TWI247111B - Method of detecting foreign objects in display manufacture processes - Google Patents

Description

1247111 政、 【發 別是 檢測 【先 製造 面上 是基 質， 塗佈 玻璃 影響 外， 的損 能以 外，. 會先 有異 製程 發明說明 明所屬之技術領域】 本^明疋有關於一種檢視異物存在的方法，且特 牙里針對於顯示器面板製程平台上之異物存在的 方法。 前技術】 在液日日顯不面板（Liquid Crystal Display ; LCD)的 通又承載基板之製程平台（stage)以及基板表 的π珠度是相當重要的，任何存在於製程平台或 板上的異物，都將會影響製程穩定性與製程品 甚至疋‘致產品與機台的損傷。 ^其是在液晶製造後段之配向膜（alignment film) 製進行時，若因有異物存在於製程平台，或是 板的表面日守’皆會使塗佈無法順利進行，以致 塗佈膜層的品質而降低液晶顯示品質的控制，另 ^會因異物的存在而造成塗佈滾輪或其他設備上 害，甚至是導致玻璃基板的破損，而影響產品產 及機台運作壽命。 因此’除了維持製程平台與基板表面的清潔度之 異物檢測也是必要的步驟’通常在製程進行之前， 對製程平台或是基板表面進行異物檢測，若發現 物存在，们亭止製程進行。如此’將 平台或基板表面之異物對產品與設備的損害。 5 1247111 得既的呉物 -卿狀汍竞雷射 光，對製程平台或基板表面進行觀測，以光的擴散、 反射或是繞射等強度變化來監控異物的存在。然而 利用擴散光所能檢視的物質大小有限，其檢測'里物之 精密度已不足以適用於製程要求嚴謹的顯示面板製程 甚至是半導體製程，故現行一般的異物檢測方法，多 是採用雷射光源，以提高異物檢測之精密度。

但是，現行的異物檢測方法，皆是將雷射光源由 製程平台 < 基板的上#，直_製程平台或基板的表 面進行照射，觀察雷射光反射前後或是擴散折射之情 形。由於雷射光會同時受到製程平台或基板，以及異 物的干擾，因此，若是對於位在製程平台或基板上， 但與製程平台或基板反射率相近之異物微粒，將無法 檢測出，例如··玻璃碎屑與玻璃基板之反射率相同。

而針對一些更為細小的異物微粒，也會因為對雷射光 干擾之程度不明顯，而容易受到製程平台或基板的影 響’則不易被檢測出，甚至需要因應製程平台或基板 之材質’隨時進行雷射檢視之校正，導致實際檢測的 諸多誤差產生以及檢測精密度之受限。 因此，一種能提升異物檢測之準確性與精密度的 異物檢測方法’對於製程平台或是基板上的異物微粒 之監測將是相當有助益的。 【發明内容】 6 1247111 本a月之目的〜—疋在提供-種異物檢測的方法，並 應^在顯示面板或半導體製程中的製程平台或基板表面 广見上。利用雷射反射原理’由待測物之側邊，提供雷 =束L程平台或基板之表面’若製程平台或基板 上存有異物，雷射光束才會受到干擾而衰減強度。 根據上述之目的，本發明提出—種可精準檢測異物存 的方法i照本發明-較佳實施例為在待測物體之一側 达’安裝-雷射感測器’並於待測物體之 雷射感測器的位置，置放一反射# 反射鏡。接著，由雷射感測器 提供-雷射光束’通過待測物體之表面，傳至反射鏡上， 反射鏡反射成1饋光束’而被雷射感測器所接 收。最後’觀察雷射感測器接收的回饋光束強度’盆中回 饋光束與雷射光束的強度差異即為雷射光束之衰減值，並 以雷射光束之強度衰減情形作為異物檢視之依據。 其中上述之待測物體可為一製程平台或是一基板，而 =射感測器更II由架設於一可微調高度與水平位置的精 密治具上，使雷射光束能準確地通過待測物體上之欲測位 置。 最後，觀察雷射感測器接收的回饋光束強度，其中回 饋光束與雷射光束的強度差異即為雷射光束之衰減值，並 以雷射光束之強度衰減情形作為待測物體上異物檢視 依據。 拾依照本發明之方法，由於雷射光束只可能受到待測物 表面上的異物干擾，而完全不受待測物體影響，因此， 1247111 月—別出待測物體上的異物存在情形，因而提高異物 二見的精密度。即使是與待測物體折射率相近的異物，亦 能藉由本發明之方法，準確地被檢視出。 :應用本發明之異物檢視方法’不僅可提高異物檢視 =確性與精密度，亦能減少針對待測物體之變化，而需 二正的步驟。另外’更能有效且及時地防範異物 Γ j4程、進行的影響與損害，進而維持製程穩定性與產 率亚減4製造成本的損耗與提高製程機台的運作 命〇 【實施方式】 本：明係一種異物檢測方法，利用雷射 =呈平台或基板之側邊提供一雷射光源 或基板之另一側邊詈淤；^ α泣 衣狂卞σ 側遭置放反射鏡，用以反射

平台或基板上有異物存在，目,丨+ U …“存在，則雷射光會受到異物之干擾， …貝之田射強度’本發明即藉由侧邊照射带. 光之強度衰減情形，來進行_ ”田 測。 仃衣私千台或基板之表面異物檢 以下將以實施例對本發 月之方法加以詳細說明。 實施例 本發明揭露了一種掣铲 種裏各千台或基板表 方法。依照本發明一較佳徐 之./、物fe剛 1圖所示。 …列的異物_示意圖，如第 1247111 在第1圖中，有一架設於可 J牙夕動載具100上的製程平 台1〇2，並在與製程平台1〇2同—p r J 水平面之一侧邊位置， 提供一治具1 0 4，治具1 〇 4得λ _ 你為一可調整水平位移與高度 之裝置，另外，在治具1 04上安梦旦冗姑， 文衣一長距離型之雷射感測 器106，以及在製程平台102同—水平面之另一侧邊上， 相對於雷射感測請的位置處，設有一反射讀。且 中，雷射感測器1〇6提供用以通過製程平台1〇2表面上之 雷射光束1 〇 7，以及接收由及射於，Α。 莰仪田夂射叙1⑽反射雷射光束107 之回饋光109的強度。 雷射感測器、106藉由安裝於治具1〇4之上，而能利用 治具104的水平或高度微調，來校正調整照射之雷射光束 107的照射位置，使雷射光束1〇7能準確經過製程平台 表面上欲檢測的位置。而移動載具1〇〇係用以移動製程平 台1 02，使雷射光束1 07能照射到製程平台丨〇2表面上任 何欲檢測的位置。 另外，反射鏡108的架設係用以反射雷射光束1〇7， 使成為一回饋光1 09傳回至雷射感測器1 〇6之上，雷射感 測器106即藉由接收的回饋光109強度，來判斷雷射光束 1 0 7受異物干擾的情形。 若是經雷射光束107照射通過之製程平台ι〇2上沒有 異物微粒存在，則照射之雷射光束1 07將可完整地藉由反 射鏡108反射回雷射感測器1〇6，亦即雷射感測器ι〇6接 收到的回饋光1 〇9強度，會與雷射感測器1 〇6提供之雷射 光束1 07強度相同。但是，一旦經雷射光束丨〇7照射通過 !247111 程平台102上存在有異物微粒，則照射之雷射光束 1 =會受到異物微粒的干擾或阻擋，而使雷射光強度衰 脾因此，經由反射鏡108反射回來的回饋光109之強度 強日^顯小於雷射感測器106提供之原始的雷射光束107 如此’即可藉由雷射感測器106接收之雷射光反射 形：的變化，來監測製程平台表面上的異物存在情 〜最後’可設定一雷射強度的衰減變化值，若實際藉由 =…應的雷射強度衰減值超過設;： 系^。、蜀發用以停止機台運作或是終止製程進行的控制 平台，以：：例中’係利用—移動載具來移動製程 亦可利用改二私平台上的任一位置皆能實際進行檢測，但 移動來感測器的位置，藉由控制雷射感測器的 檢測方法亦面性檢測的目的。另外，本發明之 二 =不侷限使用於檢測製程平台表面， 、他任何基板面之異物檢測。 丨於本發明檢测異物之方法，料 之側邊對製程平台或基板千α或基板 之雷射光將單純地只4= 因此提供檢測 之干擾，不會受或基板上存在異物 ^卞口或基板本身影塑。所丨v . 7 製程平台或是基板表面上的異物微：，都可二！ T方法準確檢測出，尤其是-般與製程平：二 反射率接近㈣雜板 10 1247111 或疋=些對雷射光束干擾較不明顯的細小微粒，也不會因 為有製程平台或基板的干擾而難以辨識。甚至，: 雷射光源精密度的控制，配合上本發明之方法，而實_ 升異物檢測之精密度。 另外’應用本發明之方法’亦不需要針對製程平台或 二板：質的變化，而隨時進行雷射強度變化設定 更可避開一些因製程平台上的吸真空孔 的雷射強度變化誤差，轉持檢測的準確性。 因此’不論是顯示面板勢条 都可利用^ 自板“或疋-般的半導體製程， 里奸，i而？广方法’進行製程平台或是基板表面上的 而大幅提升異物檢测的精密度舆準確性 程穩定性與產品之良率，並減進而維持製 台的運作壽命。 坆成本的損耗與提高機 尤常有玻璃碎屑產生而影 曰曰頒不面板製造後段’如：配向膜丁 發明之方法，而確實地檢測出難以辨％王:可“本 在’以預防且減低玻璃碎屑對產：璃碎屬之存 雖然本發明已以實施例揭心=害。 限定本發明，任何熟f & & q 七、亚非用以 精神和範圍内，當可作各種：更動：：脫離本發明之 準。 甲明專利範圍所界定者為 1247111 【圖式簡單說明】 為讓本發明之上述特徵、方法、目的及優點能更明顯 易懂，配合所附圖式，加以說明如下： 第1圖係依照本發明較佳實施例之一種異物檢測示 意圖。 【元件代表符號簡單說明】 100 :移動載具 102 :製程平台 104 :治具 1 0 6 :雷射感測器 107 :雷射光束 108 :反射鏡 109 :回饋光

Claims (1)

1. J2»47111 &年·7):] π: .¾在本I —一.一———一.—一一 拾、申請專利範圍 1 · 一種顯示器面板生產製程之異物檢測方法，二 孩方 法至少包含： 安裴一雷射光源及一雷射感測器，位於一待測物體 一第一側邊，其中該雷射感測器係安裝於一、A 、 >〇具

   上，用以微調該雷射感測器之高度與水平位 提供一反射鏡，位於該待測物體之一第二側邊. 利用該雷射光源提供一雷射光束，通過該待、、則物 體上方之一檢測位置再傳至該反射鏡，並藉由該 反射鏡形成一回饋光束； 利用該雷射感測器接收該回饋光束；以及 觀察該回饋光束之強度。

   2.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該待 物體係為一製程平台。 物體係為一基板 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該待測 4. 鏡係用 如申請專利範圍第 以反射該雷射光束 項所述之方法，其中該反射 使形成該回饋光束。 13 1247111 ；；/"· ^; ；i£ ;：；,.I 5·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射 光束係為一長距離型雷射光束。 6·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該回饋 光束之強度對該雷射光束之強度差異係代表—強度衰減 值0 7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中該強度 衰減值若低於一設定衰減值，則表示該待測物體上有至少 一異物存在。 8, 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包含移動 該雷射感測器或是移動該待測物體，以進行該待測物體上 其他位置的異物檢測。 9· 一種顯示器面板生產製程之異物檢測方法，應用 於檢測製程平台之表面，該方法至少包含： 提供一治具，位於該製程平台之一第一側邊； 安裝一雷射光源及一雷射感測器於該治具上； 提供一反射鏡，位於該製程平台之一第二側邊； 利用該雷射光源提供一雷射光束，使該雷射光束由該 製程平台之該第一側邊，通過該製程平台表面上方之一 檢測位置再傳至該反射鏡’並藉由該反射鏡形成 一回饋光束； 14 利用該雷射感測器接收該回饋光束；以及 觀察該回饋光束與該雷射光束之一強度差異，以判別 σ亥雷射光束受干擾之情形。 I 〇.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該治具 係用以微調該雷射感測器之高度與水平位置。 II ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該反射 鏡係用以反射該雷射光束，使形成該回饋光束。 12·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該強度 差異係為該雷射光束之一強度衰減值。 13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該強 度衰減值若低於一設定衰減值，則表示該製程平台上有至 少一異物存在。 14. 如申請專利範圍第9項所述之方法，更包含移動 該治具或是移動該製程平台，以對該製程平台之表面 全面性地檢測。 t 1 5. —種顯示器面板生產製程之異物檢測方法，應 於檢測基板之表面，該方法至少包含： 提供一治具，位於該基板之一第一側邊； 15 1247111 ~ p / 安裝雷射光源及一雷射感測器於該治具上； 長:供一反射鏡’位於該基板之一第二側邊； 利用該雷射光源提供一雷射光束，使該雷射光束由該 基板之該第一侧邊，通過該基板表面上方之一檢測位 置再傳至該反射鏡，並藉由該反射鏡形成一回饋 光束； ;以及 強度差異，以判別 利用該雷射感測器接收該回饋光束 觀察該回饋光束與該雷射光束之一 該雷射光束受干擾之情形。 16.如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該治 具係用以微調該雷射感測器之高度與水平位置。 17·如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該基 板係為玻璃基板。 η·如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該反 射鏡係用以反射該雷射光束，以形成該回饋光束。 、如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該強 度差異係為該雷射光束之一強度衰減值。 20.如申請專利範圍帛19項所述之方法，其中該強 度衰減值若低於一設定衰減值，則表示該基板上有至少一 16 1247111 fV 7 /r 異物存在。 2 1.如申請專利範圍第1 5項所述之方法，更包含移 動該精密治具或是移動該基板，以對該基板之表面進行全 面性地檢測。 17