TWI280437B - Thin film transistor array - Google Patents

Thin film transistor array Download PDF

Info

Publication number
TWI280437B
TWI280437B TW093122690A TW93122690A TWI280437B TW I280437 B TWI280437 B TW I280437B TW 093122690 A TW093122690 A TW 093122690A TW 93122690 A TW93122690 A TW 93122690A TW I280437 B TWI280437 B TW I280437B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
wiring
thin film
film transistor
transistor array
substrate
Prior art date
Application number
TW093122690A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200604633A (en
Inventor
Han-Chung Lai
Original Assignee
Au Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Au Optronics Corp filed Critical Au Optronics Corp
Priority to TW093122690A priority Critical patent/TWI280437B/zh
Priority to US10/904,476 priority patent/US7362390B2/en
Priority to JP2005000533A priority patent/JP2006039502A/ja
Publication of TW200604633A publication Critical patent/TW200604633A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI280437B publication Critical patent/TWI280437B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707—Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • G02F1/1393—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the birefringence of the liquid crystal being electrically controlled, e.g. ECB-, DAP-, HAN-, PI-LC cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

I28〇437 l368-4t\ tw〇 .doc/006 95-10-24 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種顯示柴f， T增加儲存電容的薄膜電晶體陣列。，&關於-種 【先前技術】 或顯逮進f，多半受惠於半導體元件 空間利用效率佳、低二功二高晝質、 t ΒΘΗ#^ B ag - . 猓輻射專優越特性之薄膜
Disp a! ；：^ Hlm Li^ ^stal SP1= TFT_LCD)已逐漸成為市場之主流。
溥膜電晶體液晶顯示器（TFT 陣列、彩_片和液晶層所構成體 是由多個陣列排列之薄膜電晶體:及與 ^應配置之晝素電極(pixel ele伽de)所組成。而薄膜‘ 體係用來作為液晶顯示單元的開關元件。此外，為： 個別的晝素單元，通常會經由掃描配線(_㈣與資^配 線(date㈣以選取特定之晝素，並藉由提供適當的操作帝 壓，以顯不對應此晝素之顯示資料。另外， : 極的部分區域通常會覆蓋於掃描配線或是共；配： (common Hne)上，以形成儲存電容(伽啡哪以㈣。習 知技術中’常見_存電容可區分為金屬層_絕緣層_ 層(MetaWn^or-Metd，Μ服)以及金屬層 '絕緣層， 化物層（Metal-Insulator_ITO，ΜΙΙ)兩種架構，以下將針 上述兩種架構之儲存電容結構進行詳細之說明。 謂侃 twfl .doc/〇〇6 95-10-24 ^圖1繪示為習知金屬層-絕緣層_金屬層(MIM)架構之 儲存電容的剖面示意圖。請參照圖1，在習知的晝素結樽 中’金屬層-絕緣層-金屬層(MIM)架構之儲存電容^sti^常 係藉由掃描配線或共用配線1〇〇與其上方之上電極12〇耦 成。而且，在金屬層_絕緣層_金屬層(MIM)架構之儲存 電f中，掃描配線或共用配線1〇〇與上電極12〇係藉由閘 極，緣層110彼此電性絕緣。此外，晝素電極140係藉由 保護層130中的接觸窗開口 132與上電極12〇電性連^。 圖2繪示為習知金屬層_絕緣層_銦錫氧化物層(Μ〗〗)架 構之儲存電容的剖面示意圖。請參照圖2，在習知的晝= =構二:金屬層-絕緣層_銦錫氧化物層(MII)架構之儲$電 容通常係藉由掃描配線或共用配線200與其上方之晝素^ 極=30耦合而成。與金屬層'絕緣層_金屬層(ΜΜ)架構; ^处在於，金屬層-絕緣層-銦錫氧化物層(ΜΙΙ)架構之儲存 電容中的掃描配線或共用配線·與晝素電極23〇 = 閘極絕緣層21G與保護層謂彼此電性絕緣。 9 i?erture rati0)AAIj] ^ 曰顧干车 方面’儲存電容Cst愈大則對液 電功能愈好。然而’在習知液晶顯示器的晝 二、二t ’右以增加共用配線之面積的方式來增加儲存带 口韋的卜低此晝素結構的開轉。若要在不影響開 存電容值Cst，則必須縮減閉極絕： 的厚度，但若縮減閘極絕緣層冰 一°的厚度，則有可能使得薄膜電晶體的元件 I28〇4H.d。。舰 95-10-24 信賴性(reliability)下降。 “另外，製程的缺陷或其他因素可能使得粒子（partide) =閘極絕緣層及/或倾層中或㈣極絕緣層及/或保護 ^，而導致電咖（leakage) _。如， 示異常，而使得顯示品質不佳。 可本士明的目的就是提供一種薄膜電晶體陣列’ 開口i二而^致電容茂漏的問題，並且在不影響 以提高液晶=之信賴性的前提下增加儲存電容， 以及液晶層構成一 陣:中其係與彩色濾光片 ，多個_起物及 ;减板、多條掃描配線、多條資料配線:= 电曰曰體、多個畫素電細 物 位於這些晝素區域其中c 一個晝素電極均係 配線以及資料配線來 =電晶體係藉由掃描 電晶體電性連接。每二：晝，則係與對應之薄膜 線之間，特別的日〆!! 線均位於二相鄰之掃插配 δ己線，母一條共用配線係具有多個第八-母畫素電極至少覆蓋二口::分支 “―分植_部份地载至這魏向^物及且 128041 n.doc/〇〇6 95-10.24 或第一狹缝其中之一。 依照本發明之實施例所述，此薄膜 多個上電極，這些上電極係配置在共用配:二：電^括 ?二且气―i電極係與對應之晝素電接電性^。此之 車父佳貫施例中，每一條共用配線 a ， 主西？綠，κ、丄α» » 尺匕括有多個弟二分 支配線，而這些弟二分支配線係鄰近於 刀 且例如是對應於彩色濾光片的黑矩陣外°°二一，’ 1配t—個晝素電極例如是具有多個第二狹缝，： 支配線例如是避開這些第二狭缝而設置。 刀 依照本發明之實施例所述，此薄 -閘極絕緣層，配以㈣卜、，心日體_更包括 用配Μ亚且覆蓋住掃描配線、此 -ν'1!及其分支。此外，此薄膜 曰触击 -、 層，其例如是覆蓋住資料配線以及U極。,更匕括有保護 存電由共用配線的分支來增加液晶面板中的鍺 使纩丨政 板具有較佳的顯示品質。如此-來，: 吏'、'佰小共用配線之面積，也蕤 a p 間的電容絲v ^ 由77支線與晝素電極之 此本發明可降j配線之面積所減少的電容。因 漏的機率。_ s素電極與共用配線之間發生電容淹 易懂料目的、賴㈣職更明顯 明如下。.们6例’並配合所_式，作詳細說 【貧施方式】 本表⑽藉由具有分支的共用配線來增加儲存電容， [wfl.doc/006 95-10>24 而且些共用配線的分支侧應於晝素區域内 差$部位’目此可則、對晝素結制時的影響。以;: 舉^施例朗本發gg，但其並㈣以限定本發明，孰羽心 技蟄者可健、本發明之精神對下述實施例做適當1此 惟其仍屬於本發明之範圍内。 ^ ， 圖3繪不為本發明一較佳實施例的一種薄膜電晶释 列之部分上視示意圖，而圖4繪示為依圖3所繪示 ，晶體陣列所構成之多域垂直配向液晶顯示面板的分二示 意圖，如圖4所示，薄膜電晶體陣列302適於與一彩色^ 光片304以及液晶層3〇6構成多域垂直配向(Multi_DQma^
Vertical Alignment，MVA)液晶顯示面板300。其中，彩色 濾光片304主要是由多個彩色濾光薄膜3〇8、黑矩陣 matrix)310以及共用電極319所構成，且共用電極319上 配置有配向凸起物及/或第一狹缝（未緣示於圖4中，另於 後續說明中以圖式示之）。液晶層306則係由多個液晶分 子（未繪示）所構成。 請參照圖3,薄膜電晶體陣列302主要是由基板312、 多條知描配線314、多條資料配線316、多個薄膜電晶體 318、多個晝素電極320以及多條共用配線322所構成。其 中，資料配線316與掃描配線314係配置在基板312上， 並將基板312區分為多個晝素區域326。薄膜電晶體318 與晝素電極320均位於晝素區域326内，且薄膜電晶體318 係藉由掃描配線314以及資料配線316來驅動，而晝素電 極320則係與對應之薄膜電晶體318電性連接。其中，晝 i?o84twfl .doc/〇〇6 95-10-24 素電極320的材質例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide， ι=)、銦鋅氧化物(Indium Zine 〇xide，izq)或*其他透明 ‘包材貝。特別的是，薄膜電晶體陣列302中的晝素電極 320上例如是形成有多個第二狹缝34〇 (如圖3及圖$所 示）以便於改變此處之電場，進而改變配置在鄰近第二 狹缝340的液晶分子3〇7之傾倒方向，以增加顯示面板之 可視範圍。 睛繼續參照圖3，共用配線322係配置在基板312上， 而共用配線322的材質例如是金屬材質。特別的是，每一 條共用配線322均具有多條第一分支配線322a，係用以增 =儲存電容，且每一個晝素電極32〇至少覆蓋住一條第一 分支配線322a，而這些第一分支配線322a係配置在晝素 區域326内發光效率較差之處，以避免影響此晝素的開口 率。如圖6及圖7所示，彩色濾光片3〇4之共用電極319 上係配置有配向凸起物332及/或第一狹缝35〇，而本實施 例之第一分支配線322a例如是對應於彩色濾光片；3〇4上之 配向凸起物332 (如圖6所示）或第一狹缝350 (如圖7 所示）。當然，第一分支配線322a也可以是一部份對應於 配向凸起物332,而另一部份則對應於第一狹縫35〇，熟習 此技藝者可以依據圖6及圖7而瞭解此種配置方式，此處 將不再另行緣製圖式。 此外，在多域垂直配向液晶顯示面板3〇〇中，還可以 將共用配線322的面積設計為小於習知薄膜電晶體陣列中 之共用配線（如圖1所繪示之共用配線1〇〇)的面積，以 10 丨 c/006 95-10-24 減少儲存電各Cst因受到粒子污染而產生電容洩漏之現象 的機率。 另外，請再參照圖3，在本實施例中還可以在晝素電 極320與共用配線322之間配置上電極324。上電極324 與資料配線316係可在同一製程中製作完成，而用以覆蓋 住資料配線316的保護層321亦會覆蓋住上電極324，而 晝素電極320係藉由保護層321中的接觸窗開口 325而與 上電極324電性連接（如圖8所示），所以共用配線、 保護層321以及上電極324即構成金屬層_絕緣層_金屬層 (MIM)之架構的儲存電容Cst。此外，倘若上電極324未覆 蓋住第一为支配線322a，則第一分支配線322a係與保護 層321、閘極絕緣層323以及晝素電極32〇構成金屬層_絕 緣層-銦錫氧化物(MII)之架構的儲存電容cst (如圖9所 示）。另外，倘若上電極324亦覆蓋住第一分支配線322a， 則第一分支配線322a係與保護層321以及上電極324構成 如圖8所繪示之金屬層-絕緣層_金屬層（河114)架構的儲存 電容。 除此之外，在本發明之其他實施例中，每一條共用配 線322還可以具有多條第二分支配線322b，而這些第二分 支配線322b亦是配置在晝素區域326内發光效率較差之 處，其例如是配置在畫素區域326的邊緣，如圖10所示， 第二分支配線322b可全部或部分設置於晝素電極326内， 也可以配置於對應至彩色濾光片304之黑矩陣310之處， 如圖11所示。 1280紐 fl.doc/006 95-10-24 ^特別值得注意的是，本發明並不限定共用配線322之 第一分支配線322a以及第二分支配線322b的圖案，如圖 =至圖19所不，第—分支配線322&或第二分支配線32沘 ，可以以其他圖案配置。而且，第一分支配線322a或第二 分支配線322b例如是避開第二狹缝34〇而設置（如圖15 至圖17所示）。 甘一、.不上所述，本發明係藉由共用配線的分支來增加液晶 f不面板巾的儲存電容，進而使面板具有較佳的顯示品 ' 來即使&小共用配線的面積，也可藉由增加 分支配線來補償因縮小共用配線之面積所減少的電容。因 此本發明可縮小共用配線的面積，以降低產生儲存電容浅 3機率。值提的是，當本發明之制配線在分支配 =發生電容域的現象時，可藉由修補製程而將產生電 谷沒漏的分支配線切斷，以便於提高液晶面板的生產良率。 本發明的較佳實施例中，共用配線的分支配 面板之晝素區域内發光效率較差的地方，因 區域内的分支配線並不會對晝素的開口率造 下提二。換言之’本發明可在不影響開時的情況 有^=的儲存電容，因此本發明之液晶面板可同時具 ίΙΐΓ儲存電容，進而提高液晶面板之效能。、 限以 較佳實施例揭露如上，然其並非用以 :=丄可熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 ’虽可作些許之更動與潤飾’因此本發明之保罐 粑圍虽視後附之申請專利範圍所界定者為準。’、°又 12 I28044Z twfl .doc/006 95-10-24 【圖式簡單說明】 =繪示為習知金屬層'絕緣層.金屬 储存電容的剖面示意圖。 、 」卞· 1^2為習知金屬層·絕緣層·_氧化物層_)架 冓之储存龟谷的剖面示意圖。 圖3繪示為本發明一較佳實施例的一種_ 列的上視示意圖。 種她電晶體陣 圖情示為由圖3所繪示之薄膜電晶體陣列所構成之 夕或垂直配向液晶顯示面板的分解示意圖。 域垂4所繪示之薄膜電晶體陣列所構成之多 〇 〇刀別知示為圖4所續^示之薄膜带曰麵$丨 所構成之多域垂直配向液晶顯示面板曰曰脰陣列 不同實施例中的剖面示意圖。板"圖3中之咖線在 圖8 !會示為本發明之薄膜電晶體陣列 緣層-金屬層(ΜΙΜ)架構之儲存電容的剖面示i屬層'、、巴 圖9 !會示為本發明之薄膜電晶體 、 緣層雀錫氧化物層_架構之儲存電容= -絕 圖U)繪示為本發明d實施例巾^^曰圖° 列的上視示意圖。 7馭包日日體陣 圖11繪示為圖10中沿ΙΠ-ΙΙΙ，線的剖面示音 圖至圖19分別繪示為本發明之其:圖。 膜電晶體陣列。 /、貝靶例中的薄 【主要元件符號說明】 1280侃化 doc/006 95-10-24 100、200、322 :共用配線 110、200、323 :閘極絕緣層 120、324 :上電極 130、220、321 :保護層 132、325 :接觸窗開口 140、230、320 ··晝素電極 300 ·液晶面板 304 :彩色濾光片
306 ··液晶層 307 :液晶分子 308 :彩色濾光膜 310 :黑矩陣 312 :基板
314 :掃描配線 316 :資料配線 319 :共用電極 318 ··薄膜電晶體 322 :共用配線 322a :第一分支配線 322b ··第二分支配線 326 :晝素區域 332 :配向凸起物 340 ··第二狹缝 350 ··第一狹缝 14

Claims (1)

  1. 年 liwfl.. dae/O66** : 月曰修(更)正本 95-10-24 十、申請專利範圍： 、h一種薄膜電晶體陣列，適於與一彩色濾光片以及一 液晶層構成一液晶顯示面板，且該彩色濾光片上係配置有 多數個配向凸起物及/或多數個第-狹缝，該薄膜電晶體陣 列包括： f 一基板； 夕數條掃描配線，配置於該基板上； 多數，資料配線，配置於該基板上，其中該些掃描配 ^與该些轉配線係將該基板區分為多數個晝素區域； 多數個相電㈣，配置於該絲上，且每-該些键 ，體係位於該些畫素區域其中之-内，其中該些薄： 笔晶體係藉由該些掃描配線以及該些資料配線驅動Γ 、 多數個晝素電極，配置於該基板上，且每一該些 i才些晝素區域其中之—内，以與對應之該些薄 日日體其中之一電性連接；以及 多數條共舰線，配置於縣板上，且每此 ，係位於二相鄰之該 2用= 每-該些畫 叉配線其中之一，而母一該些第一八 :己線至少有一部分係對應於該些配向二 或多數個第-狹缝其中之―。 之及/ 自杯2^請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列，更 電極，其中每—該些上電_位於該此書丰 毛極與該些共用配線之間，且每-該些上電極之部； 15 12804¾ 4twfl .doc/006 95-10-24 係與該些晝素電極其中之一電性連接。 3. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列，其 中每一該些共用、配線更包括至少一第二分支配線，且該些 第二分支配線係鄰近於該些晝素區域之邊緣。 4. 如申請專利範圍第3項所述之薄膜電晶體陣列，其 中該些第二分支配線係對應於該彩色濾光片之多數個黑矩 陣設置。 5. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列，更 包括一閘極絕緣層，配置於該基板上，並覆蓋住該些共用 配線。 6. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列，更 包括一保護層，配置於該基板上，並覆蓋住該些資料配線。 7. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜電晶體陣列，其 中該些晝素電極具有至少一第二狹缝。 8. 如申請專利範圍第7項所述之薄膜電晶體陣列，其 中該些第一分支配線係避開該第二狹缝設置。
    16 X2 8 .doc/006 95-10-24 七、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：圖（6)。 (二) 本代表圖之元件符號簡早說明·· 300 ·多域垂直配向液晶顯不面板 302 :薄膜電晶體陣列 304 :彩色濾光片 306 :液晶層 307 :液晶分子 312 :基板 319 :共用電極 320 :晝素電極 321 :保護層 322a :第一分支配線 323 :閘極絕緣層 332 :配向凸起物 340 ··第二狹缝 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式： 無
TW093122690A 2004-07-29 2004-07-29 Thin film transistor array TWI280437B (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW093122690A TWI280437B (en) 2004-07-29 2004-07-29 Thin film transistor array
US10/904,476 US7362390B2 (en) 2004-07-29 2004-11-12 Liquid crystal display panel and thin film transistor array
JP2005000533A JP2006039502A (ja) 2004-07-29 2005-01-05 液晶デイスプレイパネル、薄膜トランジスタ列、およびキャパシタ構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW093122690A TWI280437B (en) 2004-07-29 2004-07-29 Thin film transistor array

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200604633A TW200604633A (en) 2006-02-01
TWI280437B true TWI280437B (en) 2007-05-01

Family

ID=35731705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW093122690A TWI280437B (en) 2004-07-29 2004-07-29 Thin film transistor array

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7362390B2 (zh)
JP (1) JP2006039502A (zh)
TW (1) TWI280437B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070046877A1 (en) * 2005-08-25 2007-03-01 Chen-Chi Lin Multi-domain vertical alignment liquid crystal display panel and thin film transistor array thereof
KR101231867B1 (ko) * 2006-02-23 2013-02-08 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
US20070236638A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-11 Chuang-Feng Wu Pixel structure, active device array substrate and liquid crystal display panel thereof
KR100996536B1 (ko) * 2006-06-23 2010-11-24 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 광센서 회로 및 이를 이용한 백라이트제어장치
US20080013025A1 (en) * 2006-07-11 2008-01-17 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Multi-domain horizontal alignment liquid crystal display panel
KR101454020B1 (ko) * 2006-10-31 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
JP5307230B2 (ja) * 2009-04-03 2013-10-02 シャープ株式会社 液晶表示装置
TWI560889B (en) * 2015-04-22 2016-12-01 Au Optronics Corp Pixel structure and display panel

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100312753B1 (ko) * 1998-10-13 2002-04-06 윤종용 광시야각액정표시장치
JP4468529B2 (ja) * 1999-07-09 2010-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR100635940B1 (ko) * 1999-10-29 2006-10-18 삼성전자주식회사 수직 배향형 액정 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006039502A (ja) 2006-02-09
TW200604633A (en) 2006-02-01
US20060023136A1 (en) 2006-02-02
US7362390B2 (en) 2008-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104166278B (zh) 像素阵列基板
US7636144B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
CN102236229B (zh) 用于面内切换模式液晶显示装置的阵列基板
US20160342048A1 (en) Thin film transistor array substrate, liquid crystal panel and liquid crystal display device
WO2017065097A1 (ja) 走査アンテナおよびその製造方法
TWI325514B (en) Liquid crystal display and tft substrate therefor
US8593592B2 (en) Polarizer and liquid crystal display device having the same
TWI418904B (zh) 畫素結構及具有此畫素結構之顯示面板
TW200532337A (en) Liquid crystal display device
WO2013044783A1 (zh) 阵列基板及其制备方法和显示装置
WO2013060222A1 (zh) 显示器件的阵列基板、彩膜基板及其制备方法
CN111965908A (zh) 一种阵列基板和显示装置
US20060157705A1 (en) Thin film transistor array panel
TW495626B (en) Electrode structure for a wide viewing angle liquid crystal display
US20150380434A1 (en) Array substrate and a display device
CN114068590B (zh) 阵列基板以及显示面板
TW594305B (en) IPS-LCD device with a color filter formed on an array substrate
TWI280437B (en) Thin film transistor array
TW544942B (en) Thin film transistor array substrate
WO2014161258A1 (zh) 阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
US10031378B2 (en) Array substrate, display panel and display device
US9625769B2 (en) Liquid crystal display including protruding auxiliary wires corresponding to spacer
TWM432061U (en) Pixel array substrate
CN104516160A (zh) 透明显示装置及其制造方法
CN101236933B (zh) 显示面板及其方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees