TWI258076B - A method and apparatus for determining the write delay time of a memory - Google Patents
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Description
12580錄 替換IT i 92f lfefe{35 Λ_η 曰 五、發明說明(1) 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種㊂己fe、體之寫入延遲時間的決定方 法及其裝置’且特別是有關於一種動態隨機存取記憶體之 寫入延遲時間的調整方法及其裝置。 【先前技術】 一般的電子產品’例如是電腦,内部都有動態隨機存 取記憶體(Dynamic Random Access Memory DRAM),以供 處理器暫存資料、程式等。動態隨機存取記憶體越大,可' 以使電腦運作地較為順暢。因此現今電腦上都可以插數條 動態隨機存取記憶體’以供使用者可以視需要而方便地擴 充。動態隨機存取記憶體例如是雙倍資料速率(1)〇1^16 、
Data Rate,DDR)動態隨機存取記憶體。 士奋:下寫入命令給記憶體後’言己憶體需要-段延遲時間 才會實際寫入記憶體,以確保資料的正確性。而由於製 2 =,寫入每條記憶體所需的延遲時間也不相同: 確保讀寫的正確性。 ^的寫人延遲時間’以 第1圖是記憶體的寫入時序的示土η ^ — 杯宜入杜人w ^ 思、圖。寫入時序1 0 0包 括寫入指令W及資料到達信號DQS。卷士, jh ^ ^ ^ , Α 田寫入指令W發出後, 也就疋為低位準,記憶體有最小寫 就是最少要等待這個時間,資料到遲時間tDQSSm,也 DQS才能轉變為高位準’以將資料嚷信號(hta strobe) 有最大寫入延遲時間tDQSSM,也就曰入記^意體。記憶體另一 料到達信號(data Str〇be)DQS需轉^在這個時間之前,資 .一^ ---鰱為高位準,以將資料
第5頁
年一 月 a_修正 五、發明說明(2) 寫入記憶體。因此只要寫入延遲時間tDQSS係介於最小寫 入延遲時間tDQSSm及最大寫入延遲時間tDQSSM之間,記憶 體所寫入的資料就可以保證是正確的。 一條記憶體的兩面都可以有記憶體晶片,記憶體的一 面,稱做一列(r an k)記憶體,係由一個晶片選擇信號 (chip select,CS)所啟動。例如是有四條記憶體的電 腦’每條記憶體的兩面都有記憶晶片,則此電腦有八列 (rank)記憶體。電腦於啟動時,需針對此八列記憶體分別 檢查寫入延遲時間的範圍,最後再決定此些列之記憶體可 以共用的寫入延遲時間。 第2圖是傳統的記憶體之寫入延遲時間的檢查方法流 程圖。首先’發出寫入命令給記憶體,如步驟2丨〇所示。 等待一段寫入延遲時間,如步驟2 2 0所示。然後記憶體才 依據寫入命令將一組樣本寫入,如步驟23〇所示。一組樣 本例如是[Olh 02h 03h 04h]。接著,從記憶體將樣本讀 出,如步驟2 4 0所示。然後,檢查所讀出的樣本是否正 確,如步驟2 5 0所示。若是,則表示此寫入延遲時間係為 合格,如步驟26 0所示;若否,則表示此寫入延遲時間係 j不合格,如步驟2 70所示。在步騾2 8〇中,改變寫入延遲 間’再回到步驟2 1 〇重新檢查此改變後的寫入延遲時間 是否合格。一般係可以將寫入延遲時間由小到大去測試, M找出此記憶體的最小寫入延遲時間tDQSSm與最大寫入延 遲時間tDQSSM。 電腦中的各列記憶體依照第2圖所示之方法找出其最 」胃;V延遲日守間tDQSSm與最大寫入延遲時間uqssm。則共
m _ 第6頁
修正 用的最小寫入延遲時間 值,共用的最大寫入延遲ί間;寫入延遲時間的最大 最小值。然後在此二ΐ: 為各最大寫入延遲時間的 Λ ^ A Μ ^ ^ i, 2的取小寫入延遲時間與此共用的最 :ί:;;Βί間中找出一個共用寫入延遲時間霉,往 m :、記憶體、即可以使用此共用寫入延遲時間 確。.、、' 入貝料,這樣就可以確保寫入的資料係為正 、…丨而,上述的檢查方法所耗費的時間過長。一般執行 上述的檢查方法係由電腦中的基本輸出入系統(Basic Input/Output System,BIOS)所執行。基本輸出入系統係 位於電連於南橋的一個唯讀記憶體晶片(R〇M)上。中央處 理器從唯讀記憶體晶片上讀取指令不夠快,而且基本輸出 入系統還要從記憶體讀出樣本來確認,因此整個寫入延遲 時間的檢查流程會很慢,造成電腦開機所需的時間太久。 【發明内容】 有鑑於此,本發明的目的就是在提供一種增快記憶體 之寫入延遲時間的決定速度的決定方法及其裝置。 根據本發明的目的,提出一種記憶體之寫入延遲時間 的決定裝置,包括中央處理器、記憶體北橋、南橋及基本 輸入輸出系統(B 10 S)。北橋分別與中央處理器及記憶體電 性連接,以不同之寫入延遲時間將一樣本填入記憶體。美 本輸入輸出系統讀取記憶體儲存之樣本,並檢查讀取之才产 本之正確性以決定寫入延遲時間。 根據本發明之另一目的,提出一種記憶體之寫入社
1258^#!;! η 修正 五、發明說明(4) 時間的決定方法,包括以下 延遲時間。接著,北橋對紀 本。接著,記憶體於等待寫 寫入樣本。然後,基本輪入 存之樣本並檢查其正確性以 為讓本發明之上述目的 懂’下文特舉一較佳實施例 明如下: 步驟。首先,北橋決定一寫入 憶體下一寫入指令以寫入一樣 入延遲時間後,依據寫入指令 輸出系統(Β I 0S )讀取記憶體儲 決定寫入延遲時間。 、特徵、和優點能更明顯易 ,並配合所附圖式,作詳細說
【實施方式】 電腦剛啟動時,雲^ ρ > 中的基本輸出入系統(Ba始:各種硬體’此動作係由電腦 R r π ς X _ ^ , ^Basic Input/Output System, 遲時間。的初始化之—就是要決定其寫入延
條記憶體都可;不會相同,因此需要找到-個考 正確性。傳統上的遲時間’以確保資料存取纪 係由電財的基本輪^ ί體之寫人延遲時間的檢查方这 系統係位於電連於=样二系統(bi〇s)所執行。基本輸出λ 其與對外的輸出入速;;;個π;憶體晶片⑽)上’ 片上讀取指令不夠快,=t二中央處理器從唯讀記憶體盖 讀出樣本來確認,因此本輸出入系統還要從記憶谱 慢’造成電腦開機“ j遲時間的檢查流程” 寫入ί i : ί !:憶體電性連接的北橋負擔部"
~ 作’以加快寫入延遲時間的檢查Κ 麵 第8頁
間。 第3圖是依照本發明一較佳實施例的一種電腦系統方 塊圖。電腦系統30 0包括中央處理器310、北橋3 2 0、南橋 330、記憶體340及基本輸出入系統(BIOS) 3 5 0。記憶體34〇 係與北橋320電性連接,中央處理器31〇係透過北橋32〇而 存取記憶體3 4 0。基本輸入輸出系統(β I 〇s) 3 5 〇係透過南橋 3 3 0與北橋3 2 0而存取記憶體。與傳統電腦系統不同的是, 北橋3 2 0更負擔電腦初始時檢查記憶體的寫入延遲時間的 工作,將詳細說明於後。 第4 Α圖是電腦系統所使用的一種記憶體之寫入延遲時 間的決定方法流程圖。首先,在步驟41〇中,由北橋32()以 不同的寫入延遲時間將樣本填至記憶體34〇。請同時參照 第5圖,其繪不為記憶體340的示意圖。寫入延遲時間一般 有0x0〜OxFF的值,北橋3 20與記憶體34〇 一次傳送的資料^ 64位元組(byte),因此本實施例將記憶體34〇規劃為區_ [〇]、D[1].....D[n],一個區塊係為64位元組。此些區 塊係分別對應地儲存寫入延遲時間為〇、丨、…、n的樣 本。北橋320係開始以寫入延遲時間為〇將樣本填 恤 340的區塊D[0];然後以寫人延遲時間w j 體34。的區塊D[1];依此難,最後^人延料間為己 樣本填入記憶體3 4 〇的區檢D「η 1 , η將 3 4 0的寫入速度很快,因此太牛 心赞 在步驟43",由=步:很快即可完成。 由基本輸入輸出系統(BI〇S)350钱山 憶體34G所儲存的樣本。然後在 己 系統(BIOS)即可依據所讀屮 T暴本輸入輪出 —---出的樣i之正確性判斷此記_
麵 第9頁
曰 修正 340的^寫、入延遲時間的範圍。 、w ^述=施例係以一列(rank)記憶體為例做說明。一般 電腦係有多列記憶體,因此只要重複上述方法即可分別得 知f列1憶體的寫入延遲時間的範圍。然後再依據此些寫 ^遲$間的範圍決定各列記憶體皆可以接受的寫入延遲 時間。 ” 第4B圖是步驟4 1 〇中,北橋寫入記憶體的方法流程 圖。以個寫入延遲時間為例。初始時,η係為〇,如步驟 412所示,著,北橋320決定寫入延遲時間(η)的值,如 步驟414所示。接著,北橋32〇發出寫入命令以寫入一樣本 於對應的,塊D[ η],如步驟41 6所#。接著,記憶體34〇等 待,入I,日可間(η )後,將樣本寫入區塊D [ η ],如步驟41 8 所不。然後判斷η是否小於Ν,如步驟42〇所示,若是則令 加V/比步驟42 2所示。然後重複步驟414至418直到所 有Ν個區塊皆已寫入樣本。 nuJ專ΪΓ::瓶頸係在於要執行基本輸入輸出系統 ?式會很慢。本發明所揭露之記憶體之寫入延 ΐ Γ:: 係將填樣本至記憶體的工作交由直接盥 方法,以減少電腦開機所需的;了加速本檢查 基本輸入輸出系統(BI0S)二:。二本,明可以減少 速。 式碼,使付程式開發更為快 綜上所述,雖然本發明 然其並非用以限定本發明, 本發明之精神和範圍内,當 已以一較佳實施例揭露如上, 任何熟習此技藝者,在不脫離
第11頁 125 m
2118535 年月曰 修正 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 第1圖是記憶體的寫入延遲時間示意圖。 第2圖是傳統的記憶體之寫入延遲時間的檢查方法流 程圖。 第3圖是依照本發明一較佳實施例的一種電腦系統方 塊圖。 第4A圖是電腦系統所使用的一種記憶體之寫入延遲時 間的決定方法流程圖。 第4B圖是步驟4 1 0中,北橋寫入記憶體的方法流程 圖。 第5圖繪示為記憶體的示意圖。 圖式標號說明 100 寫 入 時序 310 中 央 處理 器 320 北 橋 330 南 橋 340 記 憶 體 350 基 本輸入 輸出系統(B I 0 S) W :寫入指令 tDQSSm :最小寫入延遲時間 DQS :資料到達信號 tDQSSM :最大寫入延遲時間 tDQSS :寫入延遲時間
第12頁 1258076
案號 92118535、 六、申請專利範圍 檢查該讀取之樣本之正確 時間範圍’並據以決定讀寫Λ $遲時間U體的一寫入延遲 8·如申請專利範圍第7二述之i置 包括複數個該記憶體。 貝 ^ ’其中,該裝置 9.如申請專利範圍第8項所述之发置, 輸入輸出系統係讀取各該記怜體的該寫 〃、中,4基本 然後據以決定該寫入延遲時g。 延遲時間範圍, 1〇· 一種記憶體之寫入延遲時間的決κ 、 電腦系統’該電腦系統包括—北·、〜記;::丄】:二 入輸出系統(BIOS),該記憶體係與該北橋“二基^ 法包括: ^ 〜% 依據一寫入延遲時間對該記憶體下一寫入指令以寫入 一樣本’其係由該北橋執行;以及 檢查該記憶體儲存之該樣本是否符合該寫入之樣本, 若是,則該寫入延遲時間為合格,其係由該基本輸入輸出 系統(Β I 0 S)執行。 11.如申請專利範圍第1 〇項所述之方法’其中,重複 執行該方法以找出該記憶體之合格之一寫入延遲時間範 圍。 12·如申請專利範圍第11項所述之方/套,其中該電腦 系統包括複數個該記憶體,依據各該記憶體之該寫入延遲 時間範圍,然後據以決定該寫入延遲時間、。 13·如申請專利範圍第1 2項所述之f =其中该寫入 延遲時間係為該些寫入延遲時間範圍之父…
TW1160(051230)CRF.ptc 第15頁
專利申請案號第092118535號修正 100
W
tDQSSM tDQSSm tDQSS
Η
第1圖
Claims (1)
1258076 六、申請專利範圍
1 · 一種記憶體之寫入延遲時間的決定方法,用於一 電腦系統,該電腦系統包括一北橋、一記憶體及—基'本^ 入輸出系統(B I 0 S ),該記憶體係與該北橋電性連接,二 法包括: δ亥方 決定一寫入延遲時間,其係由該北橋決定; 對該記憶體下一寫入指令以寫入一樣本,該寫入 係由該北橋發出; 3 7 於該寫入延遲時間後,依據該寫入指令寫入該樣 該記憶體; ’ 讀取該記憶體儲存之該樣本,其係由該基本輸入 系統(BIOS)執行;以及 u m 檢查該讀取之該樣本是否符合該寫入之樣本,若是, 則該寫入延遲時間為合格,其係由該基本輸入輸出系统 (BIOS)執行。 ' 2·如申請專利範圍第1項所述之方法,其中,重複執 行該方法以找出該記憶體之合格之一寫入延遲時間範圍。 3 ·如申晴專利範圍第2項所述之方法,其中該電腦系 統包括複數個該記憶體,依據各該記憶體之該寫入延遲時 間範圍’然後據以決定該寫入延遲時間。 4 · >如申請專利範圍第3項所述之方法,其中該寫入延 遲時間係為該些寫入延遲時間範圍之交集。 5 · 種5己憶體之寫入延遲時間的決定方法,用於一 電腦系統’該電腦系統包括一北橋、複數列(rank)記憶體 及一基本輸入輸出系統(81〇8),該記憶體係與該北橋電性
TW1160F(威盛).ptd 1258076
六、申請專利範圍 連接,該方法包括: (a )選擇該些列記憶體之一,其係由該北橋執行; (b )以複數個不同的寫入延遲時間將一樣本寫入選擇 之該列記憶體,其係由該北橋執行,包括: 選擇該些寫入延遲時間之一; 對選擇之該列記憶體下一寫入指令以寫入_樣 到該記憶體之一區塊;以及 ^ 於等待選擇之該寫入延遲時間後,依據該寫入指 令寫入該樣本至對應之該區塊,其係由該記憶體執行;
(c )重複步驟(a )及(b ),以將該樣本依照該些寫入 遲時間填入該些列記憶體;以及 (d)讀取該些列記憶體儲存之該樣本,並依據該讀取 ^ ^的正確性而決定各該列記憶體合格之—寫人延遲時 二Hi然後再據以決定該寫人延遲時間,其係由該基本 輸入輸出系統(BIOS)執行。 中的%宜如申請專利範圍第5項所述之方法’其中步驟(d) ^ “、、入延遲時間係為該些寫入延遲時間範圍之交集。 種5己憶體之寫入延遲時間的決定裝置,句· 一中央處理器;
一記憶體: 以不同2 f二刀別與該中央處理器及該記憶體電性連接 一::數個寫入延遲時間將一樣本填入該記憶體; 南橋,與該北橋電性連接;以及 一基本輸入輪出系統,讀取該記憶體儲存之該樣本
TW1160F(威盛).ptd 第14頁
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