CN100535672C - 内藏电容组件的测试方法及其测试系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种内藏电容组件的测试方法及其测试系统，用来测定基板架构中的内藏电容性组件的电性规格，以避免不符规格的基板结构进入后续制作流程。其通过测量内藏电容组件的几何尺寸，并从模型数据库中取得电气参数与几何尺寸的关系数值及标准电气参数，据此来计算出内藏电容组件的电气参数，再通过比较标准电气参数和电气参数来得到一误差值，并借助此误差值确定基板结构是否符合所设定的电性规格。

Description

内藏电容组件的测试方法及其测试系统

技术领域

本发明涉及一种内藏电容组件的测试方法，特别是涉及一种内藏电容组件的测试方法及其测试系统，用来测定基板架构中的内藏电容性组件的电性规格，避免不符规格的基板结构进入后续制作流程。

背景技术

电子产品在高功能和高速化的发展趋势下，须在半导体封装件上整合各种被动组件(passive component)，例如：电阻组件、电容组件及电感组件等，以提升或稳定电子产品的电性功能。

随着电子产品朝着高功能性与小尺寸的方向发展，电路板的迭层(lanination)技术也必须具备厚度薄、多层数与高密度等特点。因此，为了能在有限的基板面积中，创造出更大的空间并提升模块的多功性，发展出了内藏有电阻组件、电容组件、电感组件等被动组件的基板结构，创造更多空间来架构主动组件，并提高整体组件性能。

通过内藏电阻组件、电容组件、电感组件等组件，在制作电路基板的同时，在电路基板上形成各式组件，可提高电路制作的稳定性、减少基板上的焊点与被动组件的数目，提高可靠度。还可缩小基板制作的面积，降低电路的制作成本，符合未来电子产品的基板制作需求。

然而，有机基板材料可能会因为制作流程变异，或是材料的不均匀性，造成介电层的电气特性不稳定。特别是针对内藏组件与高频材料的特性，必须在制作过程中精确掌握。因此，在材料开发初期，必须仔细测量材料的介电值、基板压合厚度、金属粗糙度、甚至是介相变化等特性，以避免不符规格的内藏组件基板进入后续制作流程，进而降低电子产品的成品率，而造成资源浪费，且增加成本。

参考图1，为公知内藏电容性组件的基板架构，导电金属薄片12、介电薄板14和导电金属薄片16依序相迭，形成一电容性基板结构10，如美国专利第5155655号所示。在公知测量方法中，只能逐一对每一电容性组件进行仔细测量，才能得到其电气特性。并且，对于此种基板架构，由于其电容性组件为内藏式，因此在测量上，必须利用导线将电容性组件的测量接点与设置于基板架构表面的测试垫(test pad)相连接，以便通过测试垫进行测量。但是，此种方式在大量测量时，相当复杂且耗费时间。再有，为了进行测量而必须增加走线，而增加的走线容易破坏整体的电路特性。

由此可知，目前对于测量内藏组件，一直没有一种有效率的测量方法。在传统中，由于进行电气测量需形成测试垫，其势必会破坏电气特性，因此在进行一般电路设计时，至少都会进行两次制作，以微调每次制作流程的变异。

所以，提供一种可判断整个基板架构中的内藏电容性组件，例如电容器、巴轮、滤波器等，是否符合所设定的电性规格(而不是仅进行短路测试(open/short test))的方法，仍是此领域的相关人员致力研究的项目。

发明内容

本发明的目的在于提供一种内藏电容组件的测试方法及其测试系统，借此来解决公知技术中的测试方法复杂且耗时的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种内藏电容组件的测试方法，用来测试具有内藏电容组件的基板结构，包括有下列步骤：测量内藏电容组件的几何尺寸；根据基板结构从模型数据库中取得电气参数与几何尺寸的关系数值及标准电气参数；以几何尺寸和电气参数与几何尺寸的关系数值计算内藏电容组件的电气参数；比较标准电气参数和电气参数据来得到一误差值；以及确认此误差值，借此来得知基板结构是否符合所设定的电性规格。

其中，内藏电容组件的几何尺寸的测量可为测量内藏电容组件的耦合面积，然后根据基板结构的种类从模型数据库中取得电容值与耦合面积的关系数值及标准电容值，接着利用测得的耦合面积和取得的关系数值根据下列公式计算内藏电容组件的电容值，再将计算所得的电容值与取得的标准电容值相比较，得到二者间的误差值，最后，再借助判断此误差值是否在合理范围内，来确定此基板结构是否符合所设定的电性规格。

A＝ε1×C

这里，A代表内藏电容组件的耦合面积，C代表内藏电容组件的电容值，而ε1代表电容值与耦合面积的关系数值。

再有，也可先取得电容值、耦合面积与厚度的关系数值，然后在计算内藏电容组件的电容值之后，再取得标准电容值。

此外，内藏电容组件的几何尺寸的测量也可为测量内藏电容组件的耦合面积和内藏电容组件的厚度，然后再根据基板结构的种类从模型数据库中取得电容值、耦合面积与厚度的关系数值及标准电容值，接着利用测得的耦合面积、测得的厚度和取得的关系数值根据下列公式计算内藏电容组件的电容值，再将计算所得的电容值与取得的标准电容值相比较，来得到二者间的误差值，最后，再借助判断此误差值是否在合理范围内，确定此基板结构是否符合所设定的电性规格。

A＝ε2×C×d

这里，A代表内藏电容组件的耦合面积，C代表内藏电容组件的电容值，d代表内藏电容组件的厚度，而ε2代表电容值、耦合面积和厚度的关系数值。

再有，也可先取得电容值、耦合面积与厚度的关系数值，然后在计算内藏电容组件的电容值之后，再取得标准电容值。

这里，在内藏电容组件的几何尺寸的测量中可借助照相法来取得内藏电容组件的几何尺寸。

并且，模型数据库中的各项信息可通过预先测量标准基板结构而建立。首先，以标准制作流程制作出具有内藏电容组件的标准基板结构，然后测量此内藏电容组件的电气参数(例如：电容值)与几何尺寸(例如：内藏电容组件的耦合面积与厚度)，来取得标准电气参数和标准几何尺寸，接着以取得的标准电气参数和标准几何尺寸来计算电气参数与几何尺寸的关系数值，储存标准电气参数、标准几何尺寸和关系数值，借此来建立模型数据库。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种内藏电容组件的测试系统包括：图像撷取模块、图像分析单元、模型数据库、搜寻模块、运算模块、比较模块和判定模块。在此，图像撷取模块用来撷取基板结构的图像；图像分析单元借助分析撷取的图像得到内藏电容组件的几何尺寸(例如：内藏电容组件的耦合面积与/或厚度)；搜寻模块用来根据基板结构的类型，从模型数据库中取得电气参数与几何尺寸的关系数值及标准电气参数；运算模块用来利用得到的几何尺寸和取得的关系数值来计算出内藏电容组件的电气参数(例如：内藏电容组件的电容值)；比较模块用来将标准电气参数和电气参数相比较，得到一误差值；最后，通过判定模块来确认此误差值，产生表示基板结构是否符合所设定的电性规格的判定结果。

再有，判定模块根据一合理范围来判断误差值，其中当误差值在合理范围内时，产生的判定结果即代表基板结构是符合所设定的电性规格的，反之，当误差值不在合理范围内时，所产生的判定结果则代表基板结构不符合所设定的电性规格。

此外，还可通过输出接口将判定结果输出，借此来使后续制作流程避免不符规格的基板结构进入，进而避免资源浪费。

其中，在模型数据库中具有预先建立好的各种类型的标准基板结构的各项参数(包括：标准电气参数、标准几何尺寸以及各项电气参数和几何尺寸的关系数值)。在此，基板结构的类型可依据制作流程、各层所使用的材料和/或完整结构尺寸等信息来进行分类。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为公知基板结构的截面图；

图2为本发明第一实施例的内藏电容组件的测试方法的流程图；

图3为图2中步骤110一实施例的流程图；

图4为本发明第二实施例的内藏电容组件的测试方法的流程图；

图5为本发明第三实施例的内藏电容组件的测试方法的流程图；

图6A为本发明第四实施例的内藏电容组件的测试方法的流程图；

图6B为本发明第五实施例的内藏电容组件的测试方法的流程图；

图7A为本发明第六实施例的内藏电容组件的测试方法的流程图；

图7B为本发明第七实施例的内藏电容组件的测试方法的流程图；

图8为根据本发明的内藏电容组件的测试方法，建立模型数据库的第一实施例的流程图；

图9为根据本发明的内藏电容组件的测试方法，建立模型数据库的第二实施例的流程图；

图10为根据本发明的内藏电容组件的测试方法，建立模型数据库的第三实施例的流程图；

图11A为根据本发明的内藏电容组件的测试方法，建立模型数据库的第四实施例的流程图；

图11B为根据本发明的内藏电容组件的测试方法，建立模型数据库的第五实施例的流程图；

图12为本发明第一实施例的内藏电容组件的测试系统的概要结构图；

图13为本发明第二实施例的内藏电容组件的测试系统的概要结构图。

其中，附图标记：

10    基板结构

12    导电金属薄片

14    介电薄板

16    导电金属薄片

400   测试系统

410   图像撷取模块

420   图像分析单元

430   模型数据库

440   搜寻模块

450   运算模块

460   比较模块

470   判定模块

480   输出接口

具体实施方式

在此，是采用几何测量借助内藏电容性组件的几何尺寸得知其电气值，以确认此内藏电容性组件是否符合所设定的电性规格，进而避免不符规格的基板结构进入后续制作流程。

参考图2，为本发明一实施例的内藏电容组件的测试方法。首先，测量基板结构中的内藏电容组件的几何尺寸(例如：内藏电容组件的耦合面积与厚度)(步骤110)；根据基板结构到模型数据库中取得电气参数与几何尺寸的关系数值，以及标准电气参数(步骤120)；以测量所得的几何尺寸和取得的关系数值计算内藏电容组件的电气参数(例如：电容值)(步骤130)；比较标准电气参数和计算所得的电气参数以得到误差值(步骤140)；确认此误差值，来确定误差值是否在合理范围内(步骤150)，其中当误差值在合理范围内时，即代表此基板结构符合所设定的电性规格(步骤152)，反之，当误差值在合理范围之外时，即代表此基板结构不符合所设定的电性规格，而需报废(步骤154)。如此一来，方便大量测量所生产的内藏电容组件的基板结构的电性规格，进而避免不符规格的基板结构进入后续制作流程。

在此，内藏电容组件的几何尺寸的测量可借助照相法来取得。换句话说，可利用摄像技术取得内藏电容组件的图像(步骤112)，再利用图像分析技术从图像中得知内藏电容组件的几何尺寸(步骤114)，如图3所示。

举例来说，在运用于实际量产制作流程中时，先进行内藏电容组件的基板结构的制作(步骤202)，基板结构的制作完成后，可利用印刷电路板(PCB)线路检查机取得内藏电容组件的几何尺寸(步骤210)，再根据所生产的基板结构类型到模型数据库中取得电气参数与几何尺寸的关系数值和标准电气参数(步骤220)，借助此关系数值和测得的几何尺寸计算出内藏电容组件的电气参数(步骤230)，并将标准电气参数和计算所得的电气参数相比较，得到误差值(步骤240)，接着确认得到的误差值是否在合理范围内(步骤250)，其中当误差值在合理范围内时，此基板结构即可继续进行后续制作流程(步骤252)，反之，当误差值在合理范围外时，此基板结构则不进入后续制作流程中(步骤254)，如图4所示。

其中，也可先取得电气参数与几何尺寸的关系数值(步骤121)，然后在计算内藏电容组件的电气参数(步骤130)之后，再取得标准电气参数(步骤122)，进行标准电气参数和计算所得的电气参数的比较，进而得到误差值(步骤140)，如图5所示。

此外，参考图6A，内藏电容组件的几何尺寸的测量可为测量内藏电容组件的耦合面积(步骤310)。然后，再根据基板结构的种类，从模型数据库中取得电容值与耦合面积的关系数值，以及标准电容值(步骤320)。接着利用测得的耦合面积和取得的关系数值计算内藏电容组件的电容值(步骤330)，其关系式如下：

A＝ε1×C…………………………………(1)

A∝C    …………………………………(2)

在式(1)、式(2)中，A代表内藏电容组件的耦合面积，C代表内藏电容组件的电容值，而ε1代表电容值与耦合面积的关系数值。

再将计算所得的电容值与取得的标准电容值相比较，以得到二者间的误差值(步骤340)。在此，是将内藏电容组件的厚度与介电常数归于单一变量(即ε1)并假设其为定值，借助实际上下耦合面积(其包括制作流程刻蚀误差与对位误差)来推算电容值。

最后，再借助判断此误差值是否在合理范围内(步骤350)，来确定此基板结构是否符合所设定的电性规格(步骤352、步骤354)。

在此，也可先取得电容值与耦合面积的关系数值(步骤321)，然后在计算内藏电容组件的电容值(步骤330)之后，再取得标准电容值(步骤322)，如图6B所示。

再有，参考图7A，内藏电容组件的几何尺寸的测量也可为测量内藏电容组件的耦合面积和内藏电容组件的厚度(步骤312)。然后，再根据基板结构的种类，从模型数据库中取得电容值、耦合面积与厚度的关系数值，以及标准电容值(步骤324)。接着利用测得的耦合面积和厚度以及取得的关系数值，来计算内藏电容组件的电容值(步骤332)，其关系式如下：

A＝ε2×C×d…………………………………(3)

A∝C×d…………………………………(4)

在式(3)、式(4)中，A代表内藏电容组件的耦合面积，C代表内藏电容组件的电容值，d代表内藏电容组件的厚度，而ε2代表电容值、耦合面积和厚度的关系数值。也就是说，内藏电容组件的耦合面积是与内藏电容组件的电容值与厚度的乘积成正比。

再将计算所得的电容值与取得的标准电容值相比较，得到二者间的误差值(步骤340)。在此，假设介电常数(即ε2)为定值，借助实际上下耦合面积(其包括制作流程刻蚀误差与对位误差)和压合后的厚度来推算电容值。

最后，再借助判断此误差值是否在合理范围内(步骤350)，来确定此基板结构是否符合所设定的电性规格。

在这里，也可先取得电容值、耦合面积与厚度的关系数值(步骤325)，然后在计算内藏电容组件的电容值(步骤330)之后，再取得标准电容值(步骤322)，如图7B所示。

在此，模型数据库中的各项信息可通过预先测量标准基板结构而建立。参考图8，首先，以标准制作流程制作出具有内藏电容组件的标准基板结构(步骤160)，然后测量此内藏电容组件的电气参数(例如：电容值)与几何尺寸(例如：内藏电容组件的耦合面积与厚度)，以取得标准电气参数和标准几何尺寸(步骤170)，接着以取得的标准电气参数和标准几何尺寸来计算电气参数与几何尺寸的关系数值(步骤180)，储存标准电气参数、标准几何尺寸和关系数值(步骤190)，借此来建立模型数据库。

其中，参考图9，在步骤170中可为测量得的内藏电容组件的电容值与耦合面积，以取得标准电容值和标准耦合面积(步骤172)，借此来计算电容值与面积的关系数值(步骤182)，其关系式如下：

A′＝ε1×C′…………………………………(5)

A′∝C′………………………………………(6)

在式(5)、式(6)中，A’代表内藏电容组件的标准耦合面积，C’代表内藏电容组件的标准电容值，而ε1代表电容值与耦合面积的关系数值。

最后，再将取得的标准电容值、标准耦合面积和关系数值储存起来(步骤192)，以建立模型数据库。

再有，参考图10，在步骤170中可为测量得的内藏电容组件的电容值、耦合面积与厚度，以取得标准电容值、标准耦合面积和标准厚度(步骤174)，借此来计算电容值、耦合面积和厚度的关系数值(步骤184)，其关系式如下：

A’＝ε2×C’×d’…………………………………(7)

A’∝C’×d’………………………………………(8)

在式(7)、式(8)中，A’代表内藏电容组件的标准耦合面积，C’代表内藏电容组件的标准电容值，d’代表内藏电容组件的标准厚度，而ε2代表电容值、耦合面积和厚度的关系数值。

最后，再将取得的标准电容值、标准耦合面积、标准厚度和关系数值储存起来(步骤194)，以建立模型数据库。

然而，也可分别将上述二关系数值计算得(步骤182、184)，最后，将取得的标准电容值、标准耦合面积、标准厚度和二关系数值储存起来(步骤196)，以将二关系数值预先建立在模型数据库中，借此来建立模型数据库，如图11A、图11B所示。

其中，此模型数据库中，可通过上述方式预先建立好各种类型的标准基板结构的各项参数(包括：标准电气参数、标准几何尺寸以及各项电气参数和几何尺寸的关系数值)。在此，标准基板结构的类型可依据制作流程、各层所使用的材料和/或完整结构尺寸等信息来进行分类。

参考图12，为本发明一实施例的内藏电容组件的测试系统。此测试系统400包括：图像撷取模块410、图像分析单元420、模型数据库430、搜寻模块440、运算模块450、比较模块460和判定模块470。

此内藏电容组件的测试系统400可与制作流程系统结合，在具有内藏电容组件的基板结构制作完成后进行检测。首先，利用图像撷取模块410撷取基板结构的图像，再由连接至图像撷取模块410的图像分析单元420，借助分析撷取的图像，来得到内藏电容组件的几何尺寸(例如：内藏电容组件的耦合面积与/或厚度)。搜寻模块440连接至模型数据库430，其根据基板结构的类型，从模型数据库430中取得电气参数与几何尺寸的关系数值及标准电气参数。接着，运算模块450就可利用得到的几何尺寸和取得的关系数值来计算出内藏电容组件的电气参数(例如：内藏电容组件的电容值)。并由比较模块460将标准电气参数和电气参数相比较，得到一误差值，通过判定模块470来确认此误差值，借此来产生表示基板结构是否符合所设定的电性规格的判定结果。

在此，图像分析单元420分析得的内藏电容组件的几何尺寸可为内藏电容组件的耦合面积和/或内藏电容组件的厚度。而搜寻模块440所取得的电气参数与几何尺寸的关系数值可为电容值与耦合面积的关系数值和/或电容值、耦合面积与厚度的关系数值，且所取得的标准电气参数可为标准电容值。并且，运算模块450所计算出的电气参数可为电容值。

举例来说，当图像分析单元420分析得内藏电容组件的耦合面积时，搜寻模块440会从模型数据库430取得电容值与耦合面积的关系数值以及标准电容值，然后，运算模块450可根据公式：A＝ε1×C计算内藏电容组件的电容值，其中，A代表内藏电容组件的耦合面积，C代表内藏电容组件的电容值，而ε1代表电容值与耦合面积的关系数值。再有，当图像分析单元420分析得内藏电容组件的耦合面积和厚度时，搜寻模块440会从模型数据库430取得电容值、耦合面积与厚度的关系数值以及标准电容值，然后，运算模块450可根据公式：

A＝ε2×C×d

计算内藏电容组件的电容值，其中，A代表内藏电容组件的耦合面积，C代表内藏电容组件的电容值，d代表内藏电容组件的厚度，ε2代表电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

此外，判定模块470根据一合理范围来判断误差值，其中当误差值在合理范围内时，产生的判定结果即代表基板结构符合所设定的电性规格，反之，当误差值不在合理范围内时，所产生的判定结果则代表基板结构不符合所设定的电性规格。

此外，还可通过输出接口480将判定结果输出，借此使后续制程避免不符规格的基板结构进入，进而避免资源浪费，如图13所示。此输出接口480可为显示模块将判定结果显示出来，或者为传输接口将判定结果输出至后续制作流程系统。

其中，图像撷取模块和图像分析单元可借助一印刷电路板线路检查机来实现。而搜寻模块、运算模块、比较模块和判定模块可借助一个或多个数据处理单元来实现。并且此数据处理单元可为中央处理器。

再有，在模型数据库中具有预先建立好的各种类型的标准基板结构的各项参数(包括：标准电气参数、标准几何尺寸以及各项电气参数和几何尺寸的关系数值)。在此，基板结构的类型可依据制作流程、各层所使用的材料和/或完整结构尺寸等信息来进行分类。

当然，本发明还可有其他多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (37)

1、一种内藏电容组件的测试方法，用来测试一基板结构，其中该基板结构具有一内藏电容组件，其特征在于，该测试方法包括有如下步骤：

测量该内藏电容组件的几何尺寸，该几何尺寸至少包括一耦合面积；

根据该基板结构的类型，从一模型数据库中取得电容值与几何尺寸的关系数值；

根据该基板结构的类型，从一模型数据库中取得标准电容值；

以该电容值与几何尺寸的关系数值和该几何尺寸计算该内藏电容组件的电容值；

比较该标准电容值和计算得到的该电容值，得到一误差值；以及

确认该误差值是否在一合理范围内，借此来确定该基板结构是否符合所设定的电性规格。

2、根据权利要求1所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该根据该基板结构的类型，从一模型数据库中取得电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：根据该基板结构的类型，自该模型数据库中取得一电容值与耦合面积的关系数值。

3、根据权利要求2所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该以该电容值与几何尺寸的关系数值和该几何尺寸计算该内藏电容组件的电容值的步骤，还包括有如下步骤：利用取得的该电容值与耦合面积的关系数值和测量所得的该耦合面积计算该内藏电容组件的一电容值。

4、根据权利要求3所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，在该利用取得的该电容值与耦合面积的关系数值和测量所得的该耦合面积计算该内藏电容组件的一电容值的步骤中，是根据公式A＝ε1×C来计算，其中该A代表该内藏电容组件的该耦合面积，该C代表该内藏电容组件的该电容值，而该ε1代表该电容值与耦合面积的关系数值。

5、根据权利要求1所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该几何尺寸还包括一厚度。

6、根据权利要求5所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该根据该基板结构的类型，从一模型数据库中取得电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：根据该基板结构的类型，从该模型数据库中取得一电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

7、根据权利要求6所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该以该电容值与几何尺寸的关系数值和该几何尺寸计算该内藏电容组件的电容值的步骤，还包括有如下步骤：利用测得的该耦合面积和该厚度，以及取得的该电容值、耦合面积与厚度的关系数值计算该内藏电容组件的一电容值。

8、根据权利要求7所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，在该利用测得的该耦合面积和该厚度，及取得的该电容值、耦合面积与厚度的关系数值计算该内藏电容组件的一电容值的步骤中，是根据公式：

A＝ε2×C×d

来计算，其中该A代表该内藏电容组件的该耦合面积，该C代表该内藏电容组件的该电容值，该d代表该内藏电容组件的该厚度，该ε2代表该电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

9、根据权利要求1所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该确认该误差值是否在一合理范围内，借此来确定该基板结构是否符合所设定的电性规格的步骤，还包括有如下步骤：

根据该合理范围判断该误差值；

当该误差值在该合理范围内时，代表该基板结构符合所设定的电性规格；以及

当该误差值不在该合理范围内时，代表该基板结构不符合所设定的电性规格。

10、根据权利要求1所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该测量该内藏电容组件的几何尺寸的步骤，还包括有如下步骤：

利用一摄像技术取得该内藏电容组件的一图像；以及

利用一图像分析技术从该图像中得知该内藏电容组件的该几何尺寸。

11、根据权利要求1所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该测量该内藏电容组件的几何尺寸的步骤，还包括有如下步骤：用一印刷电路板线路检查机测量该内藏电容组件的该几何尺寸。

12、根据权利要求1所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，还包括有如下步骤：建立该模型数据库。

13、根据权利要求12所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该建立该模型数据库的步骤，还包括有如下步骤：

提供至少一标准基板结构，其中每一该基板结构具有至少一内藏电容组件；

测量该基板结构的该内藏电容组件的该电容值与该几何尺寸，以得到标准电容值和标准几何尺寸，该标准几何尺寸至少包括一标准耦合面积；

以该标准电容值和该标准几何尺寸计算该电容值与几何尺寸的关系数值；以及

储存该标准电容值、该标准几何尺寸和该电容值与几何尺寸的关系数值。

14、根据权利要求13所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该提供至少一标准基板结构的步骤，还包括有如下步骤：以一标准制作流程制作出该标准基板结构。

15、根据权利要求13所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该测量该内藏电容组件的该电容值与该几何尺寸，以得到标准电容值和标准几何尺寸的步骤，还包括有如下步骤：测量该内藏电容组件的电容值与耦合面积，以得到一标准电容值和一标准耦合面积。

16、根据权利要求15所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该以该标准电容值和该标准几何尺寸计算该电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：以该标准电容值和该标准耦合面积计算一电容值与耦合面积的关系数值。

17、根据权利要求16所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该储存该标准电容值、该标准几何尺寸和该电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：储存该标准电容值、该标准耦合面积和该电容值与耦合面积的关系数值。

18、根据权利要求16所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，在该以该标准电容值和该标准耦合面积计算一电容值与耦合面积的关系数值的步骤中，是依据公式A′＝ε1×C′来计算，其中该A’代表该内藏电容组件的该标准耦合面积，该C’代表该内藏电容组件的该标准电容值，该ε1代表该电容值与耦合面积的关系数值。

19、根据权利要求13所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该几何尺寸还包括一标准厚度。

20、根据权利要求19所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该以该标准电容值和该标准几何尺寸计算该电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：以该标准电容值、一标准耦合面积和一标准厚度计算一电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

21、根据权利要求20所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该储存该标准电容值、该标准几何尺寸和该电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：储存该标准电容值、该标准耦合面积、该标准厚度和该电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

22、根据权利要求20所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，在该以该标准电容值、一标准耦合面积和一标准厚度计算一电容值、耦合面积与厚度的关系数值的步骤中，是依据公式：

A’＝ε2×C’×d’

来计算，其中该A’代表该内藏电容组件的该标准耦合面积，该C’代表该内藏电容组件的该标准电容值，该d’代表该内藏电容组件的该标准厚度，该ε2代表该电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

23、根据权利要求19所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该以该标准电容值和该标准几何尺寸计算该电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：以该标准电容值、一标准耦合面积和一标准厚度计算一电容值与耦合面积的关系数值及一电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

24、根据权利要求23所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该储存该标准电容值、该标准几何尺寸和该电容值与几何尺寸的关系数值的步骤，还包括有如下步骤：储存该标准电容值、该标准耦合面积、该标准厚度、该电容值与耦合面积的关系数值和该电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

25、根据权利要求23所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，在该以该标准电容值、一标准耦合面积和一标准厚度计算一电容值与耦合面积的关系数值及一电容值、耦合面积与厚度的关系数值的步骤中，是依据公式：

A′＝ε1×C′

A’＝ε2×C’×d’

来计算，其中该A’代表该内藏电容组件的该标准耦合面积，该C’代表该内藏电容组件的该标准电容值，该d’代表该内藏电容组件的该标准厚度，该ε1代表该电容值与耦合面积的关系数值，该ε2代表该电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

26、根据权利要求1所述的内藏电容组件的测试方法，其特征在于，该基板结构的类型依据该基板结构的制作流程、该基板结构的材料和该基板结构的完整结构尺寸的其中至少一项来分类。

27、一种内藏电容组件的测试系统，用来测试一基板结构，其中该基板结构具有一内藏电容组件，该测试系统包括有：

一模型数据库，用来根据至少一基板结构的类型而储存有对应该基板结构的标准电容值和电容值与几何尺寸的关系数值，该几何尺寸包括一耦合面积；

一图像撷取模块，用来撷取该基板结构的一图像；

一图像分析单元，用来分析该图像以得知该内藏电容组件的几何尺寸；

一搜寻模块，用来根据进行测试的该基板结构的类型，从该模型数据库中取得对应该基板结构的该电容值与几何尺寸的关系数值及该标准电容值；

一运算模块，用来利用该几何尺寸和该电容值与几何尺寸的关系数值计算出该内藏电容组件的电容值；

一比较模块，用来比较该标准电容值和该电容值以得到一误差值；以及

一判定模块，用来确认该误差值是否在一合理范围内，以产生表示该基板结构是否符合所设定的电性规格的一判定结果。

28、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该几何尺寸还包括一厚度。

29、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该电容值与几何尺寸的关系数值为一电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

30、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该运算模块根据公式A＝ε1×C来计算该内藏电容组件的该电容值，其中该A代表该内藏电容组件的该耦合面积，该C代表该内藏电容组件的该电容值，而该ε1代表电容值与耦合面积的关系数值。

31、根据权利要求28所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该运算模块根据公式：

A＝ε2×C×d

来计算该内藏电容组件的该电容值，其中该A代表该内藏电容组件的该耦合面积，该C代表该内藏电容组件的该电容值，该d代表该内藏电容组件的该厚度，且该ε2代表电容值、耦合面积与厚度的关系数值。

32、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，还包括有：

一输出接口，用来输出该判定结果。

33、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该图像撷取模块和该图像分析单元由一印刷电路板线路检查机来实现。

34、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该搜寻模块、该运算模块、该比较模块和该判定模块由至少一数据处理单元来实现。

35、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，当该误差值在该合理范围内时，产生的该判定结果代表该基板结构符合所设定的电性规格，而当该误差值不在该合理范围内时，产生的该判定结果代表该基板结构不符合所设定的电性规格。

36、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该基板结构的类型依据该基板结构的制作流程、该基板结构的材料或该基板结构的完整结构尺寸来分类。

37、根据权利要求27所述的内藏电容组件的测试系统，其特征在于，该电容值与几何尺寸的关系数值为一电容值与耦合面积的关系数值。

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