TWI286787B - Lithography process - Google Patents

Description

1286787 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影製程。 【先前技術】 破衫製私係積體電路製程中極為重要之步驟，其對最 後完成之產品之良率影響極大。微影製程一般係利用光 源’利用光線透過具預先設計圖案之光罩，照射至塗佈有 光阻層之基板上，使光阻層發生光敏反應，再將基板浸入 顯影液中，以去除發生光敏反應之光阻層部分，進而暴露 出部分基板，形成與光罩上之圖案相應之圖案。 請參照第一圖，為一種先前技術微影製程之示意圖。 提供一基板100，其為長方體。於該基板10()上塗佈一光 阻層200，該步驟係採甩喷塗之方法，塗佈之光阻劑為有 機光阻劑材料。利用一光罩300，進行曝光步驟。該光罩 300係平行於該基板100設置，其具圖案部分32〇及透光 部分340。光源（圖未示）發出之光線（未標示）照射至 該光罩300，透過光罩300之透光部分340，照射至該基板 100上之光阻層200 ’受到光線照射之光阻劑部分220發生 光敏反應。 第二圖為該微影製程之經顯影步驟之基板侧視圖。將 經曝光步驟後之基板100浸入顯影液中，去除該光阻層 發生光敏反應之光阻劑部分220，進而於該光阻層2〇〇上 形成與该光罩300之透光部分340相對應即與光罩之 圖案部分320互補對應之溝槽240。 1286787 第三圖為該微影製程之原理圖。該光罩之厚度為Η

其係平行於該基板設置，光罩上之透光部分之寬产^ D 於光阻層上形成之溝槽之寬度為d。可見，該方法中，、> 罩上之透光部分之寬度D與光阻層上形成之溝槽之寬声^ 之大小相等。 ' 該微影製程可將光罩300上圖案部分32〇轉移至基板 100上，而於基板100上形成積體電路結構，然，於基板 100上形成特定結構，須於微影步驟後進行蝕刻步驟 刻步驟-般係採用化學溶液進行化學钱刻，而化學钱刻f 難控制精確度，往往會對基板100產生橫向钱刻，進= 得取終形成之半導體結構之大小與預先設計之透光部分之 大小存在較大誤差，如，在製造導光板網點時，該誤差可 達 30〜100%。 ' 口—有鏗於此，提供-種糾控獅鼓小之微影製 程貫為必要。 【發明内容】 本彳X明之目的在於提供—種較易控侧案大小之微影 本發明提供-種微影製程，其包括以下步驟··提供一 亥基板上塗佈—光阻層，·利用具預先設計圖案之 一進行曝光步驟’其中該光罩朝向該基板之表面與該基 八有光阻層之表面之間保持一夹角，該夾角大於零度且 小於度；進行顯影步驟，得到設計之圖案。 相較於先前技術，本發明之微影製程於曝光步驟中， 1286787 向該基板之表面與該基板具 保持-夾角，該夹角大於零度且 表面之間 透過光罩照射至光阻層 由^ ’以改變光線 制光阻層上形成圖案之大小，進=錢角之大小’可控 確之圖案。 ；光阻層上形成較為精 【實施方式】 本發明微影製程包括以下步驟 板上塗佈-光阻層；利用光罩進糾基板’㈣基 圖案轉移至該基板之光阻層，其中;光向=罩上之 聽該基板具有紐層之表面之間保持 於令度且小於18〇度；將基板浸 得到預先設計之結構。 板之表 該夹角大 入顯影液，進行顯影步 驟 請參照帛四圖，係树賴影餘之目 狀為長㈣料可轉他形狀。該基 板400之材料麵進行之製程岭，如若本發明 導=’則其材物，若係製作導光板之… 可為玻璃或翻之難㈣。於該基板_上形成一光阻 層5〇0，該步驟可採时塗之方法，當然，亦可旋塗等方 法。塗佈之光阻劑材料可為有機光阻劑材料。 利用-光罩600，對該光阻層5〇〇進行曝光步驟。該 光罩600具圖案部分62〇及透光部分_，其材料一般係 玻璃或透狀;^脂材料，圖案部分㈣係貼附金屬材料於 光罩600上而形成。傾斜該光罩_，使該光罩_朝向 該基板400之表面與該基板4〇〇具有光阻層之表面之間保 1286787 持一夾角，該夾角大於零度且小於180度。光源（圖未示） 發出之光線經由該光罩600，透過光罩600之透光部分 640，照射至該基板400之光阻層500，光阻層500上受到 照射之光阻劑部分520發生光敏反應。因該光罩6〇〇係傾 斜設置，即該光罩600朝向該基板4〇〇之表面與該基板4〇〇 具有光阻層之表面之間保持一夾角，該夾角大於零度且小 於180度’故该光阻層5〇〇發生光敏反應之光阻劑部分520 之大小較光罩600之透光部分小。 請參照第五圖，係經由顯影步驟後之基板示意圖。該 顯影步驟係將經曝光步驟後之基板400浸入顯影液中，以 去除曝光步财絲騎過而發生光敏反紅光阻劑部分 520,暴露出部分基板表面（未標示），進而於該光阻層· 形成預定之溝槽54G。隨後之_製程即係利用化學溶液， 對暴露出之部分基板表面進行化學綱，進而於基板4〇〇 上形成圖案（圖未示），去除剩餘光阻，即可得到預先設計 之半導體結構。 再知茶照第六圖，係本發明微影製程之原理示意圖。 ^光罩之厚度為Η，該光罩朝向該基板之表面與該基板具 光阻層之表面之間之夾角為α ’光單上之透光部分之寬 度為D，於光阻層上形成之對應圖案之寬度^。因本發明 罩係傾斜設置’故光阻層形成之溝槽之寬度」與 先罩之透光部分之寬度D大小不等。之關係為： d=Dcosa-Hsina 因D為預先設計之固定值， 藉由改變該夹角a大小 1286787 3可獲付射之d1t。該夾角《之大小範m較佳為,ι至2〇 度’最佳為2至10度。 ^發賴f彡製料，該鮮_柄縣板之表面與 ; 有級層之表面之間保持—夾角，該夾角大於零 於上80 *。藉由改變該夾角之大小，於光阻層500 墟^適0大小之溝槽54G，即使隨後糊步驟發生不精 t m，亦可藉調料角之大小，進秘基板上形 t較綠確度之敎結構。本發則卩係利賴影製程之 文進’以改善_製程所引發之技術缺陷。 綜上所述’本發明確已符合發明專利之要件，麦依法 提出專利申請。惟， 所^者料本發批較佳實施方 2本發明之_並不以上述實施例為限，舉凡熟習本案 士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆 應涵盍於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 第一圖為先前技術微影製程之曝光步驟示咅圖。 t圖為先前技術微影製程之經顯影步狀基板側視圖。 第二圖為先前技術微影製程之原理圖。 第四圖為本發明微影製程之曝光步驟示音圖。 h圖為本發雜影·之賴料=絲側視圖。 弟六圖為本發明微影製程之原理圖。 【主要組件符號說明】 基板 400 光卩且層 500 光阻劑部分520 溝措 540 1286787 光罩 600 圖案部分 /620 透光部分 640

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Claims (1)

1286787 十、申請專利範圍 '·—種微影製程’其包括以下步驟： / 提供一基板，· 與該基板上塗佈一光阻層，· 利用具預先設賴案之光罩 朝向該基板之表面與該Μι/“驟’其中該光罩 該夹角大於零度且小於⑽度/ 保 $丁顯影步驟，得到㈣設計之結構。 •如申請專利範圍第i項所述 板之材料為玻璃。 k之微衫製程’其中提供之基 3·如申請專利範圍第i項所述之制。 板之材料為透明樹脂材料。私’其中提供之基 4·如申請專利範圍第i項所 層係採用噴塗方法形成。t影製程，其中塗佈光阻 5·如申請專利範圍第1頊 層係採用旋塗方法形成。叹微影製程，其中塗佈光阻 擎 6.如申請專利範圍第1項所述之…制 阻層係有機光阻劑材料。 <微衫製程，其中塗佈之光 其中所使用之 其中所使用之 其中該夾角之 專利範圍第!項所 先罩為玻璃材料。 ^衣私 8.如申請專利範圍第^員 光罩為透明之樹脂材料/之微影製程 專利範圍第1項所述之微影fr 大小乾圍為1至20度。 衣私 其中該夾角之 1〇·如申請專利範圍第9項所述之微影製程 12 1286787 大小範圍為2至10度。 1286787 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第六圖。 (二) 本代表圖之組件符號簡單說明： 鉦 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：