TWI259784B - Discharge method, lens, manufacturing method thereof, semiconductor laser, manufacturing method thereof, optical device, and discharge device - Google Patents

Description

(2) (2)1259784 〔爲解決課題之手段〕 本發明之吐出方法係作爲鄰接之被吐出部間的X軸 方向之距離與，排列在前述X軸方向之複數噴嘴之中任 何2個噴嘴之間隔，成一致地包含有將具有前述2個被吐 出部基體作爲決定位置之步驟（A )與，沿著垂直交差於 前述X軸方向之Y軸方向，對於前述基體使前述複數噴 嘴相對移動之步驟（B )與，根據步驟（B )，對於前述2 個噴嘴各自侵入至因應前述2個被吐出部之範圍的情況， 從前述2個噴嘴對於前述2個被吐出部各自吐出液狀材料 之步驟（C )。 如根據上述特徵，因有作爲鄰接之被吐出部間的X 軸方向之距離與，排列在前述X軸方向之複數噴嘴之中 任何2個噴嘴之間隔，成一致地將具有前述2個被吐出部 基體作爲決定位置之步驟，故即使對於每個基體作爲鄰接 之被吐出部間之X軸方向的距離有變化，也無需對每個 基體變更安裝噴頭之角度，因此，即使對於每個基體作爲 鄰接之被吐出部間之X軸方向的距離有變化，亦可在1 次掃描期間內對於複數之被吐出部吐出材料，而更加地， 因無需對每個基體變更安裝噴頭之角度，故對於多用之基 體的運用則爲容易。 而理想係爲前述步驟（A )含有於載物台上載置前述 基體之步驟與，使前述載物台迴轉對於前述複數噴嘴來將 前述基體決定位置之步驟。 -5- (3) 1259784 如根據上述特徵，載物台因與基體同時迴轉，故 之上述決定位置則爲容易。 而更爲理想係前述步驟（A )係更加地包含使前 個噴嘴的X座標與，前述2個被吐出部之X座標一 步驟。 如上述，因作爲鄰接之被吐出部間的X軸方向 離與，排列在前述X軸方向之複數噴嘴之中任何2 嘴之間隔，成爲一致地，故可在1次掃描期間內從複 噴嘴對於複數之被吐出部吐出材料，而其結果，將可 率地形成微透鏡。 更加地，本發明係爲可由各種型態來實現之情況 可作爲透鏡之製造方法或半導體雷射之製造方法等之 來實現。 本發明之吐出裝置係具備有具有排列在X軸方 複數噴嘴的噴頭與，維持具有作爲鄰接之2個被吐出 基體的載物台與，沿著前述X軸方向與垂直交差於前 軸方向之 Y軸方向而前述複數噴嘴則對於前述基體 對移動地改變前述噴頭與前述載物台之相對位置之掃 ，並且，前述被吐出部間的前述X軸方向之距離與 述複數噴嘴之中任何2個噴嘴的間隔則呈一致地前述 部係迴轉前述載物台。 如根據上述特徵，則述複數被吐出部之中作爲相 接之2個被吐出部之間的X軸方向之距離與，前述 噴嘴之中任何2個噴嘴之間的X軸方向的距離，成 基體 述 2 致的 之距 個噴 數之 有效 ，並 型態 向之 部之 述X 作相 描部 ，前 掃描 互鄰 複數 一致 -6 - (4) (4)1259784 地則述掃描部係迴轉前述載物台，而其結果，複數噴嘴則 可沿著Y軸方向在作爲1次相對移動之期間從複數噴嘴 吐出材料，另外，因即使對於每個基體作爲相互鄰接之2 個被吐出部間之X軸方向的距離有變化，也無需對每個 基體變更安裝噴頭之角度，故對於多用之基體的運用則爲 容易。 【實施方式】 〔爲了實施發明之最佳型態〕 以下，取半導體雷射爲例，參照圖面來說明本發明， 然而’在以下所示之實施例係並無任何限定記載於申請專 利範圍之發明內容之構成，另外，表示在以下實施例之構 成的所有則不限定作爲記載於申請專利範圍之發明解決手 段所需要。 〔實施例1〕 圖1所示之雷射11係爲半導體雷射，而雷射1 1係具 備有η型鎵砒素基板1 2與，η型之下部分佈反射型多層 膜反射鏡14 (亦稱爲下部DBR反射鏡）與’量子電位阱 活性層1 6與’ Ρ型上部分佈反射型多層膜反射鏡2 0 (亦 稱爲上部D B R反射鏡）與，接觸層2 2與，絕緣層2 4與 ，上部電極26與，下部電極1〇與，基座部30與’微透 鏡11 1 L，而η型鎵砒素基板】2與，之下部分佈反射型多 層膜反射鏡1 4與’量子電位讲活性層】6與’上部分佈反 (5) (5)1259784 射型多層膜反射鏡2 0與，接觸層2 2係由此順序所堆積， 另外，對於上部D B R反射鏡2 0係摻雜亞鉛（Ζη ) ’而更 加地下部D B R反射鏡1 4之一部分與量子電位阱活性層 1 6與，上部D B R反射鏡2 0與，接觸層2 2係構成網目狀 之柱狀部1 5。 絕緣層24係由聚酰亞胺而成，並覆蓋有柱狀部1 5 ’ 及在柱狀部15周圍露出之下部DBR反射鏡14，而上部 電極2 6係位置在絕緣層2 4上方，然後藉由設置在絕緣層 2 4之開口部來接續於接觸層2 2，而下部電極1 〇係設置在 η型鎵砒素基板12內面，然而，η型鎵砒素基板1 2的內 面係指無形成下部DBR反射鏡1 4的面。 基座部30係包含由聚酰亞胺而成之支撐部31與，覆 蓋支撐部31上面之（FAS )膜28，而基座部30係覆蓋接 觸層22與，接觸層22上之上部電極26而位置著，而具 體來說係基座部30係覆蓋在接觸層22形成絕緣層24與 上部電極26之段差，而基座部30之上面係幾乎爲平狀， 而在本實施例之中係基座部3 0上面形狀係爲略圓形。 基座部3 0之（F A S )膜2 8係對於爲微透鏡1 1 1 L原 料之液狀光學材料而呈現撥液性，因此，在製造微透鏡 1 1 1 L時’朝向基座部3 0所吐出之液狀光學材料則可安定 覆蓋基座部30而安置，而在本實施例之中係從之；faS膜 2 8的製膜工程上的理由，如圖1所示，f a S膜2 8係並不 只支撐部3 1上面而亦形成在上部電極2 6上及絕緣層2 4 上’但’ F A S膜2 8係至少設置在支撐部3 1上面，因此， (6) (6)1259784 位置在支撐部3 1上之FAS膜28以外之FAS膜係亦可去 除。 微透鏡1 Π L係接合於F A S膜2 8，且覆蓋基座部3 0 地位置著，而微透鏡Π I L係爲具有縮小光的放射角機能 之光學元件’而具體來說係從具備微透鏡丨1〗L之射所射 出之光的放射角係比從無具備微透鏡1 1 1 L之射所射出之 光的放射角還小，而如後述，具備微透鏡11 1 L之雷射1 1 的製造方法係於針對在基體1 0A之被吐出部1 8 (圖2 ( b ))含有吐出液狀光學材料之工程。 圖1所示之雷射1 1係爲對於鎵砒素基板1 2往垂直方 向（圖1之上方向）射出雷射光之半導體雷射，也就是， 雷射 11 係爲面發光型雷射（Vertical Cavity Surface Emitting Laser: VCSEL)，而體來說係當於雷射11之上 部電極1 〇與上部電極26之間施加順方向之電壓時，針對 在量子電位阱活性層1 6產生電子與正孔之再結合，並產 生再結合發光，而因此所產生的光係在下部DBR反射鏡 14與，上部DBR反射鏡20之間進行共振，而此結果， 放大光的強度，並且，光利得則當超過光損失時則引起雷 射發振，並對於鎵砒素基板1 2往垂直方向（圖1之上方 向）射出雷射光，而雷射光係射出接觸層22，經由基座 部3 0與微透鏡1 1 1 L而射出至雷射1 1外部。 在本明細書之中係雷射Π之中亦有將因應η型鎵砒 素基板〗2與，η型之下部分佈反射型多層膜反射鏡】4與 ，柱狀部1 5與，絕緣層24與，上部電極26之部分，表 -9 - (7) (7)1259784 記爲〔雷射元件〕之情況，另外，在本實施型態之中係亦 有將包含於柱狀部1 5之接觸層2 2上面表記爲雷射元件之 〔光射出面〕之情況。 在以下之中係以（A )被吐出部，’（B )製造裝置， (C )光學材料，（D )吐出方法，（E )製造方法的記載 順序說明具備有微透鏡Π 1 L之雷射1 1的製造方法。 (A :被吐出部） 圖2(a)及（b)所示之基體10A係爲含有設置圖1 之微透鏡U1L之前的雷射11之堆積體，並具有直徑約2 英吋之圓形形狀，而基體1 Ο A係複數之被吐出部1 8，即 具備有中間電極，而各自之複數被吐出部1 8係爲打算設 置微透鏡1 1 1 L部位，另外，在本實施例之中係被吐出部 18係爲設置在接觸層22上之基座部30，然而，圖2(b )之鎵砒素基板12’係對應圖1之鎵砒素基板12。 對於基體1 0 A係除了寬度3 m m之外緣部3 4，約8 0 0 0 個之雷射部1 1 A則形成爲矩陣狀，而各自之雷射部η a 的構造係除了無微透鏡1 1 1 L情況之外，與圖i之雷射j】 相同構造。 (B :製造裝置） 圖3所示之製造裝置1係爲製造圖1所示之雷射n 之裝置的一部分，而具體來說係製造裝置1係具備有形成 F A S膜2 8於基體1 〇 A表面之表面改質裝置〗6 〇與，對於 (8) (8)1259784 複數被吐出部1 8之所有塗抹液狀光學材料n !之吐出 置1 0 〇與’重合塗抹在被吐出部丨8之液狀光學材料1 地照射紫外線於被吐出部1 8上之液狀光學材料！ n之 合裝置1 5 0與，加熱重合之光學材料而更加地進行硬化 硬化衣置1 6 5，而更加地，製造裝置〗係亦具備有依表 改質裝置160，吐出裝置1()〇，重合裝置15〇，硬化裝 165的順序運送基體1〇A之運送裝置17〇。 如圖4所示，吐出裝置丨00係具備有保持液狀光學 料1 1 1之容器1 0 1與，藉由管路1 1 〇從容器1 〇丨供給光 材料1 1 1之吐出掃描部1 〇 2，而吐出掃描部1 〇 2係具備 具有可各自吐出光學材料111之複數噴頭114 (圖5) 支撐架1 03與，控制支撐架1 〇3位置之第1位置控制裝 1 〇 4與，維持基體1 〇 a之載物台1 〇 6與，控制載物台1 位置之第2位置控制裝置1 〇 8與，控制部1 1 2，而容 1 〇 1與，針對在支撐架1 0 3之複數噴頭1 1 4係由管路1 所連結’並從容器1 01根據壓縮空氣供給液狀光學材 U 1於各自之複數噴頭1 1 4。 第1位置控制裝置1 04係具備有綫感應馬達，並因 從控制部Π 2之信號，使支撐架1 〇 3沿著X軸方向， 及與X軸方向垂直交差之Z軸方向來移動，而第2位 控制裝置1 〇 8係具備有綫感應馬達，並因應從控制部！ 之信號，使載物台1 06沿著與X軸方向及Z軸方向雙 垂直交差之Y軸方向移動，載物台106係具有與X軸 向及Y軸方向雙方平行之平面，而於此平面上可固定 -11 - (9) 1259784 體10A地來構成之，而載物台1〇6因固定基體1〇A，故載 物台1 0 6係可決定被吐出部1 8之位置，然而本實施利之 基體10A係爲受谷基板的_例。 第2位置控制裝置i 〇 8係更加地亦具有於z軸方向由 平行之規定軸的迴轉使載物台1 〇 6迴轉之機能，而z軸方 向係指平行於垂直方向（也就是重力加速度的方向）之方 向’而對於由第2位置控制裝置1〇8之載物台1〇6之z軸 方向，根據以平行之規定軸的迴轉來進行迴轉，可將針對 在固定於基體10A上之座標系之A軸及B軸各自與X軸 方向及Y軸方向平行，在本實施例之中係X軸方向及γ 軸方向係爲同時對於載物台1 0 6，支撐架作爲相對移動之 方向。 在明細書之中係亦有將第1位置控制裝置1 04及第2 位置控制裝置1 0 8表記爲〔掃描部〕之情況。 更加地，對於根據由第2位置控制裝置1 〇 8之Z軸以 平行之軸的旋轉之載物台1 〇 6的迴轉，相互鄰接之2個被 吐出部1 8之間的X軸方向之距離與，複數噴嘴1 1 8 (圖 6 )之中之任何2個噴嘴之間的X軸方向之距離，呈一致 地可決定具有前述被吐出部18之基體10A的位置。 支撐架103及載物台106係更加具有上述以外之平行 移動及迴轉之θ ώ度5但5在本貫施例之中係有關上述自 由度以外之自由度之記載係由將說明作爲簡明之目的而省 略之。 控制部]]2係從外部資訊處理裝置接受表示應吐出光 -12- (10) (10)1259784 學材料1 1 1相對位置之吐出資料地構成著，而控制部1 1 2 之詳細的機能係後述之。 如圖5所示，支撐架1 0 3係維持相互具有相同構造之 複數噴頭1 1 4，而在此，圖5係從載物台1 06側觀察支撐 架1 0 3的圖，因此垂直於圖面的方向則爲Z軸方向，而在 本實施例之中係對於支撐架1 03係2列配列由4個噴頭 1 1 4而成的列，而各自噴頭1 1 4的長度方向與X軸方向之 間的角度AN係成爲0 °地固定各自噴頭1 1 4於支撐架1 0 3 〇 如圖6所示，爲了吐出光學材料1 1 1之噴頭1 1 4係各 自具有延伸於噴頭1 1 4長度方向之2個噴嘴列1 1 6，而噴 嘴列1 1 6係指1 8 0個噴嘴1 1 8由幾乎一定的間隔排列成一 列的列之情況，而將噴嘴列1 1 6之方向表記爲噴嘴列方向 HX，而沿著噴嘴列方向HX之噴嘴1 1 8的間隔係爲LN ( 約1 40 μπι )，另外，針對在圖6，針對1個噴頭1 1 4之2 個噴嘴列1 1 6係相互只偏一半間隔（約70 μηι )而位置著 ，而更加地，噴嘴1 1 8之直徑係大致爲2 7 μιη，而如上述 ，因噴頭Π4長度方向與X軸方向之間的角度爲角度AN ，故噴嘴列方向HX，即，1 8 0個噴嘴1 1 8排列成一列的 方向與X軸方向之間的角度亦爲角度AN，也就是〇°。 然而，各自之複數噴嘴1 1 8之端部係位置在由上述X 軸方向及Y軸方向所定義之假想之平面上，另外，噴頭 1 1 4則可幾乎與Z軸平行吐出材料地調整複數噴嘴]1 8各 自之形狀。 -13- (11) (11)1259784 如圖7 ( a )及（b )所示，各自之噴頭1〗4係爲濺射 頭，而更具體來說係各自之噴頭1 1 4係具備有振動板1 2 6 與，噴嘴板1 2 8，而對於振動板1 2 6與，噴嘴板1 2 8之間 係位置有經常塡充從容器〗〇 ]藉由孔1 3 1所供給之液狀光 學材料1 Π之液槽1 2 9，另外，振動板】2 6與，噴嘴板 1 2 8之間係位置有複數隔壁1 2 2，並且，根據振動板1 2 6 與，噴嘴板1 2 8與，1對之隔壁1 2 2所圍住之部分則爲模 槽1 2 0，而模槽1 2 0係因應噴嘴1 1 8所設置，故模槽1 2 0 的數量與噴嘴1 i 8的數量係爲相同，而對於模槽丨2〇係藉 由位置在1對隔壁1 2 2間之供給口 1 3 0，從液槽1 2 9供給 光學材料11 1。 對於振動板1 2 6上係因應各自模槽1 2 0位置振動子 124，而振動子124係包含壓電元件124C與，夾合壓電元 件124C之1對的電極124A，124B，而由傳達驅動電壓 於此1對的電極1 2 4 A，1 2 4 B之情況，從因應之噴嘴1 1 8 吐出液狀光學材料1 1 i。 @ @ ^ 1 1 2 (圖4 )係如傳達相互獨立之信號於各自 之複數振動子1 24地所構成之，因此，從噴嘴1 1 8所吐出 之光學材料1 1 1的體積係因應從控制部n 2之信號來控制 爲妹個噴嘴1 1 8，而更加地，從各自之噴嘴1 1 8所吐出之 光學材料1 1 1的體積係在Opl〜42pl之間爲可變，因此， 如後述’控制部1 1 2係亦可設定進行吐出動作之噴嘴1 1 8 與’無進行吐出動作之噴嘴1】8。 在本明細書之中係亦有將進行吐出動作之噴嘴1 1 8表 •14- (12) (12)1259784 記爲〔第1噴嘴1 1 8 A〕之情況，而亦有表記爲〔動作噴 嘴I】8 A〕之情況，另外，亦有將無進行吐出動作之噴嘴 1 1 8表記爲〔第2噴嘴1 1 8 B〕之情況，而亦有表記爲〔非 動作噴嘴Π 8 B〕之情況。 在本明細書之中係亦有將包含〗個噴嘴〗I 8與，因應 噴嘴1 1 8之模槽120與，因應模槽120之振動子1 24之部 分表記爲吐出部1 2 7之情況，而如根據此表記，1個噴頭 1 1 4係具有與噴嘴1 1 8數量相同數量之吐出部丨2 7，而如 上述，在本實施型態之中係支撐架1 03維持噴頭1 1 4，另 一方面各自之噴頭114係具有複數之吐出部127，因此， 在本明細書之中係支撐架1 03則亦有表記爲維持複數之吐 出部1 2 7之情況。 吐出部127係替代壓電元件而亦可具有電氣熱變換元 件’也就是’吐出部係亦可具有利用由電氣熱變換元件之 材料的熱膨脹來吐出材料之構成。 如上述，支撐架103係根據第1位置控制裝置1()4 ( 圖4)來使其移動至X軸方向及z軸方向，而另一方面， 載物台106係根據第2位置控制裝置108 (圖4 )來使其 移動至Y軸方向，其結果，根據第1位置控制裝置1 〇 4 及第2位置控制裝置1 〇 8來對於載物台；[〇 6，而支撐架 1 〇3則作相對移動，而更具體來說係根據這些動作，複數 噴頭1 1 4，複數噴嘴列；[丨6，或是複數噴嘴丨丨8係對於在 載物台1 0 6上所決定位置之被吐出部1 8，於z軸方向邊 保持規定之距離邊相對性地移動至X軸方向及γ軸方向 -15- (13) 1259784 ，即相對性地進行掃描，而更具體來說係噴頭1 i 4 載物台相對掃描於X軸方向及Y軸方向之同時， 噴嘴11 8吐出材料。 在本發明之中係亦可對於吐出裝置1 0 〇對靜止 出部1 8往Y軸方向移動噴嘴1 1 8，並且，噴嘴n 沿著Y軸方向移動規定之2點間的期間內，亦可 止之被吐出部1 8，從噴嘴1 1 8吐出光學材料π 1， 對掃描〕或〔相對移動〕係指包含將作爲吐出側與 來的吐出物附著側（被吐出部1 8 R側）之至少一方 另一方進行掃描之情況，因此，在本明細書之中係 撐架103，噴頭114，或是噴嘴118則對於吐出裝 作爲靜止而只有載物台1 0 6移動之情況，支撐架1 頭1 1 4，或是噴嘴1 1 8則表記爲對於載物台1 06 1 〇 A，或被吐出部1 8作爲相對移動，另外，指相 與材料之吐出的組合亦有表記爲〔塗抹掃描〕之情; 接著，說明控制部1 1 2之構成，而如圖8所示 部1 1 2係具備有輸入緩衝儲存器200與，記憶手段 ，處理部204與，掃描驅動器206與，噴頭驅動器 而緩衝儲存器200與處理部204係可相互通信地接 而處理部204與記憶手段202係可相互通信地接續 理部2 0 4與掃描驅動器2 0 6係可相互通信地接續著 部2 04與噴頭驅動器208係可相互通信地接續著， 掃描驅動器206係可與第1位置控制裝置1〇4及第 控制裝置1 0 8相互通信地接續著，同樣地噴頭驅動 係對於 從複數 之被吐 8則在 對於靜 而〔相 從此出 ，對於 即使支 置100 03，噴 ’基體 對掃描 % ° ，控制 202 Μ 2 0 8， 續著， 者’處 ，處理 另外， 2位置 器2 0 8 (14) (14)1259784 係可與各自之複述噴頭l 1 4相互通信地接續著。 輸入緩衝儲存器200係接受從外部資訊處理裝置爲了 進行吐出光學材料1 1 1之吐出資料，而吐出資料係包含表 示基體1 0 A上之所有的被吐出部1 8之相對位置的資料與 ’表示塗抹所期望之厚度的光學材料]n於所有被吐出部 1 8爲止成爲必要之相對掃描之次數的資料與，表示被吐 出部1 8上之附著位置之資料與，指定進行吐出動作之噴 嘴1 1 8之資料與，指定無進行吐出動作之噴嘴丨i 8之資料 ’而輸入緩衝儲存器200係將吐出資料供給至處理部204 ’並處理部204係將吐出資料收納至記憶手段202，而在 圖8之中係記憶手段2〇2爲ram。 處理部2 0 4係依據記憶手段2 0 2內之吐出資料來傳達 表不對於被吐出部1 8之噴嘴列i丨6之相對位置的資料於 掃描驅動器2 0 6，而掃描驅動器2 0 6係將因應此資料之驅 動信號傳達至第i位置控制裝置i 〇 4及第2位置控制裝置 1 0 8 ’此結果，對於被吐出部丨8 r，掃描噴嘴列丨丨6，另一 方面’處理部2〇4係依據記憶在記憶手段2〇2之吐出資料 來將表示從作爲因應之噴嘴]8之吐出時機的資料傳達至 噴頭驅動器2 0 8，而噴頭驅動器2 0 8係依據此資料來將對 於光學材料1 1 1之吐出必要之驅動信號傳達至噴頭1 1 4， 而此結果’從針對在噴嘴列Η 6之作爲對應之噴嘴丨〗8吐 出異狀光學材料1 1 1。 控制部]1 2係亦可爲包含CPU，ROM，RAM之電腦 ’而對於此情況係控制部Π 2之上述機能係根據由電腦所 -17- (15) (15)1259784 執行之軟體程式來實現，當然控制部丨丨2係亦可由專用的 電路（硬體）所實現。 根據以上的構成，吐出裝置1 〇 0 R係因應傳達至控制 部1 1 2之吐出資料來進行光學材料1 n之塗抹掃描。 (C :光學材料） 針對在本實施例之液狀光學材料1丨丨係爲液狀材料之 一例，而液狀材料係指具有從噴嘴〗丨8可吐出之黏度之材 料’而此情況，不問材料爲水性與油性，而如具備有可從 噴嘴1 1 8吐出之流動性（黏度）就相當充分，而即使混入 固體物質作爲全體如爲流動體即可。 另外’本實施例之光學材料1 1 1係包含非溶劑系之樹 脂’而非溶劑系之樹脂係爲即使採用有機溶劑也無法溶解 而成爲流胴體之樹脂，例如如由單體稀釋非溶劑系之樹脂 ’非溶劑系之樹脂之狀態係成爲液狀，具體來說係如由其 單體稀釋非溶劑系之樹脂，非溶劑系之樹脂係成爲具有從 吐出裝置1 00之噴嘴1 1 8可吐出之黏度之流動體。 作爲上述非溶劑系之樹脂係可採用聚甲基丙烯酸酯， 聚趨基甲基丙稀酸酯，聚環乙基甲基丙烯酸酯等之丙烯基 樹Sh ’聚一乙一醇丙烯基碳酸酯，聚碳酸酯之丙烯基樹脂 ’甲基丙綠樹脂，聚尿烷係樹脂，聚酯系樹脂，聚氯化乙 烯系樹脂，聚醋酸乙烯系樹脂，纖維系樹脂，聚酰胺樹脂 ’聚丙烯系樹脂，聚苯乙烯系樹脂等之樹脂 本實施行例之光學材料1 n係上述非溶劑系之樹脂之 -18- (16) (16)1259784 中含有任何一個樹脂’或是混合複數之樹脂，而更加地， 對於本實施行例之光學材料Π丨係配合有聯二咪唑系化合 物等之光重合開始劑，因配合有光重合開始劑，故如由規 定的條件下照射可視光線，紫外線，遠紫外線，χ線，或 電子線等’而液狀光學材料1 η係發生重何反應而硬化， 而在本明細書之中係亦有將如此之本實施例的液狀光學材 料1 1 1表記爲放射線硬化型樹脂之情況。 (D :吐出方法） 接著，吐出裝置1 0 0爲吐出液狀光學材料i〗1於針對 在基體1 Ο A之被吐出部1 8上之吐出方法，即，說明吐出 工程。 首先，運送裝置170係使基體i〇A位置在吐出裝置 100之載物台106，而在本實施例之中係A軸方向與B軸 方向各自一致於X軸方向及Y軸方向地，運送裝置17〇 則載置基體10A於載物台106，然而，如上述，A軸方向 及B軸方向係爲相互交差垂直之方向，並表示固定於基體 1 0 A之座標系，而另一方面，X軸方向及Y軸方向係爲相 互交差垂直之方向，並支撐架103，噴頭114，噴嘴列 1 1 6，或是噴嘴1 1 8則則對於載物台1 06爲相對性作爲移 動之方向，而在本實施例之中係X軸方向係排列複數噴 嘴1 1 8之方向，即，亦爲與噴嘴列方向HX平行的方向。 如圖9所示，被吐出部1 8之行方向（圖9之橫方向 )係爲與A軸方向平行，而另一方面，被吐出部1 8之列 -19- (17) 1259784 方向（圖9之縱方向）係爲與B軸方向平行，而於A軸 方向相互鄰接之2個被吐出部1 8之間的距離係爲TA，另 外，於B軸方向相互鄰接之2個被吐出部1 8之間的距離 係爲TB，而對於圖9係各自描述包含5個被吐出部1 8之 行R1，行R2，行R3，行R4。 接著，控制部1 1 2係因應吐出資料，從含在噴嘴列 1 1 6之複數噴嘴1 1 8之中，將至少2個噴嘴指定作爲第1 噴嘴1 1 8 A，即，動作噴嘴來發揮其機能，而在本實施例 之中係相互最爲接近之2個第1噴嘴1 1 8 A之間的距離成 爲TA以下之LNA地從複數噴嘴1 1 8之中將幾個作爲第1 噴嘴118A來選擇，而在圖9的例之中係最左的噴嘴118 與，從左數來第4個噴嘴1 1 8與，從左數來第7個噴嘴 1 1 8與，從右數來第4個噴嘴1 1 8與，最右的噴嘴1 1 8則 爲第1噴嘴11 8A，並以黑圈來表示，而對於2個第1噴 嘴1 1 8A之間係位置有2個第2噴嘴1 1 8B，並以白圈來表 不 ° 如此，在本實施例之中係從3個噴嘴1 1 8之中作爲第 1噴嘴1 1 8 A來設定1個噴嘴1 1 8，而如根據第1噴嘴 1 1 8 A之此設定方法，對於1個噴嘴列1 1 6係因有1 8 0個 噴嘴1 1 8，故針對在1個噴嘴列1 1 6來設定6 0個第1噴 嘴 1 1 8 A。 接著，控制部1 1 2係因應吐出資料，沿著相互鄰接之 2個被吐出部1 8之間的X軸方向的距離則一致於2個第 1噴嘴1] 8 A之間的距離地使載物台1 〇 6迴轉，在本實施 -20- (18) (18)1259784 例之中係因於A軸方向相互鄰接之2個被吐出部1 8之間 的距離爲T A，故將載物台1 0 6，例如將點C作爲中心， 在X Y平面內從圖9所適之位置反時鐘旋轉地址迴轉角度 0二Arccos ( LN A/TA )即可，如此，於A軸方向相互鄰接 之2個被吐出部1 8之間X軸方向的距離係一致於第1噴 嘴1 1 8A之間的距離（即LNA )，然而，X軸方向的距離 係爲2點間之距離的X軸方向之成分。 接著’如圖1 〇所示，控制部1 1 2係第1噴嘴1 1 8 A 之X座標一致於被吐出部1 8之X座標地對於載物台1 06 沿著X軸方向使支撐架1 0 3相對移動，例如，圖1 〇所示 之第1噴嘴118A之中，任何一個第！噴嘴118八之乂座 標一致於包含在行R 3之被吐出部1 8之中任何一個被吐出 部1 8之X座標地，控制部！〗2係驅動掃描部，而根據如 此情況，包含在噴嘴列1 1 6之其他第1噴嘴1 1 8 A之X座 標亦一致於針對在行R3之其他被吐出部】8之X座標。 在對於被吐出部1 8之塗抹掃描之前，進行噴嘴狀態 的檢查及附著位置的檢查，首先，保持使第1噴嘴1 1 8 A 之X座標一致於針對在行R 3之被吐出部1 8之X座標， 而噴頭則相對移動於Y軸方向地，控制部〗]2則驅動掃 描部，並且，當第1噴嘴丨〗8 A進入於因應基體1 〇 A之外 周部3 4的範圍時，從此第1噴嘴1 j 8 a朝基體〗〇 a之外 周部3 4吐出液狀光學材料丨〗1，而如圖I 4所示，沿著γ 軸方向之噴頭]1 4之相對移動係含在1個噴嘴列丨丨6之第 1噴嘴】1 8 A之所有對於基體〗〇 a之外周部3 4至吐出液狀 (19) 1259784 光學材料1 1 1爲止進行之，對於圖1 4係以黑圈表示附著 在外緣部34之液狀光學材料11 1之附著位置BD。 在從所有的第1噴嘴1 1 8 A塗抹液狀光學材料1 i丨於 外緣部3 4之後，操作員則由顯微鏡等檢查外緣部3 $上之 光學材料1 11，而具體來說係由檢查所塗抹之光學材料 1 1 1所形成之點的形狀之情況，檢查基體1 0 A (外緣部3 4 )的表面是否具有所期望之撥液性，而包含外緣部3 4或 被吐出部18，對於基體10A之表面係因形成有fas膜28 ，故對於光學材料1 1 1之外緣部3 4的撥液性係應與對於 光學材料1 1 1之被吐出部1 8的撥液性相同，隨之，根據 檢查外緣部34之撥液性的程度情況，將可預想到被吐出 部1 8之撥液性的程度，而對於預想被吐出部1 8之撥液性 的程度比規定基準還低的情況係將基體i 〇 A載置至表面 改質裝置160內部，並再次進行對於基體1〇A表面之 FAS膜28的形成即可。 另外，由檢查所塗抹之光學材料1〗丨所形成之點的形 狀之情況，亦可確認從第1噴嘴1 1 8 A之吐出狀態，例如 ，如以下所述，將可檢查是否有附著光學材料n〗於第i 噴嘴1 1 8 A。 當光學材料1 1 1的黏性增加時，光學材料n 1則有附 著在第1噴嘴Π 8 A內之情況，而對於如此之情況係有可 能發生無法吐出作爲目的之體積的光學材料〗丨丨，並亦有 可能發生偏移原先設定附著位置BD來附著光學材料ιη ，而點的形狀之檢查的結果，所塗抹之光學材料丨1〗所形 -22- (20) (20)1259784 成之點的形狀則如與所規定之形狀大致相同，將看作光學 材料1 1 1無附著於第1噴嘴n 8 A，而另一方面，對於所 塗抹之光學材料〗n所形成之點的形狀則如與所規定之形 狀相異之情況係附著有光學材料Π 1於第]噴嘴Π 8 A之 可能性高。 對於點的形狀與規定形狀相異之情況係使第1噴嘴 1 1 8 A移動至掃描範圍外之規定的位置，而從第1噴嘴 1 1 8 A進行液狀光學材料n〗之注入即可，如此，附著之 光學材料Π 1則從第1噴嘴i i 8去除可能性高，然而，在 本明細書之中係亦有將液狀光學材料i i丨之如上述注入表 記爲預備吐出之情況。 當進行由操作者之上述檢查時，由以 c C D相機等檢 測附著之光學材料1 1 1所形成之點的位置之情況，進行作 爲相互鄰接之2個點之X軸方向的間隔與，作爲相互鄰 接之2個被吐出部1 8之間的X軸方向之距離是否爲一致 之確認也可以，而對於作爲相互鄰接之2個點之X軸方 向的間隔與，作爲相互鄰接之2個被吐出部1 8之間的X 軸方向之距離並未爲一致之情況係沿著作爲相互鄰接之2 個被吐出部1 8之間的X軸方向之距離則看作爲無一致於 排列在X軸方向之2個第1噴嘴1 1 8 A之間的距離，而對 於此情祝係以Z軸旋轉再次使載物台1 〇 6迴轉，然後補正 對於支撐架1 〇 3之載物台1 〇 6的相對位置即可。 噴嘴狀態之檢查及附著位置之檢查之後，在1個掃描 期間內，對於噴嘴列方向HX，複數噴嘴1 1 8則作爲相對 -23- (21) (21)1259784 移動於垂直交差之方向地，控制部1 1 2係驅動掃描部（詳 細之〔掃描期間〕係後述之），而具體來說係於Y軸方 向之正的方向（圖10之上方向），支撐架103則作爲相 對移動地，控制部1 1 2係驅動掃描部，並且於一個第1噴 嘴1 1 8 A侵入至因應一個針對在R 3之被吐出部1 8的範圍 之情況，由從其第1噴嘴1 1 8 A對於被吐出部1 8吐出液 狀光學材料1 1 1地控制部1 1 2係驅動噴頭1 1 4。 在本實施型態之中係針對1個噴嘴列1 1 6，第1噴嘴 1 1 8 A係存在60個，因此，在1個掃描期間內，根據1個 噴嘴列U 6來塗抹含在行R3之複數被吐出部1 8之中沿著 A軸方向而連續之60個被吐出部18，而對於塗抹適當體 積之光學材料1 1 1於這些60個被吐出部1 8之後係第1噴 嘴1 1 8 A之X座標則一致於含在行R3之複數被吐出部} 8 之中’另外塗抹液狀光學材料1 1 1之被吐出部1 8的X座 標地’控制部1 1 2係驅動掃描部，並且，使支撐架丨03相 對移動至Y軸方向之同時，對於針對行R3之爲塗抹的被 吐出部1 8，從第丨噴嘴n 8 a吐出液狀光學材料。 在本明細書之中係1個〔掃描期間〕係因應接下來（ 1 )之期間或（2 )之期間：（1 )支撐架1 〇 3從開始相對 移動至規定方向至開始相對移動至與規定方向相異之方向 的期間（2 )相當於上述（1 )之期間，從支撐架1 〇 3相對 移動至規定方向至結束對於基體〗〇 A之吐出工程的期間 〇 例如’支撐架】03從開始相對移動至Y軸方向之正 -24- (22) 1259784 的方向之後至開始相對移動至Y軸方向之負的方向或，X 軸方向之正（或負）的方向爲止之期間係爲1個掃描期間 ，另外，對於所有複數被吐出部1 8塗抹所期望之光學材 料1 Π爲止，對於支撐架1 0 3指相對移動1次於Υ軸方 向之情況係此1次相對移動所需之期間則爲〔掃描期間〕 ，但，於1次的〔掃描期間〕內，支撐架1 0 3則在相對移 動至規定方向之後，對於基體1 Ο Α則停止，而更加地， 之後亦可爲再次支撐架1 03相對移動至相同之規定方向之 情況。 另外，支撐架1 03，噴頭1 1 4，或噴嘴1 1 8作爲相對 移動係指爲對於被吐出部1 8之這些的相對位置變動之情 況，因此，支撐架1 0 3，噴頭1 1 4，或噴嘴1 1 8則絕對靜 止，而即使只有被吐出部18R根據載物台106進行移動之 情況，支撐架1 03，噴頭1 1 4，或噴嘴1 1 8則表現爲相對 移動。 對於塗抹所期望之體積的液狀光學材料1 1 1於針對在 行R3之所有被吐出部1 8之後係對於針對其他行之被吐出 部1 8，與行R 3同樣地進行塗抹掃描，例如，如圖1 1所 示，各個第1噴嘴118A之X座標一致於含在行R2之各 自被吐出部1 8之X座標地，控制部1 1 2係驅動掃描部， 並旦，吐出裝置1 00係將與對於含在行R3之被吐出部1 8 進行之塗抹掃描相同之塗抹掃描，亦對於含在行R2之被 吐出部〗8進行，如此，由亦對於含在所有行之被吐出部 1 8同樣進行塗抹掃描之情況，於基體]〇 A上之所有的被 -25- (23) 1259784 吐出部1 8塗抹液狀光學材料n J。 如根據本實施例，沿著作爲相互鄰接之2個被吐出部 1 8之間的X軸方向之距離則一致於2個第1噴嘴Η 8 A之 間的距離地，載物台1 0 6則旋轉著，因此，將噴嘴列方向 HX之方向，即，複數噴嘴1 1 8排列爲一列之方向，維持 在對於 Y軸方向而垂直交差的方向，即可對於基體1 0 A 上所有被吐出部1 8進行塗抹掃描。 另一方面，如圖1 5所示，對於由變更噴嘴列方向HX 之方向的情況來使作爲相互鄰接之2個被吐出部1 8之間 的距離與，2個第1噴嘴1 1 8 a之間的距離一致之情況係 對於支撐架1 03，有必要適當設定複數噴頭1 1 4 (圖5 ) 之各個角度，當根據如此之構成時，對於作爲相互鄰接之 2個被吐出部1 8之間的A軸方向之距離對於每個基體 1 0 A而有所差異之情況係對於每個基體1 〇 a產生變更複數 噴頭U 4各自之安裝角度的手續，而噴頭丨〗4係因採用螺 絲固定於支撐架1 03，故需要不可無視變更角度之工程的 時間，更加地，將複數噴頭1 1 4各自之角度配合一定角度 之情況係必須花上相當的手續，隨之，對於傾斜噴頭114 角度之情況係吐出工程前之準備時間則變長。 但，如根據本實施型態，可將噴嘴列方向HX對於Y 軸方向，β卩，主掃描方向，經常維持於垂直交差的方向， 因此，作爲相互鄰接之2個被吐出部1 8之間的a軸方向 之距離，即使對於每個基體1 〇 A而有所不同亦無改變複 數噴頭1 1 4之中任何角度的必要。 -26- (24) (24)1259784 如根據本實施例之吐出方法，1個之第1噴嘴Π 8 A 進行吐出動作時機與，由幾乎相同時機來進行吐出動作之 其他第]噴嘴Π 8 A的數量係經常爲一定數量（對於本實 施例之情況係爲〇 )，因此從]個之第〗噴嘴Π 8 A接受 之其他第1噴嘴1】8 A之串訊係跨越其1個之第1噴嘴 1 1 8 A所有的吐出時機，幾乎相同，而串訊如幾乎爲一定 ，而從第1噴嘴1 1 8 A之吐出量的理想値之偏移亦經常爲 一致，因此，如根據本實施例之吐出方法，吐出量的補正 則爲容易，然而，在此所稱之串訊係意味因應某個噴嘴 1 1 8之壓電元件1 24之振動則由使其他噴嘴1 1 8內之材料 的凹凸透鏡振動之情況產生之吐出上的不良狀況。 在本實施型態之中係根據1次的吐出從1個噴嘴1 1 8 所吐出之液狀光學材料1 1 1的體積係略爲4pl，另外，在 本實施型態之中係對於1個被吐出部1 8，複數次，例如 1 5次吐出液狀光學材料Π 1，而更加地，在本實施型態之 中係吐出裝置1 00係對於1個被吐出部1 8，相當於1次 掃描期間吐出1次光學材料1 1 1，因此，在本實施型態之 中係對於塗抹所期望量之光學材料1 11於1個被吐出部 1 8爲止，吐出裝置1 〇〇係增加1 5掃描期間即可，然而， 根據1次之吐出所吐出之體積或吐出次數係可因應光學材 料1 1 1之性質或，作爲目的之微透鏡1】1 L之形狀作適當 的變更。 被吐出部1 8之上面的形狀，即，基座部3 0上面的形 狀係大致爲圓形，因此，對於從第1噴嘴1 1 8 A吐出液狀 -27- (25)1259784 光學 18少 液狀 液性 液性 著之 厚度 (E 鏡1 部1 爲止 元件 膜1 下部 並且 A1 〇 · 3 ，於 層與 多層 鏡（ 材料11 1之情況係理想爲經常對準圓形之被吐出部 :略中央吐出光學材料之液滴的情況。 如則述’因基座部30的表面係爲FAS膜28，故對於 之光學材料1 1 ’被吐出部1 8 (基座部3 0 )係具有撥 ’而根據被吐出部]8對於液狀光學材料1 1〗具有撥 之情況與’被吐出部丨8的形狀爲略圓形之情況，附 液狀光學材料1 1 1係在被吐出部1 8之大略中央附近 成爲最後之凸透鏡之形狀。 :製造方法） 在上述（D :吐出方法）之中係以說明過塗抹爲微透 1 1 L之液狀光學材料1〗丨於針對在基體丨〇 a之被吐出 8的吐出工程’而在以下之中係說明形成微透鏡丨〗j L 之一連串的工程。 首先’採用半導體薄膜來製作圖12(a)所示之雷射 1 1 B之陣列’具體來說係於^型鎵砒素（C a A s )薄 2上父互堆積Al〇.15Ca().85As與AlAs，形成摻雜Se之 分佈反射型多層膜反射鏡（下部DBR反射鏡）14， ’於下部DBR反射鏡14上，由堆積CaAl層與 Cao^As層之情況來形成量子電位阱活性層1 6，並且 量子電位阱活性層16上，由交互堆積 A 1 〇. 9 C a 〇 ·】A s層，形成摻雜有ζ η之上部分佈反射型 膜反射鏡2 0 ’之後，於上部分佈反射型多層膜反射 上部DBR反射鏡）20上，堆積含有A]G.15Cac).85As -28- (26) (26)1259784 層之接觸層22。 並且，含有接觸層22與上部DBR反射鏡20與’量 子電位阱活性層1 6與，下部D B R反射鏡1 4之一部分之 複數部位則作爲網目狀之柱狀部1 5殘留地，根據微縮數 處理除去下部D B R反射鏡1 4之一部分與，量子電位阱活 性層16與，上部DBR反射鏡20與，接觸層22。 並且，包覆下部DBR反射鏡14與住狀部15來塗抹 聚酰亞胺等之樹脂形成樹脂層，之後，於因應接觸層22 上面之部分，可得到開口部地，由將樹脂層作爲圖案化之 情況得到絕緣層24，並且於絕緣層依序堆積鈦，白金及 金，之後，所堆積之鈦，白金及金與，接觸層22則接續 成環狀地將所堆積之鈦，白金及金作爲圖案化，最後，於 鎵砒素薄膜12’的內面設置電極來形成下部電極10。 如以上作爲，如圖1 2 ( a )所示，具備有複數雷射元 件1 1B之基體l〇A則完成之。 接著，如圖12 ( b )所示，於因應基體1 0B之柱狀部 1 5之部分形成支撐部3 1，而具體來說係由包覆接觸層22 上面與’絕緣層24與，上部電極26地塗抹聚酰亞胺之情 況’形成聚酰亞胺層3 1，，之後，如圖1 2 ( c )所示，殘 留因應接觸層2 2之部分的聚酰亞胺層3 1，地將聚酰亞胺 層3 1 5作爲圖案化而得到複數之支撐部3 1。 之後’如圖1 3 ( a )所示，將支撐部3 1表面作爲撥 液化’而具體來說係首先，洗淨支撐部3 1之表面，例如 ’由照射紫外線於基體1 〇 A表面之情況來洗淨含有支撐 - 29- (27) (27)1259784 部31表面之基體l〇A的表面，並且，於支撐部31表面 形成（F A S )膜2 8，而更具體來說係運送裝置1 7 0則使基 體]0 A位置在針對表面改質裝置1 6 0之密閉容器內，而 對於此密閉容器內係亦有加入液體F A S之容器，而當維 持如此之密閉容器內爲]2 0 °C時，以2個小時程度根據氣 化之FAS，於基體10A表面上形成FAS之單分子膜，此 時，對於支撐部3 1表面亦形成FAS之單分子膜。 在本實施型態之中係各個形成F A S膜2 8之複數支撐 部3 1則因應各個複數基座部3 〇，然而，即使沒有fas膜 2 8，對於支撐部3 1表面對於液狀光學材料1〗i呈充分之 撥亦性之情況係基座部3 0亦可不含FAS膜2 8。 如以上作爲，於基體1 〇 A設置複數基座部3 〇，也就 是得到具有複數基座部3〇之基體10A，然而，如上述， 在本明細書之中係各個複數基座部3 〇則因應各個複數被 吐出部1 8。 接著’對於各個複數被吐出部1 8吐出液狀光學材料 111 ’而具體來說係首先，具有複數被吐出部is之基體 1 〇 A則根據運送裝置〗7 〇被運送至吐出裝置〗〇 〇之載物台 1 06 ’並且，如圖1 3 ( b )所示，吐出裝置1 0 0係塗抹液 狀光學材料】〗i於所有複數被吐出部1 8地從噴頭n 4之 床1 μ貝嘴1 ] 8 A吐出液狀光學材料；1〗丨，而吐出裝置1 〇 〇 之光十材料1 1 1的吐出方法係爲參照圖9，圖I 0，以及_ 1】δ兌明之方法。 對方、塗抹光學材料]η於所有基體〗〇 Α之被吐出部 -30- (28) 1259784 1 8之後係硬化被吐出部I 8上之液狀光學材料1 n，而具 體來說係，首先，運送裝置170使基體10A位置在重合 裝置150內，並且，重合裝置15〇係照射約3 6 5 mm波長 的光於被吐出部1 8上之光學材料，然後重合光學材料 】Π，即，使其硬化。 對於重合光學材料1 1 1，即使其硬化之後係運送裝置 170使基體10A位置在硬化裝置165內，並且，硬化裝置 1 6 5係由採用熱板來加熱基體〗〇 a全體之情況，完全使被 吐出部1 8之所有的光學材料1 1 1硬化，其結果，如圖j 3 (c )所示，於所有的被吐出部丨8上得到微透鏡n丨乙。 根據以上工程來得到圖1所示之雷射1 i。 (應用例） 在以下之中係說明具備有雷射11之光學裝置。 圖16所示之光學裝置200係爲使用於光通信系統之 發光元件組件，而光學裝置200係包含有光纖210與，雷 射1 1，而雷射1 1係針對在光學裝置200作爲發光元件發 揮機能，雷射1 1與光纖2 1 0係雷射1 1之微透鏡1 1 1 L與 光纖2 1 0之端面成對向位置著，而具體來說係雷射丨丨的 光軸與光纖的光軸成一致地雷射]1與光纖2 1 0係根據無 圖示之發光元件搭載基板而決定位置。 如此之光學裝置200係雷射1 1因具備有微透鏡1 Π L ，故從雷射】1之射出光係有效傳導至光纖2 1 0之纖維芯 內，因此，光的傳送距離則變長。 -31 - (29) (29)1259784 (實施例1之變形例） (1 )在本實施例之中說明之吐出方法係亦可被適用 在設置於每個具備有複數畫素範圍之顯示裝置的畫素範圍 之透境的製造方法，而複數之畫素範圍如以規定的間格排 列在A軸方向及B軸方向，而將複數之畫素範圍看作爲 了形成透鏡之複數被吐出部1 8，而作爲具備有複數畫素 範圍之顯示裝置，則有液晶顯示裝置，電致發光顯示裝置 ’ FED ( Field Emission display)，具備電子釋放元件之 SED ( S u r f a c e - C ο n d u c t i ο n Electron-Emitter Display )等 之畫像顯示裝置等。 (2 )在本實施例之中係被吐出部丨8係爲形成在重疊 在柱狀部1 5，即，雷射共振器之位置的基座部3 0，但， 基座部3 0即使無設置在重疊於柱狀部1 5之位置，亦可適 用本發明，例如，將設置在單一基板上之複數基座部3 0 作爲被吐出部1 8，根據由上述實施例說明之吐出方法來 形成透鏡也可以，而對於如此之情況係在形成透鏡於被吐 出部1 8之後，從被吐出部1 8去除透鏡來設置於上述顯示 裝置之畫素範圍等即可。 (3 )對於在塗抹所期望量之光學材料1 n於一個被 吐出部1 8爲止’將複數之掃描期間作爲必要之情況係跨 越複數之掃描期間之間，對於1個被吐出部1 8從相同的 第1噴嘴11 8 A吐出光學材料1 n也可以，而於每個掃描 期間，對於1個被吐出部]8從不同的第1噴嘴1 1 8 A吐 -32- (30) (30)1259784 出光學材料1 1 1也可以，而對於對1個被吐出部1 8，於 每個掃描期間，從不同的第1噴嘴1 1 8 A吐出光學材料 1 1 1之情況係噴嘴1 1 8間之吐出量的不均則容易被相抵， 因此，在作成複數微透鏡時，在完成之微透鏡間的形狀之 不均則將變少。 (4 )對於複數噴嘴π 8之第1噴嘴Π 8 A之分配係 對於每掃描期間來改變也可以，例如，對於某個掃描期間 內，作爲第2噴嘴118B所指定之噴嘴118發揮機能，而 在其他掃描期間內係作爲第1噴嘴11 8 A發揮機能也可以 ，而如此作爲，因噴嘴1 1 8間的吐出量之不均則容易相抵 ，故爲理想。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕係表示實施例1之半導體雷射之模式圖。 〔圖2〕 （ a )及（b )係表示實施例1之基體之模式 圖。 〔圖3〕係表示實施例1之製造裝置之模式圖。 〔圖4〕係表示實施例〗之吐出裝置之模式圖。 〔圖5〕係表示實施例1之支撐架之模式圖。 〔圖6〕係表示實施例1之噴頭之模式圖。 〔圖7〕 （ 〇及（b )係表示針對圖6之噴頭的吐出 部之模式圖。 〔圖8〕係針對在吐出裝置之控制部的機能方塊圖。 〔圖9〕係表示實施例1之吐出工程之模式圖。 -33- (31) (31)1259784 〔圖1 Ο〕係表示實施例1之吐出工程之模式圖。 〔圖1 1〕係表不實施例1之吐出工程之模式圖。 〔圖12〕 （ a )〜（c )係表示實施例1之製造方法 之模式圖。 〔圖13〕 （ a )〜（c )係表示實施例1之製造方法 之模式圖。 〔圖1 4〕係表示噴嘴狀態之檢查及附著位®之檢查 的模式圖。 〔圖1 5〕係表示傾斜噴頭情況之噴嘴列方向與被吐 出部之位置關係的模式圖。 〔圖16〕顯示光學裝置之模式圖。 【主要元件符號說明】 11 雷 射 1 1 B 雷 射 元 件 12 鎵 砒 素 基 板 12，14 下 部 分 佈 反 射 型 多層膜反射鏡 1 6 量 子 電 位 阱 活 性 層 20 上 部 分 佈 反 射 型 多層膜反射鏡 22 接 觸 層 24 絕 緣 層 26 上 部 電 極 10 下 部 電 極 10，30 基 座 部 -34- (32)1259784 30，1 00 吐 出 裝 置 1 02 吐 出 掃 描 部 103 支 撐 架 1 04 第 1 位 置 控 制 裝 置 1 08 第 2 位 置 控 制 裝 置 1 06 載 物 台 111 光 學 材 料 1 1 1 L 微 透 鏡 118 噴 嘴 1 1 8 A 第 1 噴 嘴 1 1 8B 第 2 噴 嘴 200 光 學 裝 置 2 10 光 纖 -35-

Claims (1)

1259784 少一年（月>D『

(1) rr^ (KaKwmaaewr.i 十、申請專利範圍 第93 1 2 824 1號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國95年1月2〇日修正 1. 一種吐出方法，其特徵乃包含 使鄰接之被吐出部之間的X軸方向距離，和排列於 前述X軸方向之複數之噴嘴中之任一 2個之噴嘴間隔一 致地，定位具有前述2個之被吐出部的基體之步驟（A ) 和沿正交於前述X軸方向的Y軸方向，將前述複數 之噴嘴，對於前述基體相對移動之步驟（B )、 和經由前述步驟（B )，前述2個之噴嘴各別入侵於 對應前述2個之被吐出部的範圍時，從前述2個之噴嘴’ 對於前述2個之被吐出部，各吐出液狀之材料之步驟（C )° 2. 如申請專利範圍第1項之吐出方法，其中，前述步 驟（A)乃包含於平台上載置前述基體之步驟，和旋轉前 述平台，對於複數之噴嘴，定位前述基體之步驟。 3 .如申請專利範圍第1項或第2項之吐出方法’其中 ，前述步驟（A)乃更包含使前述2個之噴嘴之X座標’ 和前述2個之被吐出部之X座標一致的步驟。 4.一種透鏡之製造方法’其特徵乃包含 使鄰接之被吐出部之間的X軸方向距離’和排列於 1259784 (2) Ψ ( ^ 前述X軸方向之複數之噴嘴中之任一 2個之噴嘴間隔一 致地，定位具有前述2個之被吐出部的基體之步驟（A ) Λ 和沿正交於前述X軸方向的Υ軸方向，將前述複數 之噴嘴，對於前述基體相對移動之步驟（Β )、 和經由前述步驟（Β )，前述2個之噴嘴各別入侵於 對應前述2個之被吐出部的範圍時，從前述2個之噴嘴， 對於前述2個之被吐出部，各吐出液狀之光學材料之步驟 (C ) 〇 5 .如申請專利範圍第4項之透鏡之製造方法，其中， 前述步驟（Α)乃包含於平台上載置前述基體之步驟，和 旋轉前述平台，對於複數之噴嘴，定位前述基體之步驟。 6. 如申請專利範圍第4項或第5項之透鏡之製造方法 ，其中，前述步驟（Α)乃更包含使前述2個之噴嘴之X 座標，和前述2個之被吐出部之X座標一致的步驟。 7. —種半導體雷射之製造方法，其特徵乃包含 使鄰接之被吐出部之間的X軸方向距離，和排列於 前述X軸方向之複數之噴嘴中之任一 2個之噴嘴間隔一 致地，定位基體之步驟（Α)中，前述2個之各被吐出部 乃被覆各別之雷射元件之光射出面，前述基體乃具備前述 雷射元件之步驟（A )、 和沿正交於前述X軸方向的Y軸方向，將前述複數 之噴嘴，對於前述基體相對移動之步驟（B )、 和經由前述步驟（B )，前述2個之噴嘴各別入侵於 -2- 1259784 (3) 1 . ϊ ί 對應前述2個之被吐出部的範圍時，從前述2個之噴嘴， 對於前述2個之被吐出部，各吐出液狀之光學材料之步@ (C )。 8 ·如申請專利範圍第7項之半導體雷射之製造方法， 其中，前述步驟（A)乃包含於平台上載置前述基體之步 驟’和旋轉前述平台，對於複數之噴嘴，定位前述基體；^ 步驟。 9·如申請專利範圍第7項或第8項之半導體雷射之製 造方法，其中，前述步驟（A)乃更包含使前述2個之噴 嘴之X座標，和前述2個之被吐出部之X座標一致的步 驟。 10.—種吐出裝置，其特徵乃具備 具有排列於X軸方向之複數之噴嘴之噴頭、 和保持具有鄰接2個被吐出部之基體的平台、 和沿前述X軸方向與正交於前述X軸方向的Y軸方 向，前述複數之噴嘴對於前述基體相對移動地，改變前述 噴頭和前述平台之相對位置的掃瞄部； 使前述被吐出部間之前述X軸方向之距離，和前述 複數之噴嘴中之任何2個之噴嘴間隔一致地，前述掃瞄部 旋轉前述平台者。