。 本發明的另一個目的爲提供一種光阻劑組成物，其在 使用ArF準分子雷射進行微影製程時可得到極優良的微影 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1293634 A7 B7 五、發明說明（IV ) 因此，爲達到上述的目的，本發明提供一種重量平均 分子量爲3,000-100,000且以下式表示之光敏性聚合物：

R

CH

c=〇 〇 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中R!爲氫原子或甲基，R2爲酸不穩定的三級烷基，和 m/(m+n)爲 0.5-0.8 〇 較佳者，該光敏性聚合物具有重量平均分子量爲 5,000-30,000。 同時，R2較佳爲脂環烴基，和R2更佳爲2-甲基-2-降 冰片基，2-乙基-2-降冰片基，2-甲基-2-異冰片基，2-乙基-2-異冰片基，8-甲基-8-三環[5.2丄02,6]癸基，8-乙基-8-三環 [5.2.1.02,6]癸基，2-甲基-2-金鋼烷基，或2-乙基-2-金鋼烷基 〇 依據本發明的另一個範圍，本發明提供一種包括光敏 性聚合物和光酸生成劑(PAG)之光阻劑組成物。 所含有之PAG重量較佳爲基於聚合物總重量之1·〇至 15%重量。 較佳者，PAG係選自包含三芳基銃鹽，二芳基碘鎗鹽 ，磺酸鹽或其等之混合物。更佳者，PAG爲三苯基三氟甲 6 ----- 訂----- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 1293634 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5 ) 烷磺酸毓，二苯基三氟甲烷磺酸嶼鎗，三苯基九氟甲烷磺 酸(nonaflate)銃，二苯基九氟甲烷礒酸碘鑰，三苯基銻酸銃 ，二苯基銻酸碘錄，二-第三丁基二苯基三氟甲烷磺酸碘鎗 ，N-丁二醯亞胺三氟甲烷磺酸鹽，2,6-二硝基苯甲基磺酸鹽 ，或其等之混合物。 光阻劑組成物可進一步包含有機鹼。較佳者，所含有 之有機鹼數量係基於聚合物總重量的0.01至2.0%重量。 該有機鹼較佳爲三乙胺，三異丁基胺，三辛基胺，二 羥乙基胺，三羥乙基胺或其等之混合物。 同時，光阻劑組成物可進一步包含界面活性劑。 該界面活性劑所含之數量較佳爲50至500 ppm。 較佳者，界面活性劑爲聚醚或聚磺酸鹽，及更佳者， 該界面活性劑爲聚（乙二醇）。 依據本發明，所得到含有光敏性聚合物的光阻劑組成 物係可相當地降低製造成本，且對底層具有極佳的黏著性 並對乾式蝕刻具有足夠高的阻抗性。同時，因爲該光敏性 聚合物具有適當的玻璃轉化溫度，由該聚合物製得之光阻 劑組成物使用在微影製程時可顯示出極優良的微影效果。 較i圭具體實施例的敘述 本發明之光敏性聚合物係以下列之式（1)表示： 〔式⑴〕 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） -------- IT---------_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1293634 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（b) P °γ°γ〇 -f^CH2—f」~L_ c=o

I 0

I r2 其中R!爲氫原子或甲基，R2爲對曝光期間所生成之酸爲 酸不穩定，特別地，爲三級烷基類型之飽和或不飽和化脂 環烴。R2的例子爲具有飽和脂環烴環之大體積三級院基， 例如2-甲基-2-降冰片基，2-乙基-2-降冰片基，2-甲基-2-異 冰片基，2-乙基-2-異冰片基，8-甲基-8-三環[5.2.1.02,6]癸基 ，8-乙基-8-三環[5.2丄02’6]癸基，2-甲基-2-金鋼烷基，及2-乙基-2-金鋼烷基。 光敏性聚合物是一種包括順丁烯二酸酐或（甲基)丙烯 酸酯單體的共聚物，且可調整個別單體的組成比率，使聚 合物含有所需要的性質，例如優良的黏著性和濕潤性。換 句話說，在上式中，m和η可依據所混合的個別單體的比 率而調整。較佳者，m/(m+n)等於0.5至0.8。 同時，爲了製備具有所需性質的聚合物，可進一步地 加入另外的（甲基)丙烯酸酯單體而形成三元共聚物。 該種光敏性聚合物係爲包括順丁烯二酸酐和（甲基)丙 烯酸酯單體之共聚物，其中之（甲基)丙烯酸酯單體爲具有 大體積之脂環保護基。該光敏性聚合物可使用順丁烯二酸 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公复) """""'^

____________--------tr--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _I A7 1293634 五、發明說明（Ί ) 酐單體來取代較昂貴的內酮單體，藉此大幅地降低製造成 本，而且解決使用習用（甲基)丙烯酸酯聚合物所遇到的問 題。因此，得自於此種光敏性聚合物之光阻劑組成物對底 層具有極優良的黏著性，且對乾式蝕刻具有極優良的阻抗 性。同時，相較於習用之COMA共聚物，其透光度可顯著 地提高且增加產率。 同時，本發明光敏性聚合物具有範圍在140至180°C 的適當玻璃轉化溫度。因此，使用本發明光敏性聚合物所 製備而得的光阻劑層在烘烤期間具有足夠高的回火效應， 藉此降低其自由體積。因此，即使在曝光後延遲（PED)， 仍可改良光阻劑層對阻抗環境氣圍的穩定性，因此得以改; 良微影效果。 實施例1 合成8-乙某-8-三環癸醇 將200毫升（1.0旲耳）乙基溴化鎂溶液溶解於乙醚中且 置入500毫升的三頸圓底燒瓶內，在室溫下利用滴定漏斗 緩緩滴加入溶解在乙醚中的30克(0.2莫耳）三環癸_8_嗣， 然後在迴流條件下反應大約12小時。 反應完成之後，將反應物倒至過量水中且使用HC1中 和。然後，粗產物使用乙醚萃取且使用MgSCU乾燥。接著 ，將溶劑蒸發出，及所需的產物利用管柱色層分析法由粗 產物中分離出（產率：65%)。 實施例2 合成丙烯酸8-乙基-8-三環癸某酯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297 ---------------I —. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ ϋ WTN · ϋ 1 n ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 1293634 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（？） 在實施例1中所合成出之18克（0.1莫耳）8-乙基-8-三環癸醇與11克（0.11莫耳）三乙胺溶解於200毫升無水 四氫呋喃（THF)，及在室溫下緩緩滴加入丙烯醯氯，然後 將反應物反應大約12小時。 反應完成之後，蒸發出過量之溶劑，且將反應物倒至 過量水中並使用HC1中和。然後，粗產物使用乙醚萃取且 使用MgS〇4乾燥。接著，將溶劑蒸發出，及所需的產物利 用管柱色層分析法由粗產物中分離出（產率：75%)。 實施例3 合成甲某丙烯酸L乙某-8-三環癸某酯 在實施例1中所合成出之18克（0.1莫耳）8-乙基-8-三環癸醇與11克（〇.1丨莫耳）三乙胺溶解於200毫升無水 THF中，及0.11莫耳之甲基丙烯醯氯以相似於實施例2之 方式反應。接著，所需的產物以相似於實施例2之方式分 離出（產率：75% )。 實施例4 合成丙烯酸8-甲某-8-三環癸基酯 以相似於實施例1的方式但使用甲基溴化鎂溶液合成 出8-乙基-8-三環癸醇，接著，分離而得之所需產物係利用 :相似於實施例2之方式但使用8-乙基-8-三環癸醇。 實施例5 合成丙烯酸2-田某-2-金鋼烷基酯 將17克（0.1莫耳）2-甲基-2-金鋼烷醇與11克（〇·11 莫耳）三乙胺溶解於250毫升無水THF中，及在室溫下緩 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ϋ «ϋ—y ϋ ϋ ϋ I I 1293634 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3) 緩滴加入10克（0.11莫耳）丙烯醯氯，然後將反應物反應 大約12小時。 反應完成之後，蒸發出過量之溶劑，且將反應物倒至 過量水中並使用HC1中和。然後，粗產物使用乙醚萃取且 使用MgSCu乾燥。接著，將溶劑蒸發出，及所需的產物利 用管柱色層分析法由粗產物中分離出（產率：75%)。 實施例6 合成甲某丙烯酸2-甲基-2-金鋼烷某酯 將17克（0.1莫耳）2-甲基-2-金鋼烷醇與11克（0.11 莫耳）三乙胺溶解於250毫升無水THF中，及在室溫下緩 緩滴加入0.11莫耳甲基丙烯醯氯，然後將反應物反應大約 12小時。 接著，所需的產物以相似於實施例5之方式分離出（ 產率：75% )。 實施例7 合成丙烯酸2-甲某-2-異冰片某酯 將溶解於乙醚中之0.2莫耳樟腦溶液在室溫下利用滴 定漏斗緩緩滴加入200毫升溶解在乙醚中的1.0莫耳甲基 鋰溶液，然後反應大約2小時，接著，在室溫下緩緩地加 入20克（〇·22莫耳）丙烯醯氯，之後將反應物在迴流條件 下反應大約12小時。 反應完成之後，將反應物倒至過量水中並使用H2SCU 中和。然後，粗產物使用乙醚萃取且使用MgSCu乾燥。接 著’將溶劑蒸發出，及所需的產物利用管柱色層分析法由 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) n n ϋ ϋ I .1 Lnf · ϋ ϋ ^ ι ϋ ϋ 1_1 1293634 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（f〇 ) 粗產物中分離出（產率·· 65%)。 實施例8 合成丙烯酸2-甲某-2-降冰片某酷 將溶解於乙醚中之0.2莫耳降樟腦溶液在室溫下利用 滴定漏斗緩緩滴加入200毫升溶解在乙醚中的1.0莫耳甲 基鋰溶液，然後反應大約2小時，接著，在室溫下緩緩地 加入20克（0.22莫耳）丙烯醯氯，之後將反應物在迴流條 件下反應大約12小時。 反應完成之後，所需的產物以相似於實施例7之方式 分離出（產率：65%)。 實施例9 合成共聚物

於實施例2中合成而得之7.03克（30毫莫耳）丙烯 酸8-乙基-8-三環癸基酯，5.88克（60毫莫耳）順丁烯二酸 酐和偶氮雙（異丁腈）（AIBN) (4莫耳％ )共同溶解於13 克之無水THF，使用氮氣體脫氣大約1小時。然後，反應 物在70°C下聚合大約24小時。 在聚合作用完成之後，反應物慢慢地滴加至過量之正 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 訂----- 1293634 A7 B7

五、發明說明（\U 己烷中而沈澱出，再次溶解於THF且在共溶劑中（正己烷 :異丙醇=1:1)再沈澱二次。然後，沈澱物在維持於5(TC 之真空烤箱中乾燥大約24個小時而得到所需的聚合物（產 率：70% )。 所得到產物之重量平均分子量（Mw)和多分散性分 別爲8,900和1.8。 實施例10 合成共聚物 於實施例3中合成而得之30毫莫耳甲基丙烯酸8-乙 基-8-三環癸基酯，60毫莫耳順丁烯二酸酐和AIBN (4莫 耳％ )共同溶解於15克之無水THF，及使用與實施例9相 同之方式進行聚合作用。 在聚合作用完成之後，使用與實施例9相同之方式得 到所需之聚合物（產率：65%)。 所得到產物之重量平均分子量（Mw)和多分散性分 別爲7,300和1.9。 實施例11 合成共聚物 於實施例4中合成而得之30毫莫耳丙嫌酸甲基 三環癸基酯，60毫莫耳順丁烯二酸酐和AIBn (4莫耳％ ) 共同溶解於15克之無水THF，及使用與實施例9相同之方 式進行聚合作用。 在聚合作用完成之後，使用與實施例9相同之方式得 到所需之聚合物（產率：70% )。 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293634 A7 ----------B7_______ 五、發明說明（f ) 所侍到產物之重量平均分子量（Mw)和多分散性分 別爲8,300和1.8。 實施例12 合成共聚物

於實施例5中合成而得之6.61克（30毫莫耳）丙烯 酸2-甲基-2-金鋼烷基酯，5.88克（60毫莫耳）順丁烯二酸 酐和AIBN (4莫耳％)共同溶解於12克之無水THF，及 使用氮氣體脫氣大約1小時。然後，反應物在7(rc下聚合 大約24小時。 在聚合作用完成之後，反應物慢慢地滴加至過量之正 己烷中而沈澱出，再次溶解於THF且在共溶劑中（正己烷 :異丙醇=1:〇再沈澱二次。然後，沈澱物在維持於5〇°C 之真空烤箱中乾燥大約24個小時而得到所需的聚合物（產 率：70% )。 所得到產物之重量平均分子量（Mw)和多分散性分 別爲9，100和1.8。 眚旆例13 合成共聚物 -·ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ H «ϋ 1^— 11 n ϋ I ^1 Blfli 一 ^ ϋ an ϋ 1 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1293634 A7 B7___ 五、發明說明（ή) 於實施例7中合成而得之30毫莫耳丙烯酸2-甲基-2-異冰片基酯，60毫莫耳順丁烯二酸酐和ΑΙΒΝ (4莫耳％ ) 共同溶解於13克之無水THF，及使用與實施例12相同之 方式進行聚合作用以得到聚合物（產率：70% )。 所得到產物之重量平均分子量（Mw)和多分散性分 別爲7,800和1.9。 實施例14 合成共聚物 於實施例8中合成而得之30毫莫耳丙烯酸2-甲基-2-降冰片基酯，60毫莫耳順丁烯二酸酐和AIBN (4莫耳％ ) 共同溶解於13克之無水THF，及使用與實施例12相同之 方式進行聚合作用以得到聚合物（產率：70%)。 所得到產物之重量平均分子量（Mw)和多分散性分 別爲8，100和1.9。 實施例15 合成三元共聚物 於實施例3中合成而得之35毫莫耳甲基丙烯酸8-甲 基_8-三環癸基酯，50毫莫耳順丁烯二酸酐，5毫莫耳甲基 丙烯酸和AIBN (4莫耳％ )共同溶解於15克之無水THF ，及使用與實施例12相同之方式進行聚合作用而得到以下 列式代表之三元共聚物（產率：70%)。 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------Ψ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1293634 A7 ------ B7__ 五、發明說明（A) 接著，利用由上述方法得到之光阻劑組成物，使用下 列步驟進行圖案化步驟。 製備一個在上面具有氧化矽薄膜之矽晶圓且使用六甲 基二矽氮烷（HMDS)處理。然後，光阻劑組成物在氧化 矽薄膜上塗覆大約〇·3至0.5微米之厚度。具有光阻劑組成 物塗覆在上面的晶圓在100至140°C下預烘烤60至120秒 ，然後使用例如DUV，E-光束或X光光源的光曝光。接著 在100至150°C下進行曝光後烘烤（peb) 60至120秒。 其後，所得產物使用2.38重量％之四甲基氫氧化銨（ TMAH)溶液顯影大約90秒。結果，氧化矽薄膜利用所得 到之光阻劑圖案做爲光罩，以預設的蝕刻氣體進行蝕刻， 、例如鹵素氣體或GFy氣體。接著，留存在矽晶圓上的光阻 劑圖案利用剝離劑移除而形成所需的氧化矽圖案。 接下來，將敘述使用與實施例16相同的方法製得之 光阻劑組成物來形成圖案的詳細實施例。 實施例16-1 將利用1.0克在實施例9中所合成出之聚合物，做爲 PAG之15毫克三苯基三氟甲烷磺酸銃（TPSOTf)及做爲 有機鹼之2毫克三異丁基胺製得之光阻劑組成物完全溶解 於8.0克之PGMEA，然後使用0.2微米的膜濾器過濾而得 到光阻劑組成物。所得到之光阻劑組成物塗覆在一個晶圓 上且厚度大約爲0.3微米。 其後，具有光阻劑組成物塗覆在上面的晶圓在130°C 下預烘烤90秒，且使用數値孔隙（ΝΑ)爲0·6及 爲0.7 17 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 3m. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. S4

   1 六、申請專利範圍 種重量平均分子量爲3,000-100,000且以下式 表示之光敏性聚合物：

   (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中R !爲氫原子或甲基，r2爲酸不穩定的三級烷基，以及 111/(111+11)爲0.5-0.8，且其中112爲2-甲基-2-異冰片基或2-乙基 -2-異冰片基。 2 ·根據申請專利範圍第1項之光敏性聚合物，其中 該光敏性聚合物具有重量平均分子量爲5,000-30,000。 3 · —種光阻劑組成物，其包含 ⑻重量平均分子量爲3,000-100,000且以下式表示之光敏性 ： ^ °V〇Y° ~f-CH2~C^- ( 1 1 )n I c=o I 〇 I r2 其中Ri爲氫原子或甲基，R2爲酸不穩定的三級烷基，以及 m/(m+n)爲0.5-0.8 ’且其中R 2爲2-甲基-2-異冰片基或2-乙某 適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1293634 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 -2-異冰片基；及 (b)光酸生成劑(PAG)。 4 ·根據申請專利範圍第3項之光阻劑組成物，其中 該光敏性聚合物具有重量平均分子量爲5,000-30,000。 5 ·根據申請專利範圍第3項之光阻劑組成物，其中 所含有之PAG重量爲基於聚合物總重量之L〇至丨5%重量 〇 6 ·根據申請專利範圍第5項之光阻劑組成物，其中 PAG係選自三芳基銃鹽、二芳基碘鎗鹽、磺酸鹽或其等之 混合物所組成之群組。 7 ·根據申請專利範圍第6項之光阻劑組成物，其中 PAG爲三苯基三氟甲烷磺酸銃，二苯基三氟甲烷磺酸碘鎗 ，三苯基九氟甲烷磺酸(nonaflate)銃，二苯基九氟甲烷磺酸 碘鑰，三苯基銻酸鏑，二苯基銻酸碘鎗，二-第三丁基二苯 基三氟甲院磺酸碘錄，N-丁二醯亞胺三氟甲院磺酸鹽，2,6-二硝基苯甲基磺酸鹽，或其等之混合物。 8 ·根據申請專利範圍第3項之光阻劑組成物，其中 進一步包含有機鹼。 9 ·根據申請專利範圍第8項之光阻劑組成物，其中 所含有之有機鹼數量係基於聚合物總重量的0.01至2.0% 重量。 10 ·根據申請專利範圍第9項之光阻劑組成物，其中 該有機鹼爲三乙胺，三異丁基胺，三辛基胺，二經乙基胺 ，三羥乙基胺或其等之混合物。 2 用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐〉 ~~~T"~" (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂： 1293634 - r5o C8 D8 六、申請專利範圍 11 ·根據申請專利範圍第3項之光阻劑組成物，其中 進一步包含界面活性劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 12 ·根據申請專利範圍第11項之光阻劑組成物，其 中該界面活性劑所含之數量爲50至500 ppm。 13 ·根據申請專利範圍第11項之光阻劑組成物，其 中界面活性劑爲聚醚或聚磺酸鹽。 14 ·根據申請專利範圍第13項之光阻劑組成物，其 中該界面活性劑爲聚（乙二醇）。 3 本紙張尺度適用中國國家檫準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)