TWI282871B - Optical coupler apparatus and methods having reduced geometry sensitivity - Google Patents

Description

1282871 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明的技術領域係關於光學耦合器，更明確地說， 係關於具有較小幾何敏感度的光學耦合器。 【先前技術】 光學耦合器係光學網路中的關鍵零組件。光學耦合器 係用以從一波導將信號傳送給其它波導及/或用以利用欲 於兩條不同的波導上傳送的預設功率比例將光學信號分離 ，兩個獨立的信號。最常見且被廣泛使用的光學耦合器係 「消散耦合器」。此等耦合器的優點為體積小且插入損失 低。 ' 圖1為先前技術之光學耦合器10的平面圖。於平面的 光學电路中，可藉由佈局具有個別輸入端18與2〇以及個 別輸出端22與24的兩條波導14與16，以便於一基板12 之上形成一傳統的消散光學耦合器10。波導14與16包括 被纖殼區40(「纖殼」）包圍的個別的纖核區34與36(「纖 核」）。耦合器1〇包括一直線區段46，其中波導14與Μ 係平行且相隔一小段距離△χ，該距離通常係數個微米的 大小。耦合器10於波導14與16中包括輸入區段5〇與輸 出區段52 ;以及彎曲區段60與62，以便在位於該等輸入 區段與輸出區段處的波導間提供隔離S1與S2。隔離S1與 S2以及彎曲區段6〇與62可使得僅於直線區段46中的波 導間發生光學耦合。 / 1282871 欠於光學麵合器1〇的作業中’光波70係被輸入复中 i卞该寺波導（例如波$ 14)中且被該 、 中的光學功率（功率）並不會 反導導引先波70 ㈢又限於波導纖核％之中， 延伸至週遭的纖殼40之中，該 係 II左# 千刀佈係k该纖核開私 k者距離呈現指數下降。該功率被稱為「消散尾或「:

散波」。可實際感測到該消」5 /V 距離於本文中則稱為「耗合距離」H3二相隔最大的 以及該纖殼40之間的折射率差以」及/距離與該纖核34 之函數。 斤射羊差以及该纖核34的橫向尺寸 =線區段46中，波導16係位於與波導“的輕合距 隹内’因而光學功率可透過光 _合至M ㈣散尾從波導14被 率^ 從波導U被輕合至波導Μ之中之功 '、小與傳導方向（也就是，Z方^7、从 關係。“向中固定距離處的:人力):距離成週期性函數 的「幾何參數」(也就曰：：率大小與該輕合器10 她 導"與16的分隔距離Μ以 係。 斤射率差△!〇成強烈的函數關 光學搞合器10的最重要的庙 離波導u盘16之門= 係牽涉到均等地分 中輪：：16之間的輸入光 >皮70’以便於輸出區段52 合==功率大小。這便係熟知的「議_ 係^^此仙合器便稱為「⑽輕合器」，但是不幸的 程戶2造真貫的_麵合器卻非常地困難’因為相合的 ，：用吊容易受到該輕合器的幾何參數的影響。舉例來說 的3dB光學|禺合器要求四個部份中的折射率差△ n 1282871 =介於數十至數千的料值之中， 的2%之内的功率分離 ί⑽耦口 格值的結果便係殘餘的功率=未=賴輕合設計規 降低該光學網路的效能。4產生串音效應，該效應係 【實施方式】

於本發明下面的詳细$ H 子、、、田况明中將參考構成本發明一份 的隨附圖式，而圖中所示的 、你用以貝現本發明的特定實 施例。該些實施例將作非奮 、 、 Μ料^細的㈣，以便讓熟習本技 術的人士能夠實現本發明的垂 Θ的灵轭例，而且應該瞭解的係， 亦可使用其它的實施例，並 卫1對其進仃變化，而不會脫離 本發明的範•。所以’了面的詳細說明並非為限制本發明 ’而且本發明的實施例的料僅由隨附的中請專利範圍來 界定。 圖2所示的係根據本發明之實施例的整合光學耦合器 1〇〇的平面圖。光學耦合器100係形成於基板1〇6之上。 圖3所示的係沿著圖2之光學耦合器之直線3_3所得 到的剖面圖。 現在參考圖2與3，光學耦合器丨〇〇係包括位於軸線 A1兩側的兩條主波導114與116。波導114與116具有個 別的輸入端118與120以及個別的輸出端122與ι24。波 導114與11 6還具有個別的外側126與128。波導π4與 Π6係包括被纖殼區140(「纖殼」）包圍的個別的纖核區 134與136(「纖核」）。嚴格地說，波導114與116係由纖 1282871 核134 * 136以及包圍每個纖核的一小部份纖殼丄4〇界定 而成。不過’為達解釋目的，吾人假設，實質上該等波導 下方的尺寸與形狀與該等波導纖核的尺寸與形狀相同。 於其中一示範實施例中，纖殼140係-被沉積於該基 板之上且包圍纖核區134與136的單層。於其中一示範實 施例中’纖殼140係-低折射率材料，例如對於155微米 波長具有1.445折射率的石夕的熱氧化物。於該示範實施例 中進-步可看出，纖核134與136係、由摻雜的二氧化石夕（例 如推雜錯的二氧化石夕）所形成的，其在1.55微米的波長處 具有1 · 4 5 5的折射率。 耦合器100包括一搞合區段146,其中主波導114與 11 6係平仃且中心至中心距離相隔△L，使得該等波導可 被消散耗合。最佳的距離ΔΧμ取決於數項參數，例如於該 等波導中移動的光的波長、該等纖核與纖殼的折射率、以 及該等波導的寬度。於一示範實施例中，Α介於“敬米 與8微米之間。消散麵合可讓於其中—波導⑴中被第一 光波250所載送的功率被傳輸至鄰近的第二波_ 116之中 ’以便以第：光波的型式於其中進行移動，如下面的 進一步討論般。 福合器’ 1〇。進一步包括位於耦合…46兩側的輸入 5G與輪出區段152。波導⑴與〗16中的彎曲段161 = 1163與164可於該輸入區段處的波導間提供隔離S3 =方'錢出區段處的波導間提供隔離S4。該等隔離％ ”可使得僅會於搞合區段146中的波導間發生光學麵合 1282871 。於一示範實施例中，部份的彎曲段162與1 63係内含於 耦合區段146之中。 摩禺合器100進一步包括側波導區段214與216，兩者 分別具有個別的纖核218與220。該等纖核係被纖殼140 所包圍。側波導區段214與21 6係位於耦合區段146内主 波導114與116之外側126與128的旁邊。側波導區段 214具有第一端222與第二端224，側波導區段216則具有 第一端2 2 6與第二端2 2 8。該等側波導區段與該等主波導 間相隔的中心至中心距離分別為△ Χι與△ I。於一示範實 施例中，δχ^δχ2。該等距離ΑΧ!與^心使得主波導114 可與側波導區段214產生消散耦合，而主波導11 β則可與 側波導區段216產生消散耦合。於一示範實施例中，Δχι 與△ X2介於3微米與6微米之間。 特別麥考圖3，於一示範實施例中，側波導區段2} 4 與216的平均寬度Ws小於主波導114與U6的平均寬度^ 。此處，採用平均寬度的原因係因為該等主波導以及該等 側波導區段的真正寬度係因為各種因素而略為地發生變化 ，例如用以製造光學耦合器100的製程的變異。於一示範 實施例中，用以製造光學耦合器100的製程與用以製造= 體電路的製程相同或雷同。眾所皆知的係，此等製程具有 數項可能略為變化的參數（例如曝光劑量、光阻敏感度' 光罩誤差、蝕刻敏感度、以及基板平整度等，僅列舉數項 )，從而導致裝置幾何參數偏離設計幾何參數。如下面的 詳細說明般，側波導區段214與216的用途係用以讓_ 1282871 合至該等主波導中其中—條或兩條外面的光學功率比較《 會受到該光學耦合器之幾何參數變化的影響。 - 再次參考圖2，於一示範實施例中，側波導區段214 的第鈿222與第二端224以及側波導區段21 6的第一端 226與第二端228皆係漸漸縮小。波導漸細形狀可藉由當 光與該漸細形狀交互作用時將其強制送入旁邊的波導之中 以便增強消散耦合效果。漸細波導端的進一步優點係最 小化散射損失。於一較佳的實施例中，該等漸細端可避免 舍生輛d也就疋’當光被麵合至該等波導的漸細端之中 修 或被搞合至該等波導的漸細端之外時，僅會發生最小的功 率損失甚至毫無損失。 於另一示範實施例中，側波導區段214的第一端222 與第二端224以及側波導區段216的第一端226與第二端 228皆係延伸至耦合區段146中的主波導的直線部之外， 亚且係隨著該等主波導的形狀進行彎曲。如此作法可延長 光從該等主波導被耦合至該等側波導區段的距離。 於一示範實施例中，光學耦合器j 00的作業方式如下 _ 。輪入光波250係於輸入端118處被輸入主波導114之中 。於一示範實施例中，光波250係由於輸入端118處甚至 更上游處被耦合至主波導】丨4的光源256所產生，如圖所 不。當輸入光波250抵達耦合區段146時，部份的輸入光 波250便會開始消散耦合至主波導116之中並且以光波 260的型式於其中移動，同時係有小部份的輸入光波gw 開如’肖散耦合至側波導區段214之中並且以光波264的型 10 1282871 式於其中移動。 另外’當光波250於主波導116之中移動時，部份的 光波係開始被消散耦合至側波導區段216之中並且以光波 268的型式於其中移動。於側波導區段214與216之中移 動的光波264與268係朝該耦合區段的兩側被耦合回到主 波導114與116之中，並且與光波25〇及26〇重新結合。 而後光波250及260便係於輸出端152處離開個別的波導 〇 從波導114被輸出的光係被排列在波導114之輸出區 段152處或者被排列在更下游處的光學偵測器28〇接收且 偵測。同樣地，從波導116被輸出的光係被排列在波導 U 6之輸出區段152處或者被排列在更下游處的光學偵測 ^ 82接收且仇測。於一示範實施例中，光學耦合器1⑽ 係被設計成3dB的耦合器，其中原來被輸入至主波^ ιΐ4 中之輸入光波250中的功率的50%係以光波26〇的型式被 叙合至主波導116之中。 於耦合區段146中被耦合至側波導區段214與216之 中的功率大小係隨著該等纖核與纖殼材#的折料變化及 二或該等纖核的寬度變化而增加或減少，總量對應於㈣ 合於主波f 114與116之間的功率。因該等波導之幾何表 數的^化（舉例來說，該等纖核與纖殼的折射率變化，以 及6亥寺波導纖核的寬度變化）而造成源自其中一條主波導 的輸出功率的總變化係分攤於另一條主波側 導區段之間。因此’輸入光波250中的功率可以比車^ 1282871 叉到该光學耦合1 Ο 0幾何參數中的變化的影響的比例被 均分於該等主波導114與116之間。 貫際上，可以與構成該等主波導丨丨4與丨丨6相同的製 程末構成側波導區段214與216。因此，因製程變化而導 致該等主波導之幾何參數的變化同樣會以對應的大小出現 在該等側波導區段中。此種作法可對因耦合器的幾何參數 不夠理想而造成被耦合於該等主波導之間的功率的任何不 均勻情形產生平衡的作用。 圖4所示的係根據本發明之實施例之採用兩個圖2之 光學耦合器的光學網路302的平面圖。如圖所示，馬赫藍 德干涉計（ΜΖΙ)裝置300係光學網路3〇2的一部份。光學網 路302包括一被耦合至光纖316之第一長度的其中一端的 光源310，其係於其另一端被耦合至主波導U4的輸入端 118。於一示.範實施例中，光源31〇包括一二極體雷射。光 學網路302進一步包括一於第一端處被耦合至主波導ιΐ4 之輸出端122的光纖322的第二長度，並且於其另一端被 耦合至光學偵測器330。此外，光學網路3〇2包括一於第 一端處被耦合至主波導116之輸出端124的光纖332的第 三長度，並且於其另一端被耦合至光學偵測器34〇。 波導114與116於耦合區段146Α與146β之間包括個 別的區段364與366。區段364與366係充當該干涉計的 管臂。耦合區段146Α與146Β各自包括一對側波導區段 214與216。如果在該等兩條管臂之間沒有相位差且如果耦 合器1〇(^與100Β係理想的3dB耦合器的話，則光學耦合 12 1282871 器100A便係將於波導114中移動的光波25〇中的 輕合至料116中’用以形成光波260。而後，…率 器薩便係將光波250中的剩餘功率麵合至波= 。另外，功率可被麵合至每個輕合器麵與咖中二 波導區段2U與216的裡面或外面。因此，原則上， 波250的型式被輸人至波導114的所有功率皆係於輸出端 124處以光波260的型式離開波導116。 而

如上面所述，當沒有側波導區段214與216時，如果 光學耦合器的幾何參數不同於理想的設計幾何參數的、 那麼將會對該等主波導U…16之間的消散麵合造成負 面的衫響。於慣用的馬赫藍德整合式光學干涉計中，其中 一種可能的結果係從波導114傳輸至波導116的功率便不 會70整，亚且會有部份的功率殘留在波導J μ之中。此時 ，於知出端122與124處被輸出的實際光學功率便係與理 想的設計幾何參數的預期（例如理想的）光學功率輸出不同

不理想的功率輸出便可能會於該光學網路中造成令人不 悅的串音現象。 不過’如上面所討論，係影響該等主波導之幾何參數 的製程變化同樣係影響光學耦合器100A與100B中的側波 導區段214與216。因此，被耦合至該等側波導區段的功 率的對應變化便可降低被耦合於該等主波導之間的功率的 總變化情形。因此，相較於在沒有該等第一與第二側波導 區段之情形下的輸出，該等側波導區段使得該MZI裝置 300可提供一較接近於預期（例如理想的設計）的光學功率 13 1282871 輸出的光學功率輪出。該等側波導區段亦可使得更容易製 造出可作業於特殊的設計規格（舉例來說，當所有的光學 功率原來皆於輸入端丨丨8處被輸入波導丨丨4之中時，至少 要有99%的輸出功率可從主波導116被輸出）内的mzi裝置 〇 極性敏感度也是遠距通訊系統中之光學組件與子系統（ 其包括光學耦合器）的一項重要的效能參數。入射至任何 ::網路之子系統上的光可能具有任意的極性，該極性係 隨者不同光源所發出的不同信號以及距離而改變。所以， 重要的係，光學效能能夠不會受到入射光之極性的影響。 、二就3dB的光學耦合器而言同樣成立。吾人熟知的係， 於違寺耗合器之輸出處被分割的功率係隨著極性而改變。 此種極性依賴性的主要原因係該等波導材料的雙折射所造 成的。於矽上矽的技術中，如果材料應力比較緊縮的話， 那麼相較力TE極性，TM極性的基本模式比較不侷限於纖 夕聖耦合裔、的分割極性依賴功率的典型值約為0 5一 〇. 7dB 〇 ” · 人。。沈相同的材料雙折射而言（〜5χ1()_4)，相較於慣用的躺 口為’光學耦合器100的極性依賴性少了 〇·3άβ。極性依 2 =減低的原因係因為該結構比較不會受到折射率變化的 =喜。當該等導引層的材料於TE模式與TM模式中具有不 同戶的折射率時’其對該等主波導以及側波導皆係發I作用 、就σ亥新型的麵合器而言，因極性變化而造成該等 〆V間的總耦合變化的程度會比較佳的係小。 14 1282871 該等圖式中所描繪的各種元件都僅係示意圖，而且並 未依比例縮放。部份的圖式可予以放大，π其它的圖式則 可、、佴到最]”亥等圖式希望能夠闡述本發明的各種實現方 式，讓熟習本技術的人士能夠瞭解且正確地實現。 應該強調的係，本文所提供的「發明摘要」符合3? C.F.R§ 1.72(b)’其規定「發明摘要」必須能夠讓讀者快 速地明白本技術揭示的特點與主旨。不過，應該瞭解的係 考X月摘要」並非係用以解釋或限制該等申請專利範 圍的範®壽或意義。 方；刖面的「實施方式」中，已經將各項特點歸納於單 -實施例中：以達到簡化該揭示_。不過，此種揭示 方法並不能被理解成已經反映出本發明所主張的實施例所 要求的特點多於每項中請專利範圍中已明確陳述的部份。 更確切地說’如下面的中請專利範圍所反映的，本發明的 要内谷並不及單一揭露實施例的所有特點。因此，必須 將y面的申請專利範圍併入「實施方式」之中，其中每項 申凊專利範圍本身皆依據一不同的較佳實施例。 刀雖然已經配合較佳的實施例來說明本發明，不過應該 瞭解的係’其並非限制本發明。相反地，吾人希望能夠涵 :如ik附申請專利範圍所定義的本發明之精神與範疇所包 含的所有替代例、修改例、以及等效例。 【圖式簡單說明】 圖1所示的係先前技術之整合光學耦合器的平面圖； 15 1282871 圖2 的平面圖 所不的係根據本發明之實施例的 σ光學耦合器 圖3所示的係沿著圖2之光學搞合 到的剖面圖；以及 Ί 所得 圖4所示的係根據本發明之實施例之採 光學耦合器的光學網路的平面圖。 、固圖2之 【元件符號說明】 10 光學耦合器 12 基板 14, 16 波導 18 波導14的輸入端 20 波導16的輸入端 22 波導14的輸出端 24 波導16的輸出端 34 波導14的纖核區 36 波導16的纖核區 40 纖殼區 46 直線區段 50 輸入區段 52 輸出區段 60, 62 波導14、16的彎曲區段 70 光波 100, 100Α， 100Β 整合光學耦合器

16 1282871 106 基板 114, 116 波導 118 波導114的輸入端 120 波導116的輸入端 122 波導114的輸出端 124 波導116的輸出端 126 波導114的外側 128 波導116的外側 134 波導114的纖核區 136 波導116的纖核區 140 纖殼區 146, 146A， 146B 摩馬合區段 150 輸入區段 152 輸出區段 161，162,163,164 彎曲段 214, 216 側波導區段 218 側波導區段214的纖核 220 側波導區段216的纖核 222 側波導區段214的第一端 224 側波導區段214的第二端 226 側波導區段216的第一端 228 側波導區段216的第二端 250 第一光波 256 光源

17 1282871 260 第二光波 264 光波 268 光波 280, 282 光學偵測器 300 馬赫藍德（Mach Zehnder)干涉計裝置 302 光學網路 310 光源 316,322,332 光纖 330, 340 光學偵測器 Ο 18

Claims (1)

1282871 「—™s- 拾、申請專利範圍：—〜一一 1. 一種光學躺合器裝置’其包括： 第一與第二主波導，其係形成一耦合區段，該耦人區 段的兩側各具有輸入區段與輸出區段，該第一與第二主波 導係於該耦合區段内實質上平行，且係相隔一個中心至中 心距離，以允許在該麵合區段内該第一與第二主波導之門 之消散柄合；以及 第一與第二側波導區段，其係位於該等第一與第二主 波導之個別外側旁邊的搞合區段之中，其可使得於今第 主波導與該第一側波導區段之間進行消散耦合以及於該第 二主波導與該第二側波導區段之間進行消散耗合。 2·如申請專利範圍第1項之光學耦合器裝置，其中該 等第一與第二側波導區段各具有第一與第二漸細端/、" 3·如申請專利範圍第1項之光學耦合器裝置，其中該 等第一與第二主波導的寬度為第一平均寬度，該等第一與 第二側波導區段的寬度為第二平均寬度，以及其中第一^ 均寬度大於第二平均寬度。 4. 如申請專利範圍帛丄項之光學耦合器裝置，其中該 等第-與第二主波導以及該等第一與第二侧波導區段各二 有-纖核’以及其中該等纖核係被一基板頂端的纖殼相 包圍。 5. 如申請專利範圍第4項之光學麵合器裝置，其中該 纖殼包括二氧化石夕，而該等纖核則各包括摻雜的二氧切 1282871 6.如申請專利範圍第1項之光學耦合器裝置，其中該 等第一與第二主波導係被排列成用以形成一馬赫藍德干涉 計0 7·如申請專利範圍第1項之光學耦合器裝置，其中該 耦合區段係當成一 3dB耦合器來運作。 8· —種光學耦合器裝置，其包括： 用以形成一耦合區段的第一與第二主波導，於該輕合 區段的兩側各具有輸入區段與輸出區段；以及 弟一與第二側波導區段，其係位於該搞合區段之中的 第一與第二主波導之個別外側的旁邊，其可使得於該第一 主波導與該第一側波導區段之間進行消散耦合以及於該第 二主波導與該第二側波導區段之間進行消散耦合；且 其中，該第一及第二主波導係具有第一平均寬度，該 第一與第二側波導區段係具有第二平均寬度，且其中，該 第一平均寬度大於該第二平均寬度。 9·如申凊專利範圍第8項之光學耦合器裝置，其中該 耦合區段可提供3dB的耦合。 10.如申請專利範圍第8項之光學輕合器裝置，其中該 等第一與第二侧波導區段各具有第一與第二漸細端。 11·如申請專利範圍第8項之光學耦合器裝置，進一步 包括-於該輸人區段處被光學搞合至該第一主波導的二極 體雷射。 第一與第二光學耦 12·種光學麵合器裝置，其包括： 由該等第一與第二主波導所構成的 20 128287i ，該等第一與第 一耦合區段的旁 一耦合區段之間 0裔，其具有個別的第一與第二耦合區段 〜光學耦合器可構成一馬赫藍德干涉計； 、一第一對側波導區段，其係位於該第 邊，用以提供該第一對側波導區段與該第 的消散耦合；以及 乐二則波導 ’用以提供該第二對側波導區段與該第二麵合區段之 的消散耦合。 13.如申請專利範圍第 進—步包括： 12項之光學耦合器裝置，其係

一光纖的第 第一光纖的 裝置，其係 二光纖的第 第二光纖的 三光纖的第 第三光纖的 裝置，其中 裝置，其中 〜一第一光纖，其具有第一與第二端，嗜第 :端係被搞合至該第一主波導的輪入端，：該 卑〜端則係被耦合至一光源。 14·如申請專利範圍第13項 ^ 、孓九學耦合器 礙〜步包括： 該第 而該 以及 該第 而該 一第二光纖，其具有第一與第二端 了端係被耦合至該第一主波導的輪出端 第二端則係被耦合至一第一光學偵剛器 一第三光纖，其具有第一與第二端 一端係被耦合至該第二主波導的輪出端 第二端則係被耦合至一第二光學偵剛器 15·如申請專利範圍第12項 — 、〈先學耦合5| 母個側波導區段皆具有第一與第二 σ /何細端。 16·如申請專利範圍第12項 、九學耦合器 21 1282871 該等側波導區段以及該等第 雜的二氧化石夕所構成的纖核 所構成的纖殼。 一與第二主波導各具有一由摻 ，以及一由未摻雜的二氧化矽 17·—種操作光學耦合器之方法，其包括·· 輪入第-光波至具有一輕合區段的光學耗合器的第 首將源自該第-光波的功率的第一部份輕合至第二主波 用以形成第二光波’並且將源自該第—光波的功率 :第二部份耦合至位於該耦合區段中之第一主波導旁邊的 弟一侧波導區段之中，用以形成第三光波； …將源自該第二光波的功率的一部份耦合至位於該耦合 區奴中之第二主波導旁邊的第二側波導區段之 成第四光波；以及 ^將源自δ亥等第二與第四光波的功率分別耦合回到該等 第一與第二主波導之中。 如申請專利範圍第丨7項之方法，其包括從該等第 共第一主波導之第一與第二輸出端中至少其中一端輸出 光0 1 9 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中從該等第三 與第四光波返回到該等第一與第二主波導的功率耦合包括 讓δ亥等第三與第四光波與該等第一與第二側波導的漸細端 進行交互作用。 20· —種製造光學耦合器之方法，其包括： 於一基板頂端形成相隔一個中心至中心距離之第一與 22 1282871 第二主波導，該基板係包含輸入及輸出區段之間之輕合區 段，使得該第一與第二主波導係於該耦合區段内實質上平 行，且該第一主波導係於該耦合區段内與該第二主波導消 散耦合；以及 形成第一與第二側波導區段，其係位於該等第一與第 一主波導之個別外側的旁邊，因而可使得該第一主波導與 該第一側波導區段產生消散耦合以及使得該第二主波導與 該第二側波導區段產生消散麵合。 21 ·如申請專利範圍第20項之方法，其包括利用相同 的製程來形成該等第一與第二主波導以及該等第一與第二 側波導區段’使得該等第一與第二側波導區段的幾何變化 可對應於該等第一與第二主波導中的幾何變化。 2 2 ·如申睛專利範圍第2 0項之方法，其包括形成該等 第一與第二側波導區段，使其平均寬度小於該等第一與第 二主波導的平均寬度。 23·如申請專利範圍第20項之方法，其包括藉由下面 的方式來形成該等第一與第二主波導··於第一與第二穆雜 的二氧化矽纖核附近形成未摻雜的二氧化矽纖殼。 24·如申請專利範圍第1項之光學麵合器裝置，其中 在該麵合區段内該第一與第二主波導之間之該中心至中心 距離係於4至8微米之間。 25·如申請專利範圍第1項之光學耦合器裝置，其中 該第一主波導係於該耦合區段内與該第一側波導區段 23 1282871 相隔一個3至6微米之間之中心至中心距離·且 森奏一主波導係於該輕合區段内與該麵合區段内之該 第二側波導區段相隔一個3篡6微米之間之中心至中心距 離。 26·如申請專利範圍第2〇項之方法，其包括於該耗合 區段内形成該第一與第二主波導之間相隔4至8微米之間 之該中心至中心距離。 27·如申請專利範圍第2〇項之方法，其係進_步包 括： 於該耦合區段内形成該第〆側波導區段與該第一主波 導之間相隔3至6微米之間之中心至中心距離；及 於该輕合區段内形成該第二侧波導區段與該第二主波 導之間相隔3至6微米之間之中心至中心距離。 拾壹、囷式： 如次頁。 24 1282871