TWI249567B - Fluorescent inorganic material of solid light source - Google Patents

Description

1249567 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光固體光源之螢光無機 粉’特別係關於一種可發射白光之發光材料，其係利 用一藍光固體光源、及一受激發可產生黃光螢光之 螢光體以產生白光。 【先前技術】 近年來’固體光源之製造技術持續地改良，發 光效率大幅提昇，且由於固體光源可發射接近單色 之光波’並具有可靠性高、使用壽命長、工作範圍 寬廣等優點，因此，在許多照明設備應用中，固體 光源已有逐漸取代傳統真空燈泡之趨勢。 習知技術中，使用固體光源來產生白光的常見 方法主要有一種。其中之一，係混合紅光、綠光、 藍光三種顏色固體光源所產生之光，以產生白光， 即所謂的RGB法。此種方式中，由於固體光源結晶 之某種既定空間分佈的緣故，使得混合之色彩不均 勻。此外’其又具有發光強度不完全利用之缺點。 另一種方法’係利用可發射藍光之固體光源，並在 其上方塗佈一層可受藍光所激化而發出黃色螢光之 螢光體。監光光源與黃色螢光的混合，可有效率地 獲得色溫8000〇K之白光。美國專利第5,998,925號 「具有一氮化物化合物半導體及含有石榴石螢光材 料之赏光體的發光元件」即揭示一種利用後者方法 1249567 之技術。在此一專利中，一固體光源晶片係安裝於 一殼體的凹槽或凹杯中，並將凹槽或凹杯填滿含有 螢光體之樹脂塗層，其中，固體光源晶片包含 ImGajAUN ( i + )氮化物化合物，而螢光體則包 含（a)選自Y、Lu、Se、La、Gd及Sm之至少其中一 者，與（b)選自A1、Ga及In之至少其中一者，並以 Ce活化。更具體言之，螢光體係包含化學通式為 (Ym-rGdpCeQSmrMAlhGasLc^ 之成分，其中 1<ρ<0.8 ^ 〇.003<q<〇.2 ^ 〇.〇〇〇3<r<0.08 ^ 〇<s<l ^ 以獲得較佳的光波波長及發光效率。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種固體光源之螢光無 機粉’其可將藍光轉換成白光，並具有獨特之組成成 人忐：月之$目的在於提供-種螢光無機粉· ::::，其所合成之螢光材料粉末可使用於一 光固體光源中。 可利：1二月：X 0的在於提供-種發光元件，- 產生白光源及特殊成分之螢光無機粉' 產生白先，亚具有獨特之封裝結構。 根據本發明之一種態樣，一 式為·· 種唛先材料之化學 (Yl-x-yi-q p，Gdx，Dyy，Ybz，Erq Ce ) ΓΑ1 其中，α俜介… …、 甲a係„於2.97 _ 3.〇2之範圍 1249567 介於 4·98 - 5·02 之範圍，而 χ = 〇 2 — 〇·65，y = 〇·〇〇1 - 0·05，z : 〇·〇1 — 〇 〇5，q : 〇 〇〇1 — 〇 〇5， P : 〇· 015 — 0·卜 k : 〇· 01 一 〇· 6，n = 〇· 〇1 — 〇·45， 1 - 〇· 01 - 0· 1。螢光材料可配合一氮化鎵銦異質 接面I光發光固體光源而形成一白光固體光源，二 =所發出之光係於535 nm至590 nm之波長範圍混 合t成一合成光，當其色度指數係為65至90之範 圍柃，可形成色溫爲16000]^至3〇〇〇κ之均勻白光。 根據本發明之另一種態樣，上述螢光材料之合 成方法的步驟包含：（a)將釓、釔、鈽、鏑、铒、 镱、銘和鎵之氧化物與硝酸鹽氫化物預熱至8〇一9〇 t ; (b)與濃氨水相互作用，生成由氫氧化物構成 之中間複合物；（c)進行清洗，以去除Ν〇3-ι離子； (d)在弱還原氣體環境中進行三階段熱處理，其 中，第一階段熱處理係在500K溫度下進行1 — 3小 時’第二階段熱處理係在9〇〇 —11〇〇K溫度下進行i — 3 小時，及第三階段熱處理係在140 0-1 70 0Κ溫度下進 行3小時；及（e)冷卻至4〇() κ，並將生成之產物磨 碎以獲得所需之分散成分顆粒。 根據本發明之又一種態樣，發光元件係包含一 發光構件基座、一或多個安裝於基座上之發光構 件、一透鏡、及一螢光材料。發光構件係可發射波 長為430至470 nm之藍光。螢光材料係由一無機螢 光體粉末及一結合劑所組成，並填充於透鏡與發光 1249567 構件之間所形成的空 接面發射表面與發光構：之〜腔二到發㈣ 亚且，空腔之幾何對稱軸所在的平面係=相等 構件之P —n接面發射表面。 ’、‘直於發光 【實施方式】 根據本發明之較隹且 朵秣本〜Μ 具體例，請參閱第一圖，白 先毛先7L件之主要包含—發 3白 藍光發#搂A 9 籌件基座1、一或多個 凰九卷先構件2、一透鏡3、及— 又夕1u 無機螢光體粉末及H "材抖4係由一 光構件2可視需要而彳/田丨（blnder)所組成。發 」祝而要而採用不同生 腳式（lead type)或晶片 大之構化’例如接 用何種形式，均設置C = tyP〇。不論採 槽形狀之結構。發光L，1，其具有一凹杯或凹 或凹槽中，：係=2係安裝於基座1之凹杯 U其係為可發射波長約4 光的固體光源，例如包含氮 〇随之監 化鋁鎵銦等半導體曰κ ^ ，承銦、或氮 古由l 日片。在實際應用上，可禎昭昍 冗度的需求而決定使用一個 "、、月 鏡3 ^ # 或更夕個叙光構件2。透 鏡3係配置於凹杯或凹槽 = 光構件2之門你士 ^ 丨^于边鏡d與發 .. S形成工腔。空腔壁到發光構件2之 Ρ-η接面發射表面盥發弁 之 算，甘日咖 $先構件2之邊緣的距離係為相 專亚且’工腔之幾何對 挤弁椹杜9々 ^冉釉所在的千面係垂直於 _ ^ Ρ η接面發射表面。螢光材料4係由 热“、螢光體粉末及一結合劑（Mnde"所， 其係填充於透鏡3盥發氺棋从Ω 、、成 处兄ύ 一枭先構件2之間的空腔内。在 1249567 貝作上，可將螢光材料4混合至一樹脂材料或其他 膠體中，並以模鑄的方式填滿空腔内部。較佳地， 螢光材料4之質量厚度（mass thickness)係介於1 至50 mg/cm2之範圍。 螢光材料4可吸收發光構件2所發射之一部份 光波，並受激化而放射出一不同波長之光波。螢光 材料4所發射光波之主波長（d〇minant wavei⑼) 車乂佳係為發光構件2所發射光波之主波長的1 2至 1 · 4倍，並且，螢光材料4所發射光波之其中一次級 波長（ secondary wavelength)較佳係為發光構件2 ，發射光波之其中一次級波長的丨· 5至丨· 8倍。又， 螢光材料4所含之無機螢光體粉末的平均粒徑與發 光構件2所發射光波之主波長的比值較佳係介於工：工 至1 〇 ·· 1之範圍。 · ^根據本發明，將藍光轉換成白光之螢光材料4 係包含稀土金屬、！家（Ga)及銘（A1)之氧化物。 ^具體言之，其陽離子子晶格中係添加有鏑（Dy)、 麵（Yb)及铒（Er)離子蔟，其陰離子子晶格則含有紹、 鎵、銳（Sc)和銦（In)氧化物。此種陽離子子晶格郎 離子子晶格相互結合’形成化學式為、了 (Y"X~^2'q'P，Gd" Dy^ Yb- Er- CeP)a(Ah-n-.k, Gan, Sc, I nit〇12之化合物，其中，cx係介於約2.97 _ 3 〇2 之辈巳圍β係介於約4. 98 - 5. 02之範圍，* x = 〇 2 -°·65, ^ = o.ooi - 0.05^ z = 0.01 - 〇.〇5, q = 10 1249567 〇· 001 - 0· 05，p 二 0· 015 〜〇· η 〇· 01 - 0· 45 〇. 01 0.01-0 0 將上述螢光材料4與—氮化鎵銦異質接面 固體光源相配合，則藍光固體光源所發出之短 光可與螢光材料4所發出之寬帶井、、3人 長 長入介於約535 _至約59Qn：^；；1；^形成波 、 J DM Μ乾圍之合成光。♦ :成光的色度指數1^在65〜9〇之範圍變化時，可： 成色溫約為Τ = 1 6000Κ至τ = 3000Κ的均勻白光。夕 根據本發明之螢光材料4的最佳模式，在上 之螢光材料4結構中，陽雜；$ θ # & ^ρ _子子晶格内的各氧化物 Y2〇3：Gd2〇3：C^^y2〇3：Yb2〇3： ΕΓ2〇3,約介於 um.^o.mo 01 :L 65 士 055 :0.035 :0.035:0.025 之範 與其相結合之陰離子子晶格内的各氧化 :二私克勿子量之比A12〇3 : Ga2〇3 : Sc2〇3 : in2〇3約介 ;2· 8 · 0· 1 . 〇· 1 至（：2 : h 8 : 〇· 2 之範圍。 ^發明之螢光材料4中，當其活化氧北物（Ce2〇3 與ub2〇3+Er2〇3)二者的濃度比為1:〇〇5〜1: &才基，光瑨上會出現峰值波長爲565 _至575 加見▼瑨，廷將使得合成光之色溫在120 〇〇κ至 t的條件下由冷白色光過渡爲暖白色光。 $ AA =光材料4之輻射強度參數與激勵藍光輻射功 =、:生度與加入其成分中的铒和紀氧化物螢光材 〆 /辰度成正比，改變α = 〇· 75〜0· 99值可在 1249567 10mW/_2〜100 mW/_2之間將藍光二極體之輻射功率 提高十倍。此種高激勵功率條件下獲得螢光材料4 輛射的外量子效率γ為γ 2 〇 8。 本發明中，若將所加入之活化氧化物Ce2〇3與 Dy2〇3二者的濃度比例從i〇〇 : 1變化至1〇〇 : ，可 決疋合成光之色溫向暖白色光的移動程度。波長爲 5 70 nm至58 0 nm之光譜次峰值強度係與添加到螢光 材料4中之氧化鏑濃度成正比。再者，若將活化氧 化物Ce2〇3與EnO3 一者的濃度比例從1⑽：1變化至 1⑽· 10，當加入的鈽的最佳濃度爲0·(Π〜〇·〇3原子 伤頜日寸’則螢光材米斗4可發出綠色的光。此種光學 再發光現象具有司托克（St〇kes)位糊〇〇⑽，

=位移發生在將其加熱到溫度爲約295K至420K 犄，而發光的外量子效率在γ =〇·75〜〇·9〇的條件 下。 上迷邊光材料4係具有波長爲約44〇 ηιη至470 之不页見度，在此一範圍内，其粉末層之累積反_ 射係數在30/。至1 〇%區間内變化，並與加入勞光材料 12 1249567 形成一螢光體複合物。較佳地， 矽膠聚人物$严— Λ 元材枓4粉末與 狄了々。物或％氧混合物之質量比爲5 ” 赏光體複合物每立方釐半入右〗1nS 〇%此N*’ 材料4顆粒。方屋未含有1Xl°幻川、螢光 法。=來發明之發光材料4的合成方 氧化物金硝酸趟气化乙*鈽、鏑、铒、镱、銘和鎵之 氨水相預熱至8°—90°c’再將其與濃 物。缺後而上成由氫氧化物構成的中間複合 &仃一〉月洗步驟，以便將NO,離子去^ 如此所獲得的混合物將進一步地在 \子去除。 氣體：： 其中弱還原氣體為不含氧之 虱孔、虱軋等。而三階段熱處理包括 一階段熱處理，在500κ π声 （1)弟 牧3UUH Μ度下進仃i—3小時 1—阳段熱處理’在_ — 1丽溫度下進行卜3小 :進及(111)士第三階段熱處理，* “00-1 700K溫度 :進仃3小時。接著，將其冷卻至4〇〇 ，照實際應用的需要，將生成的產物磨碎成適4 小的顆粒，即可獲得本發明榮光材料4之：末適，大 T然本發明已參照較佳具體例敘述如上，惟豆 =為限制性者。熟悉本技藝者根據本發明之精神 之各種修改、省略及變化，均應屬於本發明之 摩巳圍。 【圖式簡單說明】 第一圖為本發明發光元件的剖視圖。 1249567 【主要元件符號說明】 發光構件基座1 發光構件2 透鏡3 螢光材料4 14

Claims (1)

1249567 十、申請專利範圍·· 1 · 一種固體光源之螢卉血抵 九…、妆叔，其可配合一氮化鎵銦 呉貝接面監光固辦本 、 先，原，而形成一白光固體光 源’該螢光材料包合雜 ^ 1 2稀土金屬、鎵（Ga )及鋁（a 1 ) ^乳化物’在該螢光材料結構中，添加有鏑（Dy)、 釦外）及铒（Er )離子鎮之陽離子子晶格，係 興^、1豕、筑（Sc )和銦（IrO氧化物 子晶格相結合，而开；#目 73化成具有下列化學式之化合物： (YlW^GdX5Dy^ ，/ηΐ)Ρ〇12其中，α係介於2· 97 - 3· 02之範圍，β 係’丨於4.98 — 5·〇2之範圍，而χ = 〇·2 — 〇 65, 厂0·001 — 〇·05,…·01 - 0.05, q 二 0·001 〇·〇5’Ρ- 0·015 - O.bk : 0·01 — 〇·6，η : 0·01 0.45’ 1 : o.oi — 〇1，並且，該氮化鎵 銦異貝接面監光固體光源所發出之短波長光、與 。亥螢光材料所發出之寬帶光係於5 3 5 至5 9 〇⑽ f波長範圍混合形成一合成光，該合成光之色度 指數係為65至90之範圍，且可形成色溫爲16〇〇〇1( 至3000K之均勻白光，該螢光材料具有類橢球形 之顆粒，當該顆粒之平均直徑與中值比小於I]時， 該顆粒長軸數值與光譜峰值波長比例爲〇· 5 : 1至 3:1。 15 1 ·如申睛專利範圍第1項之固體光源之螢光無機 2 粉’其中’該螢光材料結構中，組成陽離子子晶格 I249567 〔 氧化物的最佳體積克分子量之比γ2〇3: GiCh : 〇 3 Dy2〇3 · Yb2〇3: Er2〇3 爲1.9:0.9:0.15:0.02: 〇·:;·〇·01 至 1·65: 1·2: 0·055: 〇·〇35: 0·035 : ^且"、且成陰離子子晶格之各氧化物的最佳體 、克刀子里之比 ΑΙ2Ο3 ·· Ga2〇3 : SC2O3 ·· Ιίΐ2〇3 爲 2 : 2· 8 · 〇· 1 : 0· 1 至 1 ·· 2 : 1· 8 : 〇· 2。 •η專利範圍第1項之固體光源之螢光無機 " 萄 /舌化氧化物 Ce2〇3 + Dy2〇3/Yb2〇3 + Er2〇3 /辰度比為1 · 〇 · 〇 5〜丨··丨時，在基礎光譜上出現 人值波長爲565 nm至575 nm之附加寬帶譜，使 5成光之色溫在1 2000K至2500K的條件下由冷白 色光過渡爲暖白色光。 如申請專利範圍第1項之固體光源之螢光無機 ^，其中，該螢光材料之輻射強度參數與激勵藍光 輪射功率的線性度與加入其成分中的斜和記氧化 物螢光材料濃度成正比，改變α = 0.75〜0 99值可 在1 0“ 1 GO mW/_2之間十倍地提高藍光固體 光源之輻射功率，在高激勵功率條件下獲得螢光 材料fe射的外星子效率係大於或等於〇. 8。 .如申請專利範圍第1項之固體光源之螢光益機 粉，其中，根據所加入之活化氧化物Ce2〇3/Dy2〇3 之光譜次峰值強度與添加到該勞光材料 從100:1至1〇〇:10的比例，可決定合成光之色 溫向暖白色光的移動程度，波長爲57〇 至58〇龍 中之氧化 16 1249567 錦濃度成正比。 :申:’Π範圍第1項之固體光源之螢光無機 l0n •二、/萄活化氧化物Ce2〇3/Er2〇3之濃度比由 爲·增至100 ·· 10時，當加入的鈽的最佳濃度 的光·。〜0·03原子份額時，該螢光材料發出綠色 7.::，申二專利範圍第7項之固體光源之螢光無機 二:/:?光學再發光現象具有司托克(stokes) '、方、或等於100ηι«，該司托克位移係發生於 旦ς加熱到溫度爲2951(至4爾時，而發光之外 里子效率在〇. 75〜〇. 90的條件下。 •如申明專利範圍第1項之固體光源之螢光無機 粉1其該螢光材料具有波長爲44〇 nm至470 · 之禁帶覓度，在該範圍内，該螢光材料粉末層之 累積反射係數在30%至1〇%區間内變化，並與加入 該螢光材料之飾、鏑、斜及紀氧化物總濃度成正 比0 9 ·如申明專利範g]第1至8項巾任—項之固體光源 之螢光無機粉，其中，該螢光材料可混合入一矽膠 聚合物或一環氧混合物中而形成一螢光體複合 物，當該螢光材料與該矽膠聚合物或環氧混合物 之質量比爲5-40%時，該螢光體複合物每立方釐米 含有1\1〇5至1X107個螢光材料顆粒。 10· 一種螢光材料之合成方法，該螢光材料之化學 17 1249567 式為 Sc (Υι χ-y-z c-p, Gdx, Dyy, YbZ5 Ertl, Ce,))a(Ali n k，InOpOu其中，a係介於2· 97 — 3· 〇2之範圍， 係介於4· 98 - 5· 02之範圍，而x二〇. 2〜^ μ 0· 05 ， Q = 0· 001 y = 0_ 001 - 〇· 05，ζ = 0· 01 -0·05，ρ - 0.015 — 〇.i，k = 〇·〇1 〜〇 6，^ 一 0·01 - 0·45，1 = 0·01 — 0. !，該方法包含： (a) 將釓、釔、鈽、鏑、铒、鏡、鋁和鎵之氧 化物與硝酸鹽氫化物預熱至8 Q — g q 〇C ; (b) 與濃氨水相互作用，生成由氫氧化物構成 之中間複合物； (C)進行清洗，以去除N〇3M離子； U)在弱還原氣體環境中進行三階段熱處理， 其中，第一階段熱處理係在500K溫度下進行卜3 小日守，第二階段熱處理係在900_1100Κ溫度下進 行1 3 j、日守，及第二階段熱處理係在14 〇 〇 _ 1 7 ⑽ 溫度下進行3小時；及 (幻冷部至400 K，並將生成之產物磨碎以獲赛 所翯之分散成分顆粒。 11· 一種發光元件，包含： 一發光構件基座； 並可ΐ::發光構件，安裴於該發光構件基座上， 其可=波長為430至 4 ’該透鏡與該發光構件之間形成-空腔； 18 1249567 及 金純料，填充於該空腔中，其係由 機螢 光體粉末及一結合劑所纽成，· 其中，空腔壁到發光構件之 與發光構件之邊緣的距離係為 』、：： 斤在的平面係垂直於發光構= p接面设射表面，其特徵在於一種固,亦、搭 光無機粉，其可配人一条 豆先/原之螢 卞服 y 、_ "虱化銥銦異質接面藍光固體 光源，而形成^一 m ^ , 豆 稀土全屬二「原，該螢光材料包含 L: ()及鋁（ai)之氧化物，在該 金光材料結構中，；禾力右# ^ Τ从、加有鏑（Dy)、镱（Yb)及餌 計）妈隹子蔟之陽離子子晶格，係與銘、録、銳 Sc)和銦（In)氧化物之陰離子子晶格相結合， 而形成具有下列化學式之化合物： (Y-—，Gdx，Dyy，Ybz，Erq，Cep)am ，/Πΐ)ρ〇12其中，a係介於2· 97 - 3. 02之範圍，β 係介於4· 98〜5· 02之範圍，而χ = 〇· 2 — 〇· 65， y 二 〇· QQ1 H ζ = 0· 01 - G. 05，q = 〇· 〇(π 〇·05’ρ — 〇·〇ΐ5 — 〇i，k = 〇〇i — 〇·6，η = ο·45，1 = 0·01 — 0·1，並且，該氮化鎵 鉬1異質接面藍光固體光源所發出之短波長光、與 S i光材料所發出之寬帶光係於535 nm至590 nm 之波長範圍混合形成一合成光，該合成光之色度 指數係為65至90之範圍，且可形成色溫爲1 6000K 19 1249567 3 〇 Ο Ο K之均勻白光，該螢光材料具有頬 1顆粒’當該顆粒之平均直徑與中值比小於？ :守’該顆粒長軸數值與光譜峰值波長比 .5 1 至 3 : 1。 U· 5 ·· 13. 如申請專利範圍第u項之 螢光材料所發射光波之主波:广:件，其令’該 發射光波之主波長的丨2至X ’、為5亥發光構件所 光材料所發射光波之其中j ^ · 4倍，並且，該螢 構件所發射光波之A由 7 —次級波長係為該發光 倍。 _人級波長的1. 5至1. 8 14.如申請專利範圍第u 無機螢光體粉末之平均粒三丨$光凡件，其中，該 長的比值係介於丨·丨Y ^與該發光構件之主波 • 0:1之範圍。 20