TWI266044B - Fiber-optic based cavity ring-down spectroscopy apparatus - Google Patents

Description

0) 0)1266044 玖、發明議明 (發明說明應敘明··發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 技術領域 本發明概言之係關於吸收光譜學，且尤其係關於使用一 光纖共振器在衰蕩光腔光譜。 先前技術 請參考圖面，其中類似的參考編號係代表所有圖面中類 似的元件，圖1所示為對數尺度的電磁頻譜。光譜科學係研 究頻譜。相反於關於該頻譜其它部份的科學，光學尤其是 可見光及接近可見光，即可用頻譜中一非常狹窄的部份， 其波長由約1 mm延伸到約1 nm。接近可見光包含比紅還要 紅的顏色（紅外線），及比紫還要紫的顏色（紫外線）。該範圍 僅延伸足夠遠到該光線藉由常用材料所製成的大多數透鏡 或鏡子仍可處理的可見度之任一側。該波長與材料之光學 特性的相關性必須經常考慮。 吸收型式的光譜學提供高敏感度，其回應時間等級為微 秒，不會受到阻礙，以及比其它除了正在研究的物種之外 的分子物種要具有更有限的干擾。不同的分子物種可由吸 收光譜所偵測或識別。因此，吸收光譜學提供了偵測重要 跡線物種的通用方法。在氣相中，此方法的敏感度及選擇 性可以最佳化，因為該物種會將其吸收強度集中在一組尖 銳的頻譜線。在該頻譜中的狹窄線可用來區別出最受干擾 的物種。 在許多工業製程中’在流動中的氣流及液體中跡線物種 的濃度必須以高速及高準確性來量測及分析。其需要這種 -6- (2) (2)1266044 量測及分析係因為污染物的濃度通常為終端產品之品質的 關鍵因素。像是N2、〇2、&、Ar及He之氣體可用來製造 例如積體電路，而那些氣體存在有雜質，即使在於每十債 (ppb)專級的部份，亦會損壞並降低運作中電路的良率。 因此’利用水而可以用光譜學地監視到相當高之敏感度， 其對於製造用於半導體產業之高純度氣體非常重要。在其 匕產業應用中必須偵測多種雜質。再者，在液體中所存在 的雜質，無論是在固有或蓄意的地方，最近皆成為特別地 重要。 光譜學對於高純度氣體中氣態污染物已經達到每個百萬 (ppm)之部份的位準偵測。在ppb等級的偵測敏感度在某些 狀況中可達到。因此，已經應用了數種光譜學方法到這些 應用中做為在氣體中污染的量化監測，其中包含：在傳= 長的路徑長度單元中的吸收量測、光聲學光譜學、頻率調 變光譜學及内光腔雷射吸收光譜學。這些方法具有數種特 徵’其揭示於Lehmann所提出的美國專利編號5,528，_中 其k成了这些方法很難使用，且在產業應用中並不實際 因此這些方法大多數限於實驗室的研究。 相反地，光腔衰冑光譜（CRDS)已成為-種重要的光譜技 術’其可應用到科學、產業製程控制以及大氣跡線氣體偵 測CRDS已經顯不出成為一種量測光學吸收的技術，其在 低吸收性範圍内非當^ ^ 〃 、 憂良’而此為習用方法無法提供適當 的敏感度。CRDS利用了在高微細度光學共振器中光子的平 均哥命做為可觀察到敏感於《率的方法。 (3) (3)1266044

基本上，該共振器係由一對公稱相等、窄頻、超高反射 率介電鏡所形成，其適當地設置來形成一穩定的光學共^ 器。一雷射脈衝經由一鏡面而射入該共振器，以經驗一^ 均壽命，其係依據該光子往返傳送時間、共振器的長度、 吸收橫截面及該物種的數目密度，以及由於本質共振器損 失的因素（其大部份由於忽略繞射損失時的頻率相關鏡面 反射率所造成）。因此，該光學吸收率的決定即由習用的功 率比率量測轉換到衰退時間量測。該CRDS的最終敏感度係 由該本質共振器損失的大小所決定，其可利用像是允許製 造超低損失光學的超研磨的技術來最小化。 目前，CRDS係限於光譜學範圍，其中可使用高反射率介 電鏡。此將明顯地限制該方法的應用性在大多數的紫外線 及紅外線範圍，因為具有足夠高反射率的鏡面目前並不可 得。即使在可取得適當介電鏡的範圍，每組鏡面僅允許在 一小的波長範圍内運作，基本上僅在數個百分比的少量範 圍内。再者，許多介電鏡的組成需要使用會隨時間變質的 材料，特別是當暴露在化學性腐蝕的環境。因為目前這些 限制會使知CRDS被限制或防止使用在許多潛在的應用中 ，因此有非常清楚地需求來改善相對於共振器結構的目前 狀態。 Α· Ριριηο等人所提出的論文「具有全部内在反射迷你光 腔之漸微波光腔衰蕩光譜“Evanescent wave cavity ring down spectroscopy with a total-internal reflection minicavity” Rev· Sci· Instrum. 68 (8) (Aug. 1997)，其提出 1266044

(4) 一種方式來做為一冑改進的共振器結構。必匕方法使用一般 夕邊形（如正方形及八角形）的單石、全部内在反射（TIR)環 狀共振器，其具有至少一個凸面來達到穩定性。一光脈衝 由位在該共振器之外並在其附近的第一稜鏡所完全反射， 產生一漸铽波來進入該共振器，並經由光子隧穿來激發該 共振器的穩定模態。當光線以大於一關鍵角度而射入到該 傳遞媒體之較低折射率的表面上時，其即完全地反射，見 於J.D. Jackson所著的「古典電子動力學（classical Electrodynamics)」第 7章，J〇hn 而巧 & 8應，Inc : New York，NY (1962)。但是，一場域存在於該反射點之外，其 為非傳遞性，並與該介面的距離呈指數性的衰退。此漸微 場域在一純介電媒體中未承載功率，但該反射的波之衰減 即允许觀察到在該漸微場域的範圍中存在有吸收物種，見 於F.M. Mirabella (ed.)所著的「内在反射光譜（⑽⑽ Reflection Spectroscopy)」，第 2章，Marcel Dekker，Inc : New York，NY (1993)。 位在该共振器之完全反射表面之物質的吸收頻譜可由該 單石共振器中一光子的平均壽命來得到，其係由外部耦合 於一第二稜鏡之偵測器處所接收到的該信號之時間相關性 中取得（亦可為位在該共振器之外但在其附近之完全反射 稜鏡）。因此’光學輻射可由光子隧穿而進入及離開該共振 器’其允許精確地控制輸入及輸出耦合。藉由實現了 CRDS 的小型化共振器’且该ΤΙ 11¾狀共振器延伸crds的觀令到 濃縮的物質光譜學。TIR的寬頻性質防止了在習用氣相 1266044

(5) CRDS中由介電鏡所產生的窄頻寬限制。Α· pipin〇等人的成 果僅可應用到TIR光譜，其本質上限於短的整體吸收路徑長 度，以及有力的吸收強度。相反地，本發明提供了長吸收 路徑長度，因此允許偵測到微弱的吸收強度。 在由Lehmann等人所提出的美國專利編號5,973,864、 6,〇97,555、6，172,823 B1 及 6，172,824 B1 中提供了多種鏡面 為基礎的CRDS系統的創新方式，其在此引用做為參考。這 些方法教導使用由兩個反射元件或稜鏡元件所形成的一接 鲁 近共焦的共振器。 圖2所不為一先前技術的CRDS元件1〇。如圖2所示，光線 係由一窄頻、可調整及連續的波二極體雷射2〇所產生。雷 射20係由一溫度控制器3〇來做溫度調整，並使其波長設定 在該分析物所想要的頻譜線上。一隔離器4〇置於由雷射2〇 所放射的輻射之前，並與其在同一線上。隔離器4〇提供一 個單向傳輸路徑，其允許輻射由雷射2〇傳送出來，但可防 止輻射進行到相反方向上。單模光纖耦合器（F C ) 5〇耦合由 雷射20所放射的光線到該光纖料。光纖耦合器⑽係置於該 · ^離益40之前，並與其在同一線上。光纖耦合器50接收並 夹住光纖48，並導引由雷射2〇所放射的輻射朝向並通過一 透鏡第一透鏡46。第一透鏡46收集並聚焦該輻射。因為由 田射20所放射的光束樣式並不完全匹配於在光纖48中傳遞 的光線樣式，其中有不可避免的不匹配損失。 乂田射幸田射大約可模式匹配到一衰蕩光腔（rDc)單元 60中一反射鏡52導引該輻射朝向一光束分離器54。光 -10- (6) 1266044

卓一透鏡56。第二 其餘的輻射傳送 束分離器54導引約有90%的輻射通過一 透鏡56收集並聚焦該輻射到單元6〇中。 通過光束分離器54，並由一反射鏡58逡、 ^ 久考τ蜆3 8導引到一分析物參 考單元90。 傳送通過分析物參考單元90之輕射係被導引朝向並通過 一第四透鏡92。第四透鏡92係對準在分析物參考單元卯及 一第二光偵測器94(PD 2)之間。光偵測器94提供輸入到電 腦及控制電子電路1〇〇。 單元60係由兩個高度反射鏡62、64所構成，其係對準成 為沿著軸a之一接近共焦的etal〇n。鏡面62、64構成該單元 60的輸入及輸出窗。所研究的樣本氣體流動通過一窄管％ ’其係與單元60的該光學軸a共軸心。鏡面62、64係置於可 調整的突緣上，或安裝成由真空密合風箱所密封，以允許 調整單元60之光學對準。 鏡面62、64具有尚反射性介電披覆，並導向於面對由單 元60所形成的光腔内部之塗佈。少部份的雷射光經由前鏡 62進入單元60，並在該單元60的光腔内來回「傳遞」。傳送 通過單元60之後鏡面64(反射器）之光線即被導引朝向並通 過一第三鏡面68，並依此成像在一第一光偵測器7〇(pD i) 上。每個光偵測器70、94轉換進入的光學光束成為一電流 ，因此可提供一輸入信號到電腦及控制電子電路丨00。該輸 入信號代表該光腔衰蕩的衰退率。 圖3所示為在一先前技術的CRDS共振器100中的光學路 徑。如圖3所示，CRDS的共振器1〇〇係基於使用兩個Brewster -11- 1266044

⑺ 的角度制動反射器稜鏡50、52。該極化或Brewster的角度Θβ 係顯示相對於稜鏡50。入射光12及離開光線14係分別顯示 成輸入到稜鏡52及由稜鏡52輸出。該共振光束進行兩次整 體内在反射，而不會在每個稜鏡50、52中損失，其係在約 45。角，其角度大於融合石英及大多數其它常用的光學稜鏡 材料之關鍵角度。光線沿著光學軸54行進在稜鏡5〇、52之 間。 當相較於其它的光譜方法時，雖然衰蕩光腔光譜較為簡 單，且可較便宜地實施，其仍有昂貴之處在於一衰蕩光腔 光譜系統的價格約為每個單元數千美元的等級。此外，習 用的CRDS元件在製造及使用期間容易造成光學元件之間 的誤對準。 為了克服已知方式的缺點來改善共振器結構，即提供了 CRDS之新的光纖基光學共振器。本發明的目的在於取代習 用的介電鏡或稜鏡制動反射器，藉以提供—更為对久及較 低成本的共振器。

了達到上述及其它目的，由其目的之觀點，本發曰> (、種在樣本氣體中跡線物種偵測及量測之改良的裝】 =置包含一被動光纖繞線’其-部份暴露於該樣本I j ’本液體’· 一輻射的相干源；一耦合器，用於⑽入佳 ，:：所放射的輻射到該被動光纖環，及Η)接收引入势 環的該韓射之-部份；-編，用於偵測由 '所接收的該輻射的一個位準，並產生其回應的 -12- 1266044

號；及一耦合於該偵測器的處理器，用於決定在該氣體樣 本中的跡線物種之位準，或基於由該偵測器所產生的信號 之液體樣本。 根據本發明另一方面，該跡線物種之位準係基於由該偵 測構件所產生的信號之衰退率來決定。 根據本發明進一步方面，一濾波器係置於該輕合構件與 該偵測器之間，以選擇性地由該被動光纖迴路傳送所接收 到該輻射的部份到該偵測器。 根據本發明又另一方面，該耦合器包含i}一第一耦合器， 用於引人由該相干源職射的該部份的輻射到該光纖環的 第一區段，及11) 一第二耦合器，用於接收在其第二區段 處之被動光纖環中的該部份的轄射。 根據本發明又另-方面，該光纖之暴露的部份為該光纖 的包覆。 根據本發明仍又一方面，該光纖的暴露部份為該光纖的 内部核心。 根據本發明另一方面，該相干源為一光學參數產生器、 光學參數放大器或一雷射。 根據本發明又另-方面，行進在該光纖内㈣射之漸微 場域係暴露於該樣本氣體或樣本液體。 根據本發明又另~方面’來自該光纖的㈣之吸收會增 加該輻射的衰退率。 曰 根據本發明又進一步的方面，該被動共振器光纖具有— 中空核心。 -13- 1266044

(9) 根據本發明又另一方面，該裝置進一步包含由一圓柱體 所形成的感測器，並纏繞該共振光纖的暴露部份之一個區 段，使得該漸微場域的暴露到該跡線物種可由增加該漸微 場域的穿透深度來增進。 根據本發明進一步方面，至少該被動光纖環的一部份係 塗佈一種材料來選擇性地增加在該光纖環的塗佈部份處的 跡線物種的濃度。

其可了解到，上列一般說明以及下列詳細說明都僅是示 範，並不因此限制本發明。 實施方式

圖4所示為根據本發明一第一範例性具體實施例之光纖 基衰蕩裝置400，其可用來偵測在氣體及液體中的跡線物種 或分析物。在圖4中，裝置400包含共振光纖環4〇8，其具有 一光纖纟覽線402及感測器500(如以下的詳細說明）沿著該光 纖纜線402之長度來分佈。該共振光纖環4〇8的長度可輕易 地調整為多種取出狀況，例如像是周界感測或傳送通過一 貫體工廠的不同區段。如圖所示，雖然感測器5〇〇沿著該光 纖迴路408的長度分佈’本發明在需要時可僅使用一個感測 器500來實施。超過一個感測器5〇〇之分佈可允許在整個安 裝場所不同地方取樣一跡線物種。本發明亦可使用具有暴 硌於樣本液體或氣體之光纖402之平直區段之感測器5〇〇的 組合，或僅有該光纖402的平直區段暴露於該樣本液體或氣 體。其可考慮到該共振光纖環的長度可小到約1公尺，或最 大到數公里。 -14- 1266044

(10) 輻射404的相干源，諸如一光學參數產生器（OPG)、光學 參數放大器（OPA)或一雷射，可發射，例如，與待分析之分 析物或跡線物種的吸收頻率之波長相一致之輻射。相干源 404可為基於待分析之跡線物種而成為具有一窄頻段的可 調整二極體雷射。一商業上可用的光學參數放大器之範例 為美國加州Mountain View的Spectra Physics公司所生產的 型號 OPA-800C。

相干源404之頻率相對於分析物之範例係揭示於表1。表1 僅為說明性，並非要做為本發明範圍的限制。再者，其可 考慮到本發明可用來偵測多種有害於人體及/或動物之化 學及生物媒介。其亦可考慮到，可利用特定結合所要的抗 原之抗體來塗佈該被動光纖環表面來增進這種偵測。

分析物或跡線物種 接近紅外線之大 致波長 中紅外線之大致 波長 水（h2o) 1390 nm 5940 nm 氨（nh3) 1500 nm 10300 nm 甲烷（ch4) 1650 mm 3260 nm 二氧化碳（co2) 1960 nm 4230 nm 一氧化碳（CO) 1570 nm 5 2330 nm 4600 nm 一氧化氮（NO) 1 800 nm，2650 nm 5250 nm 二氧化氮（no2) 2680 nm 6140 nm 亞硝酸（n2o) 2260 nm 4470 nm 二氧化硫（S〇2) 7280 nm 乙炔 1520 nm 7400 nm -15- 1266044 00 氫氟酸（HF) 1310 nm 氯酸（HC1) 溴酸（HBr) 1790 nm 1960 nm 3400 nm 3820 nm 碳酸（HI) 1540 nm 氰酸（HCN) 1540 nm 6910 nm 硫化氫（H2S) 1570 nm 臭氧（〇3) 9500 nm 甲駿（h2co) 1930 nm 3550 nm 磷化氫（ph3) 2150 nm 10100 nm 氧（〇2) 760 nm 表1

在第一範例具體實施例中，由相干源4〇4的輻射即經由: 擇性的光學隔離器406、耦合器41〇及漸微輸入耦合器* 提供給共振光纖環4〇8。當相干源4〇4為一二極體雷射時 使用光學隔離器406提供了可由防止反射回到該雷射中 最小化該雷射中的雜訊之好處。漸微輸入耦合器412可提/ 來自相干源404之輻射的一固定百分比到共振光纖環4〇8 或可基於整個共振光纖環4〇8中所存在的損失來調整。」 佺地疋，由漸微輸入耦合器412所提供到共振光纖環4〇8| 輻射量可匹配於存在光纖纜線402及該連接器（未示出）中, 才貝失。提供了 1%輻射耦合（99%/1%分離比例耦合）之商業-用之漸Μ搞合器係由美國New jerSey的ThorLabs of Newt( 所製造’其型號為10202a_99。在一較佳具體實施例中，漸 妓輸入執合器412耦合小於來自相干源4〇4之輻射的1%到 -16- 1266044

(12) 光纖402中。 在一範例性具體實施例中，為了偵測該跡線物種或分析 物，覆蓋該光纖纜線402之外罩的一部份即被移除而暴露環 繞該光纖纜線402之内部核心402c的包覆4〇2b。另外，對於 外罩402a及包覆402b皆可移除而暴露内部核心4〇2c，或該 光纖纜線402的外罩部份可以暴露於該樣本液體或氣體。後 者的方法可用於例如該漸微場域（如下所述）延伸到該外罩 中而與該跡線物種交互作用（其已經吸收或溶解到該外罩 中）。然而同時移除該外罩及包覆並非為最佳情況，因為該 内部核心402c之易脆的性質可用於某些種類的光纖纜線。 一典型的光纖纜線之橫截面係示於圖5 A。 彎曲一整體内在反射（TIR)元件會改變該入射電磁波接 處該反射表面之角度。在對於一圓柱體彎曲一光纖的情況 中，在相對於該本體之光纖核心之表面上的反射角係接近 於垂直，並增加了該漸微場域的穿透深度。藉由纏繞數圈 的光纖402在該圓柱型核心元件502(參見圖5B)，該漸微場 域穿透深度即會增加，並可在一較小的實體體積中的偵測 流體暴露出較大長度的光纖。透過可變的彎曲半徑之光纖 感應中改進的實驗性驗證係由D. Littlejohn等人所提出的 「近紅外線光譜之彎曲矽石光纖漸微吸收感測器（Bent Silica Fiber Evanescent Absorption Sensors for Near

Infrared Spectroscopy)」，可見於 Applied Spectroscopy 53: 845-849 (1999)。 圖5B所示為用於在液體或氣體樣本中偵測跡線物種之範 -17- (13) (13)1266044

例性感測器500。如圖5B所示，感測器5〇〇包含圓柱形核心 元件502(其可為固體、中空或其它可穿過者），例如一心軸 ，其具有一部份的光纖纜線402、在一預定長度506上之核 心元件502所暴露及纏繞的包覆4〇2b。其亦可能藉由纏繞核 心元件502來製造感測器5〇〇，其中暴露出光纖纜線4〇2之核 〜402c。该核心元件502的直徑使得該光纖核心4〇2c係形成 為小於一關鍵半徑r，在該點之過量輻射可在其限制核心元 件502時或危及光纖完整性時經由光纖核心利以而損失。該 關鍵半徑r係根據傳送通過光纖纜線4〇2及/或該光纖的組成 之輻射的頻率。在本發明的一較佳具體實施例中，該核心 元件502之半徑係約在} 〇111及1〇 em之間，更佳地是在至少 約1 Cm °如圖所示，來自光纖402之輻射係提供在輸入504 ’並在輸出508處提取。圓柱形核心元件502可在其表面上 具有一螺旋溝槽，其中置有光纖4〇2，以及一種裝置來固定 光纖402到圓柱核心元件5〇2，一黏結劑，例如環氧樹脂或 石夕橡膠等。本發明可實施於感測器5〇〇整合於光纖4〇2的情 況’或可利用商業可用的光纖連接器來耦合到光纖402。 圖6A所不為轄射如何傳遞通過一典型的光纖纜線。如圖 6A所不’轄射6〇6在内部核心4〇2〇及包覆4〇孔之間的邊界處 呈現整體内在反射（TIR)。其有一些未反射之輻射造成的可 忽略知失（未示出），但可吸收到包覆4〇213中。雖然圖6a係 ^述成一光纖纜線，圖6A及本發明之範例具體實施例可同 樣地應用到一中空光纖，例如一中空波導，其中包覆402b 環繞一中空核心。 1266044

圖6B所示為一感測器500之範例性具體實施例的橫截面 圖，其說明纏繞光纖纜線402在核心元件5〇2之效果。如圖 6B所示’僅有外罩402a由光纖、纜線402移除。輻射606行經 在核心402c内’並在内部核心402c及相接於核心元件502之 包覆402b-l的該部份之間的邊界處呈現出整體内在反射， 而具有一可忽略的損失609。另一方面，在存在有跡線物種 或分析物610時，漸微場域608傳送通過内部核心4〇2e及該 包覆402b-2之暴露部份之間的介面。此基本上會基於所存 在的跡線物種610的量來衰減輻射606，其稱之為衰減的整 體内在反射（ATR)。其必須注意到，如果並不存在具有相容 於該輻射波長的一吸收波帶的跡線物種，輻射6〇6並不會衰 減。（除非是該光纖的本質損失） 圖6C所示為感測器5〇〇之另一個範例性具體實施例的橫 截面圖，其顯示出纏繞光纖纜線在核心元件502之效果，其 中一部伤的外罩402a仍維持原封不動。如圖6D所示，僅有 外罩402a的上半部自光纖纜線4〇2移除。類似於該感測器 500之第一範例性具體實施例，輕射606行經在核心4〇2c之 内，並在内部核心402(：及該包覆4〇2b-1相接於核心元件5〇2 之部份之間的邊界處呈現出整體内在反射，而具有可忽略 的損失609。另一方面，若存在有跡線物種或分析物6丨〇， 漸微場域608傳送通過内部核心4〇2(：及該包覆4〇2b_2的暴 露部份之間的介面。 其可考慮到該外罩402a的移除（在感測器5〇〇的任一範例 中），其可由機械性方式完成，例如一習用的光纖剝除工具 (15) 1266044

’或藉由沉浸該光纖I線的部份在一溶劑中，其將會破壞 及溶解外罩4G2a ’而不會影響包覆獅及内部核心402c。 在部份移除包覆4G2_例子巾’該溶劑方式可由選擇性地 應用該溶劑到想要移除的該外罩的部份來修正。

為了增進在-液體樣本中該跡線物種之分析物分子之提 取’該被動光纖環的無外罩部份可以塗佈—種材料來選擇 性地在該光纖環的塗佈部份處增加該跡線物種的濃度。這 種塗佈材料的一個範例為聚乙烯。此外，特定抗原結合劑 可用來塗佈該光纖來達到以高的特純來提取所要的生物 分析物。 請再次參考圖4，在傳送通過感測器5〇〇之後剩餘的輕射 繼續通過光纖迴路4G2。該剩餘輻射的_部份係藉由漸微輸 出輕合器416而Μ合在該光纖迴路術之外。漸微輸出麵合 器川係經由偵測器418及信號線422而輕合到處理器㈣。 處理器42G可為例a°pc，其具有裝置來轉換該_器418的 類比輸出到-數位信號來處理。處理器倒亦透過控制線 424來控制相干源4〇4一旦該信號由處理器42〇自㈣測器 418接收，該處理器可基於所接收輕射的衰退率來決定所存 在的跡線物種之數量及種類。 依照需要，波長選擇器43〇可置於漸微輸出轉合器416及 偵測器418之間。波長選擇器係做為_濾波器，以防止 亚未在一預定範圍内的輻射來輸入到偵測器‘Μ中。 偵測器414係耦合到輸入柄合器412之輸出。該偵測器* μ 之輸出即透過信號線422提供給處理器42q來用於決定何時 -20- (16) (16)1266044

共振光纖環402已經接收到足以執行跡線物種分析之輻射 量 ° 在液肢中偵測跡線物種或分析物的例子中，該液體的折 射率必須小於該光纖纜線的折射率。舉例而言，如果一光 纖纜線之折射率為n=1.46，本發明可用來偵測溶解在水中 (η-1.33)及許多有機溶劑之跡線物種，其中包含例如甲醇 (η=1.326)、η 己烷（η==1·372)、二氯甲醇（n=1.4242)、丙酮 (η=1·3588)、二乙基醚（n=1 3526)及四氫楓（η=ι.4〇4)。化學 物及其個別折射率的詳細表列可見於CRC Handbook nf Chemistry and Physics, 52nd edition. Weast, Rober C., ed. 美國 Ohih州 Cleveland市 Chemical Rubber公司提供，1971， ρ· E_201，在此引用做為參考。有其它類型的光纖可具有不 同的折射率，而本發明可修改成一給定的液體矩陣，假設 該光纖之折射率高於該液體，並可有效地該目標分析物的 吸收波帶之範圍中來傳送光線。 目前有許多不同類型的光纖可以使用。一個範例為 Corning公司的SMF-28e融合矽石光纖，其在電信應用中為 使用標準。特殊的光纖可存在來傳送光線在許多不同的波 長下，例如由美國德州Austin市的3M公司製造（型號為 FS-VS-2614)的488 nm/5 14 nm單模光纖、由美國德州Austin 市的3M公司製造（型號為FS-SN-3224)之630 nm可見波長單 模光纖、由美國德州Austin市的3M公司製造（型號為 FS-SN-4224)之820 nm標準單模光纖、及由日本的KDD Fiberlabs製造的具有4微米傳輸之0.28-NA氟化物玻璃光纖 1266044

(型號為GF-F-160)。再者，如上所述，光纖纜線4〇2可為一 中空光纖。 其可考慮到光纖402可為一中紅外線傳送光纖，其允許近 接到具有高得多的分析物吸收強度之頻譜範圍，藉此增加 該裝置400之敏感性。在此範圍中傳送輻射之光纖基本上係 由氣化物玻璃所製成。 圖7所示為本發明之第二範例性具體實施例，其可用來在 氣體及液體中偵測跡線物種或分析物。在說明圖7時，相對 於在第一範例性具體實施例中所述而執行類似功能的元件 將使用相同的參考編號。在圖7中，裝置7〇〇使用一類似的 共振光纖環408,其包含有光纖纜線4〇2及感測器5〇〇。來自 相干源404之輻射係經由選擇性的光學隔離器4〇6、耦合器 410及漸微輸入/輸出耦合器434來提供給共振光纖環4〇8。 漸微輸入/輸出耦合器434可提供來自相干源4〇4之輻射中 一固定的百分以到共振光纖環4〇8，或可基於存在於整個共 振光纖裱404中的損失來調整。在該範例性具體實施例中， 漸微輸入/輸出耦合器434基本上如上所述，係相對於該第 一範例性具體實施例之漸微輸入耦合器412之重新配置。在 一較佳具體實㈣中，漸微輸人/輸出搞合器434麵合了少 於來自雷射404之輻射的ι〇/0到光纖4〇2中。 跡線物種的偵測係類似於在該第_範例性具體實施例中 所述，因此在此即不重覆。 在傳送通過感測器500之後剩餘的輻射即繼續通過光纖 迴路402。該剩餘轄射的_部份係藉由漸微輸人/輸出搞合 -22- 1266044

(18) 器434耦合在光纖迴路402之外。漸微輸入/輸出搞合器434 係透過偵測器418及信號線422耦合到處理器42〇。如同在該 第一挑例性具體貫施例中’處理器4 2 0亦透過控制器4 2 4控 制相干源404。一旦該信號藉由處理器420自偵測器4 1 8所接 收，該處理器可決定基於所接收輻射的衰退率來決定所存 在的該跡線物種之數量及類型。 依照需要，波長偵測器430可置於漸微輸入/輸出搞合器 434及偵測器418之間。波長選擇係430做為一濾波器來防止 未在一預定範圍内的輻射進入到偵測器418。波長選擇器 430亦可由處理器420控制來防止來自相干源4〇4之輕射在 來自相干源404之輻射耦合到光纖402中之後的期間内來「 盲化」偵測器418。 雖然此處所顯示及說明的係參考到某些特定具體實施例 ，然而本發明並不受限於所示的細節。而是，在申請專利 範圍之同等領域及範圍内可進行細節上的不同修正，其皆 不背離本發明的精神。 圖式簡單說明 本發明可由以下的詳細說明及配合所附圖面來讀取時可 得到最佳的瞭解。根據實際上的應用，必須強調該圖面上 不同的特徵並未依比例繪製。相反地，不同特徵的尺寸係 為了清楚起見而隨意地擴大或減小。 圖1所示為以一對數為比例之電磁頻譜； 圖2所示為一先前技術中使用鏡面的CRDS系統； 圖3所示為一先前技術中使用稜鏡的CRDS單元； -23- (19) 1266044

圖4所示為本發明的一第一範例性具體實施例； 圖5A所示為一習用光纖的末端圖； 圖5B所不為根據本發明一範例性具體實施例之感測器的 透視圖； 圖6A所不為在该i線内轄射傳遞之光纖i線的橫截面 圖； 圖6B所不為根據本發明的範例性具體實施例之漸微場域 之光纖感測器的橫截面； =所示為根據本發明的另—個範例性具體實施例之漸 U %域的光纖感測器之橫截面； 圖6D為一光纖纜線之横截 •，及 不 m囬其中外罩之上半部已移除 圖

第二範例性具體實施例

圖7所示為本發明的一 式代表符號說明 CRDS 光腔衰蕩光譜 TIR 整體内在反射 RDC 衣蕩光腔 OPG 光學參數產生器 OPA 光學參數放大器 ATR 衰減整體内在反射 20 雷射 30 溫度控制器 40 隔離器 50 光纖耦合器 52 反射鏡 54 光束分離器 -24- 1266044 (20)

56 透鏡第二透鏡 58 反射鏡 62, 64 反射鏡 70 光偵測器 90 分析物參考單元 94 光偵測器 100 共振器 402 光纖纜線 404 相干源 406 光學隔離器 408 共振光纖環 410 耦合器 412 漸微輸入耦合器 418 偵測器 420 處理器 422 信號線 430 波長選擇器 500 感測器 502 圓柱核心元件 608 漸微場域

-25-

Claims (1)

1266044 拾、申請專利範圍 ' 1.種在一樣本氣體及一樣本液體的至少一種當中偵測 及量測跡線物種之裝置，其包含： 一被動光纖環，其一部份係暴露於該樣本氣體或樣本 液體； 一輻射相干源； 一耦合構件，用於丨）引入由該相干源所放射的該輻射 之邛伤到該被動光纖環，及ii)接收在該被動光纖環中 共振的該輻射之一部份； · 偵測器’用以偵測由該輕合構件所接收的該輻射之 一位準’並產生對其回應的一信號；及 處理器’其耦合於該偵測器，用以基於由該偵測器 產生的°亥彳1 2 3 4號來決定在該氣體樣本或液體樣本中該 跡線物種的一位準。 1 ·如申請專利範圍第1項之裝置，其中該跡線物種之位準 係基於由該偵測器所產生的信號之衰退率來決定。 2 3·如申請專利範圍第丨項之裝置，其中該耦合構件為一單 -光學耦合器。 攀 3 4.如申請專利範圍第3項之裝置，進一步包含一濾波器， 其係置於一介於該耦合構件與該偵測器之間之一光學 路徑中’以選擇性地由該被動光纖迴路傳送所接收到該 輕射的部份到該偵測器。 4 5·如申請專利範圍第4項之裝置，其中該濾波器基於該輻 射的一波長來傳送輻射到該偵測器。

1266044 6*如申請專利範圍第1項之裝置，其中該耦合構件包含〇 一第一耦合器，用於引入由該相干源所放射的該部份的 輻射到該光纖環的一第一區段，及Η)一第二耦合器，用 於接收在一第二段落區段處之被動光纖環中的該部份 的輻射。 7. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該暴露的部份為該 光纖的一包覆。 … 其中該暴露的部份為古亥

8. 如申請專利範圍第1項之裝置 光纖的一内部核心。 ’其中輻射的相干源為— ，其中輻射的相干源為一 ，其中輻射的相干源為一 ，其中輻射的相干源為一 9·如申請專利範圍第1項之裝置 光學參數產生器。 10·如申請專利範圍第1項之裝置 光學參數放大器。 11·如申請專利範圍第1項之裝置 雷射。 12.如申請專利範圍第1項之裝置 脈衝式雷射。 1 3 ·如申请專利範圍第丨項之裝置，其中輻射的相干源為一 連續波雷射。 '' 14·如申請專利範圍第11、12或13項之裝置，其中該雷射 一光纖雷射。 、馮 15,如申請專利範圍第13項之裝置，其中該連續波雷射為一 具有一窄波帶的可調式二極體雷射。 16·如申請專利範圍第15項之裝置，進一步包含一耦合在該 -2 - 1266044 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25.

雷射及該耦合構件之間的隔離器，並與由該雷射放射的 輻射在同-線上’該隔離器可減少在該雷射中的雜訊。 如申請專利範圍第1項之裝置，其令行進在該光纖内的 輻射之-漸微場域係暴露於該樣本氣體或樣本液體。 如申請專利範圍第17項之裝置，其中由該光纖吸收的輻 射會增加由該耦合構件所接收之輻射的一衰退率。 如申請專利範圍第丨項之裝置，其中該被動共振光纖係 由融合的矽石、藍寶石及氟化物基玻璃中的一種所形 成。 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該被動共振光纖係 由一中空光纖所形成。 如申請專利範圍第19或20項之裝置，其中該被動共振光 纖為一單模光纖。 如申請專利範圍第19或20項之裝置，其中該被動共振光 纖為一多模光纖。 如申w專利範圍第1項之裝置，進一步包含至少一個具 有一預定直徑且由該光纖的暴露部份所纏繞之圓柱形 本體’其中該漸微場域對於該跡線物種之暴露係由增加 該漸微場域的一穿透深度來增進。 如申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含複數個具有 個別預定的直徑且由該共振光纖的該暴露部份之個別 的區段所纏繞之圓柱形本體，。 如申請專利範圍第23或24項之裝置，其中該管狀結構為 *心車由。 1266044

26. 27. 28. 29. 30. 31. 32. 33. 34. 35. 如申請專利範圍第25項之裝置，其中該心軸之一橫截面 半径至少約為1 cm。 如申請專利範圍第25項之裝置，其中該心軸之_橫載面 半徑在約1 cm及10 cm之間。 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該跡線物種為水、 乙炔及氨中至少一種。 如申請專利範圍第28項之裝置，其中該相干源為一單模 雷射’其在波長範圍在約1390 nm及約1513 nm中可以铜 整。 ° 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該被動光纖環在一 電磁頻譜之可見光到一中紅外線範圍之間的一波長之 下會共振。 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該被動光纖環中至 少一部份係置於該液體樣本内，用以決定在該液體樣本 中3亥跡線物種之一存在性。 如申請專利範圍第W之裝置，其中至少該被動光纖環 的一部份係塗佈一種材料來選擇性地增加在該光纖環 的塗佈部份處的跡線物種的一濃度。 如申請專㈣圍第32項之裝置，其中該㈣吸引該跡線 物種之分析物分子。 如申請專利範圍第33項之裝置，其中該材料為聚乙稀。 如申請專利範圍第3 2項之裝置，其中該被動光纖環中 至少該塗佈的部份係置於該液體樣本内，用以決定在該 液體樣本中該跡線物種之存在性。 -4- 1266044 36. ^申請專利範圍第旧之裝置，進一步包含一輸入價測 益用以決疋何時將來自該雷射之能量提供給該光纖 環。 37. 如申請專利範圍第36項之裝置，進一步包含控制構件， 用以在5亥輸入偵測器決定該雷射提供能量給該光纖環 之後’基於接收來自該光纖環之㈣的該接收構件來使 得該雷射無作用。 38. 如申請專利範圍第37項之裝置，其中該控制構件及該輸 入偵測器係耦合到該處理構件。 39」申明專利|①圍第i項之裝置，其中該光纖的折射率係 大於該樣本液體之折射率。 40. 如申請專利範圍第】項之裝置，其中該光纖的折射率係 基於該樣本氣體的折射率及該跡線物種的吸收波帶。 41. ▲如申請專利範圍第旧之裝置，其中麵合到該光纖環之 5亥輪射的部份係小於提供給該麵合構件的該輻射之約 10/0〇 、、~ 42. ，申請專利範圍第1項之裝置，其中Μ合到該光纖環之 该輪射的部份為可變動。 43. 2請專利範圍第w之裝置，其中輕合到該光纖環之 ▲田射的σ卩份係基於在該被動光纖環内的一損失 變。 人 44. :申請專利範圍第43項之裝置，其中在該被動光纖迴路 的損失係基於至少連接器損失及光纖損失。 45. 如申請專利範圍第旧之裝置，其中該光纖環為至少約i

1266044 公尺長。 · 46. 如申請專利範圍第之裝置，其中該光纖環 10公尺長。 4 47. 如中請專利範圍第w之裝置，其中該光纖環為至 公里長。 48. -種在-樣本氣體及一樣本液體的至少一種當令 及量測跡線物種之裝置，其包含·· 一被動共振光纖環，其—部份係暴露於㈣ 樣本液體； g A 放射幸备射之相干源； 第-光學輕合器，以提供由該相干源所放射的該輻 射之至J 一部份到該被動共振光纖環的一第一區段； 至少-圓柱形本體，其搞合到該暴露的光纖環之一部 份：以形成具有一預定半徑之暴露的光纖環之該部份， 該樣本液體或樣本氣體之至少一部份接觸到該光纖 中該形成的部份； 、 第二光學輪合器，用以接收來自該共振光纖環之一 第二區段在該被動共振光纖環中該輻射的一部份；及 鲁 ;:處理器，其耦合於該第二光學耦合器，用以基於由 該第二光學轉合器所接收的該轄射的一衰退率來決定 在该氣體或液體樣本中該跡線物種之一位準。 49·如申請專利範圍第48項之裝置，進一步包含輕合在該第 二光學耦合器及該處理器之間的一第一光學偵測器，用 以回應由該第二光學耦合器所接收的該輻射來產生一 -6-

1266044 信號。 5 〇 ·如申請專利範圍第4 8項之裝置，進一步包含#馬合在5亥第 一光學耦合器及該處理器之間的一第二光學偵測器’用 以決定何時將來自該雷射之能量提供給該被動光纖環。 5 1 ·如申請專利範圍第50項之裝置，其中該第二光學偵測器 回應於接收來自該相干源之輻射來產生一觸發信號到 該處理器。 52.如申請專利範圍第48項之裝置，其中該第一及第二光學 搞合器為一單一耦合器。 · 53_ —種在一樣本氣體及一樣本液體的至少一種當中偵測 及量測一跡線物種之方法，該方法包含： 暴露一被動光纖環之光纖的一部份到該樣本氣體或 樣本液體； 放射來自一相干源的輻射； 搞合由該相干源所放射的該輻射之至少一部份到該 光纖環中； 接收行進在該光纖環中的該輻射的一部份；及 基於在言亥光纖環内該輕射的-衰退率來決定在言亥H 鲁 體或液體樣本中該跡線物種之位準。 54. 如申請專利範圍第53項之方法，進一步包含以下步驟： 基於該跡線物種之一吸收頻率來以一預定的半徑形 成該被動光纖環之暴露的部份中至少一部份；及 暴露該光纖的形成部份到該樣本液體或樣本氣體。 55. W請專㈣圍第54項之方法，進-步包含暴露行進在 1266044

該光纖内之該輻射、 液體之步驟。 _微場域到該樣本氣體或樣本 56. 如申請專利範圍第55項之方+ ^ ^ 只心万去，進一步包含回應於該輕 射由該跡線物種之吸收，基於在該光纖中的該輻射的衰 退率來決定在該樣本氣體或樣本液體中該跡線物種之 位準的步驟。

1266044 陸、（一）、本案指定代表圖為：第4圖 (二）、本代表圖之元件代表符號簡單說明： 400 光纖基衰蕩裝置 402 光纖纜線 404 相干源 406 光學隔離器 408 共振光纖環 410 耦合器 412 漸微輸入#禺合器 414 偵測器 416 處理器 418 信號線 420 處理器 422 信號線 424 控制線 430 波長選擇器 500 感測器

柒、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：