TWI279552B - Test method of embedded capacitor and test system thereof - Google Patents

Description

1279552 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 — 本發明係關於一種内藏電容元件的測試方法，特別是一種内 i ，電容元件的測試方法及其測試系統，用以測定基板架構中之内 ，電容性元件的電性規格，以避免不符規格的基板結構進入後續 製程。 、 【先前技術】

電子產品在高功能和高速化的趨勢下，因此須在半導體 件上整合各種被動元件（passivec〇mp〇nent)，例如··電阻元件, 電容ΐ件及_元件等，以提升或穩定電子產品的電性功能。 β Ik著電子產^朝向高功能性與小尺寸的發展趨勢 豐層（laninaticm)技術也就必須具備厚度薄、多層數盥高宓箄 =點。因此，為了能在有限的基板面積中，創造出更“ =模組的多功性，於是便發展出内藏有電阻 “二 元件，並提高整體元件性能。 〜間“構主動 路夷餘元件、f容元件、電航件等树，在製作電 減少基板上的焊點與被動元件的數目了 合未來電子產品的基板製作需求。_电路的衣作成本，進而符 :、、、:而，有機基板材料可能會因為製程變|j e U 性，而造成介電層的電氣特性不穩定針斗不均勾 頻材料的特性，必須在製作過程中精確掌握元件與高 ^期，必彡跡細量__介電值 α此;^材料開發 甚至是介相變轉·，_免 &^度、麵粗糙度、 1279552 本 成1容性基板結構10，如美國專利萄f片16依序相疊，以形 ，挪方法中’只能逐—對每」 杜55,655號，示。於習 得到其電氣特性。並且，針對此=進行仔細量測，才能 係為内藏式，因此於量測上 ，其電容性元件 接點與設置於絲_表__=容性树的量測 =墊進行量測。然而，此方式於大目以透過 耗費時間。再者，於此為了進行量 j上相虽十为複雜且 的_容易破壞整體的電路特性。、須晋加走線，而此增加 由此可知，目前針對於量測 辜的量測方法。在傳統上，由於進 直種有效 勢必會破壞電氣特性，因此在進測試墊，其 仃兩次製作，以微調每次製程的變里。h t至少都會進 非僅單純_爾峨（Gpen/s]Jtes^=37格（而 相關人員致力研究之項目。 妁方法，仍疋此領域之 【發明内容】 鑒於以上的問題，本發明的主要目的 元件的測試方法及翻試_，細顧騎藏電容 方法複雜且耗時的問題。 技術所揭路之測試 因此，為達上述目的，本發明所揭露之 办一 5法，用以測試具有内藏電容元件之基板結試 電容元件_何尺寸；根據基板結構自步f: 件祕麥數與幾何尺寸的關係數值及標準f 1279552 L t ί幾何尺寸的關健值計算_電容元件的電氣參 電氣參數和電氣參數據以得到一誤差值；以及確認 决巧得知基板結構是否符合所設定的電性規格。 件的^^藏電容元件的幾何尺寸的量測可為量助藏電容元 容俏盘二二然後根據基板結構的種類從模型資料庫中取得電 係數值及標準電容值，接著利用測得之-合 ϊ 彳列公式計算内藏電容元件的電容 老Η的维墓=于田电今值舁取传之標準電容值相比較，以得到二 以得否於合理範圍内， 容元件的電容二:代表内藏電 後在計算内藏電容元件的^值=值，然 —此外’内職電容元件的幾何尺寸的 合值” 几件的搞合面積和内藏電容元件的厚戶，秋:、'，'、里測内藏電容 種類從模型資料庫令取得電容值^ 根據基板結構的 標準電容值，接著_測得之㉟合面二^f數值及 電容值與取得之標準電容值相比較各Ϊ ’再將計算得之 後，再藉由判斷此誤差值是否於 〗^—者間的誤差值’最 是否符合所設定的電性規格。σ a内，以得知此基板結構 A=£2xf —於此，A係代表内藏電容元件 容讀的電容值’ d係代表峨電容元件C係代表内藏電 ^ 而^即代表電 1279552 容值、叙合面積和厚度的關係數值。 後在B挪容值值一 内藏電ί元的幾何尺寸的量測可藉由照：來取得 構而ίί。’ΪΓ貧料f中之各項資訊可透過預先量測桿準美拓处 以標準製程製作出具有内藏電容元 板4 ’然後！測此内藏電容元件 ^件之“準基 ίϊ尺以f電氣參數與幾何尺寸的二ΐ;;ί ，數^幾何尺寸和關係數值，藉以建立模型^㈣ 本备明更揭露-種内藏電容元件勺技 模組、影像分析單元、模型資料庫、千^統包括.影像操取 模組和判定模組。於此，影像擷取模組==^^组、比較 影像分析單福砂浦料妓絲得影像； 尺寸（例如：喊電容元件_合_與^幾何 及標準電氣參數，·運算模組係用以_得到=2 、σ取知之關係數值來計算出域電容數、σ 如：内藏電容元件的電容值）；比較模組用 = 誤差值；最後，即可 猎以產生表示基板結構是否符合所設定的電性規格 再者，判定模組係根據一合理範圍來判斷誤差值，立 差=合理棚_，產生之欺結果即代表基板是= 設疋的概麟，反之，當誤差料在合理範_ I279552 判定結果職代表基板結構不符合所奴的電性規格。 此外，還可透過輸出介面將判定結果輸出，藉以使後續製程 :籍以避免不符規格的基板結構進人後續製程，進而避免資源浪 其中，於模型資料庫中具有預先建立好各種類型之標準基板 各項茶數（包括：標準電氣參數、標準幾何尺寸以及各項 =氣蒼數和成何尺寸之關係數值）。於此，基板結構的類型可依據 ^程流程、各層所使用之材料和/或完整結構尺寸等資訊來進行分 有關本發明的特徵與實作，兹配合圖示作最佳實施例詳細說 啊如下。 【實施方式】 以下舉tB具體實施例轉細綱本發明之内容，並以圖示 為輔助說明。說明中提及之符號係參關式符號。 於=，疋採用幾何量測以藉由内藏電容性元件的幾何尺寸 :八電氣值’以確認此喊電容性元件是賴合所設定的電性 格，進而免不符規格的基板結構進入後續製程。 _，丨H第、,2/1」」係為根據本刺—實闕之喊電容元件 (例如··内藏電容元件_合面積與厚度）（步驟 =^^==:取得電氣參數與幾何尺寸的_= 以及‘卓^絲數（步驟12G);以量測得之幾何尺寸和取 係？值計异内藏電容元件的電氣參數（例如：電‘ 130);比較，•電氣參數和計算得之電氣參 ^^， 驟則甘·，此誤差值，以得知誤差值妓於合理範_二^ 150)，其中*誤差值於合理範圍内時，即代 少驟 設定的電性規格（步驟152)，反之，當誤差值於所 1279552 =表此絲，構不符合所設定的雜祕，㈣報廢（步驟 154)。如此一來，即便是大量量測所生產之内藏 結構的電性規格，進而避免不符規格的基板結構進入後續製^ 誠容元件_何尺柏量财藉由助法來取得 = 物尺寸。換句賴，可细攝像技術取得内藏 二iLf驟112) ’制用影像分析技術從影像中得知 内賊-电谷兀件的幾何尺寸（步驟114)，如「第3圖」所示。 件^^用於貝際里產製程巾時’先進行内藏電容元 產之基板結觀鼓_㈣庫中取得 =關係數值和測得之幾何尺寸計算出内;電電20氣)來= 以^3) ’ =標準魏參數和計算得之電氣參數相比較:據 =示此基板結_不進人後續製程中（步驟254)，如 '第3二 :3 二先 算票準電氣參數和計 圖」所示。 進而件到决差值（步驟140)，如「第5 為量：=二元件的幾何尺寸的量測可 处仵的耦合面積（步驟31〇)。鋏後， 4嶋，從模型軸中取輸值與編 11 1279552 值，以及標準電容值（步•驟320)。接著利用測得之輕合面積和取 得之關係數值計算内藏電容元件的電容值（步驟33〇)’其關係式 如下所示。 八 m A = dxC .........................................(1) , A〇cC .............................................(2) • 於式⑴、式(2)中，A係代表内藏電容元件的耦合面積， 代表内藏電容凡件的電容值’而£1即代表電容值與麵合面積的 係數值。 ' • 再將計算得之電容值與取得之標準電容值相比較，以得到一 者間的誤差，（步驟3則。於此，係將内藏電容耕的厚[ 電常數歸於單-變數（即ε1)並假設其為纽，藉由實際= 合面積（其包括製程I虫刻誤差與對位誤差）來推算容 …最後里再藉由觸此誤差值是否於合理範圍内電(=350)， 以仟知此基板結構是否符合所設定的電性規格。 3 2於可先轉電容值_合面積的_數值（步驟 取得鮮電容值（步驟叫如「第6B圖」I 再 Φ 舰容树㈣何財的量測亦 312)。^後，再輕合面積和内藏電容元件的厚度（步驟 ▲值、為人~根據基板結構的種類，從模型資料庫中取得電容 接著利= ί的關絲值，以及標準電容值（步驟324)。 ，藏電容元面，厚度以及取得之_數值，來計算内 Α = ε2χ A〇c£ d

C 午的，合值（步驟332)，其關係式如下所示。

A — I ⑶ d ···...........................................(4) 於式(3)、式(4)中’ A係代表域電容元件_合面積，C係 12 1279552 代表内藏f容元件的電容#，d係代表喊電容元件的厚度，而^ :代表電容值、Μ合面積和厚度的關係數值。換言之，即内藏電 容元件_合_與内藏電容元件的電容錄以厚度係成正比。 〜然而，再將計算得之電容值與取得之標準電容值相比較，以 =二者間的誤差值（步驟_。於此，係假設介電常數（即⑴ ^值心實際上抑合面積（其__彳誤差與對位誤 差）和壓合後之厚度來推算電容值。 以以最^再藉由判斷此誤差值是否於合理範圍内（步驟3則， 于知此_結構是否符合所設定的電性規格。 再取mi 元件的電容值（步驟现）之後， 取件‘準電容值（步驟322)，如「第7B圖」所示。 構而;之各項資訊可透過預先量測標準基板結 容元件之標準基板程製作出具有内藏電 電氣參數（例如· j，驟160)，然後蝴此内藏電容元件的 輕合面積與厚产)·％谷值）與幾何尺寸（例如：内藏電容元件的 17〇)，接著叫得之^^^娜標爾尺寸（步驟 數與幾何尺寸她^ 物议核計算電氣參 其中，泉昭「第Q )，错以建立模型資料庫。 電容元件之電容值於「步驟170」中可為量測得之内藏 積，以取得鮮電容值和標準麵合面 13 1279552 驟 182)， =:;)所:以計算電容值與面積的關係數值(步 -(5) Α’= ε1χ0 A，〇cC，....... · ·· 於式⑶、式⑹中，A，係代表内藏電容牛的= C，係代表峨紅元件的 ^雜合面積， 面積的關餘值。狀心讀，如即代錢容值_合 最後，再將取得之標準電容值、標準叙合 存起來（步驟剛，以建立模觀料庫。、_數值餘 ο Α’= ε2χ ACC! 再者參恥「第1〇圖」，於「步驟 ，容元件之積與厚度，以取得之内 準輕合面積和標準厚度（步驟174)，藉以計Ί、標 和厚度的_數值（步驟184)，其_式如下值、耦3面積 rr -(7) ......(8) .........\ο) 於式⑺、式⑻中，Α，係代表内藏 c’係代表喊電容轉的鮮絲值，d，#代合面積， 檁準厚度，而ε2即代圭人 Ά表内—各疋件的 最後，再將取得之 二積和厚度的闕係數值。 關係數值儲存起來（牛二二⑷胃合面積、標準厚度和 、 (’m)，以建立模型資料庫。 亦Ύ刀別將上述二關係數值計算得（步驟脱、184)， 14 1279552 厚度和二關 料庫中，藉以建立模型資料庫，如「第11A、nB立戶 =勤 之標4=各= 等程流程、各層所之材料和/綠整“ 1季统：、&ϋϋ」’係為本發明—實施例之内藏電容元件的測 ，此測试糸統400包括：影像擷 二單 兀、模型資料庫43〇、搜尋模組物二像刀^ 組460和判定模組47〇。 連开杈.、且450、比較桓 +此内藏電容元件的測試系統4〇〇可與 ㈤it ==藉來得到= ，尋模組44G連接至模型資料庫 厚度）。 中取得電氣參數與幾缺寸==^準 电絲數。接著，運算模組450即可利 ^職值及“準 之關係數值來計算出内藏電容元件的^ 尺寸和取得 t tilt a於此，结果。 p内藏電容元件_合面積，幾何尺寸 痛組柳所取得之魏參數朗何尺寸 15 1279552 ^，面__數值和/或電容值、 值，且所取得之標準電氣 積4度的關係數 之 1參_%^ 且，運算模組 面積^搜;έ田衫像分析单元分析得内藏電容元件的耦合 積_^1 會自模型龍庫取得電容值餘合面

式電後，運算模組45〇則可根據公 而汁异内藏電容兀件的電容值，其中，A 電容元件的輕合面積’ C係代表内藏電容元件的電容值，而'系 代表電容值與耦合面積的關係 /、 係八^田衫像分析早兀420 二==臧電容元件_合面積和厚度時，搜尋模組44〇會自 貝取件電容值、輕合面積與厚度的關係數值以及標 準電容值，然後，運算模組則可根據公式八=心|而計算 積，c係代表内藏電容元件的電容值，d係代表内藏電容元件的厚 度’且ε2係代表電容值、搞合面積與厚度的關係數值。 '此外’判定模組470係根據一合理範圍來判斷誤差值，其中 當誤差值在合理範_時，產生之欺結果即代表基板結構是符 合所設找電性規格’反之，t誤差值不在合理範_時，所產 生之判定結果則係代表基板結構不符合所設定的電性規格。

此外’运可透過輸出介面將判定結果輸出，藉 製程可藉以避免*符規格的基減構進人後續製程，制避免J 杲ζ-二;3圖」所不。此輸出介面480可為顯示模組以將 判疋H翻出來，亦或是為傳輸介面以將判定結果輸出至後續 16 1279552 製程系統。 其中，衫像線取模組和影傻八 _ (PCB)線路檢查機而實現可猎由-印刷電路板 和判定模組可藉由—個或多個:模組、比較模組 處理單元可為中央處理器。、处里早兀而貫現。並且此資料 結構二ίίκ:庫^iff，好各種類型之標祕板 =、各層咖===== 雖然本發明赠述之較佳實施例揭霖如上， 非 定本發明，任何熟習相像技藝者脫明=用3 本說之申請專利範_狀=準月之專利保_圍須視 【圖式間單說明】 第1圖係為習知基板結構之截面圖； 法的為根據本發明第—實施例之域電容元件的測試方 第3圖係為「第2圖」巾「步驟11〇」 · 第4圖係為根據本發明第二實施例之内藏電容元二^圖方 法的流程圖； 丁以万 法的係為根據本發明第三實施例之内藏電容元件的測試方 第6A圖係為根據本發明細實施例之内藏電容元 方法的流程圖； 第6B圖係為根據本發明紅實施例之内藏電容元件 方法的流程圖； 17 1279552 第7A圖係為根據本發明第六實施例之内藏 方法的流程圖； 70件的測試 第7B圖係為根據本發明第七實施例之内藏 方法的流程圖·， 兔谷凡件的測試 第8圖係為根據本發明之内藏電容元件的測 絮資料庫的第一實施例的流程圖； 枳 第9圖係為根據本發明之内藏電容元件的測試方 絮資料。庫的第二實施例的流程圖； 板 第1〇圖係為根據本發明之内藏電容元件的測 模型資料庫的第三實施例的流程圖； "方，去建立 μ 罐本發明之喊電容元件的_方法，建立 扭i貝料庫的弗四貫施例的流程圖； ㈣物罐本發日狀喊電容元件_試方法，建立 扭孓貝料庫的弟五貫施例的流程圖； 系統根第—實施例之峨容元件的測試 系統根據本發明第二實補之《電容元件_試 【主要元件符號說明】 ...................... 板結構 12................................導電金屬薄片 14................................ 電薄板 ^................................導電金屬薄片 400.............................. 試系統 410..............................影像擷取模組 42 ..........................影像分析單元 430..............................模型資料庫 18 1279552 440..............................搜尋模組 450..............................運算模組 460..............................比較模組 470..............................判定模組 480..............................輸出介面 19

Claims (1)

1279552 十、申請專利範圍·· 基板結構具有’用以測試一基板結構，其中該 量測該峨電制試方法包括有： 根據該基板結可尺寸； 與幾何尺寸的關係數值及至U準至少—電氣參數 該内值和該幾何尺寸計算 及比較該標準電氣參數和該電氣參數據以得到一誤差值；以 性規ί認該誤差值’藉以得知該基板結構是否符合所設定的電 3. 2·其中 測該内藏電容元件的—搞合面積切尺寸之步驟，包括有：量 輸财法，射 幾何尺寸賴係數值1至少至少—電氣參數與 根據該基板結構，自該氣f數之步驟，包括有： 的關係數值及-標準^容值貝/ 取传$谷值與輕合面積 4. ^申請專利範圍第3項所述之内藏電容元件的測試方法，其中 内^寸的關係數值和該幾何尺寸計算該 今帝宏入^電乳麥數之步驟，包括有··利用取得之 該内ίΐ容的面_積電的^'數值和量測得之餘合面積計算 5. 圍第4，述之内藏電容元件的賴方法，其中 人 仵之5亥電容值與耦合面積的關係數值和量測得之 20 Ϊ279552 面積計算該内藏電容元件的—電容值之步 轉is 内藏電容元件的該 6代表該ΐ容值=:=r該一 第=所述之内藏電容元件的測試方法，其中 較據以得電容值與取狀—鮮電容值相比 7· 利範圍第1項所述之内藏電容元件的測試方法’苴中 容元件的至少-幾何尺寸之步驟，包括有4 、q内職电各兀件的一耦合面積和一厚度。 • 7f_!微喊槪件_方法，其中 幾何尺二^值及一電氣參數與 9· 與幾何尺柏襲數值和職何尺寸計算該 的至少—電氣參數之步驟，包括有：_測& 的面積和該厚度’以及取得之該電容值、輕合面積盘厚声 勺關係數值計算該内藏電容元件的一電容值。 又 1α ί 第9項所述之内藏電容S件的測試方法，其中 合°面==之該輕合面積和該厚度’及取得之該電容值、輕 步ΐί 數值計€該内藏電容元件的一電容值之 藏二mx百而計算，其中該a係代表該内 70件的_合面積’該c係代表該内藏電容元件的該電 21 1279552 奋，，该d係代表該内藏電容元件的該厚度，且該£2係代表該 電容值、耦合面積與厚度的關係數值。 11‘，申凊專利範圍第丨項所述之内藏電容元件的測試方法，其中 忒確認該誤差值，藉以得知該基板結構是否符合所設定的電性 規格之步驟，包括有： 根據一合理範圍判斷該誤差值； 當該誤差值在該合理範圍内時，代表該基板結構符合所設 定的電性規格；以及 _ 當該誤紐不在該合理範圍内時，代表絲板結構不符合 所設定的電性規格。 12·如1晴5利範圍第1項所述之喊電容元件的測試方法，其中 忒里測该内藏電容元件的至少一幾何尺寸之步驟，包括有： 利用一攝像技術取得該内藏電容元件的一影像；以及 該幾t彳用=影像分析技術從該影像中得知該内藏電容元件的 13·如利範圍第1項所述之喊電容元件制試方法，其中 ，測該_電容元件的至少-幾何尺寸之步驟，包括有：以 • —_電路板（PCB)線路檢查機制_藏電容元件的該幾 何尺寸。 Η·^ •專利範圍第丨項所述之喊電容元件賴試方法，該測 試方法更包括有：建立該模型資料庫。 、 15· t申明專利範圍第14項所述之内藏電容元件的測試方法，其 中該建立該模型資料庫之步驟，包括有·· /、 提供至少一標準基板結構，其中每一該基板結構具有至少 一内藏電容元件； 里測該内藏電容元件的談電氣參數與該幾何尺寸，據以得 到至少一標準電氣參數和至少一標準幾何尺寸； 22 !279552 幾何標準幾何尺寸計算該電氣參數與 何尺氣參數、該標準幾何尺寸和該電氣參數與幾 圍=15項所述之内藏電容元件的測試方法，其 該標準基板ΐ構板結構，包括有：以一標準製程製作出 17.==利翻第15項所述之喊電容藉的測試方法，I 中=，域電容元件的該電氣# ί至曰少3準電氣參數和至少-標準幾何尺寸之步驟= 準電容值和一標準耦合面積。 行詞才示 中省以雜準電氣减和該標準幾 ς 關係數值之步驟，包括有:以=電 準積計算一電容值與-合面積的關係數值。4 19.ϊ^ί利乾圍第18項所述之内藏電容元件的測試方法，並 ===票準電氣參數、該標準幾何尺寸和該 幾 準柄合面積和該電容值與耦合面㈣'該標 專利範圍第18項所述之内藏電容元件的測試 中在该以該鮮電容值和該鮮耦合面料算 ^ 合面積的關係數值之步驟中，係依據公式Α，=ε1χ &耦 係代表該内藏電容元件的該標_合面積，“ 代表，臧電容元件的該標準電容值，且該d係代表 與耦合面積的關係數值。 ^包谷值 21.如申請專利範圍第15項所述之内藏電容元件的測試方法，其 23 1279552 電氣參數與該幾何尺寸，據以得 ^ &旱電移數和至少_標準幾何尺寸 該内藏電容树的電容值1合面積與厚度以= 22 /Γ準电容值、—標準輕合面積和—標準厚度。 ^ •。申請專利範圍第21項所述之内藏電容元件的測試方法，盆 ^亥以該鮮魏參數和該標钱何尺寸 盘 念可：寸的關係數值之步驟’包括有：以該標準電容 it面積和—標準厚度計算—電容值、鮮面積與厚度。 23· ΐ利範圍第22項所述之内藏電容元件的測試方法，1 二2標準電氣參數、該標準幾何尺寸和該電氣參數與幾 入的關係數值之步驟，包括有：儲存該標準電容值、一 ::面積、該標準厚度和該電容值，合面積與厚度‘ 24. 如申請專利範圍第22項所述之内藏電容元件的測試方法，1 中在該贿標準電容值、—標準耦合面積和一標準厚度計算2 電容值、=合面積與厚度的關係數值之步驟中，係、依據= Α，=ε2χ|而計算，其中該Α，係代表該内藏電容元件的該襟準 輕合面積’該C，係代表_藏電容元件職鮮電容值，讀^ 係代表該内藏電容元件的該鮮厚度，且該d係代表該°電六 值、耦合面積與厚度的關係數值。 '奋 25. Ϊ申請專利範圍第21項所述之内藏電容元件的測試方法，甘 標準電氣參數和該標準幾何尺寸計算該電氣參數盘 、可尺寸賴係數值之步驟，包括有：以該標準電容值^ 標 24 1279552 ΐΐίΐΓ—標準厚度計算—電容值熱合面積的關係數 電谷值、耦合面積與厚度的關係數值。 ,、 26·==利範圍第25項所述之内藏電容元件的測試方法，立 二ff揭鮮魏她、該縣騎尺朴該電氣參數斑幾 準耦係ϊίΐΓΓ包括有嶒存該標準電容值、該標 準厚度、該電容值與轉合面積的關係數值和 Μ電谷值、耦合面和與厚度的關係數值。 專利範圍第25項所述之内藏電容元件的 =该以該標準電容值、—標_合面積和—標準厚度計算二 电谷值與耦合面積的關係數值及一電 驟中:係依據公式Α，=ε1χ〇和“ 。，係:二A ?代表該内藏電容元件的該標準耦合面秦， 容树的該標準電容值，該d，係代表該 的件的該標準厚度’該d係代表該電容值她合面積 數^ ，且该^係代表該電容值、耗合面積與厚度的關係 幾 基板，纟。構，自—模型資料庫中取得至少—電氣參數盘 的關係數值及至少一標準電氣參數之步驟，包括有： 構的類型’自該模型#料庫中取得該電氣參數與 成可尺寸的關係數值及該標準電氣參數。 第28項所述之内藏電容元件的測試方法，其 構的^料和%板結構的製程流程、該基板結 30 -磁基板構的完整結構尺寸其中至少一項而分類。 •基板㈣:且，方法，用以測試-基板結構，其中該 反、·，口構具有一内臧電容元件，該測試方法包括有·· 25 1279552 量測該内藏電容元件 根據該基板結構，自一成何尺寸， 與幾何尺寸的關係數值；異型貧料庫中取得至少-電氣參數 以该幾何尺寸和該畲$ a 該内藏電容元件的至少〜= 參數與幾何尺寸的關係數值計算 电氣參數； 及 參數叫《板結構，自該模型資料种取得至少—標準電氣 比較該標準電氣參數和該電氣參數據以得到-誤差值；以 性2認該誤差值’藉以得知該基板結構是否符合所設定的電 試方法，其 量測該内藏電容元件的—輕合面積a寸之力驟，包括有·· 32·如申請專利範圍第31項 、 中該根據該基板結構，自_^^==，測試方法，其 與幾何尺寸的關係數值之中=至少一電氣參數 該模型資料庫中取得一電容值^入并根據该基板結構，自 判祕弟32項所述之内藏f容元件的測試方法，盆 中以以喊何尺寸和該賴參數與 ς ==至少-電氣參數之步驟包 == 該内藏電容^的Γίί值電谷值與耦合面積_數值計算 如申請專利範圍第％項所述之内藏電容元件的測試方法，其 中在拥用測狀該輕合面積和取得之該電容值油合面積 的關係數值計算該内藏電容元件的_電容值之步驟中，係根據 26 1279552 a式A-dxC而計算，其中該A係代表該喊電容元件的节 耦合面積’該C係代表該内藏電容元件的該電容值，而該_ 代表該電容值與耦合面積的關係數值。 沒如申請專利範圍第30項所述之内藏電容藉的測試方法，其 :該根據該基板結構，自該模贿料庫中取得至少—標準電氣 參數之步驟’包括有：根據該基板結構，自該模型資料庫中取 得該標準電容值。

如申請專利翻第35項所述之喊電容耕的測試方法，其 中該比較該鮮電氣參數和該魏參數據轉到—誤差值之 步驟，包括有：將計算得之—電容值與取得之該標準電容值相 比較，以得到該誤差值。 37. 如申料3G顧述之内魏容元件_試方法，i 中該量測該内藏電容元件的至少一幾何尺寸之步驟，包括有： 量測該峨f容元件的—私_和—厚度。 38. ^申睛專利範圍第37項所述之内藏電容树的測試方法，其 該根據該基板結構，自—模型f料庫中取得至少 數 ^尺寸嶋數值彻售有：議基板纷自 39 1=料庫中取得—電容值、輕合面積與厚度的關係數值。 .φ月專利範圍第38項所述之内藏電容元件的測試方法，盆 幾何尺寸和該魏參數錢何尺相_數值計算 2减容元件的至少一電氣參數之步驟，包括有：利用測得 面積和該厚度，及取得之該電容值,合面積與厚度 27 1279552 的關係數值計算該内藏電容树的—電容值。 4〇.如申請專利細第39項所述之内藏電容元件的測試方法，盆 中在__得之該私面積和該厚度，及取得之該電容值、 轉合面積與厚度的關係數值計算該内藏電容树的一電容值 之步驟中’係根據公式Α = ε2 +計算，其中該a係代表該 喊電容树的該_合面積，該c係代表該内藏電容元件的該 ，谷，’該d係代表該域電容树的該厚度，且制係代表 4電谷值、耦合面積與厚度的關係數值。 礼如申睛專利範圍第3〇項所述之内藏電容元件的測試方法，其 以確認祕差值，藉以得知縣板結構是否符合所設定的電 性規格之步驟，包括有·· 根據一合理範圍判斷該誤差值，· 當该誤差值在該合理範圍内時，代表該基板結構符合所設 定的電性規格；以及 所設在該合理範圍_’代表該基板結構不符合 42.t申^專，圍第3〇項所述之内藏電容元件的測試方法，立 ^亥^憶内藏電容元件的至少一幾何尺寸之步驟，包括有Ί Ί用攝像技術取得該内觀容元件的—影像；以及 該幾影像分析技術從該影像中得知該内藏電容元件的 43‘ %項所述之内藏電容元件的測試方法，其 中遠里測该内職電容元件的至少一幾何尺寸之步驟，包括有： 28 1279552 印刷電路板（PCB)線路檢查機量測該内藏電容元件的該 幾何尺寸。 44 =^、凊專利範圍第3〇項所述之内藏電容元件的測試方法，該 45 =武^法更包括有：建立該模型資料庫。 請專利範圍第44項所述之内藏電容元件的測試方法，其 邊建立該模型資料庫之步驟，包括有： 藏電=卜標準基板結構’其中每-該基板結構具有-内 量測該喊電容元件賴電氣參數與該幾何尺寸，據以得 』至^、一標準電氣參數和至少一標準幾何尺寸； 幾何=2係電數氣值參數;ί標準幾何尺寸計算該電氣參數與 何尺氣參數、該標準幾何尺寸和該電氣參數與幾 内藏電容元件的測試方法，其 製作出該辟基iii板結構之步驟，包括有：以一標準製程 47'45項所述之内藏電容元件的測試方法，宜 :了、彳納軌谷讀的該電氣參數與該幾何尺 二 到至少-標準電氣參數和至少—標準幾何尺$之4 y传 驟··量測該内藏電容元件的電容值與福合“括f 到-標準電容值和一標準輕合面積。 λ據以传 請專利範圍第47㉟所述之内 中該以該鮮魏她㈣鮮=方法’其 幾何尺寸的關係數值之步驟，包括有：以參數與 49.如申請專卿㈣述之啸方法，其 29 1279552 中，亥儲存該標準電氣參數、該標準幾何尺寸和該電氣參數與幾 何尺寸的關係數值之步驟，包括有：儲存該標準電容值、該標 準耦合面積和該電容值與耦合面積的關係數值。 不 5〇·如申清專利範圍第48項所述之内藏電容元件的測試方法，其 二在該以該鮮電容值和該標準•合面積計算_電容值與輕 a面積的關係數值之步驟中，係依據公式A，=dxC，而計算， 其中該Α’係代表該内藏電容元件的該標準麵合面積，該^ =該内藏電容元件_標準電容值，且該⑽代表該電容值 兵^馬合面積的關係數值。 51·ϊ=專利範圍第45項所述之内藏電容元件的測試方法，1 到；=電和=厚度’據以得 Μ項所述之内藏電容元件“試方法，1 中该以该軚準電氣筝數和該標準幾何尺寸 值之步驟’包括有:以該標7電容 =;_和-標料料算—電容值、耦合面積與厚度的= 53.=申請專利範圍第52項所述之内藏電容元 中该儲存該標準電氣參數、該標準幾 / ，其 何尺寸的關係數值之步驟，包括= 二數與幾 ^合面積、該標準厚度和該電容值、 %如申料職_ 52斯狀賴雜 中在該以該_容值、—其 電容值、轉合面積與厚度的關係數值令 ，係依據公式 30 1279552 Α’=ε2χ|而計算，其中該A，係代表勒藏電容元件的該標準 编合面積’該σ係代表該喊電容元件的該標準電容值，該d, 係代表該喊f容元件的該鮮厚度，且該ε2係代表該電容 值、耦合面積與厚度的關係數值。

55.如申請專利範圍第51項所述之内藏電容試方法，其 中該以該鮮電氣參數和該鮮幾何尺寸計算該電氣參數與 歲何尺寸的關係數值之步驟，包括有：以該標準電容值、—桿 準耗合面積和-標準厚度計算_電容值_合_的關係^ 值及一電容值、耦合面積與厚度的關係數值。 56·如申請專利範圍第55項所述之内藏電容元件的測試方法，其 中該儲存該標準電氣參數、該標準幾何尺寸和該電氣參數盘幾 何尺寸的關係數值之步驟，包括有：儲存該標準電容值、該襟 準輕合面積、該標準厚度、該電容值與耦合面積的關係數值= 該電容值、耦合面積與厚度的關係數值。 57. 2請專利範®第55項所述之喊電容元件的測試方法 ^該以該鮮電容值、—標準私面積和—標準厚度計曾二 =各值她合__係數似—電容值、齡_與 關係數值之步驟中，係依據公式A，=dxC，和公犬= =，其中該A’係代表該内藏電容元件的該^ |， =，係代表該喊電容元件_鮮電容值，該d，係代表診 =電容元件麟鮮厚度，該ε1係代表該電容值她合面積 妻係數值，且该ε2係代表該電容值、耦合面積與厚度的關係 31 1279552 58.如申請專利範圍第3〇項所述之 〜 中在該根據該基板結構，自—模型件的測試方法’其 數與幾何尺寸的關係數值之步驟中取得至少一電氣參 型資料庫中取得至少一標準電氣亥基板結構，自該模 構係為根據該基板結構的_ Γ 步驟中，根據該基板結 59·如申明專利範圍第58項所述之内藏雷办_ >、、 中該基板結構的類型係依據該基板=的測試其 構的材料和該基板結構的完整結流程、二基板結 6°.二 =一元 再八有内滅電谷兀件，該測試系統和括右· 值，· 电風茶數與幾何尺寸的關係數 二基板結構的—影像； 的至少一幾何尺^卩刀析该影像以得知該内藏電容元件 禮的嗎^哥^組’用以根據進行測試之該基板結構的該基板結 寸_係數值該電氣參數與幾何尺 寸_^==!=何尺 得到===以比較該標準電氣參數和該電氣參數據以 否符二科基板結構是 32 1279552 62.如申請專利範圍第6〇項所述之内藏電容元件的測試系統，其 中该電氣參數係為一電容值。 63·如，凊，巧範圍第6〇項所述之内藏電容元件的測試系統，其 中該電氣參數與幾何尺寸的關係數值係為一電容值與耦合面 積的關係數值和-電雜、耦合面積與厚度的難數值中之 ——〇 64如申請專利範圍第6〇項所述之内藏電容元件的測試系統，复 中該標準電氣參數係為一標準電容值。 〃

65. 如申^專利範圍帛6〇項所述之内藏電容元件的測試系統，立 中當该該幾何尺寸係為—搞合面積，該電氣參數係為一電^ 值，且該電氣參數與幾何尺寸_係數值係為—電容值人 面積的關係數值時，該運算模組係根據公式A = dxc而二 ，内藏電容元件的該電容值’其巾該A係代表_藏電容^ =該=面積，該C係代表該内藏電容元件的該電容值，而 該εΐ係代表邊電容值與耦合面積的關係數值。 66. j請ΐ利細第⑽項所述之_電容元件的職系統，复 一：ΐ::何尺T包，气—轉合面積和-厚度’該電氣參數係i ’且？電氣參數與幾何尺寸的關係數值係為-電容 面而積數值時，該運算模組係根據公式 表該内藏電容元件的雜合面積，該e ^ 的該電容值，該d係代表該内藏電容 職'谷70件 j該電容值、輕合面積與厚度的關係數值二子又，且如2係 67. ^f專利刪6G項所述之内藏電容元件的測試系統，更 一輪出介面，用以輪出該判定έ士果 68. 如申請專利顧第6〇項所述之内藏。電容元件的測試系統，其 33 1279552 中該影像擷取模組和該影像分析單元係由一印 (PCB)線路檢查機而實現。 包路板 69·如申請專利範圍第60項所述之内藏電容元件的測試系統，其 中該搜尋模組、該運算模組、該比較模組和該判定模組係ς 少一資料處理單元而實現。 ^ 70.如申請專利範圍第60項所述之内藏電容元件的測試系統，其 中該判定模組係根據一合理範圍來判斷該誤差值，其中當該誤 差值在該合理範圍内時，產生之該判定結果代表該基板^符

合所設定的雜規格，而當驗差值不在該合理範圍内時，產 生之销定結果代表該基板結構稍。 7i，m細第6G項所述之_電容元件的‘二1 構醜獅依獅紐結構賴程絲、該基板結 構的材料和該基板結構的完整結構尺寸射至少—項而分類。

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