TWI271807B - Chip embedded package structure and fabrication method thereof - Google Patents

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Description

1271807 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 結構及其製法， 固定於承载板内 更詳 之構 本發明係有關於一種半導體構裝 而言之，係有關於一種將半導體晶片 裝結構及其製法 【先前技術】 隨著電子產業的蓬勃發展，電子產品亦朝輕、薄、短、 積度、多功能化方向發展。為滿足半㈣封裝件 尚和木度（Integm臟）以及微型化（Miniaiudzaii叫 需求’半導體晶片之封裝形逐漸由單„晶片之球栅陣列、 ㈣A)封裝或覆晶式（Flip Chip,FC)封裝演進到封裝和 模組化封裝形態，使得封裝之結構產生了不同的面貌例如 SiP(System m Package) ^ SIP(System Integrated Package). SiB(System in Board)等多種形式。 •惟，該些3D及模組化封裝形態係以覆晶技術（fiip chip)，或打線技術（wire b〇ndmg)將單一的半導體元件—個 接们的連接至基板表面，亦或以表面黏貼技術（smt)霉占 貼於基板表面。該些元件係全部分佈於基板表面，因而不 利於模組化結構尺寸之縮小及性能的提高。 爲此’遂有業界提出將半導體元件埋入高密度之電略 板之作法。如第1圖所示，係為習知的半導體元件埋入電 路板之構裝結構之剖面示意圖。如圖所示，該構裝結構係 包括承載板1 0，且該承載板i 〇之一表面1 〇〇形成有至少 一開口 100a ;至少一半導體晶片11，且該半導體晶片u 6 18425 1271807 ==有多數電極墊11G，魅置㈣承條ig上且收納 上二職中；線路增層結構12係形成於該承載板10 祖X、泉路立曰層結構12係藉由複數導電盲孔120電性連 接至該半導體晶月η上之電極墊110。 2其雖可解決上述問題’但是將半導體晶片埋入高密 板，因無法控製半導體晶片在電路板中的精度和 誤差值的存在，使該半導體晶片埋人電路板之作 _法存在如下之諸多缺點·· 時，=旦t整合有半導體晶片電路板上進行增層製程 限制；丰型機台的誤差值和增層後各製程的誤差值， 製二t::晶片上電極塾的規格，機台精度和增層後各 之線會造成增層後無法對位精準而造成增層 之、，泉路無法有效對位於晶片電極墊上。 程，：ί在=有效固定半導體晶片就直接進行增層製 曰因在增層後要檢驗半導髀曰 ，造成現場作業之困H 板的對位度， '、 支 而造成產品隱藏性問題增加、良 率降低，使生産成本增加。 良 【發明内容】 鑒於上述習知技術之缺失，本發明之主要 =-種晶片嵌埋式構裝結搆及其製法，以: 效將半導體晶片定位於承載板中，使半導體有 成爲一體，以利於進行後續製程。 s 〃八載板 ::明之再—目的在於提供一種晶片嵌埋式構 及心法，以利用電鑛製程將半導體晶片有效定位於:载 18425 1271807 ,俾可避免習知技術中由於增層製程之成型 =後各製程的誤差值，造成增層之線路無法有：; 位於日日片電極墊上等缺點。 " 本發明之又另一目的A认ω 搆及i制、去，+、—種晶片嵌埋式構裝結 ，板行檢驗半導體晶片於承載板中的對位^ 低。 良率增加、生産成本降 • _ 為達上揭及其他目的，本發 裝結構之製法，係包括··首先提供—具第=讀式構 面之承載板，且該承載板中、及第二表 板弟—衣面形成—黏著 …氧載 動面及相對非主動面心’亚將至少-具主 , u +導體晶片以其非主動面接胃 黏者層上，且容設於該承載板 力面接置於该 定位於該開口中；於該半# 1巾，以將該晶片預先 •層，且對應於該承载板第一二：之:：面上形成-保護 一表面、該保護層表面、—側王面於該承载板第 表面與該開口周緣表面形成載=處之黏著層 形成—阻層，以定義出電_/二=於該導電層上 f露出對應於該承載板開口與該半導體\;:开電鍍開口係 中形成預定高度之金屬層成::： 广曰曰片有效固著於承載板開 二以使该 所復盍之導電層與該黏著層。 于…亥阻 本發明亦揭露出該晶 甘入埋式構裝結構之製法另一實 J8425 8 1271807 施態樣，該製法與上述絮 移除，且於該承載板之第處在於··係先將黏著層 面上形成第-增+ β 、 该半導體晶片之非主動 凹上φ成弟—辱電層；於F王動 層，以定義出電鑛開口，且：：h層上復形成第二阻 該承載板開口位置；以及進;;電二層之電鑛開口係對應 開口中形成—預定 以於該阻層之電鑛 層逸散半導體晶片運作時 、匕5亥弟二金屬 該第 護層 第二阻層及其所覆蓋之第 該第一、第二阻展β 之熱量。其後再加以移除 第一導電層與該保 透過上述之製程，本發明之S山 實施態樣係包括：具至少^式構裝結構之- 晶片，係容設於該承載板之開口中；7反―至少一半導體 係形成於該承載板開口與該半導體：預二…金屬f 以將該半導體晶片定位於該 主動面上形1=二，處在於該半導體晶片之非 片之散熱件。度之金屬層，可供作為該晶 in口技術’本發明之晶片嵌埋式構裝結構及並 衣法’主要係透過電鑛製程預先在半導體晶片與承载板開 隙間形成金屬層，以將該半導體晶片有效固定於‘ 八反之開口中’因而可在進行後續之增層製程前控制、 檢驗該半導體晶片於該承載板中之對位精度，所以可避免 心成型機台本身存在的誤差值和機台極限’使得該半導 18425 9 1271807 體晶片的結構受到限制。 於承^由本發明係透過電鐘製程將半導體晶片有效定位 成刑：：而可不受限於後續的增層製程所需要考量 、，土 .、口的玦差值和增層後各製程的誤差值，從 增層製程之前將半導妒曰 行 、辟备，，， 干¥版日日片扣準固定於承載板中，進而可 精度和各#程的片的"極塾尺寸小於成型機台 線路無法有效對位於半導ρ片之上曰層衣㈣成的增層 牛¥肢日日片之電極墊等問題。 L貝她方式】 以下藉由特定的具體實施例說 熟悉此技蓺之人+ π Α 个知乃之貝方式， 本發明之其他優點及功效。本發明地瞭解 體實施例加以施行^由-他不同的具 於不同的觀點與應用，在 負、，、田即亦可基 修飾與變h 不丨子_本發明之精神下進行各種
> 請參閱第2A圖至第2F 構裝結構之製法第知為本發明之晶片嵌埋式 罘只施例之剖面示意圖。 如第2A圖所示’首先提供— 具有一第一表面200及與該第一本 该承載板20 別，且於該承載板2〇中 弟—表面 開口加。其中，該承載板20係二=弟^第二表面之 熱板，此外，該承載板亦可為βτ樹脂、所裂成之散 樹脂、破璃纖维、聚乙醯 ^ 树月曰、環氧 緣板，亦或為形成有線路結構=寻树月曰材料所製成的絕 、°傅之琶路板。 18425 1271807 . * ^第2B圖所不，於該承載板20之第二表面201形成 著層21以封住該承載板2〇之開口 2〇2，並將至少一 半導體晶片22接置於該黏著層21上且容設於該承載板2〇 開口 2〇2中，從而將該半導體晶片22預先固定於該開口 中”中，6玄半導體晶片22係具有多數電極墊22〇a 220及與該主動面相對之非主動面22卜且該半 、 片2係以其非主動面2 21與該黏著層21接觸並收 φ 、、，内於該承載板20之開口 202中。 成 …亥丰¥月豆日日片22之主動面220形 成一保護層23以保護該半導俨日 带托勒日日片22主動面22〇上之該 甩極2 22〇a。接著於該承載板2 Μ ^ π秋极川之弟一表面200、該保護 —載板開口加處之黏著層21表面、及該 传作形成一導電層24。該導電層叫 二、”、讀金屬材料所需的電流傳導路徑，其可由全 ^或沉積數層金屬層所構成，如選自銅 =成銅Γ金編合金等所構成之群組之其中-者所組成’或可使用例如聚乙炔 、甲 等導電高分子材胃+ ^本胺或有機硫聚合物 刀卞材科以作為該導電層24 〇 如第2D圖所示，於該導電層24 進行圖案化製程，以使該阻層25形成二成—阻層25’並 出部分之導電層24。該阻層25可為：口 250 ’以外露 式形成於料電層24表面，再藉由絲合等方 圖案化，而形成有欲電鍍開口 25〇 广寺方式加以 5玄.250位置係顯 18425 11 1271807 露出相對應該承载板20開口 2〇2 成之間隙位置。 千^日日片22_ 如第2E圖所示，再對該承載板2〇進行電鍍 ecti〇p〗atlng)製程，藉由該 ^ ^ ^ ^ 進行電鑛時可作為電、、，值塞玫"寸性，俾在 中^〇 導路徑，以在該欲電鐘開口 250 电、又/成預疋尚度之第一金屬層26。 :村:可―錫、銀、銅、金一銻= :之經驗-者。惟，依_ 兮今麗“幻為成4之电鍍材料且成本較低，因此， 由二二:由電鑛銅所構成者為較佳，但非以此為限。 片22所形成於該承載板開口 202與該半導體晶 定於承載板，將得以有效使該半導體晶片22固 、取戰扳20中。另外，兮厶鏖 Μ ^ , 〜w蜀s 26之南度可依實際製 而求加以調整而非以本圖式為限。 、、 如第2F圖所不，復可移除該黏著層21、阻芦％ 甘 所覆蓋之導電層24、以及 日21阻層25與其 導髀曰κ 99 、 呆。又層23，以便將該固定有半 ' 之承載板20提供給後續之萝浐佶ra "丨；、祍 線路增層製程)，以完成該半 片::使用(例如進行 導接。 干日日片之封裝與向外之電性 由於本發明中係可形成具預定古 係填充於該承載板開口2〇2^二^之金屬層26,且其 中，故可將半導體晶片22精準+二；；片22所形成之間陳 而楫右对、隹一 V 早疋位方U亥承載板20中，進 、有效進仃例如增層製程之後續製程。 如圖所示，應用上述之製法所得之本發明之晶片嵌埋 18425 ]2 1271807 式構裝結構係包括·承葡知9 A 2^ , ^ a 冰載板20、至少—半導體晶片22、導 電層24、以及具預定古译 μ 等 、回又之弟一金屬層26。其中，該永哉 板20係具有第一表面2〇〇及與該 ”欣σ 201，且該承載板％ JL # 乂 目對之第二表面 ml: 有貫穿其第-、第二表面之開口 02’该+ ¥肢晶片22係容設於該開口 24係形成於該承載板 ^ 〜層 & U2表面及該開口 202周绫# 面；而該金屬層26係形成於該導電層24上，且埴二: 承載板m202與該半導體晶片22所形成之間^ 二：二1:422有效、精準的定位於該承載板2。中， 以利進仃後、，.員之例如線路增層等製程。 。月’閱第3A圖至第31圖’係為本 構綱之製法第二實施例之剖面示意圖。以-埋式 如弟3A圖所不，首务蔣极 &古一笛一主 先棱（、—承载板30,該承載板30 /、有#表面300及與該第一表面相對之第二表面 二^於=载板30中形成有貫穿其第一、第二表面之 u 該承载板3G係可為金屬材料所製成之散 … 為騎板，亦或為形成有線路結構之電路板。 =3β圖所示，於該承載板3〇之第二表面301形成 一黏者層31以封住該承載板30之開口 302,並將至少一 半導體晶片3 2接置於★玄为；基思 接置方…亥黏者層31上且容設於該承載板3〇 之開〇2中，從而將該半導體晶片㈣固於該開口地 中°其中，該半導體晶片32係具有多數電極塾通之主 動面320及與該主動面相對之非主動面32卜且該半導體 晶片d係以其非主動自功接置於該黏著層^上並收納 J8425 13 1271807 於5亥承載板3 〇之開口 3 〇2中。 如第3C圖所示，於該半導體 成一保護層33，以保護該半導體晶片3ΐ φ之叙主動面320形 該電極墊320a。接著於該承載板 ® .上之 護層33表面、該承哉妃μ ^弟—表面300、該保 玄承载板開口 302處之黏著 该開口 302周緣表面上形成一導電』者層31表面、及 要係作為後續電鍍金屬材料所需的:。该導電層Μ主 子材料。積數層金屬層所構成，亦可使用導電高分 如第3D圖所示，於該導電層34 於該阻層35中形成欲電鐘開口 35〇，二成二阻層”，並 係顯露出相對應該承载板3〇開 ；：电鍍開口 350 所形成之間隙位置。 人该半導體晶片32 了斤示，對該承载板3〇進行電物，藉由 。亥弟- ¥電層34具導電特性，俾 “錯由 傳導路徑，以在該欲電鑛開口 35〇中寺可作為電流 第一今Μ尽以社丄 鍍形成預定高度之 乐孟屬層36。其中該金屬層刊之 以 成者為較佳，但非以此為限。該金…4 =鍍銅所構 板開口 302與該半導體晶 二“成於該承载 導俨曰片M足間隙中，以有效將該半 ^版日日片32疋位於該承載板3〇中。該 依實際製程需求加以調整，而非以本圖式為^ 之第如示，移除該黏著層31，並於該承載板3。 =:^301及該半導體晶片32之非主動面321形成第 該導電層37主要係作為後續電錢金屬材料 18425 ]4 1271807 所需的電流傳導路徑，其 層所構成，或為導電高分子材料蜀δ孟或沉積教層金屬 如弟3G圖所示，接著於該導電層^ 38’亚進行圖案化製程，以使該阻層卿成有二：： 380，該欲電鍍開口 有人电鍍開口 口 302位置。3㈣形成於相對應該承載板30之開 騎示，㈣該承餘3_ 由该導電層37且導命4 士从伯上 衣枉稭 導路徑，以在俾在進行電鑛時可作為電流傳 二八严乂 電鑛開口 380上電鑛形成預定高度之第 一孟萄層39,其中，該第二金屬層39 於（圖未示）车道雕 積係可大於或小 面产。另、夕 片之面積’較佳係大於半導體晶月之 面^另外，對應於形成在該承載板開口 3〇2令 3 6亦可在此次之雷雄制 ^ m m 中持續生成，惟若該金屬層36 方；无刖電鍍製程中ρ ;查 古 μ 才甲已達預疋南度時，係可在該金屬層36 上復皿一阻層以防止i牲矣 万止〃、持‘生成。该金屬層39之材料可為 : 錫、銀、銅、金、叙、銻、鋅、錄、錯、鎂、銦、 碲以及鎵等金屬之1中一 中者。惟，依貫際操作之經驗，由 、·’5 ’、、、无、之電鍍材料且成本較低，因此，該金屬層39 以由電，所構成者為較佳，但非以此為限。 、胃二圖所示，之後即可移除該阻層3 5及其所覆蓋 之534、該阻層38及其所覆蓋之導電層37、以及該 半t二B曰片32主動面上之該保護層33，以便將該固定有 半V 日日片_32之承载板3〇提供給後續之製程使用（例如進 行線路增層製程），以完成該半導體晶片之封裝與向外之電 15 18425 1271807 性導接。 ’ *於本發明中係於該承載板30開〇3〇2與半導體晶片 32間之間隙中形成具預定高度之金屬層％，故可將半導體 晶片32先行精準定位於該承载板3"，俾利於進行例如 - 增層製程之後續製程。 >圖所示’應用上述製法所得之本發明之晶片歲埋式 構裝結構’係包括：承載板3G、至少—半導體晶片Μ、導 •電層34、以及具預定高度之第一金屬層％、導電層”、 以及骸高度之第二金屬層39。其中，該承載板％，係且 有第-表面300及與該第一表面相對之第二表面3〇1，且 該承載板30具有貫穿其第―、第二表面之開口鼠該半 導體晶Θ 32係具有主動面32〇及相對之非主動面321，其 係容設於該開口 302中，且該半導體晶片32之主動面⑽ -有夕數电極墊320a ;該導電層34係形成於該承載板開 口 302處表面及該該開口搬周緣表面；而該金屬層％ _係形成於該金屬層34上，而填充於該承載板3〇開口 3〇2 入λ半^月且日日片3 2所形成之間隙中，以將該半導體曰 32有效、精準的定位於該承載板30中，以利進行彳^之 路增層等半導體製程；言玄導電，37,係形成於該半 導體晶片32之非主動面321上；該第二金屬層39，係形 ^該導電層37上；其中該第二金屬層39之面積係可大 於或小於（圖未示）半導體晶片之面積，較佳係大於半導體 晶片之面積。 相較於習知技術，本發明之晶片嵌埋式構裝結構及其 18425 16 1271807 製法’主要係透過電參制 .。之間隙間形成金屬；體晶片與承載板開 .制、檢驗該4體==後續之增層製程前有效控 十版曰曰片於该承載板中之對位精 避免由於成型機台本身存在 斤义可 a p . 存在的決差值和機台極限使得該半 月旦日日片的結構受到限制。 同訏，本發明係透過電鑛製程 k於承載板中，因而可不夸阳於仏〆a 日乃有效疋位 1成型機1 ^佶； 增層製程所需要考量 支枝。的^值和增層後各製程的誤差值， 名知技術中當半導俨S 了 3免 和夂f程㈣塾尺寸小於成型機台精度 i法有㈣㈣^ 後續增層M程形成的增層線路 '、，、法有效對位於丰導體晶片之電極墊等問題。 上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效， 〜限製本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不 =本發明之精神及範訂，對上述實施例進行修改 【圖式簡單説明】 後这之申4利乾圍所列。 意圖第1圖係為習知整合有半導體晶片之封裝結構剖面示 之係為本發明之罐埋式構裝結構 心衣法罘一貝鉍例之剖面示意圖；以及 制、圖至第31係為本發明之晶片嵌埋式構装結構之 衣法弟二貫施例之剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 18425 17 1271807 10 、 20 、 30 承載板 11、22、32 晶片 12 線路增層結構 100 表面 100a 開口 110、220a、320a 電極墊 200 、 300 第一表面 201 、 301 第二表面 202 > 302 開口 220 、 320 主動面 221 、 321 非主動面 21、31 黏著層 23、33 保護層 24 、 34 、 37 導電層 25 、 35 、 38 阻層 250 、 350 、 380 電鍍開口 26 、 36 、 39 金屬層 18 18425

Claims (1)

1271807 十、申請專利範圍： • h 一種晶片嵌埋式構裝結構之製法，係包括： 、提供一具第一表面及第二表面之承載板，且於該承 _ 載板中形成至少一貫穿的開口； 、於°亥承載板之第二表面形成一黏著層，以封住該承 載板開口之一侧； 將至少一半導體晶片接置於該黏著層上且容設於 # =載板之開Π中，其中，該半導體晶片具有—主動面 〃 °亥主動面相對應之非主動面，該半導體晶片係以其 g主動面接置於該黏著層上； ^ ^ ϋ亥半^體晶片之主動面形成一保護層； 承載板第—表面、該保護層表面、及對應該承 —、首:口處之料層表面與該開口周緣表面形成一第
2.
口，該於:玄二—導電層上形成第一阻層，並定義出電鑛 ㈣係承載㈣口與該半導體晶 =電鑛製程以於該電賴口中形成預定高度之 於該承開？該第一金屬層將該半導體晶化 法申：:：範圍第1項之晶片嵌埋式構裝結構之製 移除該第—阻層及其所覆蓋之第-導電 曰μ‘著層及該保護層。 、 專利fe圍第1項之晶片嵌埋式構裝結構之製 18425 19 1271807 法’復包括： μ移除該黏著層，並於該半導體晶片非主動面及承載 板第二表面之一侧形成第二導電層； 口於^亥第一導電層上形成第二阻層，並定義出電鍍開 "玄毛鍍開口係對應於該承載板開口位置·，以及 進行電鍍製程以於該電鍍開口中形成第二 4.=請專利範圍第]項之晶片㈣式構裝結構之^層。 :=中’該承載板係為金屬板、絕緣板、及形成有線 …構之電路板之其中一者。 法^專利範圍第1項之晶片嵌埋式構裝結構之製 6 ’，其中，該第一阻層為乾膜及液態光阻之其中一者。 、去^專利範圍第1項之晶片嵌埋式構裝結構之製 L，其中，該第一阻層係利用印刷、旋塗或貼合之χ复中 方式而形成於該導電層上，並藉由曝 ^ 圖案化者。 ，.肩衫而加以 7H專利範㈣1項之晶片嵌埋式構裝結構之製 :，其中’該第-金屬層可選自鉛、錫、銀、銅、金、 組之:中:者鎳、錯、鎂、銦、碲以及鎵金屬所構成群 δ· t申請專利範圍第1項之晶片嵌埋式構裝結構之製 9如申ΪΓ該半導體晶片之主動面具有多數電極墊。 申:專利範圍第3項之晶U埋式構裝結構之製 屌復〃包括：移除該第一阻層及其所覆蓋之第一導電 '、該第二阻層及其所覆蓋之第二導電層、以及該二 18425 20 1271807 層。 10·如申請專利範圍第3項之晶月嵌埋式構裝結構之製 法，其中，該第二阻層為乾膜及液態光阻之其: 11 ·如申請專利範圍第3項之晶片嵌埋式構裝結構之制° 2，其中，該第二阻層係利用印刷、旋塗或點合之衣皮 —方式而形成於該導電層上，並藉由曝 : 圖案化者。 兀.，肩衫而加以 2 π專利|&圍第3項之晶片巍埋式構裝結構之製 心’其中’該第二金屬層可選自錯、錫、銀、銅 ::之:中!者錄、錯、儀、-、蹄以及蘇金屬所構成群 •種晶片嵌埋式構裝結構，係包括： 有至具有第-表面及第二表面，且該承载板具 以及至少一半導體晶片，係容設於該承载板之開口中； 至屬層，係形成於該承載板開口 w形成之間隙中。 干令版日日片 括申範圍第13項之晶片嵌埋式構裝結構，復包 D巧、纟？黾^其係形成於該承載板開口處表面及該開 15 ·如:$表面’而該金屬層係形成於該導電層上。 中5 =專利範圍帛U項之晶片嵌埋式構裝結構，其‘ V承載板係為金屬板、絕緣板、及形成有線路结 I路板之其中一者。 傅 18425 21 1271807 16·如申請專利範圍第丨3項之晶片嵌埋式構裝結構，其 中’該半導體晶片之主動面係具有多數電極墊。 17· —種晶片嵌埋式構裝結搆，係包括： • 一承載板具有第一表面及第二表面，且該承載板具 .有至少一貫穿的開口； 至少一半導體晶片，係容設於該承載板之開口中； 一第一金屬層，係形成於該承載板開口與該半導體 • 晶片所形成之間隙中；以及 第二金屬層’係對應形成於該承載板第二表面侧之 該半導體晶片之非主動面上。 8·如申巧專利範圍第丨7項之晶片嵌埋式構裝結構，復包 括一第一導電層，其係形成於該承載板開口處表面及該 開口周緣表面，而該第一金屬層係形成於該第一導電層 上0 19.如申請專利範圍第π項之晶片叙埋式構裝結構，其 中，该弟二金屬層與該半導體晶片之間復具有一第二 電層。 、 〇·如申印專利範圍第17項之晶片嵌埋式構裝結構，其 中忒，忒承載板係為金屬板、絕緣板、及形成有線路 結構之電路板之其中一者。 利範圍第17項之^嵌埋式構裝結構，其 中°玄第—金屬層之面積係大於半導體晶片之面積。 2·如中請㈣範圍第17項之晶片嵌埋式構裝結構，其 中，該第二金屬層之面積係小於半導體晶片之面積。 18425 22
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