TWI233211B - Image sensor and offset-able reference voltage generator thereof - Google Patents
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Description
1233211 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 本發明是有關於一種偏移補償電路，且特別是有關 於影像感測器及其可偏移補償之參考電壓產生電路。 先前技術 越來越多電子產品内建攝影功能，例如行動電話、 個人數位助理（PDA)及玩具等。為適應各種不同需求，尤 其是針對行動裝置之需求，我們需要低耗電及高畫質的 影像，感 '測《器（i m a g e s e n s 〇 r )。，第1 A圖是典型影像感測器 之方塊圖。請參照第1 A圖，典型影像感測器包括像素陣 列（pixel array) 110、列驅動器及電壓產生器（r〇w driver & voltage reference) 120 、像素取樣電路 (sample & hold column circuit) 130、ffl 號辩兴放大 器（gain stage) 140以及類比/數位轉換器 A/D converter) 150。列驅動器及電壓產生器12〇提 列驅動訊號121以及各種參考電壓122及參考;阿/、你 素卩-t列1 1 0中名列電桎（未繪示）分別接收穸_ 二像 號1 2 1，像素陣列感測影像後依列驅動訊號丨2厂^ 出各行（column)之像素訊號（Pixei signa 之日守序輸 取樣電路1 3 0同時接收、取樣（s a m p 1 e )並保姓,Η 像素 之像素訊號1 1 1，然後依序將保持其中之各各行 列形式（cascade)輸出像素訊號131。訊卞素訊號以串 接收並放大像素訊號1 3 1後產生像素訊// e盈放大器1 4 0 轉換器150通常為管線式類比/數位轉換^ 41。類比/數位 1 2 2將類比形式之像素訊號丨4 1轉換為依參考電壓 。數位形式之像素訊
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五、發明說明（3) 實作上，因為像素陣列11 〇中各個像素之光二極體 (photo diode)的漏電現象導致取樣重置電壓不準確。 一方面，通常會因為製程偏移因素 '電路負載與取樣電另 容的佈局面積等因素而造成畫面上出現垂直各行間之固 定模式雜訊（fixed pattern)。為克服前述缺點，習之 術係於像素取樣電路1 3 0之各組取樣/保持電路中分別κ 置一個偏移修正電路1 7 0。第1 c圖是第1 B圖之訊號時序> 圖。，請、同時.參照第1 B圖與第1 C，圖。於取樣訊號期間，感 控開關cl amp導通（為方便說明，時序圖中以高電位代1 該感控開關導通，反之則代表斷路），並且偏移修正電\ 170選擇輸出B點電壓（例如參考電壓VCL)。取樣像素電壓 與重置電壓之過程以於前段敘及，故在此不再贅述。當 欲偏移修正像素訊號時，需於感控開關samp_r st斷路後 (時間點C )並且感控開關c 1 a m p斷路前（時間點ρ )，使偏移 修正電路170由B點切換至A點。換句話說，從時間點C至 畔①點D t期問，使偏移修正電路1 7〇·從輸出參考，電，gVCL” 改為輸出偏移電壓Voffset，因此偏移補償電容171之端 電壓即偏移V 〇 f f s e t - V C L之電壓，此時像素訊號即具有 Voffset - VCL之電壓偏移量。 因為每一行像素對應到的取樣/保持電路中必須有一 組偏移修正電路，隨著像素陣列越來越大，便需要更多 組取樣/保持電路，亦即代表需要更多組偏移修正電路 (通常一組偏移修正電路就包含有偏移補償電容盥運算放 大器）。也就是說，隨者像素數目增多，相對的晶片面積
1233211 五、發明說明（4) 亦隨之增大（成本增加）。另外，偏移修正電路中用以驅 動電容的運算放大器，其驅動能力亦隨著像素增多而增 大，以符合時序要求，所以必然增加運算放大器的輸出 級耗電量。再者，每組取樣/保持電路中電容及其寄生電 容因製程偏移因素，造成不匹配效應。相對的造成影像 每行間的固定模式雜訊。 發明内容 ，本I明的·目的就是在提供一種影像感測器，先行將 像素取樣電路所需之參考電壓施以修正（補償一偏移電 壓），因而省去各組取樣/保持電路中之偏移修正電路， 進而節省晶片面積（降低成本）。另外，因減少運算放大 器之數量，所以降低耗電量。再者，偏移補償電容未配 置於每組取樣/保持電路中，故避免因製程偏移因素造成 不匹配效應，相對的造成影像每行間的固定模式雜訊。 本發明的另一目的就是在提供一種可偏移補償之參 考電壓產生電路：除前述諸目外，更可使任^需要參 考電壓之電路先行修正（補償一偏移電壓）其輸出，降低 固定模式雜訊。 .本發明提出一種影像感測器，包括像素、可偏移補 償之參考電壓產生電路以及像素取樣電路。像素感測影 像之光線並產生影像訊號。可偏移補償之參考電壓產生 電路產生具有電壓偏移量之參考電壓。像素取樣電路偶 接至像素以及可偏移補償之參考電壓產生電路，用以依 據參考電壓取樣影像訊號，以產生像素訊號。其中，利
12561TWF.PTD 第8頁 1233211 五、發明說明（5) 用電壓偏移量補償像素訊號產生過程中之電壓偏移。 本發明另提出一種可偏移補償之參考電壓產生電 路，此參考電壓產生電路包括第一感控開關、第一電容 器、電壓選擇裝置以及第一運算放大器。第一感控開關 之第一端耦接原始參考電壓，第一感控開關之第二端則 耦接至第一電容器之第一端。電壓選擇裝置耦接至第一 電容器之第二端，此電壓選擇裝置用以選擇並輸出第一 偏移，電、壓或.是第二偏移電壓。第一運算放大器之第一輸 入端耦接參考電壓，第一運算放大器之第二輸入端耦接 至第一感控開關之第二端，第一運算放大器之輸出端則 輸出參考電壓。其中，參考電壓產生電路於第一期間内 使第一感控開關短路並且電壓選擇裝置選擇並輸出第一 偏移電壓，此時將原始參考電壓取樣於第一電容器中。 另外，參考電壓產生電路於第二期間内使第一感控開關 斷路，此時將原始參考電壓保持於第一電容器中。 依Γ、?、本發明的較佳實施制所述可ί爲移；^丨賞之參考電 壓產生電路，上述之電壓選擇裝置於第二期間内並且在 第一感控開關斷路後選擇並輸出第二偏移電壓，以使第 一運算放大器之第二輸入端之電壓具有電壓偏移量。此 電壓偏移量為第一偏移電壓與第二偏移電壓之電位差。 依照本發明的較佳實施例所述可偏移補償之參考電 壓產生電路，更包括第二電容器。此第二電容器之第一 端耦接至第一感控開關之第二端，而第二電容器之第二 端則耦接至第一電壓（例如為接地電壓）。其中，此電壓
12561TWF.PTD 第9頁 1233211 五、發明說明（6) 選擇裝置於第二期間内並且在第一感控開關斷路後選擇 並輸出第二偏移電壓，以使第一運算放大器之第二輸入 端之電壓具有電壓偏移量。此電壓偏移量等於（Clx AV) /(C1+C2)，其中Cl表示第一電容器之電容量，C2表示第 二電容器之電容量，Δν表示第一偏移電壓與該第二偏移 電壓之電位差。 依照 壓產，生、電 第三感控 容器、第 之第 耦接 耦接 五感 感控 端， 所述 大器 第一 接至 端0 一端 至第 至第 控開 開關 第四 第二 之輸 電容 第三 本發 路.， 開關 四電 搞接 三感 二偏 關之 之第 電容 電壓 出端 器之 感控 明的較 上述之 、第四 容器以 至第一 控開關 移電壓 第一端 二端， 勺3、 咕 器之第 與第三 搞接至 第二端 開關之 佳實 電壓 感控 及第 偏移 之第 ，第 。第 第三 …端 二端 電壓 第二 ，第 第二 施例 選擇 開關 二運 電壓 一端 四感 三電 電容 耦接 譬如 運算 二運 端以 所述 裝置 、第 算放 ，第 。第 控開 容器 器之 至第 至第 為接 放大 算放 及第 可偏移 包括第 五感控 大器。 二感控 四感控 關之第 之第一 第二端 ^ ^ 三電壓 地電壓 器之第 大器之 五感控 補償 二感 開關 第二 開關 開關 二端 端耦 搞接
0 0 曰3 J9PJ 。依 。第 一輸 第二 開關 之參 控開 、第 感控 之第 之第 搞接 接至 至第 之第 照實 二運 入端 輸入 之第 考電 關、 三電 開關 二端 一端 至第 第二 二電 施例 算放 以及 端耦 二 本發明因先行將影像感測器所需之參考電壓施以修 正（補償一偏移電壓），因而省去各組取樣/保持電路中之
12561TWF.PTD 第10頁 1233211 五、發明說明（7) 偏移修正電路，進而節省晶片面積（降低成本）。另外’ 因減少運算放大器之數量，所以降低耗電量。再者，偏 移補償電容未配置於每組取樣/保持電路中，故避免因製 程偏移因素造成不匹配效應，相對的造成影像每行間的 固定模式雜訊。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明 顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說，明、如下.。. 實施方式 以下為方便說明，仍然以互補式金氧半場效電晶體 (CMOS )影像感測器為說明範例。習知技術於每一行像素 (column p i x e 1 )對應到的取樣/保持電路中必須有一組偏 移修正電路，隨著像素陣列越來越大，需要更多組偏移 修正電路（一組偏移修正電路通常包含有偏移補償電容與 運算放大器）。另外，用以驅動偏移補償電容的運算放大 哭，允阳甘典县赍斜庥於/务务陆.方丨I々 a私而，檢‘紅雷, 量。再者，每組取樣/保持電路中電容及其寄生電容因製 程偏移因素，造成不匹配效應。相對的造成影像每行間 的固定模式雜訊。因此，以下依照本發明之精神提出實 施例，以改善習知技術之缺點。 第2 A圖是依照本發明較佳實施例繪示的C Μ 0 S影像感 測器之像素取樣電路方塊圖。請參照第2 Α圖，為方便說 明，像素陣列1 1 0僅以像素1 1 2代表陣列中各像素。另 外，像素取樣電路2 3 0中具有多組取樣/保持電路，圖中
12561TWF.PTD 第11頁 1233211 五、發明說明（8) 亦以其中一組代表說明之。CMOS影像感測器通常需取樣 像素電壓（pixel signal value)以及重置電壓（pixei reset value)，而於取樣過程需要參考電壓vcl。參考電 壓VCL係由可偏移補償之參考電壓產生電路2〇〇所提供。 此可偏移補償之參考電壓產生電路2〇〇除了產生穩定之參 考電壓外’更使參考電壓具有電壓偏移量，利用電壓偏 移量補償像素訊號產生過程中之電壓偏移。 ’於、取樣像.素電壓期間，感，控開Mclamp及samp_sig導 通’而使^控開關samp 一 rst、cb及col_addr斷路，此時 將像素電壓與參考電壓VCL所形成之電位差儲存於電容 CS1 於取樣重置電壓期間，感控開關clamp及samp_rst 導通’而使感控開關samp_sig、cb及col—addr斷路，此 時將重置電壓與參考電壓VCL所形成之電位差儲存於電容 C S 2 °當 '成取樣後，使感控開關c 1 a m p、s a m p — s i g及 s/mp一fst斷略，然後將感控開關cb導通，此期間即為保 持烈問。於筇待期問各行之像素說H对被，你存·.於對應 之取樣/保持電路其中一組，各組取樣/保持電路依時序 輪流導通感检開關col_addr，以串列形式輸出像素訊號 至訊號增盈敌大器1 4 〇。 前述^施例中可偏移補償之參考電壓產生電路2 0 0可 參照以下實施例施作之。第2 B圖是依照本發明之較佳實 繪示的〜種可偏移補償之參考電壓產生電路。第3圖 是第2 $圖暨第2 b圖之開關啟閉時序圖。請同時參照第2 A 圖、第2 B圖以及第3圖。感控開關SW 1之一端耦接至原始
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1233211 五、發明說明（9) f t電，用以依照開關clamP控制訊號之反相 疋疋否導接原始參考電壓VCL -ref至另一端。也 第3圖之控制訊號c 1 amp為高電位時表示感控開 β 形成斷路（同時開關cl amp為導通），反之則為開路 (開關cl amp為斷路）。運算放大器〇ρι之輸出端輸出像素 取樣ί路所Ϊ之參考電壓VCL，此參考電壓VCL同時回授 至運异放大器0P1之其中一輸入端。運算放大器0P1之另 一輸’入、則.辆接至感控開關s w 1、電容c A p丨以及電容 CAP2。電容CAP1另耦接至電壓選擇裝置21〇。 當於非取樣期間（第3圖中控制訊號c丨amp為低電位 時），感控開關S W 1導通而使原始參考電壓v C L _ r e f分別對 電容C API以及電容CAP2充電（取樣原始參考電壓 VCL_ ref)。此時電壓選擇裝置21〇中之選擇開關 s e t — 〇 f f s e t切至A點，於本實施例中譬如a點耦接至參考 電壓Vref (固定電壓），另外b點譬如耦接至偏移電壓 Ydac…本實您㈤巾f如使|移電壓 壓之大小而隨意調整。凡熟悉此藝者均知，若是改將A點 耗接此可設定電=之偏移電壓Vdac而使B點耦接固定之參 考電壓Vref ’或疋A、B點分別搞接二個電位不同之固定 電壓’抑或A、B點分別耦接二個可隨意設定電位之偏移 電壓，其結果皆可達到本發明之功效，當然亦屬於本發 明之範疇。 當於取樣期間（控制訊號c丨a m p為高電位時），感控開 關swi斷路而使原始參考電壓VCL-re f之取樣結果（參考電
12561TWF.PTD 第13頁 1233211 五、發明說明（10) 壓2 2 0 )被保持於電容CAP1以及電容CAP2中。運算放大器 OP1接收並放大參考電壓22〇以輸出參考電壓¥(：1。當於取 樣像素電壓（即控制訊號s a m p 一 s i g為高電位時）結束後， 並且^取樣重置電壓（即控制訊號samp_rst為高電位時） 開始前’將電壓選擇裝置21〇中之選擇開關set_〇f f set切 點’此時參考電壓220之電位因而上升（或下降）一電 ，偏移量’因而參考電壓VCL亦獲得相對之偏移量。此電 壓偏，移'量為（Clx Δν)/((：1+02)，其中C1表示為電容CAP1 之電容量’C2表示電容CAP2之電容量，△ ν 表示A點電壓 與B點電壓之電壓差。本實施例中C1例如是35〇 f f，而C2 例如是8 X 3 5 0 ；fF ，因此可以將由電容cΑρι引入的雜訊將 被衰減為1 / 9。當取樣重置電壓結束（即第3圖中時間點E ) 後’並且在取樣期間結束（即第3圖中時間點F )前，將電 壓選擇裝置21〇中之選擇開關切回A點，此時 參考電壓220之電位因而回復至偏移前之電壓。 重置電墨取樣電容CS2因於取樣重，置電壓期問之參考 電壓VCL以具有一偏移量，因此雖然欲取樣之重置電壓未 施以偏移補償，取樣後依然具有偏移補償之效果。由本 實施例可以很清楚了解本發明參考電壓產生電路，其因 為具有產生偏移電壓之功能，因此在本實施例中可以省 去像素取樣電路1 3 0中多個偏移修正電路1 7 0，而達到前 述本發明之諸多優點。 為了能更清楚地說明本發明，在此另舉一較佳實施 例。第4圖是依照本發明另一實施例繪示之一種可偏移補
12561TWF.PTD 第14頁 1233211 五、發明說明（11) 〜---^_____ 償之參考電壓產生電路。請同時參照第3圖以及 本貫鈀例與前一實施例相似，二者不同之處在於，， 選擇裝，210置換成電壓選擇裝置41〇。電壓選擇_電壓 包括運算放大器OP2、感控開關SW2〜SW5、電容c ^置41〇 電容CAP4。電容CAP3以及電容CAP4之電容量於太音以及 中例如皆為3 p F。 I施例 感控開關SW2依照反相之控制訊號clamp以決 移電，壓Vdac.耦.接b點與否，另外，感控開關SW4亦依 相之控制訊號Clamp以決定將參考電壓Vref耦接B點^ 否。於本實施例中，參考電壓v r e f例如是一固定電壓、， 而偏移電壓V d a C例如是可視所需而調整大小之電壓^， 热悉此藝者均知，若是改將感控開關SW4耦接此可設凡 位之偏移電壓Vdac而使感控開關SW2耦接固定之參$
Vref ，或是感控開關SW2、SW4分別耦接二個電位^不同i 固定電壓，抑或感控開關SW2、SW4分別耦接二個可;咅 設定電之笟移電壓·其結果皆可達到本m之a :二 當然亦屬於本發明之範脅。 从 當於非取樣期間（控制訊號c 1 amp為低電位時 開關SW2與SW4導通而使偏移電壓Vdac與參考電壓。^八卫 別對電容CAP3與電容CAP4充電。當於取樣期間（控^刀 clamp為高電位時），感控開關SW2與SW4斷路，此時偏^ 電壓Vdac與參考電壓Vref分別被保持於β點與a點:感押 開關SW3依照控制訊號set_0：f f而決定其導通與否，=^ 控開關SW5則依照反相之控制訊號set一off而決定其導& 1233211 五、發明說明（12) 與否。換句話說，例如，當控制訊號set_οί ί為低電位 時，則感控開關SW3斷路並且感控開關SW5導通，此時將A 點電壓辆接至運算放大器Ο P 2。反之，當控制訊號 set_of f為高電位時，則感控開關SW3導通並且感控開關 SW5斷路，此時將B點電壓耦接至運算放大器0P2。其餘未 說明之部分與前一實施例相同，故不在此贅述。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限，定、本發.明.，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明 之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
12561TWF.PTD 第16頁 1233211 圖式簡單說明 第1 A圖是典型影像感測器之方塊圖。 第1 B圖是習知之CMOS影像感測器之像素取樣電路示 意圖。 第1 C圖是第1 B圖之訊號時序圖。 第2A圖是依照本發明較佳實施例繪示的一種CMOS影 像感測器之像素取樣電路方塊圖。 第2 B圖是依照本發明之較佳實施例繪示的一種可偏 移補，償、之參·考電壓產生電路。， 第3圖是第2 A圖暨第2 B圖中之開關啟閉時序圖。 第4圖是依照本發明另一實施例繪示之一種可偏移補 償之參考電壓產生電路。 【圖式標示說明】 110 :像素陣列 111 :行（column)之像素 訊 號 112 :像素 1 9 0 ： 万丨！雖：舍7哭命蕾厭：洋 ✓ Μ * ν'— uur > N 生 哭 σσ 121 :列驅動訊號 122 、VCL :參考電壓 130 :習知之像素取樣電 路 13 1 、1 4 1 :像素訊號 140 :訊號增益放大器 150 :類比/數位轉換器 15 1 :數位像素訊號 160 :控制邏輯電路
12561TWF.PTD 第17頁 1233211 圖式簡單說明 1 7 0 :偏移修正電路 1 7 1 :偏移補償電容 200 :可偏移補償之參考電壓產生電路 220、420 :參考電壓 2 3 0 :像素取樣電路 4 3 0 :偏移電壓 CAP卜CAP4 ：電容 ΟΡ、1〜OP2 :運算放大器 SW1〜SW5 :感控開關
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Claims (1)
1233211 六、申請專利範圍 1. 一種影像感測器，包括： 一像素，用以感測一影像之光線並產生一影像訊 號； 一可偏移補償之參考電壓產生電路，用以產生具有 一電壓偏移量之一參考電壓；以及 一像素取樣電路，偶接至該像素以及該可偏移補償 之參考電壓產生電路，用以依據該參考電壓取樣該影像 訊號，，、以產生.一像素訊號， 其中，利用該電壓偏移量補償該像素訊號產生過程 中之電壓偏移。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，其中該 可偏移補償之參考電壓產生電路包括： 一第一感控開關，該第一感控開關之第一端耦接一 原始參考電壓； 一第一電容器，該第一電容器之第一端耦接至該第 —忒明η月々铱一》由· ι-a- ·μ^ ---- / 一電壓選擇裝置，耦接至該第一電容器之第二端， 用以選擇並輸出一第一偏移電壓以及一第二偏移電壓二 者之一；以及 一第一運算放大器，該第一運算放大器之第一輸入 端接收該參考電壓，該第一運算放大器之第二輸入端耦 接至該第一感控開關之第二端，該第一運算放大器之輸 出端輸出該參考電壓， 其中該參考電壓產生電路於一第一期間内使該第一
12561TWF.PTD 第19頁 1233211 路並且該電壓選擇裝置選擇並輸出該第一偏 時將該原始參考電壓取樣於該第一電容器 參考電壓產生電路於一第二期間内使該第一 路，此時將該原始參考電壓保持於該第一電 請專利範圍第2項所述之影像感測器，其中該 置於該第二期間内並且在該第一感控開關斷 輸出該第二偏移電壓，以使該第一運算放大 入端之電壓具有該電壓偏移量，該電壓偏移 偏移電壓與該第二偏移電壓之電位差。 請專利範圍第2項所述之影像感測器，更包 電容器，該第二電容器之第一端耦接至該第 之第二端，該第二電容器之第二端耦接至一 六、申請專利範圍 感控開關短 移電壓，此 中，另外該 感控開關斷 容器中。 3.如申 電壓選擇裝 路後，選、擇並. 器之第二輸 量為該第一 4 ·如申 括： 一第二 一感控開關 第一電壓， 甘 士十六帝縣：眹徑貼罢私θτ竽一如PJ 由，奸 Η 大今女策一 "7、 I 口仏 ό *j-p j=i- -->Vj I I 4 —u- h- y\- 感控開關斷路後選擇並輸出該第二偏移電壓，以使該第 一運算放大器之第二輸入端之電壓具有該電壓偏移量， 該電壓偏移量等於（Clx Δν)/((：1+〇2)，其中C1表示為該 第一電容器之電容量，C2表示為該第二電容器之電容 量，Δν表示為該第一偏移電壓與該第二偏移電壓之電位 差。 5 ·如申請專利範圍第4項所述之影像感測器，其中該 第一電壓係為接地電位。
12561TWF.PTD 第20頁 1233211 六、申請專利範圍 6.如申請專利範圍第2項所述之影像感測器，其中該 電壓選擇裝置包括： 一第二感控開關，該第二感控開關之第一端耦接至 該第一偏移電壓； 一第三感控開關，該第三感控開關之第一端耦接至 該第二感控開關之第二端； 一第四感控開關，該第四感控開關之第一端耦接至 該第，二、偏移.電.壓； ， 一第五感控開關，該第五感控開關之第一端耦接至 該第四感控開關之第二端； 一第三電容器，該第三電容器之第一端耦接至該第 二感控開關之第二端，該第三電容器之第二端耦接至一 第二電壓； 一第四電容器，該第四電容器之第一端耦接至該第 四感控開關之第二端，該第四電容器之第二端耦接至一 楚二雷厭：?'； η ,· · — . · L -Λ. · _ -- - ，〆 一第二運算放大器，該第二運算放大器之輸出端耦 接至該第二運算放大器之第一輸入端以及該第一電容器 之第二端，該第二運算放大器之第二輸入端耦接至該第 三感控開關之第二端以及該第五感控開關之第二端。 7 .如申請專利範圍第6項所述之影像感測器，其中該 第二電壓以及該第三電壓係為接地電位。 8.如申請專利範圍第1項所述之影像感測器，該影像 感測器係一互補式金氧半場效電晶體（CMOS)影像感測
12561TWF.PTD 第21頁 1233211 六、申請專利範圍 器。 9. 一種可偏移補償之參考電壓產生電路，包括： 一第一感控開關，該第一感控開關之第一端耦接一 原始參考電壓； 一第一電容器，該第一電容器之第一端耦接至該第 一感控開關之第二端； 一電壓選擇裝置，耦接至該第一電容器之第二端， 用以選、擇並.輸.出一第一偏移電壓以及一第二偏移電壓二 者之一；以及 一第一運算放大器，該第一運算放大器之第一輸入 端耦接該參考電壓，該第一運算放大器之第二輸入端耦 接至該第一感控開關之第二端，該第一運算放大器之輸 出端輸出該參考電壓， 其中該參考電壓產生電路於一第一期間内使該第一 感控開關短路並且該電壓選擇裝置選擇並輸出該第一偏 移電壓，此哼蔣該原始參考電壓取樣於該第一電容器 中，另外該參考電壓產生電路於一第二期間内使該第一 感控開關斷路，此時將該原始參考電壓保持於該第一電 容器中。 1 0 .如申請專利範圍第9項所述之可偏移補償之參考 電壓產生電路，其中該電壓選擇裝置於該第二期間内並 且在該第一感控開關斷路後選擇並輸出該第二偏移電 壓，以使該第一運算放大器之第二輸入端之電壓具有一 電壓偏移量，該電壓偏移量為該第一偏移電壓與該第二
12561TWF.PTD 第22頁 1233211 六、申請專利範圍 偏移電壓之電位差。 1 1 .如申請專利範圍第9項所述之可偏移補償之參考 電壓產生電路，更包括： 一第二電容器，該第二電容器之第一端耦接至該第 一感控開關之第二端，該第二電容器之第二端耦接至一 第一電壓， 其中該電壓選擇裝置於該第二期間内並且在該第一 感控，開、關斷路後選擇並輸出該第二偏移電壓，以使該第 一運算放大器之第二輸入端之電壓具有一電壓偏移量， 該電壓偏移量等於（Clx Δν)/((：1·^2)，其中C1表示為該 第一電容器之電容量，C2表示為該第二電容器之電容 量，Δν表示為該第一偏移電壓與該第二偏移電壓之電位 差。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項所述之可偏移補償之參考 電壓產生電路，其中該第一電壓係為接地電位。 -13.如t請u範圍第9項所迷之可偏移補e之參考 電壓產生電路，其中該電壓選擇裝置包括： 一第二感控開關，該第二感控開關之第一端耦接至 該第一偏移電壓； 一第三感控開關，該第三感控開關之第一端耦接至 該第二感控開關之第二端； 一第四感控開關，該第四感控開關之第一端耦接至 該第二偏移電壓； 一第五感控開關，該第五感控開關之第一端耦接至
12561TWF.PTD 第23頁 1233211 六、申請專利範圍 該第四感控開關之第二端； 一第三電容器，該第三電容器之第一端耦接至該第 二感控開關之第二端，該第三電容器之第二端耦接至一 第二電壓； 一第四電容器，該第四電容器之第一端耦接至該第 四感控開關之第二端，該第四電容器之第二端耦接至一 第三電壓；以及 ，一、第二運算放大器，該第二運算放大器之輸出端耦 接至該第二運算放大器之第一輸入端以及該第一電容器 之第二端，該第二運算放大器之第二輸入端耦接至該第 三感控開關之第二端以及該第五感控開關之第二端。 1 4.如申請專利範圍第1 3項所述之可偏移補償之參考 電壓產生電路，其中該第二電壓以及該第三電壓係為接 地電位。 1 5.如申請專利範圍第9項所述之可偏移補償之參考 雷厭吝.士带J?欠，在田於棋报一與/务忒、:目I丨努％ Φ々姑奋I W - VJ ，，4 1、 VSw ，/、 *心M 口u , , I \\\J …八 ^ 4 電壓。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之可偏移補償之參考 電壓產生電路，其中該影像感測器係一互補式金氧半場 效電晶體（C Μ 0 S )影像感測器。
12561TWF.PTD 第24頁
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