TWI229109B - Polycarbonate-containing liquid chemical formulation and methods for making and using polycarbonate film - Google Patents

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1229109 A7 --__— B7 五、發明説明（〗) 使用領域 本發明係有關聚碳酸酯膜之形成，包含經聚碳酸酯膜 形成小孔。 _背景技藝 聚碳酸酯係一種無色熱塑性聚合物，即，聚碳酸酯於 加熱時軟化，於冷卻時硬化。聚碳酸酯係普遍用於利用其 •顯著之抗衝擊性及韌性之應用，諸如，模製盔具、電池殼 、瓶子及包裝，及用於亦要求光學透明性之應用，諸如， 防彈及安全玻璃、眼鏡、密實碟片（CD)及汽車用鏡片。於 薄膜形式中，聚碳酸酯被用於各種不同應用，其範圍從精 密濾器至電子發射裝置。 作為商業用濾裔之聚碳酸酯膜被描述於 施士叩㈣®貪發室羞品与錄，c〇sta]^司，1990，第3,8 及9頁。此等膜係係藉由使拉伸之結晶聚碳酸酯膜接受輻射 及其後藉由蝕刻形成孔洞而產生。c〇star方係相似於Price 等人之美國專利第3,303,085號案所揭示者。商業用膜遽 器之厚度典型上係6至11 // m。

BaSS】ere等人之PCt專利公告w〇 94/28569號案揭示薄 聚碳酸酯層如何用於製備電子發射裝置。於一實施例中， BaSSiere等人於由上導體、絕緣體及具圖案之下導體組成之 夾層物上提供聚碳酸酯層。多層結構以重離子輻射以產生 遍及聚碳酸酯之輻射徑跡。此等徑跡被蝕刻以形成經聚碳 酸酯向下至上導體之孔洞。使用適當之蝕刻劑，聚碳酸酯 層内之孔洞圖案被轉移至該導體，然後至絕緣體，其後圖 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（2]〇χ297公梵） (請先M讀背面之注意寧項再蜞寫本頁)

1229109 五、發明説明（2 ) 錐形電子發射單元於絕緣體内形成之開口内形成。 _ BaSSIere备人指示其聚碟酸醋層之厚度係約2 ^。此 寺:月偷C·產物目錄内之商業上之聚碳酸祕器 =厚度。雖細assiere等人指示於其結構内之聚碳酸醋詹可 精由㈣塗覆產生，Bassiere等人未提供如何製備此聚壤酸 酯層之任何進一步之資訊。

Macaulay寻人之PCT專利公告w〇_乃^號案揭示 相似之製備技術，其中電子發射裝置内之電子發射特徵係 藉由徑跡層内形成之呈雷共+赃^ /风之，、电何之顆粒之徑跡界定。聚碳酸酯 係Macaulay等人考慮作為徑跡層之材料中之一者。 ㈣叮等人中之徑跡層厚度係〇·1至Wm，典型上係1/z 因此Macaulay等人内之徑跡層厚度典型上係以最高 達20之因子少於Bassiere等人之聚碳酸酯層厚度。

Kanayama等人之歐洲專利說明書5〇0,128 B ][申請案 (1992年8月26曰公告）描述用於形成固態聚碳酸酯膜之聚 之重複作用形成之共聚碳酸醋組成。聚碳酸西旨膜係藉由使 共聚碳酸酯溶於非鹵化溶劑（諸如，甲苯、二曱苯或乙基苯 )、於基材上形成形成溶液之液態膜及乾燥該液態膜而產生

Kanayama等人之固態聚碳酸酯膜可具有促進之機械 強度。但是，此膜似乎不特別適於接收小且一般係平行之 孔洞之細微圖案（其係藉由沿著通過膜之能量帶電荷之顆 粒之控跡蝕刻而產生）。例如，重複單元内之碳酸酯（c〇j 1229109 五、發明説明（3 =乎不具有顯著之自由基穩定化作用（其係促進沿帶電 何顆粒之徑跡之蝕刻）。 因膜厚度被降低，其持續變得更難以製備高 碳酸醋膜。控制及保持膜厚度及其它性質（諸如，穷度）之 =Γ更難。結構及組成之缺失於非常薄之聚機 膜内亦變得更具問題。期望能具有一種製備薄聚細膜 之方法，其厚度及其它物理性質係高度均句，特別是其間 細微圖案(諸如’―組小且-般平行之小孔)被形成之薄的 ?«酸醋膜。亦期望具有一種提供遍及該膜之小的平行孔 洞，其係特別用於界定閉電子發射器之問層内之開口。 發明之一般福霞^ 本發明聚碳酸醋膜之製備及使用。更特別地，本發明 供給用以製備高度均勾厚度之薄聚破酸s旨膜之含聚碳酸醋 t液態化學配方之性質及組成。本發明亦供給製備聚碳酸 酯膜之技術。小孔係經所製得之聚碳酸酯膜藉由沿著實質 t平行之帶電荷顆粒徑跡㈣而產生。含小孔之聚碳酸醋 膜典型上被用於製備閘式之電子發射裝置。 本發明之液態化學配方係自溶於適當液體（較佳係於 20 C及1大氣壓時能使聚碳酸酯材料溶解至液態配方質量 之至少1%之濃度者）之聚碳酸酯材料形成。此液體較佳係 含有由呲啶、環取代之吡啶衍生物、吡咯、環取代吡咯衍 生物、吡咯烷、吡咯烷衍生物、氯苯及環己酮之至少一者 組成之主要溶劑。此液體可包含不同於主要溶劑之共溶劑 ，以改質液態配方之一或多者之性質。 本紙張尺度適用中國國家標準（QMS) A4規格（2]0X297公釐） ' - 1229109 kl B7 五、發明説明（4 ) 除此液體及聚碳酸酯材料外，本發明之液態化學配方 可被供以一或更多種之其它組份，諸如，水清除劑。任何 其它此等組份於液態組成物内存在之程度，每一其它此組 份相較於聚碳酸酯材料一般係小量組份。即，聚碳酸酯材 料一般係以比存在於液體内之任何其它組份更高質量分率 存在於液體内。 • 聚碳酸酯材料典型上包含其分子量每一者係含二或更 多種不同單體碳酸醋重複單元之共聚碳酸酯。每一碳酸酯 重複單元係以碳酸酯（C〇3)基及另一基（一般係烴基）形成 。共聚碳酸酯一般係構成聚碳酸酯材料之質量之至少5%， 典型上係多於50%。 共t石厌酸S曰之使用導致當小孔洞藉由沿以活性電荷顆 粒形成之授跡姓刻於聚碳酸g旨膜内產生時具高度有利性質 之聚碳酸酯膜。每一帶電荷顆粒徑跡係由受損之聚碳酸酯 材料區域組成，其間此等顆粒之一者之能量造成沿顆粒路 佐之XK叾厌&L Ss分子裂解（進行斷裂）。聚碳酸酿分子典型上 係於去羧化反應產生時沿著其某些碳酸酯基裂解。去羧化 作用期間二氧化碳自分子釋出。小孔洞係藉由以蝕刻劑（ 其係以比未被裂解之聚碳酸酯材料更強烈者攻擊裂解之聚 石反I ®θ分子之剩餘者）移除受損聚碳酸酯材料而沿帶電荷 顆粒之徑跡產生。 受損之聚碳酸酯材料内之每一聚碳酸酯分子無需被裂 解成藉由沿帶電荷顆粒徑跡蝕刻而於聚碳酸酯膜内產生之 小孔洞之小數目之小部份者。可獲得之蝕刻劑係能選擇性 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS) Α4規格（210X297公茇） (請先閲讀许面之注意事項再填寫本頁)

1229109 A7 — - ' ----___B7 五、發明説明（5 ) ~-—~- (請先閲讀诤面之注意事項再填寫本頁) 夕矛'方、相對幸乂小數目位置（例如，少於工〇，典型上係2巧）處 :解之承奴酸酯分子之剩餘者而且不會明顯攻擊未裂解之 *厌g夂g日刀子者。當小孔洞經聚碳㈣膜且藉由沿帶電荷 7粒徑祕刻而產生時，其對於聚碳酸时子係適當者係 *以活性之帶電荷顆粒撞擊時每一分子係最易於相對較小 數目位置處裂解。聚碳酸s旨分子之碳酸酷重複單元内之均 •裂鍵裂解此里一般係於沿重複單元之碳酸酯基處達最小值 。其沿共聚碳酸酯分子内之不同碳酸酯重複單元於最小均 裂鍵裂解能量具不可變之差異。結果，共聚碳酸酷分子可 被建構成具前述有利之分子裂解性質。 更特別地，母一共聚碳酸酯分子含有主要之碳酯組份 及另外之碳酸酯組份。主要碳酸酯組份係藉由主要碳酸酯 重複單元之重複作用形成。另外之碳酸酯組份係以一或多 種不同於主要碳酸酯重複單元之另外之碳酸酯重複單元之 重複作用形成。 每一另外之碳酸酯重複單元具有比主要碳酸酯重複單 元更低之最小均裂鍵裂解能量。因此，每一另外之重複單 元進行比主要重複單元更易之去緩化作用及伴隨之分子斷 裂。當以活性帶電荷顆粒被攻擊時共聚碳酸酯分子沿其係 最易裂解之碳酸酯基之數目係少於分子内之碳酸酿基之總 數目。 本發明之液態化學配方之聚碳酸酯材料内之共聚碳酸 醋分子之主要石厌酸®旨組份一般係構成多於共聚碳酸_質量 之50%，較佳係多於80%。留意雙g分係可輕易獲得且係相 本纸张尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（2]0X297公釐） 1229109 A7 --__ B7 五、發明説明（6 ) 對較不T貴之烴之事實，每一共聚破酸酯分子之主要重複 單元較佳者係由雙酚Α碳酸酯組成。因於此一共聚碳酸酯 裂解之實行中之每一另外之重複單元比雙酚A碳酸酯重複 單元更易裂解，共聚碳酸酯係比僅由雙酚A碳酸酯重複單 兀形成之聚碳酸酯材料更易於可接受位置進行裂解。藉由 以此方式實行共聚碳酸酯，當小孔洞係經由該膜材且藉由 •沿帶電荷顆粒徑跡蝕刻而產生時，本發明液態化學配方内 之聚碳酸酯材料產生具完全適當之分子裂解性質之相對較 不昂貴之聚碳酸酯膜。 聚碳酸醋材料（特別是共聚碳酸酯）内之至少一碳酸醋 重複單元較佳係具有自由基穩定化作用。當聚碳酸酯材料 之分子因，例如，受活性帶電荷顆粒攻擊而進行斷鍵時， 自由基穩定化作用抑制裂解之聚碳酸酯分子而免於彼此或 與其它材料結合。因此，聚碳酸酯材料保持藉由帶電荷顆 粒或其它造成裂解現像產生之圖案之能力被促進。 依據本發明製備聚碳酸酯膜可藉由先提供不同地具上 述性貪之液悲化學配方而完成。液態配方内之水會造成聚 碳酸酿分子之非所欲之斷鍵。結果，液態配方一般係以強 烈避免水存在之方式製備。為了此目的，水清除劑典型上 被使用之。水清除劑典型上係於使聚碳酸酯材料溶於液體 前被引入該液體。 本發明之液態化學配方之液態膜於副結構上形成。各 種技術（諸如，擠塑塗覆物）可被使用以產生液態膜。此液 態膜可進一步被處理以移除揮發性組份。此處理後留下之 本纸张尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公漦） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- A2291Q9

發明説明（7 體係聚碳酸•依液態化學配方之- 或其反應產為較小組份)液態配方及/ 水石反酸酯膜係具高度 女也 ”至2”之範_子度，特別是當平均膜厚度於0.1 沿帶小孔洞係藉由使該膜接受帶電荷顆粒然後 庳用^跡㈣而於心l㈣產生。於典型之 二二二Γ之電非絕緣層經聚碳酸醋膜内之小孔洞姓 」方；非、..邑'緣層内形成才目對應開口。於此間使用時，“電非 t緣”-般係、指電導性及/或電抗性。非絕緣層内之開口可 界定電子放射器之電子放射單元之位置。例如，非 絕緣層可為覆蓋電絕緣層之閑層。此絕緣層經閘層内之開 口姓刻以於絕緣層内形成介電開口空間。電子發射單元係 於介電開口空間内形成。 當聚碳酸醋膜於依據前述方法製備閉電子發射器中 作為徑跡層時’提供具均句厚度及均勾物理性質之聚碳酸 醋膜能使帶電荷顆粒徑跡之鞋刻呈各向同性。因此，藉由 使用含小孔洞之聚碳酸酯徑跡膜產生之閘開孔之尺寸係隨 開口而些微改變。電子發射器之發射電子區域之電子發射 係相當均勻。高品質之電子發射裝置藉此被形成。簡言之 ，本發明提供優於習知技藝之重大技術進步。 圖示簡要說明 第]及2圖係圖示為聚碳酸酯濃度之函數之含聚碳酸酯 溶液之動黏度。第]圖表示溶於乾燥吡啶之具不同平均分子 ΤΙΓ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） 1229109 A7 __ _B7 五、發明説明（8 ) ^^ 量之二聚碳酸SI之純溶液於2代時之數據。第2圖表示溶於 二不同溶劑内之-種聚碟酸s旨之純溶液於坑時之數據。 第3圖係依據本發明生產含聚碳酸醋之液態化學配方 及使用此液態配方依據本發明製備固態之大部份聚碳酸醋 膜之方法之流程圖。 第4圖係藉由擠塑塗覆產生液態之含聚碳酸醋之膜之 系統之截面圖。 第5圖係圖示用於使液態之含聚碳酸醋膜轉化成固態 限火聚碳酸酯膜之熱分佈圖。 第6a-6d圖係例示用副結構上施行以依據第3圖之方法 產生聚碳酸酯膜之操作之截面圖。 第7圖係可於第3圖之聚碳酸酯膜上施行以依據本發明 提供聚碳酸酯膜小孔洞之一組處理步驟之流程圖。 第8a及8b圖係例可於第6d圖之結構上施行以依據第7 圖之進一步處理步驟提供聚碳酸酯膜小孔洞之操作之截面 圖。 第9a-9c圖係例示藉以依據本發明自第8b圖之結構產 生電子發射裝置之部份步驟之截面圖。 第10a-1 〇c圖係例示使用本發明教示自第9c圖結構產 生閘式電子發射裝置之一系列部驟之截面圖。 第lla-llc圖係例示使用本發明教示自第9c圖結構產 生閘式電子發射裝置之另一系列之步驟之截面圖。 弟]2圖係平嵌CRT顯示器之截面圖，其係併入依據本 發明製備之閘式場發射器（諸如，第10c或lie者）。 η (請先閲讀评面之注念寧項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國g家標準（CNS) AA規格（2]Q><297公釐） 1229109 A7 _ —___B7 五、發明説明（9 ) 相似之參考編號被用於圖示及較佳實施例之描述以表 示相同或非當相似之項目。 丝至實施例之描述 由聚碳酸酯材料、溶解該聚碳酸酯材料之液體及一或 多種其它組份（標準形式（即，於標準溫度及壓力時）可為液 .態或固態）組成之液態化學配方係依據本發明提供以製備 高度均句厚度之薄固態聚碳酸酯膜。用於溶解本發明液態 化學配方之聚碳酸酯之液體於此一般被稱為“聚碳酸酯溶 劑，，。 聚碳酸酯材料係由大分子之聚碳酸酯組成。此等分子 典型上係以長鍵排列。每一聚碳酸酯分子含有含一單體碳 酸酯之物種之重複或含二或更多種不同單體碳酸酯物種之 重複。每一此等含碳酸酯之物種（被稱為碳酸酯重複單元） 係由碳酸酯（C〇3)基及另一基（一般係烴基）組成。於某些碳 酸酷重複單元代表中，其碳酸酯基係於重複單元之二端部 間分段。 本舍明之液恶化學配方可含有均聚碳酸或共聚碳酸 酿。均聚碳酸酯係由具一種碳酸酯重複單元之聚碳酸酯分 子組成。於此間使用時，“共聚碳酸酯，，係指其每一分子係 由二或更多種不同之碳酸酯重複單元組成之碳酸酯聚合物 。以二種不同碳酸酯重複單元形成之共聚碳酸酯分子於此 係被稱為‘‘雙聚碳酸酯，，。以三種不同碳酸酯重複單元形成 之共聚碳酸SI分子於此係被稱為“三聚碳酸酯，，。 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS ) A4規格（2]0X297公贫） · ]2 - ---------------------•裝…… (請先閲讀贫面之注意事項再填寫本頁) •訂. 1229109 A7 B7 五、發明説明（1()) -------------------------- (請先閲面之注悬寧項再填寫本頁) 共聚碳酸酯分子内之碳酸酯重複單元可以各種不同方 式排列。考慮含有於鏈内排列之碳酸酯重複單元A及B之雙 碳酸酯分子。重複單元A及B之分佈於藉由用以產生此雙碳 酸酯鏈之單體材料之反應性及濃度決定時基本上為無規： -AABABBBABBBBAABBBABBBBAB- (1A) 重複單元A及B可沿著該鏈交替變化位置： -ABABABABAB- (1B) 雙碳酸酯亦可含有重複單元A及B之每一者之大量序列或 嵌段： -AAAABBBBBBAAAAAAABBBBB- (1C) 訂- 最後型式之共聚碳酸酯被稱為嵌段共聚碳酸酯，或對於二 種不同碳酸酯重複單元之情況，被稱為嵌段雙聚碳酸酯。 相似地，但更複雜，碳酸酯重複單元之分佈係於共聚碳酸 酯含有三或更多種之於鏈内排列之不同碳酸酯重複單元時 產生。 共聚碳酸酯分子亦可被排列成拉枝聚合物分子。對於 含有碳酸酯重複單元A及B之接枝雙聚碳酸酯分子，此等重 複單元之一種之嵌段典型上以分支接枝至另外重複單元之 主幹上：

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相似地，但更複雜’碳㈣重複單元之分佈係於接枝共聚 碳酸酿分子含有三或更多種不同碳酸醋重複單元時產生。 當依據本發明且使用適當聚碳酸g|溶劑形成時，含聚 碳酸醋之液態化學配方產生一種厚度 ^ 裡乂子沒加貝貝上固定（範圍 係0.1//m至2//m之值）之固態聚碳酸酯膜。於平面結構上 五、發明説明 之最高達10公分間隔之任何二點處比較膜厚度，與^全均 勻膜之厚度總百分率偏差係少於1〇%，即，平均厚度之少 於± 5%。 又 乂 聚碳酸醋膜典型上被用於t備用於平面陰極射線管 (‘ CRT”）裳置之電子發射裝置。此一平面CR 丁裝置可為平面 電視或個人電腦、手提電腦或工作站用之平面顯示器。聚 碳酸酯膜亦可被用於其它應用，諸如，物理性濾器、光學 塗覆物物或裝置及保護性塗覆物。 聚碳酸酯膜（典型上係透明的）之組成及密度一般係與 膜厚度一樣均勻。因此，透明之聚碳酸酯膜之光學性質亦 符合相似之均勻性標準。對於光學透明聚碳酸酯膜，以複 雜反射指數界定之光學性質於相似容忍度内係均勾的。 依據本發明之薄聚碳酸酯膜之製備一般需要於副結構 上形成本發明液態化學配方之液體膜及自含聚碳酸酯之液 態膜移除聚碳酸酯溶劑及任何其它揮發性組份。然後，原 始液態配方之非揮發性組份及原始液態配方組份之任何非 揮發性反應產物形成固態聚碳酸酯膜。 於下列描述中，“電絕緣”（或“介電性”）一辭一般被施 用方；具大於]0歐姆-公分之電阻之材料。因此，“電非絕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0X297公發） -]4 - 1229109 A7 ---------B7 五、發明説明（13 ) 本發明之含聚碳酸酯之液態化學配方之動黏度於2〇〇C 之/JHL度及1大氣壓之壓力時係不多於1 〇〇厘斯，其間1厘斯等 於1x10 6⑺^⑶且丨大氣壓等於1〇1，325巴。一般，液態配方 於20°C及1大氣壓時之動黏度對於旋轉塗覆應用係2至25厘 斯之範圍内。旋轉速率可自少至1〇〇旋轉數/分鐘（“rpm”）至 多至8,000rPm有用地變化。對於擠塑塗覆，本發明之液態 •化學配方之動黏度於20°C及1大氣壓時一般係2〇_8〇厘斯， 較佳係30-45厘斯。縫隙對副結構之速率（典型係5mm/秒) 可從2mm/秒至12mm/秒變化之。 為獲得聚碳酸酯膜之良好品質，液態化學配方内之水 百分率需相當低。特別地，液態配方一般具有不多於丨％之 水，較佳係不多於〇· 1 %之水（其係以液態配方之質量計）。 液悲配方内之水之質量百分率典型上係於00丨％或更少之 等級。液悲配方内之高濃度水造成聚碳酸酯-材料之沈澱， 其會導致品質差之聚碳酸酯膜之形成。高水濃度一般亦造 成聚碳酸酯材料之非所欲之水解。水解作用造成溶於液態 配方之聚碳酸酿材料之平均分子量之降低。 本發明之液態化學配方具有下列寬泛性質： la.除聚碳酸酯溶劑（即，用以溶解聚碳酸酯材料之液 體）外，液態配方之主要組份係以均聚碳酸酯或/及共聚碳 酸酯形成之聚碳酸酯。溶於聚碳酸酯溶劑内之聚碳酸酯材 料係以比存在於溶劑内之任何其它組份更高之質量分率存 在於溶劑内。更特別地，聚碳酸酯材料一般構成溶於或存 在於溶劑内之所有固態材料之至少9〇。/()，典型上係至少 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0X297公梵） "]6 - (請先閲面之注』意事項再填寫本頁)

1229109 A7 B7 五、發明説明（14 ) 99%。 lb.聚碳酸酯材料一般於液態配方内具至少2,000之平 均分子量。液態配方内之聚碳酸_材料之平均分子量（於此 被稱為聚碳酸酯材料之平均“濕”分子量）典型上係 4.000- 1 0,000。當然，聚碳酸酯材料之平均濕分子量可大於 10,000。其係可接受，且於某些情況中，所欲望者係使聚 碳酸酯材料之平均濕分子量係50,000或更多。 當水解產生時，聚碳酸酯材料一般係於被溶於聚碳酸 酯溶劑内具有相當高於被溶於溶劑内者之平均分子量。被 溶於聚碳酸酯溶劑前之聚碳酸酯材料之平均分子量於此間 被稱為聚碳酸酯材料之平均“乾”分子量。聚碳酸酯材料之 平均乾分子量係至少1〇,〇〇〇，一般係至少20,000，且一般 係不多於100,000。較佳者，聚碳酸酯之平均乾分子量係 40.000- 50,000 〇 聚碳酸酯材料之平均分子量愈高，對於特定聚碳酸酯 濃度之液態配方之動黏度愈高。此關係係例示於第1圖，其 間實驗之含碳酸酯溶液之動黏度係以二不同平均乾分子量 之聚碳酸酯之溶液内之聚碳酸酯材料之質量濃度為函數繪 之。 特別地，第1圖表示於2CTC之下述者之純溶液獲得之數 據：（1A)具有約47,000之平均乾分子量之MAKROLON 2608 聚碳酸酯（特別是MAKROLON 2608-1000N聚碳酸酯）及 (]B)具約1 8,000之平均乾分子量之MAKROLON CD2005聚 碳酸酯。MAKROLON 2608 及 MAKROLON CD2005 聚碳酸

TT (請先閲¾背面之汰意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（2]〇乂/297公茇） 1229109 A7 --—_ B7 五、發明説明（15 ) 6曰係Bayei·製得之均聚碳酸酯。二種聚碳酸酯被溶於乾燥之 咄啶（被處理以使水含量降至非常低含量（典型上係不多於 〇-〇 1 /〇之貝1)之。比啶）内。第J圖亦例示，如所預期者，動 黏度係隨吡啶内之聚碳酸酯濃度之增加呈非線性增加。 因聚碳酸酯濃度之動黏度相似變化係與其它聚碳酸酯 溶劑發生。此係於第2圖中藉由於20t時之溶於下述者之 • MAKROLON 2608聚碳酸酯之純溶液獲得之動黏度/聚碳 酸酯質量濃度例示之：（2八）呢咬及（2B)1-曱基切燒網（一 般稱為NMP)。藉由以第丨圖之數據表示之溶液，用於產生 第2圖之數據之溶劑被處理以使水含量降低至非常低之量。 1 c·於製備液怨化學配方期間，聚碳酸酯材料於被溶於 聚碳酸酯溶劑前係實質上無水（無水）。特別地，被溶於溶 劑前，聚碳酸醋材料含有不多於〇1%(較佳係少於〇〇1%) 重1之水。若聚碳酸酯材料起始含有較高質量百分率之水 時，聚碳酸酯材料被適當乾燥以使水含量降至低於此值。

Id.液態化學組成物可含有界面活性劑，即，皂狀材料 ，其於本發明之液態K方内展現正表面過量濃度。界面活 性劑降低液態配方與副結構間之接觸角，藉由改良副結構 之藉由液態配方之濕化。界面活性劑於被引入聚碳酸醋溶 劑前可被液態或固態。若界面活性劑係非揮發性，於液態 膜被處理以移除揮發性組份後，其將以固態聚碳酸酷之= 量組份保持。界面活性劑於固態聚碳酸酯膜内可展現或不 展現正表面過量濃度。 ]e.液態化學配方可包含黏著劑或黏著促進劑，即，增 本紙張尺度適用中國a家標準（CNS) A4規枱（2]〇Χ297公釐） --------------------裝—— (請先閱讀背面之湓意寧項再填寫本頁) -訂- 1229109 A7 B7 五、發明説明（17 ) 位於化學式2之碳酸酯基左手端之氧原子有時係被置 於雙價基R之緊接之右側。如此移動之氧原子藉此變成碳 酸酯重複單元之右手端，而碳原子變成重複單元之左手端 。於均聚碳酸酯分子之芯部之改質代表中，重複單元中之 碳酸酯基因而於重複單元之二端部間分段。 均聚碳酸酯之較佳形式係聚（雙酚A碳酸酯），其於此間 另外被稱為雙酚A均聚碳酸酯。雙酚A均聚碳酸酯分子之聚 合物芯部可表不為·

其中每一具内圓圈之六角形環表示未被取代之伸苯基。 化學式之多角形環符號（諸如，化學式3 A之六角形環) 之二或更多之直線之交叉具有傳統之表示碳原子之意義。 相似於傳統者，多角形環内之圓圈表示多個雙共價鍵：六 角形環係三個，且五角形環係二個。用以完成碳之四價鍵 結之足夠數目之氫原子係於環符號之角落存在。 化學式3A之均聚碳酸酯典型上係Bayer製備之 MAKROLON均聚碳酸酯。較佳者，MAKROLON均聚碳酸 酯係MAKROLON 2608，其平均乾分子量係約47,000。對 於MAKROLON 2008，重複單元之數目η於使均聚碳酸酯溶 於聚碳酸酯溶劑前係約190。 其它適合作為本發明液態化學配方中之聚碳酸酯材料 之均聚碳酸酯包含烯丙基環己烯、苯曱基及三級之均聚碳 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS) Α4規格（210X297公梵） ••裝..... (請先閲¾背面之Λ意事項再填寫本頁) 訂_ -ί·線· 20 1229109 A7 B7 五、發明説明（18 ) 酸酯。烯丙基環己烯均聚碳酸酯之聚合物芯之二例子係以 如下化學式表示：

---------------------0^----- (請先閲讀If面之注t:事項再填寫本頁) 其中每一具短内部線之六角形環表示環己烯基。笨甲基均 聚碳酸酯分子之聚合物芯之二例子係以下述化學式表之： 訂-

三級均聚碳酸酯分子之聚合物芯之例子係以下述化學式表 示： 本纸張尺度適用中國囡家標準（CNS) A4規格（210X297公茇） 1229109 A7 ^~~一__ _ B7_ 五、發明説明（19 ) (3 CH3 CH3 \ I \ (3F) 0-c—〇 Ρ-CH2--CH〇——j / n ch3 於下述發射器製備方法中，活性帶電荷顆粒經聚碳酸 _膜形成徑跡。徑跡構成其間聚碳酸酯分子被裂解（破裂成 .數部份）之受損聚碳酸酯區。然後，聚碳酸酯膜遭受蝕刻劑 ，其係以比未受損之聚碳酸酯材料更大者攻擊受損之聚碳 酸酿材料（g卩，裂解之聚碳酸酯分子）及固態反應產物，以 沿著徑跡位置經聚碳酸酯膜形成小孔洞。以遭受活性帶電 荷顆粒時易裂解之聚碳酸酯分子實行聚碳酸酯膜能促進於 膜内製備小孔洞。 均聚碳酸酯分子之最小均裂鍵裂解能量一般係於沿其 石厌酸酯基位置處產生。因此，分子一般係更易於沿碳酸酯 基裂解，且藉此進行去羧化作用，以釋出二氧化碳。烯丙 基锿己烯、苯曱基及三級之均聚碳酸酯之每一者具有比雙 酚A均聚碳酸酯更低之最小均裂鍵裂解能量。帶電荷顆粒 之用以裂解烯丙基環己烯、苯甲基及三級之均聚碳酸酿所 需之能量係少於裂解雙酚A均聚碳酸酯所需者。因此，烯 丙基環己烯、苯曱基及三級之均聚碳酸酯係特別適合於本 發明發射器製備方法作為聚碳酸酯徑跡膜。 烯丙基環己烯或苯曱基之均聚碳酸酯分子之重複單元 係具有相關於重複單元之碳酸酯基者以達成能使烯丙基環 己細或苯曱基重複單元沿重複單元之碳酸醋基具自由基稱 本紙强尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（2]〇X297公楚） -裝..... (請先閱讀背面之注意寧項再蜞寫本頁) 訂- ，線- 1229109 A7 ---- 五、發明説明（21 ) 材料之主要組份。即，共聚碳酸酿典型上構成聚碳酸酿材 料貝里之多於50%。更佳者，共聚碳酸醋係構成聚碳酸酿 材料質量之至少90%，典型上係接近坐部。 共聚碳酸酯分子具有其分子結構可以下述聚合物化學 式表示者之共聚碳酸酯芯： (-A ] -... - Ap-)n (4) •其中P係複數整數，每一 A】係從1至]3變化之整數不同雙 價碳酸酯重複單元，且n係複數指示值，其係指示每一碳酸 酉曰重複單元A,·於共聚碳酸酯芯内發生之複數次數。化學式4 内之每一碳酸醋重複單元出現與共聚碳酸醋分子内之任何 其它碳酸酯重複單元入,相同或相異之數。相反於均聚碳酸 酯化學式2(其中整數n表示單一碳酸酯重複單元之重複數） ，共聚碳酸酯化學式4之整數η非意指每一重複單元、發生η 次，因此非意指於共聚碳酸酯分子内彼此重複單元4之相 同次數。整數η於化學式4中所意指者係每一重複單元、於 共聚碳酸酯分子内係出現2或更多次。雖然化學式4内之重 複單元Α]-Αρ係於自位於一端之重複單元Α]起始至位於另 一端之重複單元Αρ之鏈内出現，每一重複單元、可共價結 合至任何其它重複單元Ai，其係依用以製備共聚碳酸酯之 單體材料之反應性及濃度而定。 藉由前述，以化學式4表示之共聚碳酸酯分子芯典型上 係以一鏈排列，且於鏈之二終端具有適當之終端基（未示出 )。化學式4之特殊實行中之碳酸酯重複單元Α】·Αρ可以彼此 相對者呈不同方式分佈之。例如，重複單元ArAp可以彼此 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]〇><297公楚） -24 - 1229109 Λ7 B7 五 發明説明（22 相對者基本呈無規而排列或可以歲段排列，其每一者係含 有大數目之每—重複單元乂。對於其間整數p為2之雙聚碳 西夂s曰丨月況’重複單元入】及八2係彼此呈交替。相似之重複排 =可於整數p為3或更多時發生。以化學式4表示之共聚碳酸 醋芯亦可為接技共聚碳酸酯之芯。 奴酉夂酉曰重複#元^為一般具有+同之最小均裂鍵裂 解能。假設最小均錢裂解能於自重複單元A】至重複單元 逐漸減 >。使重複單元A】被稱為主要碳酸醋重複單元 ^吏每-《重複單元Αι(即，被稱為另外之碳酸g旨重複 早元。因此，每-另外之重複單元‘】係具比主要重複單 元Ai更低之最小均裂鍵裂解能，且比主要重複單元&更易 進行去Μ化作用。因此，沿著每一另外之重複單元A内之 碳酸酯基之共聚碳酸酯分子之裂解係比沿主要重複單元 A]之碳酸酯基者更容易。 本發明係利用重複單元裂解傾向之此差異以產生特別 適用於如下所述發射器製備方法中之聚碳酸醋徑跡膜之共 聚碳酸酯。更特別地，當活性之帶電荷顆粒通過聚碳酸酯 徑跡膜以產生由以裂解聚碳酸酯分子形成之受損聚碳酸酯 材料組成之徑跡時，其典型上係不需要能於每一碳酸酯基 處輕易裂解之聚碳酸酯分子。對於聚碳酸酯分子典型上適 當者係能以溫和小數量（例如，分子内之碳酸酯基之總數量 係少於1 0，典型上係2-5)輕易裂解。 於受活性帶電荷顆粒攻擊時最易進行去羧化作用以裂 解聚碳酸酯分子之碳酸酯數目之降低係依據本發明於聚碳 1229109 A7 "-----——B7 五、發明説明（23 ) " ~ --- S夂S曰艇以共聚碳酸酿形成時，且於共聚碳酸酷中，碳酸酿 重複早7LA]-AP具有不同之最小均裂鍵裂解能且因此具不 同2造成分子斷鏈之傾向，而至少另一重複單元具有使 重複單元Ap易於進行去羧化作用之足夠低之最小均裂鍵 裂解月匕。裂解傾向之差異係藉由增加主要重複單元A]之最 小均裂鍵裂解能與至少另一重複單元A p之最小均裂鍵裂 •解能間之差異而促進之。共聚碳酸g旨分子内最易進行去繞 化作用之碳酸酯基之數目典型上係因主要重複單元之 存在之相對於至少另外之重複單元Ap之存在增加而減少 。為了此目的，共聚碳酸酯分子内之主要重複單元A】之重 複形成此分子之主要碳酸酯組份。分子内之每一另外之重 複單元A^】之重複構成分子之另外之碳酸酯組份。主要及 另外之碳酸酯組份與終端基一起形成整個分子。 以相同碳酸酯重複單元ΑκΑρ形成之共聚碳酸酯分子 可能因任何特定分子内發生之每一重複單元4之次數而不 同。因此，以相同碳酸酯重複單元形成之共聚碳酸酯分子 於分子量可能不同。藉此，可用於調節共聚碳酸酯内最易 進行去羧化作用之碳酸酯基之數目之參數係藉由共聚碳酸 酯分子之主要碳酸酯組份形成之總共聚碳酸酯質量之百分 率。分子之主要碳酸酯組份一起構成共聚碳酸酯質量之大 百分率，一般係至少50%。更特別地，主要碳酸酯組份一 起較佳係構成共聚碳酸S旨質量之至少80%，更佳係至少 。當共聚碳酸酯實質上構成所有聚碳酸酯材料時，主 要碳酸酯組份一般係形成聚碳酸酯材料質量之至少5〇%， -- 本紙斤尺度適用中國@家標準（) μ規格（2]0X297公茇)_~^ ~~7b~ 1229109 A7 B7 五、發明説明（24 較佳係至少80°/°，更佳係至少90%。 於典型狀態中，主要碳酸 之相對較不昂貴之抑材料_ 早“1可自易於獲得 早月且材科製仔，而用以製備每-另外之 要:内之之單體材料之每單蚊量係期以製備主 製備具重複單元^〜之二二者於典型狀況中， p之……夂醋之花費係與製備具主 $早兀i之均聚碳酸s旨之花f無明顯不同。因為 ，之整體(一投係大整體)係由主要重 組二 =石炭㈣具有比以主要重複單元切成之均聚碳酸醋 ^圭之裂解性質’但不可能每單位質量花費比以主要重複 單元A]形成之均聚碳酸酯更多。 /作為主要碳酸s旨重複單元Αί之具吸弓丨力之候選者係 係雙齡Α碳酸醋重複單元。雙g分係易於獲得，且相較於大 部份其它適於製備聚碳酸醋材料之單體，係相對較不昂主 :她碳酸醋重複單元與另-典型之較昂貴之碳心 複早儿（其具有比雙盼a碳酸醋重複單元更低之均裂鍵裂 解能）混合，以形成雙聚碳酸醋，其—般係比雙心均聚碳 酸酷稍貴，但仍係相對較不昂貴，特別是當雙盼八碳酸醒 組份構成雙聚碳酸醋質量之至少δ〇%(典型上係至少9〇⑹ 時。重要地，以雙盼Α碳酸醋重複單元及另一碳酸酷耗 更 單元以此方式形成之雙聚碳酸酷係比雙盼均聚碳酸酷 易裂解。 丨係 整數P於雙聚碳酸酯情況中係2，當主要重複單元、 選 雙酚A碳酸酯重複單元時，作為另外之重複單元入，之候 'r~2T~r 本紙泣尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公;资） 1229109 A7 B7 五、發明説明（25 ) 者係烯丙基環己烯、苯曱基及三級之碳酸酯重複單元。烯 丙基環己烯、苯甲基及三級之重複單元之每一者係具有比 雙酚A碳酸酯重複單元更低之最小均裂鍵裂解能。作為本 發明液態化學配方中之聚碳酸酯材料之形成之雙聚碳酸酯 候選者係個別為雙酚A/烯丙基環己烯、雙酚A/苯甲基及雙 酚A/三級之雙聚碳酸酯。 雙酚A/烯丙基環己烯雙聚碳酸酯分子之聚合物芯之二 例子係如下化學示所示者：

雙酚A/苯曱基及雙酚A/三級之雙聚碳酸酯分子之聚合物芯 之例子係個別以如下化學示表示者： '— — — — — — — — — — — — — — — — — II I I I I (請先閲iff背面之¾意事項再填寫本頁) 訂，

對於雙酚A/烯丙基環己烯、雙酚A/苯曱基及雙酚A/三 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 1229109 A7 五、發明説明（26 ) 級之雙聚碳酸酯，烯丙基環己烯、苯甲基及三級之重複單 兀具有沿其碳酸酯基之自由基穩定化。相似於前述之有關 具自由基穩定化之均聚碳酸酯分子者，沿具有沿該重複單 兀之自由基穩定化之重複單元之碳酸酯基裂解之雙聚碳酸 酯分子或其它共聚碳酸酯分子之剩餘者（自由基）被抑制免 於重新混合或與其它材料混合。 • 因雙酚A/烯丙基環己烯、雙酚A/苯甲基及雙酚A/三級 之雙聚碳酸酯沿其個別之烯丙基環己烯、苯甲基及三級之 重複單元之碳酸酯基最易裂解，此等雙碳酸酯之自由基穩 定化係精確發生於其間此等雙碳酸酯分子最易裂解處。因 此，自由基穩定化發生於其間需要藉由活性帶電荷或其它 分子之造成裂解現像保持此等雙聚碳酸酯内產生之圖案之 位置。因此，雙酚A/烯丙基環己烯、雙酚A/苯甲基及雙酚 A/三級之雙聚碳酸酯係非常具吸引力地作為本發明中之聚 碳酸酯徑跡層。 適用於本發明液態化學配方内之聚碳酸酯材料之其它 雙聚碳酸酯候選者包含苯曱基/烯丙基環己烯、苯曱基/苯 甲基及三級/苯甲基之雙聚碳酸醋。對於此等雙聚碳酸醋， 主要重複單元A]及另外之重複單元μ具有沿其碳酸酯基 之自由基穩定化。 苯甲基/烯丙基環己烯雙聚碳酸酯分子之聚合物芯之 二例子係如下述化學式所示·· 本紙張尺度適用中國国家標準（CNS) A4規格（2]0X297公茇） 裝...... 2Ϊ先閲#背面之注意事項#4¾本頁) 訂— .線丨 1229109 A7 B7 五、發明説明（ 27 -〇—c—o—ch2

? CH2~〇一c—0

(5E) 0-CH2'

(5F) 苯曱基/苯曱基雙聚碳酸酯分子之聚合物芯之二例子係如 下化學式所示： Ο e—o—ch? o CK II I . -ch2—o—e—o—c 〒h3 (5G) (請先閲ίέιϊ背面之¾意寧項再填寫本頁)

C— 1 (5H) CH3 三級/苯曱基雙聚碳酸酯分子之聚合物芯之例子係如下化 學式所示： f T2 P3 Ϊ 、 （5工) -〇—〇—〇—C-CH2一CH2—?-〇—C-Ο—CH— CH3 ch3 於化學式5E-5H之雙聚碳酸酯中，每一化學式中之左側之 苯曱基碳酸酯重複單元係主要重複單元A,，而每一化學式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0X297公釐） 1229109 A7 -------- - B7 五、發明説明（28 ) 右側之烯丙基環己烯（化學式5£及汀）或苯甲基（化學式5〇 及5H)之碳酸重複單元係具比左側之主要苯甲基碳醋重 複單兀更低之最小均裂鍵裂解能之另外之重複單元八2。化 學式51之雙聚碳酸酯内之右側碳酸酯重複單元係主要重複 單元A】，而左側之重複單元係另外之重複單元、。 基於前述理由，界面活性劑可存在於本發明之液態化 •學配方内。較佳結構係Flp0radTM FC-430界面活性劑， Minnesota Manufaeturing and Mining Cq 製備之說脂族聚 合物酯之黏性液態混合物，其係以足以作為濕化劑之濃度 存在。液態化學配方内之Flu〇radTM F(%43〇界面活性劑濃度 係0.001-1克之界面活性劑/公斤之聚碳酸酯溶劑，典型上係 〇·22克之界面活性劑/公斤之聚碳酸酯溶劑。 ^碳酸酯溶劑標進另細公 對於以最高達1 0公分間隔之板狀副結構上之點測量之 厚度’聚碳酸酯溶劑能溶解足夠之聚碳酸酯材料以達〇. 1 # m與2 // m間之最後聚碳酸酯膜厚度，及比丨〇%(± 5%)更 佳（較佳係比4%(± 2%)更佳）之最後厚度均勻性。為了此目 的’聚碳酸酯材料於溶劑内之可溶性一般係2 〇 c及1大氣壓 時之液態化學配方之質量之至少1 %，但亦可低至〇.5%。溶 劑較佳係能溶解20°C及1大氣壓時之聚碳酸酯質量之至少 5% 〇 當旋轉塗覆被用以製備聚碳酸酯膜時，液態化學配方 溶液一般含有以液態配方質量計之50%之聚碳酸酯材料。 具有更高聚碳酸酯濃度（例如，大於50%之質量）之液態配方 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公楚）

Ϊ229109 A7 ^-------- B7 五、發明説明~~一— 可展現黏性指觸，且於旋轉塗覆期間顯示表面濕化，藉此 產生於其物理性質之較差均勾性之聚娜膜。用於‘轉 塗覆之液態配方内之聚碳酸酯材料之否分率典型上係不多 方；20%之質量。1%至1〇%(較佳係5%至1〇%)質量之聚碳酸 酿濃度範圍係特別有用於旋轉塗覆聚碳酸黯膜，以達〇1 A m與2 // m間之最後厚度。 • 用於藉由擠塑塗覆、擠塑·旋轉塗覆或彎月面塗覆產生 聚碳酸酿膜之液態化學配方内之聚碳酸_料之百分率一 般係可能不多於液態配方質量之5〇%。於擠塑塗覆之情況 中，液態配方内之聚碳酸酯材料之濃度典型上係不多於配 方質量之2〇°/°。對於藉由擠塑塗覆沈積以達0.1-2 之膜 厚度之聚碳酸酯膜，1-15%(8-12%)質量之聚碳酸酯濃度範 圍係特別有用。 除上述之可溶性要件外，聚碳酸酯溶劑具下列性質： 2a· 1大氣壓時之溶劑之熔點Tm(1 atm)一般係少於2〇艺 。典型上，於製備聚碳酸酯膜方法中使液態化學配方塗覆 於副結構之周圍溫度Tamb係約2〇。。因此，atm)少於

Tamb之條件確保本發明之液態化學配方特定條件時係呈液 態。 2b· 1大氣壓時之聚碳酸酯溶劑之沸點Tb (1 atm) 一般 ‘至少80 C。因此，溶劑之Tb( 1 atm) —般係大於或等於 (Tamb + 60 C )。此確保聚碳酸酯溶劑自液態化學配方蒸發之 速率於周圍溫度Tamb時係足夠低，以於製備聚碳酸酯膜方 法中之副結構上形成該配方之均勾液體膜。 本纸张尺度適用中國®家標丰（CNS ) A4規格（2]0X297公楚） 1229109 五、發明説明

2 c ·聚碳酸醋溶劑不能 材料進行化學反應。 以頌著速率聚合或與聚碳酸酯

夕入趾聚碳酸醋溶劑實質上係無水。較佳者，溶劑含有不 夕於0.1%質量之水。若溶劑 〜σ 3有更同百分率之水，溶 細當地乾燥以降低水之百分率至適當低之量。 另外或此外，水清除劑被添加至聚碳酸醋溶劑以自溶 劑及聚碳酸醋材料移除水。水清除劑與溶劑内之水反應以 產士揮發性物種。水清除劑典型上係於聚碳酸酿材料被引 ^容劑内之前㈣人溶劑内。#聚碳酸轉料溶於 溶劑時，溶劑典型上係實質上無水。 、—溶劑典型上係被提供用以製備實質上無水之 需之些微過量之水清除劑。當聚碳酸酿材料被溶於 過昼之水/月除刎與聚碳酸酯材料内之水反應以產 、^揮杳丨生物種。藉由自聚碳酸酯材料内溶劑移除水 ，水清除劑抑制聚碳酸酯材料之平均分子量之降低。 田♦石反酸酯溶劑係^曱基吡咯烷酮時，水清除劑典型 上係乙酸酐（(C2H6〇)2〇)。乙酸酐一般構成聚碳酸酯溶劑質 θ 〇·11 /〇(典型上係〇.2%)。乙酸酐與水反應產生乙酸， 其輕易自溶劑蒸發。使用乙_作為水清除劑之優點係乙 酸係低毒性。 2e·聚碳酸酯溶劑不會明顯促進或催化聚碳酸酯材料 與液恝化學配方之其它組份（諸如，水）間之化學反應。 2f.聚碳酸醋溶劑不與液態化學配方内之水反應以形 成大置濃度之氫氧化物離子⑴Η_)。換言之，相較於氫氧化 本纸張尺度翻巾關家標準（CNS) μ規格⑵gx297公焚） 1229109 A7 -------_____ B7 五、發明説明（32 ) 2ι·聚碳酸酯溶劑本身可包含界面活性劑組份以改良 液態化學配方於副結構上之濕化特性。溶劑之界面活性劑 組份係遵從上示之反應性及組成條件2 c至2匕。 聚碳酸酯溶劑之主要候選者係吡啶，一種符合上示聚 碳酸酯可溶性要件之液體。吡啶於加艺及丨大氣壓時溶解多 於ίο%之聚碳酸酯質量。例如，1^八]<：11〇1^〇]^聚碳酸酯（諸 •如，MAKROLON 2608)之可溶性於川它及〗大氣壓時之吡 啶内可超過4〇%之質量。 1大氣壓時吡啶之熔點丁111(1 atmM^j、4；rc。此係少於 20°C，因此能使吡啶符合上述條件2a。}大氣壓時吡啶之沸 點Tb(l atm)係約115°C，其係大於8(TC，如上述條件沘所指 定者。 吡啶係親核性，因此，可與聚碳酸酯内之親電子部份 反應以催化聚碳酸酯之水解作用。但是，若液態化學配方 之水含量足夠低時，此等反應之速率係不顯著，且反應程 度係不顯著，於典型周圍溫度（20t)係超過數個月。於低 於2 0 C之溫度時儲存液態配方增加該配方之使用期。 °比σ定可藉由標準方法乾燥至少於〇 〇〇 1質量％之水濃 度。雖然具吸水性，吡啶典型上被處理，且於此係以使液 態化學配方内之水百分率少於0.01質量％之方式處理。2〇 C時之水性溶液内之質子化吡啶（吡啶鐄離子）之酸解離常 數1^係約6xl(T6。因此，吡啶鑌滿足條件2f(水性溶液内之 聚碳酸酯溶劑之質子化形式之酸解離常數於2 〇時需大於 ]0’。 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（210X297公梵） (請先閲讀、背面之¾意寧項再填寫本頁)

1229109 A7 B7 33 五、發明説明（ (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 吡咬非自燃性。其可被氧化以形成。比。定队氧化物。但 是，此反應需強氧化劑，且空氣氧化速率於典型之周圍溫 度（20。〇係不顯著"比σ定於許多金屬、半導體及絕緣體上 係/、表面活|±典型上作為腐餘抑制劑。因此，。比啶不會 顯著地改變許多實際副結構材料之物性或化學組成。曰 —聚碳酸西旨溶劑可被交替地或另外地（即，除前先己被鐘 定作為依據本發明教示溶解聚碳酸酯材料）以一或多種之 環取代t定衍生物（其後為了簡化，一幻系獨考寺定被稱為環 取代吼讀生物）形成。當環取代切衍生㈣使用時，溶 劑相似地符合上述之所有聚碳酸酯溶劑之標準。當二組份 存在於溶劑内時，吡啶或環取代吡啶衍生物之任一者可為 溶劑之主要組份。 °比啶及環取代π比啶衍生物二者可以如下化學式表示· R, (8) 其中R]、R2、R3、R4及R5之每一者表示共價結合至芳族環 之單價取代基。R]至L之每一者典型上係氫原子、氚原子 、單價烴基、單價取代烴基、乙醯基、羧基醛基、函素原 子或單價假素取代基。被取代之烴基係其間氫（或氚）原 子之至少一者係以另一化學物種取代之烴基。對於單價烴 基，心至]^之每一者之碳原子數一般範圍係]至4。相同範 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0父297公漦） ί229ι〇9

A7 1、發明説明

圍應用至被取代之單價烴基。 —:RdR5之每—者係氫或說時，化學式8產生吼啶"比 疋之式於完全氫取代分子中係CAN。當化學式8之仏 至R5之至少—者係非氫錢之取代基（較佳係如上所列示 者之-者）時，環取代心衍生物被產生。 數種％取代π比唆衍生物係特別有興趣之作為溶劑者。 種‘方、其間R ]至R 5之_者係㈣（較㈣具有〗個碳原子 U ‘曱基t定）至4個碳原子）之情況。&至化之剩餘者可由 上社單價共價取代基之任意者組成，其包含氫及氣。 弟二種特別有興趣之吡啶衍生物係由其間二相鄰取代 基位Μ以㈣環（即，與㈣環分享碳·碳·鍵結（非氮）端 口Ρ之％取代基）佔擄之該等衍生物組成。此種型式之吼咬衍 生物之笨炫融之例子係如下所示：

(10) 於芳族熔融環取代基中，（例如）以化學式9或〗〇之右側 %表不’熔融端部外側之每一環碳係共價結合至單價取代 基。於非芳族熔融環取代基中，熔融端部外之每一環碳被 共價結合至一對單價取代基或二價取代基。因此，吡啶之 熔融環取代基衍生物之環取代基本身可被取代。取代基位 本纸张尺度適用中國@家標準（CNS) Α4規格U]0X297公贫） 1229109 A7 ----- B7 _ 五、發明説明（35 ) ~ ^- 置之剩餘者可以上示之對化學式8之^至^所列示之取代 基之了或多者佔據。特別有興趣之適當苯炼融衍生物之例 子ϋ取代之嗜嚇（化學式9)及被取代之異嗜淋（化學式1 〇) 〇 當化學式8中之心至心之至少一者係鹵素原子時，鹵素 可為氟ll、，臭或石典，且氟或氯係較佳之取代基。於單價 •假齒素取代基之情況中，取代基典型上係腈基。 特別地’有興趣之作為本發明液態化學配方内之聚碳 酸酯溶劑之咄啶衍生物包含如下表所示之液體·· 第1表 ....................-_裝..... (請先閲讀"背面之注茗寧項再填寫本1) 化學品之名稱 實驗式 TbO atm)m 2-甲基吡啶 c6h7n 128 3-曱基吼。定 c6h7n 144 4-甲基。比啶 c6h7n M5 2-乙基呲啶 C7H9N 149 3-乙基呲啶 C7H9N 165 4-乙基吡啶 C7H9N 168 2,3-二曱基吼。定 C7H9N 163 2,4-二曱基π比ϋ定 C7H9N 159 2,5-二甲基。比啶 P c7h9n 157 2,6-二曱基吡啶 C7H9N 146 3,4-二甲基吡啶 C7H9N 163-164 二甲基吡啶 C7H9N Π2 2-乙基斗曱基吡啶 CSH】]N 173 2-乙基-6-甲基吡啶 C8HnN 160 3-乙基-4-曱基。比。定 C8HnN 198 4-乙基-2-曱基。比咬 C8HnN 179 5-乙基-2-甲基吡啶 C8H]]N Π8 2-異丙基吡啶 QH 丨]N 160 .訂· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2Κ3Χ297公釐） 1229109 A7 ~—-—_ 五、發明説明（36 ) 4-異丙基吡啶 C8HnN 178 2-正丙基吡啶 C8HnN 166-168 4-正丙基°比。定 c8h】]n 184-186 2-(第三丁基）吡啶 c9h13n 170 4-(第三丁基）吡啶 c9h13n 196 2-(1-乙基丙基）吡啶 c10h15n 195 2-苯基吡啶 CnH9N 270 3-苯基13比咬 CnH9N 273 4-苯基吡啶 ChH9N 280 2-苯曱基吡啶 Ci2HnN 276 2-甲氧基吡啶 C6H7NO 142 4-曱氧基吡啶 c6h7no 191 2-經基。比咬 c6h7no 113 3-羥基^比啶 c6h7no 154 2-(2-羥基乙基）吡啶 C7H9NO 113 2-氯。比咬 C5H4C1N 170 3-氯吡啶 C5H4C1N 148 4-氣吡啶 C5H4C1N 147 2-氯-6-曱氧基。比啶 C6H6C1N0 185-186 2-溴。比咬 C5H4BrN 193 3-溴吡啶 C5H4BrN 173 2-氟吡啶 C5H4FN 126 3-|1^比咬 C5H4FN 106 2-埃。比咬 C5H4IN >93 除滿足條件2b( 1大氣壓時聚碳酸酯溶劑之沸點丁b( J atm)係如第1表之沸點數據所示者係至少8〇〇c)外，所有前 述吡啶衍生物滿足條件2a(於1大氣壓時溶劑之熔點Τηι(1 atm)係少於2(TC)。再者，似乎所有此等吡啶衍生物滿足條 件2f(水性溶液内之聚碳酸酯溶劑之質子化形式之酸解離 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公赞） ' '~^9一-- !229l〇9 A7 B7 五、發明説明（37 常數於20°c及1大氣壓時係大於][〇 J)。 聚碳酸酯溶劑可交替地或另外地以吡咯或/及一或多 ，之環取代°比°各衍生物（其後為簡化-般係麵特定稱: %取代t各衍生物）形成。#溶劑使用心或/及環取代吼 咯衍，’溶劑相似地符合所有上述之聚碳酸能溶劑標 準。當二組份於溶劑内存在時，吡咯或環取代吡咯衍生物 之任一者可為溶劑之主要組份，且任何其它溶解聚碳酸醋 之候選者係以較低質量分率存在。 吡咯及環取代吡咯衍生物皆可以如下化學式表示· ·_裝..... (請先閲讀背面之注•意寧項再填寫本頁) Λ (11) 二中R]、R2、R3、R4AR5之每—者表示共價結合至該環之 單仏取代基。m5之每_者典型上係氫原子、氣原子、 早價煙基、單價取代烴基、乙絲、縣酸基、_素原子 或單價假-鹵素取代基。對於烴基或被取代之烴基，尺]至 R5之每一者之碳原子數一般範圍係1至4。 ^R】至Rs之每一者係氫或氚時，化學式〗〗產生吡咯。 比各之貝驗式於完全氫取代分子中係qH5N。當R】至&之 至^者係非氫或氚之取代基（較佳係如上所列示者之一 者）時，環取代吡咯衍生物被產生。 數種％取代吼。各衍生物係特別有興趣之作為聚碳酸酿 溶劑。一種係於其間心係烷基（較佳係具有】至4個碳原子） •訂- 本紙張尺度適用令國@家標準（CNS) Α4規格（2]〇><297公楚） 1229109 A7 五 發明説明（38 之i月況。R2至R5之齋|終jy -yr- J , __U餘者了由上不之單價共價取代基之任 意者組成，其包含氫及氚。 例士對方、k基係甲基⑽碳原子）者，具有作為烧基 之心之環取代料魅物係〗·甲基翁（修甲基。比洛）。 1-甲基t各之實驗式於完全氫取代分子㈣C办N。"基 D比略於1大氣壓時具有約训之炫點τηι(1_)，且於i大氣 ㈣具約⑴。c之缔點Tb(latm)。因此，】·甲基^各係符合 條件2 a及2 b。r甲基。比D各（比„比π定更弱之驗财如上所示 之溶劑條件2f及聚碳酸酯可溶性要件。第二種特別有興趣之„比略衍生物係由其間二相鄰取代 基位置係以炫融環（即，與t各環分享端部之環取代基）佔據之該等衍生物組成。此種型式之。比略衍生物之苯炫融之 例子係如下所示： ,裝…： (請先閲讀背面之注意寧項再磺寫本頁) 訂， (12) 適於吡咯之熔融環取代基衍生物内之熔融端部外之每一環 碳之取代基係相同於上述之對於吡啶之熔融環取代基衍生 物所述者。因此，吡咯之熔融環取代基衍生物之環取代基 本身可被取代。取代基位置之剩餘者可以上示之對化學式 ]]之R】至〜所列示之取代基之一或多者佔據。特別有興趣 之適當苯熔融衍生物之例子係被取代之吲哚（化學式]^)。 本紙張尺度適同中國國家標準（CNS) A4规格（2]〇Χ297公焚） 4] 1229109 A7 B7 五、發明説明（ 39 田，卞，11中之R]iR5之至少一者係il素原子時，！I 素可為氟、氣、漢或蛾’且氟或氯係較佳之取代基。於單 價假.素取代基之情況中，取代基典型上係腈基。 除1-甲基t各外，特別有興趣之作為本發明液態化學 配方内之聚碳酸s旨溶劑之切衍生物包含如下表所示之液 體：

除滿足條件2b(於]atm時聚碳酸酯溶劑之沸點如第9 表所示數據顯示係至少80°C )，所有前述之吡咯衍生物滿足 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0乂297公龙：）

4T ..................i,裝—— (請先閲格背面之汝意事項再填寫本頁) ,ιτ. :線- 1229109 A 冬 (13) A7 B7 五、發明説明（40 1 atm時溶劑之熔點Tm( 1 atm)係少於2(TC。所有此等吡咯衍 生物亦似乎滿足條件2f(聚碳酸酯之質子化形式於2〇它及】 大氣壓時具有大於1 (Γ8之解離常數）。 聚碳酸醋溶劑可交替地或另外地以吡咯烷或/及一或 多種之°比σ各燒衍生物（其後為簡化一般係係獨特定稱為吡 咯烷衍生物）形成。當溶劑使用吡咯烷或/及吡咯烷衍生物 時’溶劑相似地符合所有上述之聚碳酸酯溶劑標準。 口比略:)：完及吡咯烷衍生物一般係可以如下化學式表示： \ c 其中R]至R9表示共價結合之取代基，且取代基之最大可負 數目係於化學式13中描述。於母化合物吡咯烷（因其過度』 布忍斯特鹼性之故，此處係可能受限使用性），心至心係』 原子或氚原子。 化學式13之R]至R9之取代基典型上係選自氫原子、请 原子、氧原子、單價或雙價之烴基、單價或雙價之取代避 基、乙醯基、羧基醛基、齒素原子或單價假__素取代基 對於每—烴基或被取代之烴基，R〗至之每一者之碳原+ 數-般範圍係1至4。於環原子間包含—㈣雙鍵之二各妓 衍生物亦係感興趣的。 數種。比Μ衍生物係㈣有㈣之作為聚韻醋溶劑 。例如，特別有興趣之㈣科生物包含其間環氮參與多 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2：[〇><297公焚） 43 (請先閲4¾背面之：4意寧頊再填寫本頁)

1229109 Λ7

五、發明説明（4】/ d貝鍵（内^或外環）（或與其共輛）者。於氮位置具有非氣或 ，之共價取代基（JV)之㈣烧衍生物亦係特別有興趣。於 :置一有非氫或氚之共償取代基之吡咯烷衍生物中，氮 原子，可與多共價鍵共輛。相較於母化合物卜比略烧），所 有此等取代基導致溶劑鹼性之重大減少。 具雙共價鍵之此等吡咯烷衍生物之例子係如下所示·· C,

C (14)

N vc ........_-裝…… (1¾先閲讀背面之：λϊ意事項再構寫本頁)

C

C (15) C· ，訂·

Ri一N σ

R 8/9 其中IW糸係諸如氧之雙價取代基。除此雙鍵所賦與之 制外，化學式14至16内之1至卫9之取代基可選自有與化字 式】3有關之上述之任意者。化學式_示其間環氮參與雙 共k鍵之情況。化學式15及16例示其間環氮個別與内環雙 共價鍵及外環雙共價鍵餘之情況。對於其叫非氯或2 之情況中’化學式15及嶋其間非氫或氣之共價取代基 係於氮位置之吡咯烷衍生物。 奉 學 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（2]〇>(297公赘） 1229109 Λ7 B7 五、發明説明（42 例如，依據化學式】6作化學排列之一種吡咯烷衍生物 係甲基咄咯烷g同（或卜甲基吡咯烷酮或甲基吡咯烷酮 自此產生普遍名稱NMP)，其實驗式係c5H9NO。1 -甲基 吡咯烷酮具位於環氮上之甲基取代基（Ri)，且相對於氮原 子之α位置内之碳原子之一者係如下所示者經由共軛外環 雙鍵結合至氧原子：

(17) 卜甲基吡咯烷酮具有於】大氣壓時約之熔融IQ atm)，及於1大氣壓時約2〇2t：之沸點Tb(1 atm)。因此，^ 甲基吡咯烷酮係滿足條件2a&2b。丨_甲基吡咯烷酮係比吡 啶更弱之鹼，因此滿足溶劑條件2f。丨_甲基吡咯烷酮亦滿 足如上所示之聚碳酸酯可溶性要件。 當化學式13内之至少一共價取代基係自素原子時，_ 素可為氟、氣、溴或埃，且氟或氯係較佳之取代基。於單 價假鹵素取代基之情況中，取代基典型上係腈基。 除1-曱基吡咯烷酮外，特別有興趣之作為本發明液態 化學配方内之聚碳酸酯溶劑之其它吡咯烷衍生物包含如下 表所示之液體·· 第3表 化學品名摇 實驗式 IbiiatmXXj 2-吡咯烷酮 c4h7no 128 ^ 卜乙基-2-吼咯烷酮 (或N-乙基呲咯烷酮） C6HnNO -----— 97 ]·環己基吡咯烷酮· C,〇HnNO ~--~~~-_ 153 ---——1 本纸張尺度適用中國®家標準（⑶5) A4規格（210X297公釐）

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1229109 五、發明説明（44 ) 件2a(聚碳酸酯溶劑之1-大氣壓熔點τ]ΐΊ(ι atm)係少於2〇〇c) 。氣本之1 ~大氣壓彿點Tb( 1 atm)係約132°C。因此，氯苯符 合條件2b(溶劑之卜大氣壓之沸點Tb(1 atm)係不低於8〇t：) 〇 環己酮亦係弱鹼。水性溶液内之質子化型式之環己嗣 之酸解離常數於20t時係大於ΙΟ·8。因此，環己酮號飲乎 滿足條件2f。環己酮之1-大氣壓熔點Tm(i atm)係約-16t;， 能使環己酮滿足條件2a。環己酮之卜大氣壓沸點丁atm) 係約1 56°C，如此環己酮滿足條件2b。 使藉由D比咬、環取代。比。定衍生物、p比略、環取代。比嘻 衍生物、吡咯烷、吡咯烷衍生物、氯苯及環己酮之一或多 者形成之溶解聚碳酸酯之液體被稱為“主要，，溶劑。除上述 之主要溶劑及任何其它添加劑外，聚碳酸酯溶劑可包含作 為共溶劑之促進聚碳酸酯溶劑一或多種性質之液體。例如 ，共溶劑可降低整體聚碳酸酯溶劑之沸點，藉此使聚碳酸 酯膜於以下述方式製備時更快速乾燥。若有利，共溶劑亦 可用以增加整體溶劑之沸點。若本發明液態化學配方之一 般具吸引力之實施黏度係非期望般之高，共溶劑可被用以 降低聚碳酸酯溶劑之黏度，反之亦可。 共溶劑可被用以改良自本發明液態化學配方產生之液 態聚碳酸酯膜變乾燥可觸摸及對溫和處理係相對較不敏感 之黏性時間。共溶劑可被用以促進液體膜之水平（上表面平 坦性），因此，促進自液體膜產生之最後固體聚碳酸酯膜之 水平度。此外，共溶劑可被用於改質固態體之易燃性。 本紙張尺度適用中國3家標毕（CNS) A4規格（2 ]〇Χ297公资） --------------------I裝…： (請先閲ilnlf面之注*意事項再填寫本頁) 訂- 1229109 A7 ----_B7 五、發明説明（45 ) 請 先 閲 讀 If 面 之 >主 意 寧 項 再 填 % 本 頁 依照一般避免之可燃性、毒性、致癌性、令人流淚、 吸水性及反應性之液體，共溶劑一般係以不會明顯降低聚 石厌酸醋溶劑溶解被選用之聚碳酸酯材料之能力被選用，至 少達液態化學配方内之聚碳酸酯材料之所欲濃度。事實上 ’共溶劑可改良聚碳酸酯溶劑溶解聚碳酸酯材料之能力。 此外’共溶劑係以不與聚碳酸酯材料產生重大反應而選擇 共/谷劑之&擇可藉由使用Han sen可溶性參數理論為之 Hansen可洛性參數理論係描述於Arciier，工君遂齋手册 (Marcel Dekker，lnc.)，1996,第 1-4, 35-56及 297 3〇9 頁，其 内容在此被併入以供參考。Hansen可溶性參數係以極性參 數、分散（非極性）參數及氫鍵結參數之方式。Hansen可溶 性參數理論之應用基本上包含計算主要溶劑之可溶性參數 ，然後選擇具相似可溶性參數之共溶劑。 •於ΒΆηοχν之CRC聚合物-液體交互作用參數及可溶劑參 義手册（CRC Press)，1990,第料4頁中，雙酚A均聚碳酸酯 係以具0.8極性參數值、19.4之分散參數值及〇之氫鍵結參 數值者表示。極性及氫鍵結之參數值係低的。此表示整體 聚碳酸酿溶劑一般係高度非極性且展現报小之氫鍵結。因 此’共溶劑一般應係具小的氫鍵結之高度非極性之液體。 依溶於本發明液態化學配方内之特殊型式之聚碳酸酷 材料而定’作為共溶劑之特別 氧基苯（苯曱醚）、乙基乳酸酯 己酯（2-曱基戊基乙酸酯）。 具吸引力之候選者一般係曱 、壞戊S同、均三曱苯及乙酸 例如，當^甲基吡咯烷酮係

本紙張尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 五 χ229ΐ〇9 Α7 Β7 發明説明（46 ) ^ --—- 主要溶劑時，共溶劑可為甲氧基苯或乙基乳酸S旨。 其它作為共溶劑之候選者係萘烧（混合之 之異構物）、反式萘焼、苯、二甲笨（混合異構物）m，2从 四氧化秦、乙基苯、甲苯、粦卜二甲苯、對·二甲苯、環己 烷、^甲基萘、心異丙基甲苯（對曱基異丙基笨）、二異丙 fCM及2,6異構物）、正一二十烧、正十六⑨、^、甲基 %己坑、二乙基碳酸酿、正癸垸、正壬院、丁如物e以6( 礦物酒精）、TeXasolve s(礦物酒精）、以一二。惡燒（對_〉惡烧 )、正-辛烷、Texasolve s_l0 (低芳族/臭味之礦物酒精）、 EaStman C]1酮、曱基環戊烷、Texas〇lve C(可購得之庚烷 )、庚烷、α -松油精（+八，外消旋）、二異丁基酮、Texas〇ive h(己烷-庚烷之混合物）、乙醯苯基酮、乙基桂皮酸酯、卜 乙基嗎啉、二辛基酞酸酯、異丙基苯（枯烯）、正己烷、 Texasolve v(vm&p石腦油）、Texas〇lve b (可購得之己烷）、 I，2-十二烷碳酸酯、乙基癸酸酯（癸酸乙酯）、三正丁基磷酸 酯、曱基異戊基酮、二正丁基酞酸酯、〗，2-癸烷碳酸酯、 乙基半脂酸酯（辛酸乙酯）、Exxate 1300(十三基乙酸酯）、 苯并腈、正-戊烷、3-曱基戊烷、正丁基乙酸酯、心曱基_3一 戍烯-2-酮（甲基異丁基甲酮）、丙二醇甲基丁基醚、甲基戊 基乙S曰、2 -甲基戍;I:完、嗎。林、乙基羊油酸酯（己酸乙酯） 、乙酸戍醋、二乙基g太酸醋、2，3 -二甲基丁烧、甲基異丁 基酮、Exxate ] 000 (癸基乙酸酯）、二丙二醇甲基驗乙酸酷 、2，2,4 -二甲基戊烧、甲基羊油酸酯、異丁基異丁酸酯、正 丁基硬脂酸醋、四氫°夫喃、丙二醇甲基_乙酸g|、正戊基 本紙張尺度適用中國g家標準（CNS) A4規格（2]0X297公釐） -------------------------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂| ----- 1229109 A7 ~一~---—B7 五、發明説明（47 ) 乙酉欠®曰、1，2-環己烷碳酸酯、丁二醇正丁基醚、甲基油酸 .8曰、正丁基苯曱基酞酸酯、二鹼酯、二乙基酮、1,2-己烷 石厌S夂i曰、四伸乙基二醇二曱基醚（四甘醇二甲醚）、三伸乙 基二酵二曱基醚（三甘醇二曱醚）、異丁基乙酸酯、苯胺、 乙基乙酸醋、乙二醇二丁酸酯、二伸乙基二醇丁基醚乙酸 西曰乙基_、丙一醇甲基乙基醚、Exxate 900(壬基乙酸酯） •、異丁基庚基嗣、二甲基酞酸酯、二伸丙基二醇甲基丁基 醚、一伸丙基二醇正己基醚、異丙基棕櫚酸酯、丁二醇二 曱基醚、曱基正己基酮、2,孓二曱基丁烷、壬基酚、異戊 烧（2曱基丁 ：):兀）、甲基正丁酸酯、乙二醇二甲基_(甘醇二 曱醚）、二正丙基碳酸酯、丨·硝基丙烷、三伸乙基二醇丁基 醚、二伸丙基二醇甲基丁基醚、Exxate 800(辛基乙酸酯） 、心曱基嗎啉、卜丙基乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、二乙基 琥珀酸酯、曱基乙基酮、二丙二醇二曱基醚、丁二醇丙二 醇正丁基醚、丙一醇丁二醇正丁基醚、異佛爾酮、乙二醇 丁基醚乙酸酯、三丙二醇正丁基醚、異丙基乙酸酯、乙二 醇己基醚、丙二醇乙二醇正丁基醚、-伸丁基碳酸酯、 丙一醇一曱基_、一正丁基癸二酸酯、丙二醇二己基驗、 Exxate 700 (庚基乙酸酯）、三曱苯基磷酸酯、丙二醇苯基 醚、異丙基醚、曱基乙酸酯、Exxate 6〇〇 (己基乙酸酯）、 曱基第二丁基醚、乙二醇丙二醇正丁基醚、二乙二醇二曱 基醚（二甘醇二曱醚）、乙基正戊基酮、三乙二醇正丙基醚 、二丙二醇正丁基醚、三丙二醇正丙基醚、3_異丙基噁 唑烷酮、丁二醇正丁基醚、乙二醇乙醚乙酸酯、曱基正丙 本紙张尺度適用中國@家標準（CNS) A4規格（2)0X297公焚） 0^—— (請先面之注意寧項再填寫本頁) 訂| 1229109 A7 ----—_____B7 五、發明説明（48 ) 基酮、二甲基碳酸酯、甲基異丙基酮、乙二醇2-乙基己基 醚、丙二醇、第三丁基醚、乙基甲酸酯、三伸乙基二醇乙 基鱗、正丁基乳酸醋、二伸乙基二醇丁基鍵、卜異丙基冬 甲基咪唑、三伸丙基二醇異丙基醚、乙基：乙氧基丙酸酯 、二伸丙基二醇乙基醚、乙基正丁基酮、二異丁基甲醇、 乙一醇正丁基醚、乙二醇甲基醚乙酸酯、二伸丙基二醇正 ,丙基醚、丙二醇正丁基醚、甲基正丁基酮、2_乙基己基乙 酉义6曰一伸乙基二醇正丙基醚、丁二醇正丙基醚、甲基異 丁基甲醇、三伸丙基二醇曱基醚、三伸乙基二醇曱基醚、 三乙基磷酸酯、丁腈、二伸丙基二醇乙基醚、丙二醇正丙 基醚、二甲基乙醯胺、二伸丙基二醇異丙基醚、孓乙 基-1-丁醇、丁二醇乙基醚、二伸乙基二醇曱基醚及乙酸。 共溶劑一般係以比主要溶劑更低之質量分率存在於聚 碳酸酯溶劑内。共溶劑一般係於聚破酸酯材料已被溶於主 要溶劑後被引入聚碳酸酯溶劑内。然後，共溶劑及主要溶 劑可於聚碳酸酯材料溶於混合液體後混合。 莖碳酸酯膜之製備 第3圖表示依據本發明製備含聚碳酸酯液態化學配方 及依據本發明教示使用該液態配方製備薄的固態聚碳酸酿 膜所包含之主要步驟之流程圖。第3圖例示其間主要溶劑實 質上由曱基吡咯烷（再次，NMP)組成之較佳情況。 如第3圖之方塊10, 11及12所示，製備聚碳酸酿膜之首 先步驟係提供：（a)聚碳酸酯材料，（b)以;U曱基。比p各燒8同步 成之主要溶劑，及選擇性之（c)界面活性劑。主要溶劑較件 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公梵） 1229109 hi __—__B7 五、發明説明（49 ) 係基本上由100X2^甲基吡咯烷酮組成，且具有低水含量 。另外，主要溶劑可基本上由】〇〇%之吡啶組成且係具低水 含量。於任一情況中，當無共溶劑被使用時，主要溶劑構 成元全之聚碳酸g旨溶劑。 聚碳酸酯材料典型上係由顆粒狀之MAkrqlon聚碳 S欠S日（較佳係以雙酚A碳酸酯重複單元形成之MAKROLON • 2608均聚碳酸酯）或顆粒狀共聚碳酸酯（典型上係其間主要 重複單元係雙酚A碳酸酯重複單元之雙聚碳酸酯）組成。若 原始供應時聚碳酸酯材料之顆粒係不夠細微時，聚碳酸酯 材料被研磨至達適當小之平均顆粒尺寸。當被使用時，界 面活性劑較佳係Fluorad FC-430聚合物酯混合物。 若聚碳酸酯材料非無水，其於無水環境（典型上係於 120°C及]25。(：間之流動乾燥氮内進行隔夜）中乾燥，如方塊 14所示。藉此，聚碳酸酯材料之水含量被降至典型上少於 0·01質置％之值。若其它固態材料存在於液態化學配方内 ’其被相似地乾爍。用以乾燥及處理對水敏感及對空氣敏 感之材料之適當方法被描述於Shriver等人之寿空義敏滅 之允合场之#作（John Wiley & S〇ns)，；1986。亦可參見“處 理對空氣敏感之試劑”，Tech. BulI，al]34, Aldrich

Chemical Co。1994年]2月，第 8頁。 若主要溶劑之水含量太大，主要溶劑一般被.氣燥，方 塊15。相似方法被使用。例如，主要溶劑以真空乾燥之分 子篩處理，其後於惰性乾燥氛圍下蒸餾。於乾燥主要溶劑 後，水清除劑被添加至主要溶劑。水清除劑典型上係由乙 本紙張尺度適用中國g家標準（CNS) A4規格（2]0X297公赘） 1229109 Λ7 B7

五、發明説明（50 -酐且以聚碳酸酯溶劑質量之〇1 度組成。 匕、i上係〇·2%)之濃 當界面活性劑被使用時，界面活性劑 除之主要溶劑H液體混合物（實之水被々 一加重部份之K4, 物（只貝上係溶液）係藉由使 界面活性劑及整份之乾燥主要溶劑於惰性氛 圍下此3而‘得。參見第3圖之方塊Μ 〇 &實質上乾燥之聚碳酸醋材料，可能_或多種其它 固恶材料，實質上乾燥之 /、 用B士夕敖八π ⑷汉田界面活性劑被使 幻I料界面活性劑/溶劑之混合物現於無水環境（ 二31 ^係乾燥氮）中被混合。方塊_示此步驟，於下將進 一步描述。若未使用共溶劑’形成之含聚碳酸醋之液體構 成树明之液態化學配方。依共溶劑是否被使用而定，主 要洛劑内之聚錢g旨之f量百分率被選擇以產生Ο」“⑺ 至以m範圍内之固態聚碳酸醋膜厚纟，且具有如前所述之 厚度均勻性。 灰'吧合先則之固體及液體之物料中，使用Schlenck轉 牙夕方法（典型上係於乾燥氮下）使乾燥之主要溶劑轉移至清 你、乾燥、稱重容器。此容器被稱重以決定主要溶劑之質 里。整份之界面活性劑/溶劑之混合物亦使用Schlenck方法 被轉移’且其質量藉由差式技術決定。最後，乾燥之聚碳 t S曰材料被載入谷器内（其係再次使用khienck轉移技術） ’且聚碳酸醋材料之質量藉由差式技術決定。任何其它固 體被添加，且其質量以相似方式決定。 若磁性攪拌被用以混合含聚碳酸酯之液體，適當之磁 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0X297公爱） 1229109 A7 ----'B7 五、發明説明（51 ) t攪拌棒农此B寸添加。最後，$器於些微正壓力之惰性乾 秌氣版（典型係乾刼氮）下密封。含聚碳酸酯之液體之組份 (請先閲讀背面之注«事項再填寫本頁) 被化合足夠時間以形成均質液體。於2〇。〇之周目溫度使用 緩fe磁性攪拌溶解所有可溶解之固體材料可能需最高達3 天。 右共/谷劑被使用，共溶劑一般係於聚碳酸酯材料已被 •，谷於主要溶劑後添加至含聚碳酸酯之液體。參見方塊19。 /、/合背j亦可杰主要溶劑及聚碳酸酯材料已被混合後且於聚 反I S曰材料完全溶於主要溶劑前被添加。為了共溶劑之某 些貫施，共溶劑可於添加聚碳酸酯材料前與主要溶劑混合 。無論如何，共溶劑與聚碳酸酯材料、主要溶劑及任何其 匕添加之液體或固體之物料之混合物現形成本發明之液態 化學配方。 於所有聚碳酸酯及其它可溶性固態物料被溶解後，液 心化學配方之動黏度被決定，如第3圖之方塊2〇内所示者。 /合劑之動黏度可藉由添加更多之被乾燥之主要溶劑及共溶 釗以降低黏度、藉由添加更多乾燥聚碳酸酯以增加黏度， 或藉由混合二或更多種自相同聚碳酸酯材料製得之具不同 動黏度之液態化學配方而調整之，方塊2 1。所有此等操作 係於惰性氛圍條件下施行，且其後係完全混合形成之含聚 碳酸酯之液態配方。 於任何必需改變已對液態化學配方之動黏度為之後， 液態配方被轉移至至乾燥容器（典型上係於些微正壓力之 乾燥惰性氣體下，典型上係乾燥氮氣）。第3圖之方塊22指 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS) Α4规格（210X297公赞） 1229109 A7

五、發明説明（52 B7 不此步驟。容器以不透氣密塢且配方被儲存，較佳係於一 般至溫或低於室溫，以使聚碳酸酯材料之經由水解作用或 其它反應產生之化學降解達最小。 聚碳酸酯膜之製備係以於使用前決定含聚碳酸酯之液 恶化學配方之動黏度而開始，方塊24。儲存期間液態配方 之動黏度之重大變化係以化學或物理之降解指示之。配方 之降解可能影響以該配方製得之聚碳酸酯膜之品質。 動黏度之測量可以數種方式施行。例如，液態化學配 方之杈。。可被移除及測試之。黏度測量裝置可被加入液態 配方分散設備内。黏度可藉由製備聚碳酸酯膜之潮濕樣品 其厚度與校正曲線比較）而間接測量。 4碳酸酯膜於清潔之乾燥副結構上形成，方塊乃。副 結構典型上被清理掉表面灰塵及顆粒，於適當之非水性^ 機溶劑内清洗而去掉油脂，及於大於loot之溫度之情性氣 體流内乾燥。^需要，—旦清理時，I面可被氧化以改^ 精由本發明之液態化學配方之濕化作用。重要的是液態配 方係以明顯小於9G。（較㈣約Q。）之接觸角濕化副結構 表面。 假設液態化學配方之動黏度係、可接受，_部份液能断 方被遞送至實質上無水環境内（典型上係乾燥氮氣）之副只 構表面。參見第3圖之方塊26。如上所示，此配方以各種方 式(包含旋轉塗覆、擠塑塗覆、擠塑-旋轉塗覆及彎月'面法 覆）被遞送副結構。 土 首先考量旋轉塗覆。遞送至副結構以作為旋轉塗覆之 本紙張尺度適用中國國家標準（Q^S) M規格（2]〇χ297公楚） 1229109 A7 B7 五 、發明説明（53 ) 曰^^化：配方之體積一般係超過用以達成所欲最後固體膜 ^斤而之均句液體膜之體積。液態配方-般係以使氣泡 曰形成或不會於被遞送配方内運送之方式於副結構旋轉 中心處以緩慢流體遞送之。副結構於分配該配方 ： 靜態或緩慢旋轉。 盥 使形成結構保持於實質上無水環境内時，副結構於 2其表面呈垂直之轴上旋轉，以使副結構上之該部份之液 〜化于配方轉化成含聚碳酸_之液體膜。當聚碳酸醋㈣ 係每公斤聚碳㈣溶劑約75克之濃度之MAKR〇L〇N 2_ ，且聚碳動旨溶劑係㈣（不具共溶劑）時，副結構之旋轉 速率一般係刪至3000 rpm，典型上係至12〇〇啊。 角加速係高到足以副結構上之因液態配方之黏度觸感而差 生之含聚碳酸醋之液態化學配方之不均勾擴散，但係低至 足以於被分配之配方之周圍於副結構表面上擴展時使副社 構能適當濕化。液態配方之遞送及旋轉塗覆操作較佳係以 連續序列為之。於旋轉操作期間，大分率之聚碳 -般係被旋轉出副結構，而溶劑自液體膜之剩餘者蒸發。 於播塑塗覆中，副結構係於播塑系統内之縫隙下:大 部份固定距離物理性置放。第4圖係圖示 之截面。藉由於實質上無水環境内之副結構，當副1以 相對㈣㈣大部份呈固定之速率側向移動時’―背夜 態化學配方通過❹·㈣且^材累積於縣構上。方= 結構呈靜止時’配方分配器可移動。另外，於配方分配器 呈靜止時’副結構可移動。相對於旋轉塗覆(其間大：率： 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（2WX297公楚) 1229109 A7 ___________B7 五、發明説明（54 ) «酸㈣液-般係於旋轉操作期賴旋轉掉），很小之聚 石反酸酯溶液於擠塑塗覆操作期間被浪費掉。 液態之含聚碳酸酯之膜之厚度主要係依縫隙對副結構 之相對速率、縫隙寬度（即，縫隙對副結構之相對速率方向 之縫隙尺寸）及通過縫隙時液態化學配方之速率而定。液體 膜之特性亦依縫隙對副結構之距離、縫隙寬度及側對側之 ，流動均勾性而定。縫隙對副結構之距離典型上係大於被沈 積液體膜之（所欲）厚度，但非大到造成液態配方通過縫隙 時形成之垂直液體片材之不連續性。擠塑塗覆操作之時間 及幾何被控制，如此，⑷非常小（較佳係無）之液態配方流 ^過副結構之端部，且（b)液態膜之主導及拖矣端部處之膜 厚度不會明顯不同於液體膜主體之厚度。 虽聚奴酸酯材料由MAKROLON 2608(其濃度係液態 化學配方質量5_12%，較佳係8_9%)組成時，於擠塑塗覆物 ^况中，液恶配方之動黏度典型上係2…8〇厘斯，較佳係 30 45厘斯（於2〇 c及1大氣壓時）。缝隙對副結構之速率係 2 12笔米/秒，典型上係5毫米/米。縫隙對副結構之距離係 50-75 // m。縫隙寬度係5(M〇〇厂m，典型係〇·75以。遞送 液態配方至副結構之體積速率係縫隙寬度、縫隙長度及液 怨配方通過縫隙之速率之函數，其中液體速率係依液態配 方之黏度及擠塑設備内之液態配方上之壓力而定。對於32〇 宅米之典型縫隙長度，體積遞送速率係10-30//1/秒。 擠塑-旋轉塗覆基本上係擠塑塗覆及旋轉塗覆之結合 私t皇後先被用以於副結構上形成液態化學配方之先質 -_ ___ 尺久適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ' ' ..................裝…： (請先閲讀背面之注意事項再場寫本頁) •訂· 1229109 A7 B7 56 五、發明説明 乾燥步驟後剩餘之聚碳酸醋材料係均勾、薄的_ 微結晶之固體膜之形式 ^固體肤亦可含有其它非揮發性之 固體材料或反應產物作為小 ^ ， 馮小組伤，如丽所述者。除本發明 液悲化學配方已被提供使 促L便固肢版王不透明之添加劑（例如 ’黑色染料)時外’固體膜-般係呈透明。典型上，固μ 碳酸醋膜之厚度及厚度均勾性現被測試以決^此等來^是 否落於所欲«值内。於某些應时，乾燥及測試操作完 成聚碳酸醋膜製備方法。若高度均勾性於聚碳酸醉密度中 係必需’則進—步之膜處理以如下所述者施行。 於其它應用中，聚碳酸醋膜於高到足以降低固體膜内 之應力之溫度時退火處理。參見第3圖之方塊29。最後之聚 碳酸醋膜較佳係具有一般之不定形結構。固體聚碳酸醋膜 之退火處理可包含乾燥操作，或可於膜被乾燥後以個別摔 作施行。 聚碳酸醋材料之物理微結構於退火操作期間改變。但 是’。聚碳酸㈣料之化學性補償保持實質上相同。於膜於 乾:Μ木作終結&王透明’膜一般於退火處理期間保持透明 u火4木作典型上改良聚碳酸醋膜對副結構之黏結性及膜 =光學均句性’且減低雙折射。若副結構非較佳之平面狀 π 火處理亦此改良聚碳酸酿膜之外側表面之平面化程 度，即使，耗費膜厚度均勻性。 田+石厌酸酯材料之溫度逐漸增加，聚碳酸酯材料輕易 流動之點最後被達到。本發明之退火操作一般被施行，如 此退火期間聚碳酸酯膜達成之最大溫度係聚碳酸酯材料開

1229109 A7 ___B7_ 五、發明説明（57 ) 始輕易流動時之絕對溫度之85-95%(典型上係90%)。 MAKROLON 2608係於240°C附近（510-515K)開始輕易流 動。因此，當聚碳酸酯膜係由MAKROLON 2608產生時， 退火處理期間固態聚碳酸酯膜達成之最大溫度典型上係約 190〇C (460-465K)。 較佳係於適當爐内使聚碳酸酯膜進行退火處理，即使 於控制環境内之加熱板及其它加熱方法可被使用。當聚碳 酸S旨膜自MAKROLON 2608產生時，退火處理典型上需要 將以副結構及覆蓋之固體聚碳酸酯膜形成之結構置於低於 膜内之聚碳酸酯材料之玻璃轉移溫度之起始溫度之退火爐 内。當聚碳酸酯膜係自MAKROLON 2608(其玻璃轉移溫度 係約145°C)產生時，起始爐溫度係約100。(：。否則，爐於約 室壓時被填充氮氣。 爐溫度係以1°C /分鐘至10°C/分鐘（典型上係5°C/分鐘） 之速率自起始溫度上升至約19CTC。爐溫度保持於190°C持 續接近1小時之退火處理期。於退火處理期間，聚碳酸酯膜 達到，或實質上達到，19(TC。然後，爐溫度以-1〇。(：/分鐘 至-1°C/分鐘（典型上係-5 °C/分鐘）之速率降至低於用以產 生聚碳酸酯膜之聚碳酸酯材料之玻璃轉移溫度之最後爐溫 度。於MAKROLON 2608之情況中，最後爐溫度典型上係 1 〇〇°C。被退火處理之結構自爐移除，且使其自然冷卻至溫 室。 第5圖圖示當上升及下降速率個別為5°C /分鐘及-5°C / 分鐘時之爐溫度如何變化以作為MAKROLON 2608形成之 本纸張尺度適用中國国家標準（CNS) A4規格（2]〇><297公釐） (請先閲讀背面之注意寧項再蜞寫本頁)

1229109 A7 ---B7 " _ ~ 五、發明説明（58 ) 聚碳酸酯膜退火處理。第5圖亦例示於75之較佳溫度時之 .、i之車乂早之乾燥步驟。第5圖之例子係特別應用於其間當 水石反酸酯洛劑主要由L甲基吡咯烷酮組成時膜係藉由擠塑 液態化學配方而產生之情況。但是，第5圖之例子可應用於 其它聚碳酸酯溶劑之實施及其它型式之膜沈積技術。 當聚碳酸酯膜自非MAKROLON 2608之聚碳酸酯材料 .(諸如，共聚碳酸酯）形成時，相似於上述者之退火程度被 使用。為達此等其它聚碳酸酯材料於明顯不同於24〇艺之溫 度時開始輕易流動之程度，最大爐溫度係依據上述指示調 整。藉由此方式使固態聚碳酸酯膜進行退火處理，最後膜 之結晶度被保持最小。聚碳酸酯膜之退火產生具高均勻密 度及接近數小雙折射之各向同性之玻璃。 第6a-6d圖（統稱“第6圖，，）圖示本發明之含聚碳酸酯之 液態化學配方如何被施用至副結構然後處理而製得聚碳酸 酯膜。特別地，第3圖之方塊26及28之處理步驟係主要顯示 於第6圖内。 第6a圖之起始點係副結構3〇，其主要組份典型上係電 非絕緣材料主體32。主體32及副結構3〇典型上係由導電材 料及/或半導體材料組成。另外，主體3〇可部份或完全由電 系巴緣材料（其可以非絕緣材料塗覆）組成，或主體3〇可完全 由絕緣材料組成。黏著性促進或濕化層34選擇性地沿著主 體32之上表面配置。無論如何，副結構3〇一般係具實質上 平坦之上表面之板材形狀。 當含聚碳酸酯之液體膜以旋轉塗覆產生時，含聚碳酸 1229109 kl ____^_B7 五、發明説明（59 ) 酯之液態化學配方之一部份3 6被沈積於副結構3 〇J_， ^ 6b圖所圖示者。副結構表面32上之含聚碳酸酯之液㈣部 <八 36之濕化，如第6b圖所示，需使液體部份36之接觸角每^ 上小於90。。於遞送液態化學配方之部份36期間或其後 藉由副結構30及液體部份36形成之結構使用適當裝置旋轉 ’以使液體部份36轉化成液態配方之含聚碳酸能之液㉟膜 • 36A。參見第6c圖。藉由適當控制速率，旋磚之加速及時 期、該配方之動黏度及聚碳酸酯及其它固體材料（諸如，界 面活性劑）之濃度，液體膜36A於副結構上達成高度均勻之 厚度。

當液態化學配方之一部份藉由擠塑塗覆沈積於副結構 上時’處理序列係自第6a圖之階段跳至第6c圖之階段。項 目36A係以擠塑塗覆產生之含聚碳酸酯液體膜。當擠塑-旋 轉塗覆或彎月面塗覆被用以使液態配方之一部份沈積於副 結構上時，大致上相同者產生，但於擠塑-旋轉塗覆之情況 中，副結構30及液態膜36A之覆蓋之擠塑先質被旋轉，以 使被播塑之先質進一步平坦化，及使其轉化成液體膜3 6 A 。於第6c圖之結構中，液體膜36A具有本發明液態化學配 方之實質上所有特性。 然後’液態化學配方被處理以移除聚碳酸酯溶劑及任 何其它揮發性組份。因此，液體膜36A被轉化成固態聚碳 酸酷膜38 ’如第6d圖所示者。此轉化作用係於如上所述之 乾：及/或退火操作期間完成。聚碳酸酯膜3 8現可以所欲應 用輕易使用之。 本纸张尺度適用中國Θ家標丰（CNS) A4規格（2]〇X297公楚） 1229109 A7 ____ B7 五、發明説明（6〇 ) 實驗 本發明液態化學配方之樣品之液體膜係於大致相同之 鉻塗覆玻璃副結構之上表面·上產生。每一基材係由1〇〇公分 直控之圓形玻璃基材及藉由蒸發於基材上沈積約4〇11111厚 度之鉻覆蓋層組成。標準之混合/均化作用之技術於混合聚 碳酸酯材料及聚壤酸酯溶劑之每一例子中被使用。所有膜 厚度以Dektak膜厚度測量系統測量。 測量A—具旋轉塗覆之MAKROLON 2608及呲咬： 本發明之液態化學配方之五種不同樣品SA]^SA5以 MAKROLQN 2608聚碳酸酯及吡啶製得，以達液態配方之 約5, 6, 7, 8及9%之個別聚碳酸酯質量濃度。特別地，〇.81， 0.97, 1.13, 1.29及 1.48克之MAKROLON 2608被個別與 14.7, 14.8，14.9，14.9及14.7克之乾燥（無水）π比啶混合至配方 SA1-SA5個別以 54.8, 65.2, 75.5, 86.9及 99.7克聚碳酸酯/公 斤吡啶之穩定溶液形成之。配方SA1-SA5之動黏度個別被 測量為6.2, 8.3，10.9，14·4及19.8厘斯。配方SA1-SA5之動 黏度數據係如第1圖所示。 5-亳升部份之配方SA1-SA5個別被旋轉至5個鉻塗覆 之玻璃副結構30秒（其個別之旋轉速率係ι〇1〇，1〇2〇, 1〇5〇及1000 rpm)，以自配方SA1-SA5產生5個液體膜。5個 液體膜於1 20 C以熱板乾燥1 〇秒，以產生固態聚碳酸酯膜。 然後，乾燥之聚碳酸酯於乾燥之氮氣下於155°c退火處理15 分鐘，然後於約10托耳之真空下之155DC退火處理45分鐘。 自配方SA1-SA5產生之形成之退火處理過之固體聚碳酸酯

Tu (請先閲詻背面之：沒意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2 ]〇X297公梵） 1229109 A7 B7 62 五、發明説明（ 個別以68, 87及120克聚碳酸酯/公斤;μ曱基吡咯烷酮。配方 8(：14€3之動黏度個別被測量為13,34及75厘斯。 (請先閲im背面之>i意寧項再蟥寫本頁) 部份之配方SC3 (10%之MAKROLON 2608聚碟酸醋） 以12-14 #1/秒之體積遞送速率及2, 5及1〇毫米/秒之縫隙對 副結構之速率及達成約1.3，0.9及〇·3 " m之個別乾燥膜厚 度之目彳示擠塑塗覆於數個（多於2 〇個）鉻塗覆之玻璃副結構 上。縫隙覓度係約45 // m。縫隙對副結構之距離係自5〇 #㈤ 至1 50 // m改變之。最均勻之液體膜係於5毫米/秒之縫隙對 副結構之速率達成。 部份之配方SC1-SC3以14, 19及24// 1/秒之個別之體積 遞送速率及達成約0.9 # m之乾燥膜厚度之目標擠塑塗覆 於數個鉻塗覆之玻璃副結構上。縫隙寬度係自，出至ι〇〇 改變。縫隙對副結構之距離係自50 至75/ζηι改變之 縫卩Μ對副結構之速率係5毫米/秒。 方、5毛米/秒之縫隙對副結構速率產生之液態之含聚碳 _ 1之膜係方；60, 75及90 C乾燥5分鐘。最均勻之外觀（相對 尤方、最低之熱顯像）係於75 乾燥之膜觀察到。 乾操之聚碳酸i旨膜其後於19〇t時退火處理！小時。具 二乾膜之結構於其於丨9Q〇c時簡單地負載於退火爐。退 、/处m。束時’此等結構自退火爐移除，且自然地冷卻 :室溫。具其它乾燥膜之結構於其於10吖時被負載於退火 、:内》後’爐溫度以5°C/分鐘上升至】㈣。於】小時退 其：』、°束蚪，爐溫度以~5°C/分鐘自190t降至lOOt , 々 構自退火爐移除，且使其進一步自然地冷卻。 本紙张尺度適用中國國家標準 (CNS) A4 規格（2]〇\29?公楚） 1229109 kl ___B7 _ 五、發明説明（63 ) 實驗D—MAKR〇LON 2608、1-甲基口比口各烧酮及水清除劑 本發明液態化學配方之二不同樣品SD1及SD2被以 MAKROLON 2608、1-甲基口比咯烧酮及由乙酸酐組成之水 清除劑製得。特別地，具有約1〇%MAKROLON質量之溶液 藉由使470克之MAKROLON 2608溶於4230克之卜甲基口比 咯烷酮而形成。具有約0.5%及1.0°/。乙酸酐質量之樣品SD1 及SD2藉由使0.5及1.0克之乙酸酐個別混入99.5及99克之 MAKROLON 2608/1-曱基吼咯烷酮溶液而形成。 MAKROLON 2008/1-曱基吡咯烷酮溶液之剩餘者（其間未 添加水清除劑）被指定為基線樣品SD0。 部份之樣品S D 0 - S D 2於3 5 C加熱。另外部份之樣品 SD0-SD2於50 °C加熱。黏度以此等被加熱部份之樣品 SD0-SD2之時間之函數測量。於35°C及50°C時加熱之含有 水清除劑之樣品SD 1及SD2部份之黏度隨時間而減少，但係 以比於35 °C及50°C時個別加熱之基線樣品DS0部份之隨時 間之黏度減少速率更緩慢之速率減少（典型上係比其慢 2]0倍）。 實驗E-具擠塑塗覆之共聚碳酸酯及1-曱基吼咯坑酮 三種不同樣品SE1-SE5係以化學式5A之雙酚A/烯丙基 環己烯雙聚碳酸酯及卜曱基吡咯烷酮且藉由使丨，5及9克之 化學式5 A之雙S分A/細丙基環己:雙聚碳酸醋個別混入9 9， 95及91克之1-曱基吡咯烷酮而製得。樣品3ΕυΕ3之每一者 被檢看是否所有化學式5A之雙S分A/缚丙基環己婦雙聚碳 酸酯被溶解。對於其間化學式5 A之雙酚a/稀丙基環己烤雙 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（2]0X297公茇） --------------------_裝—— (請先閲背面之¾意事項再螭寫本頁) 訂丨 1229109 A7 B7 五、發明説明（64 聚碳酸酯未完全溶解之任何樣品SE】_SE3，樣品於35〇c加 熱24小時且再次查看是否所有化學式5A之雙酚A/烯丙基 %己烯雙聚碳酸酯現已被溶解。當化學式5A之雙酚A/烯丙 基壤己烤雙聚碳酸酯於樣品SE1-SE3内完全溶解之程度， 其係以液態配方之約1，5及10%之聚碳酸酯質量濃度構成 本發明液態化學配方之樣品。樣品SE1_SE3之動黏度被測 量。 三種不同樣品SE4-SE6以化學式5B之雙酚A/烯丙基環 己烯雙I峡酸酯及1-甲基σ比咯烷酮且以相同於樣品 SE1-SE-3之方式製備。樣品SE(SE6以相同於樣品SEu幻 之方式依序處理。使用化學式5C之雙酚以苯曱基雙聚碳酸 酯，二種不同之樣品SE7-SE9以相同於樣品sei_se3之方式 製得及處理之。使用化學式5D之雙賴第三雙聚碳酸酿， 三種不同之樣品SE10-SE12以相同於樣品SE1_SE3之方式 製得及處理之。 構成本發明液態化學配方之樣品SE1_SE3之部份接受 加速老化以確認配方之使用期及穩定性。加速老化測試$ 藉由使樣品部份於35。(：加熱’且於樣品部份持續被加熱時 ’檢測於】，2,3, 4, 5及6週時之樣品部份而施行之。構成本 發明液態se·方之樣品SE1.SE12之另外部份藉由使此等樣 品部份於5〇t加熱，且於樣品部份持續被加熱時，檢測: 1，2, 3, 4, 5, 6, 7, 14及21天時之樣品部份而接受進—步之 加速老化測試。

構成本發明液態化學配方之樣D 铋叩SE]-SE]2之另外部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公赘） (請先閲讀背面之注意寧項再填寫本頁) 訂- 1229109 A7 B7 五、發明説明（65 ) 份接受冷凍處理以評估此配方之熱力學穩定性。冷凍測試 係使樣品部份於5°C冷凍二個月而進行之。 達成完全之聚碳酸酯溶解及加速老化及冷凍處理後繼 續存在之樣品SE1-SE12之部份藉由旋轉塗覆沈積於相對 應之鉻塗覆之玻璃基材上。然後，形成之液體膜以實驗C 所述般處理，以產生相對應之退火固態聚碳酸酯膜。使用 Dektak之膜測量系統，固體膜之厚度被測量。 實驗F—具旋轉塗覆之MAKROLON 2608及1-曱基吡咯烷 酮： 本發明液態化學配方之四種不同樣品SF1-SF4以 MAKROLON 2608聚碳酸酯及1-曱基吡咯烷酮製備，以達 約2, 5, 7及9%液態化學配方之個別聚碳酸酯質量濃度。特 另，J 地，0.44, 1.04, 1.55及 2.06克之 MAKROLON 2608被 另，j 與20.6，20.6，20.6及20.5克之乾燥之1-曱基吡咯烷酮混合 ，至配方SF1-SF4個別以21.4, 50.4, 75.3及100.4克聚碳酸酯 /公斤卜曱基吡咯烷酮之穩定溶液形成為止。配方SF1-SF4 之動黏度個別測量為2.3, 4.8, 7.7及14.3厘斯。第2圖表示配 方SF1-SF4之動黏度及配方SA1-SA5(其亦具有 MAKROLON 2608作為聚碳酸酯材料，但使用呲啶（而非1-曱基吡咯烷酮）作為聚碳酸酯溶劑）之動黏度。 5毫升之配方SF1-SF5部份以750，1000，1 500及2000 rpm之個別旋轉速率個別旋轉至4個絡塗覆之玻璃副結構 60秒，以自配方SF1-SF4產生液體膜。於以實驗A所指定之 方式熱處理液體膜後，自配方SFI-SF4產生之形成之四個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]0X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂，

- ^ I 1229109 kl ~^__ B7 五、發明説明（66 ) 退火處理過之固體聚碳酸酯膜之厚度個別測量為73〇，37〇 340及31〇11111。 (請先閲讀背面之注•意事項再填寫本頁) 實驗G—MAKROLON 2608及非吡啶及1-曱基吡咯烷酮之 聚碳酸酯溶劑 本舍明液恶化學配方之21種不同樣品§ Q u G 21以 MAKROLON 2608及非吡啶及1 -曱基吡咯烷酮之聚碳酸酯 溶劑製得，以達約5%液態化學配方之聚碳酸酯質量濃度。 特別地，配方SG1-SG21之每一者係藉由使用標準之混合/ 均質化技術使0.8克之MAKROLON 2608與15.0克之21種聚 碳酸酯溶劑之不同者混合至配方SG1-SG21之每一者之穩 定溶液以53.3克聚碳酸酯/公斤聚碳酸酯溶劑形成為止而 製得。配方SG1-SG21之動黏度被測量。 配方SG卜SG2 1之21種聚碳酸酷溶劑個別為4_乙基吡 啶、2,3-二曱基吡啶、3，心二曱基吡啶、2-乙基-4-曱基吡啶 、3 -乙基-4-曱基吼啶、5-乙基-2-曱基咐·。定、2-異丙基。比啶 、2-正丙基吡啶、3-苯基吡啶、2-氟吡啶、2-氯吡啶、2-溴吡啶、4-曱氧基吡啶、1 ·曱基吡咯、2,4-二甲基吡咯、2-異丙基σ比略、1 -丙基p比嘻、1 - 丁基σ比σ各、1 _第三丁基σ比略 、1-乙基-2-吼咯烷酮及卜環己基吡咯烷酮。 5毫升之配方SG1-SG21部份以1000 rpm旋轉至21個鉻 塗覆之玻璃副結構60秒，以產生配方SG1-SG21之液體膜。 然後，21個液體膜以實驗a或C所指定者熱處理以個別產生 2 1個退火處理過之固體聚碳酸酯膜。使用Dektak膜厚度測 量系統，自配方SG ] -SG2 ]產生之2 ]個固態聚碳酸酯膜之厚 本紙張尺度適用中國S家標準（CNS) A4規格（2]0X297公釐） 1229109 A7 B7 五、發明説明（67 度被測量。 止孔洞之形成 第7圖表不糟此帶電荷顆粒之徑跡之&刻被用以於藉 由第3圖之方法製得之固體聚碳酸酿膜或層内產生小孔洞 之處理步驟之流程圖。捏跡姓刻之均勻性係於聚碳酸醋膜 具有主要係不定形（無順序）之微結構（其具釋放應力及严 小結晶度）時被顯著改良。第7圖之方㈣基本上重複第」 圖之方塊29以使固體聚碳酸雖膜之微結構轉化成主要係不 定形之釋放應力狀態。 聚碳酸醋膜及其下之副結構現接受活性之帶電荷顆 束’其係以-般係垂直於上聚碳酸醋表面之方向撞擊該膜 W。帶電荷之顆粒具有足夠能量通過聚碳酸醋膜且於 版上之任意位置處形成直徑跡。參見方塊64。帶電荷顆粒 之控跡構成沿著顆粒路捏之受損之聚碳酸赌區域。更特別 地It一帶電荷之顆粒經跡係由高度受損芯（其係以過渡至 未受損之聚碳酸醋材料之較低受損區域圍繞）組成。每 電荷顆粒徑跡之高度受損之聚碳酸sl芯典型上係M0 :直徑’且由裂解聚她分子組成’其包含固態 產物。 帶電荷顆粒之徑跡係以實質上彼此平行而伸展之。雖 跡ur顆粒之㈣係任意配置於聚碟酸齡捏跡（或形成 ) 從跡具清淅之平均間隔。對於kn〕之平特 跡間隔，徑跡密度係約1〇8徑跡/公分2。 二 形成明確校準之離子束之帶電荷顆粒之加速器被用以 3 粒 膜 俄 Ψ nm -------------------_裝：·： (請先閱讀背面之注•意寧碩再構寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)機格（2]c)x297公 !229l〇9 Λ7 --~——_ 57 _ 五、發明説明（68 ) 形成帶電荷顆粒之徑跡。離子束於聚碳酸酯膜上均勻掃描 。可電荷顆粒物種一般係以〇·2至2〇 MeV之能量離子化 1(Ar )至U(Ar】】+)次之氬。較佳者，帶電荷顆粒之物種係2

MeV蚪之Al 、Ar】G或Ar+】】。帶電荷顆粒之物種可另外於 宁為四倍雄子化之氙（Xe4+)。帶電荷顆粒之徑跡亦 可自被枚準之核$容合顆粒源（其係自，例如，⑸也如麵 252製得）蓋生。 改良聚碳酸酯徑跡膜上表面之濕化特性之操作一般係 於此時施行。參見方塊66。特別地，聚碳酸酯膜之沿其上 表面之化學性質被改變，如此，濕化特性沿整個上聚碳酸 a曰表面係貝貪上均句。此促進其後沿帶電荷顆粒徑跡之蝕 刻，以經經跡膜形成小孔洞，且藉此形成更均句之小孔洞 〇 改良濕化知·性之操作典型上係使聚碳酸酯膜接受等離 子以沿其上表面移除選定厚度之膜而施行之。等離子較佳 係方、1 00 W附近動力之氧等離子。藉由此膜及位於6〇艺板 上之其下結構，此膜較佳係接受氧等離子20秒，以移除約 30 nm之聚碳酸酯材料。 改良水故8义g曰彳災跡膜之化學性質之操作亦可於徑跡膜 上施行以助於降低用以沿帶電荷顆粒徑跡經該膜產生小孔 洞所而日寸間。典型上，此操作需要使該膜曝露於紫外線。 另外，此膜可被曝露於臭氧。 現沿帶電荷顆粒經跡施行姓刻以經聚碳酸醋徑跡膜產 生直的平行小礼洞，如方塊68所示者。特別地，形成經跡 本紙張尺度適用中_家標準（CNS) A4規格（2]〇χ297公幻 1229109 A7 ^—________B7 五、發明說^^一) 一· --- (請先閲面之：夺意寧項再填寫本頁) 之叉損之聚碳酸酯材料藉由使該膜與適當化學蝕刻劑(典 型上係氫氧化鉀溶液，其係以更甚於未受損之聚碳酸醋材 料者攻擊受損之聚石炭酸雖材料）接觸而移除。當聚石炭酸醋材 枓係由其間主要重複單元Al係雙齡A碳酸醋重複.單元且另 外之重複單元Ap係具比雙齡八碳酸醋重複單元更低之最小 均裂鍵裂解能之碳酸醋重複單元之共聚碳酸醋組成時，姓 刻劑對攻擊受損聚碳酸酯材料之選擇性係大於若聚碳酸酯 材科僅由雙紛A均聚碳酸醋組成時產生者。姓刻劑較佳係 不會明顯攻擊位於聚碳酸酯膜下之副結構。 。聚碳酸醋姓刻期間，姓刻劑一般係於高升。作為姓刻 之-部份’於聚石炭酸醋膜接受名虫刻劑前，聚碳酸醋膜（ 包含其下之副結構）較佳係上升至與姑刻劑約相同之溫度 。此被為之以避免熱衝擊，避免姓刻劑溫度之改冑，及提 供對與溫度有關之姓刻速率之較佳控制。當氯氧化钟溶液 被用以沿帶電荷顆粒徑跡蚀刻受損材料時，钮刻劑/聚碳酸 酉旨之溫度典型上係35〇c。 帶電荷顆粒徑跡之高度受損之聚碳酸酯芯（典型上係 加之直彳工）於姓刻期間被快速移除，—般係無明顯地 /I暴路之未叉彳貝之聚碳酸酯材料，特別是當聚碳酸酯材 料由含有上述型式之共聚碳酸酯之雙酚A組成時。高度受 損^聚石㈣酿芯對未受損之聚碳酸酷材料之姓刻速率選擇 非常高，典型上係1〇,〇〇cubl之等級。蝕刻於圍繞高度 叉扣芯部之較少受損之聚碳酸酯區域内持續，且典型上係 ㈣交少受損區域進入周圍之未受損聚碳酸酯材料，側蝕刻 本“^- 1229109 hi B7 五、發明説明（70 速卞i逐漸降至未受損聚碳酸0旨材料者。沿帶電荷顆粒巧 跡經聚碳酸酿膜形成之小孔洞一般達⑴·〇_之平均I 徑，較佳係0·ΐ-0.3//ηι，典型係〇 12-〇 16_。 /亦層上表面之某些聚碳酸酯材料於蝕刻處理期間 被私除4寸別疋於較少雙損及未受損之聚碳酸醋材料餘刻 期間。因此，聚碳酸8旨膜之厚度被降低，典型上係以010.3 // miv低。-般’為達所欲之最後徑跡層厚度，等離子操 作後之仅跡艇厚度需以經該膜之小孔洞所欲 超過最後徑跡膜厚度。例如，疆之後等離子聚碳酸醋 從跡膑厚度係用以達成具·㈣小孔洞之彻随最後徑跡 膜厚度所必需者。 用以沿帶電荷顆粒經跡形成小孔洞之整個聚碳酸醋蝕 刻nw刻劑施行。另外，較少受損之聚碳酸醋 區域及圍繞該較少受損區域之未受損聚碳酸醋材料之姓刻 可以不同於用以移除帶電荷顆粒徑跡之高度受損芯所用者 之蚀㈣施行。姓刻係於側方向（即，垂直於帶電荷顆粒徑 跡）以貫質上均句方式發生。因此’經聚碳酸a旨膜之最後直 的平=小孔㈣個別位於帶電荷顆粒徑跡位置處之中心。 弟8a及8b圖（統稱“第8圖’’）圖示帶電荷顆粒徑跡之形 成及钮刻，其係於一點處自第&圖結構起始，依序為乾燥 操作及使固態聚碳酸醋膜或層材38轉化成大致上係益順序 之微結構。於第8a圖中，帶電荷之顆粒7〇垂直衝擊於聚石炭 酸㈣38’以形成經膜38之帶電荷顆粒徑跡乃。第關例 示用以產生經層38之相對應小孔洞74之沿帶電荷顆粒徑跡 7Τ 本紙m尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（2]〇χ撕公幻 1229109 五、發明説明（7] 72之聚碳酸醋钱刻。第8b圖中之項目38a係聚碳酸醋月請 之降低厚度之剩餘者。 發射器之絮隻乍 方、典型應用中’控跡孔洞74被用於界定用以產生電子 發射裝置（其係適於，例如，作為平板型陰極射線管）内之 電子發射元件之位置。孔洞74可以各種不同方式用以產生 電子發射元件。例如’參見美國專利帛5鄭9及 5,564,959號案’其等之内容在此被併人以供參考。 電子發射元件可直接於孔润74内形成，藉此，聚碳酸 醋層38A作為於閘電子發射器内呈介電性之内電極。另外 ’孔洞74可被用以界定閉式電子發射器之基本問電子層内 之開口。第〜__為“第9圖”)例示其後製備方法之例 子之部份步驟。 第9圖方法中之副結構3〇係由基⑽、較低電非絕緣發 =器區域82'電絕緣層84及電非絕緣閘電極層％組成，如 第9a圖所示。基材8〇係以電絕緣材料形成，其至少沿其上 表面雖’、、' 未方、第9a 月白地描述’較低非絕緣發射器區 域92較佳係由較低導電層（典型上係金屬）及上電阻層組成 4少該較低導f層典型上被形成—組平行發射器、電極線 之圖案’其被稱為橫列電極。當發射器區⑽以此方式建 構=，最後之場發射結構係特別適於選擇性地激發平板顯 示裔'之石粦。然而，區域8 2 7 LV f t τ η η + 、 ^ 了以其匕不同圖案排列，或甚至 為不具圖案者。 依諸如電子發射元件所欲形狀（例如，錐形或長絲狀） 本紙張尺度適用中國國家鮮（⑽）M规格（2]〇><297公 (請先閲讀背面之注意事項再構寫本頁) .訂| 五、發明説明（72 ) 之考量而定，其可能雲 介電層84相對應於控跡層似内=有提供内電極 材科範圍係從⑷可= 作為介電相之候選 顆粒適當攻擊時，易 电η緣體-即’當以帶電荷 可獲得具高的受損材料對未受㈣顆粒徑跡-及 者’至⑻電絕緣體，且俜實質上不_刻選擇率之钱刻劑 輕易獲得提供高的受損：二上:： 刻劑者。例如，於此一情況中， 、擇… 化學蒸氣沈積術^# j θ ^上係由藉由 較可形成徑跡，並传難以成。雖然氧化石夕係相對 平行之直孔洞何顆粒徑跡經氧化石夕姓刻 若需要（或期望）提供内電極介電層84此等徑跡時 二層84典型上仙電絕緣體（諸如，聚碳_，其係可形成 ㈣且可獲得具高的受損材料對未受損材料之姓刻選擇率 之钱刻d者）形成。第9aKI描述此情況。然後，於聚碳酸酯 控跡膜38(現係徑跡膜38A)產生徑跡72之帶電荷顆粒亦產 生經絕緣層84之相對應帶電荷顆粒徑跡88。每—帶電荷顆 粒徑跡88係於具相對應帶電荷顆粒徑㈣之直線，:此現 係位於相對應孔洞74上之中央處。 問電極層86典型上係由諸如絡或组之金屬組成。閘層 86可被形成一組問線之圖案’其係以垂直於較低非絕緣區 域82之發射益橫列電極行進。然後，閘線作為直列電極。 藉由施用至閉内極86之適當圖案，場發射器可另外被供以 1229109

發明説明 個別之直列電極，i技 麻尸 4觸料1祕且垂直於橫列電極 擴展之。此閉圖案及(當被包含時)直列 "圖所示階段前或於製備方法之其後點為之。弟 ::型之用以使間層86形成圖案及提供個別直列電極 =料中’下列步驟係於f9a圖所示階段前施行。直列電 °之“覆盍層（諸如，路或鎳）被沈積於内電極介電層84 上。直列電極金屬典型 積至15_25()_厚度之鎳。使 ^田之"阻罩’直列電極金屬形成側向分隔之平行直列 電=案。於直列電極金屬形成圖案中，開口亦於用以接 觸介電層84之閘部份之所欲位置處經直列電極形成。 其次’閘金屬覆蓋層被沈積於結構上，包含於直列恭 極内之開e内。閘金屬典型上係沈積謂,_厚度之: 。使用適當之光罩，閘金屬被形成圖案以產閘電極層％。 此步驟期間移除之閘金屬包含相對應於用以界定直列電極 之外端緣而移除之直列金屬部份。然後，聚碳酸醋徑跡層 3 8内之孔洞7 4使用如上所述之帶f荷顆粒徑跡形成/姓刻 程序以產生第9a圖之結構而形成。 使用聚碳酸酯徑跡層38A作為蝕刻罩，閘電極層％經 孔洞74蝕刻以形成相對應之經閘電極％之開口 9〇。第外圖 描述此時之結構。項目86A係閘層86之剩餘者。每一閘開 口 90係於徑跡層38A内之具相對應孔洞74之直線内。為了 其間蝕刻係各向異性地施行之例示情況，每一閘開口 9〇係 約相同於相對應孔洞74之尺寸。閘層蝕刻典型上係以高密 度荨離子施行之。 本纸张尺度適用中國®家標準（CNS) A4規格（2]〇><297公凳） 1229109 A7 ---—-_ 五、發明説明（74 ) 聚碳酸醋層38A係於方法中之某一時間點移除。移除 層j8A之取*日可間點係依㈣電極86A如可被使用及處理而 疋。第9c圖例不其間經跡層3 8A於形成閘開口 9〇後直接移 除之典型情況。 第9c圖之結構可被用以形成各種形狀之電子發射元件 。第l〇a-l〇C圖（統稱“第1〇圖，，）例示長絲狀電子發射元件如 何自第9c圖結構產生。第Ua]lc圖（統稱“第u圖呈現其 間第9c圖之結構被用以產生錐狀電子發射元件之例子。下 列内容呈現依據第l〇&u圖之另外步驟產生長絲狀及錐狀 電子發射元件之步驟之簡要描述。另外之資訊係於如上引 述之美國專利第5,559,389及5,564,959號案中。 蒼考第10圖之處理步驟，蝕刻作用係沿帶電荷顆粒徑 跡88施行’以產生經内電極介電層84之孔洞％。孔洞”之 平均直控係相當低於經徑跡層3 8 A之孔洞74之平均直徑。 當絕緣層84由聚碳酸酯材料組成時，孔洞92可依據用以產 生孔洞74之相同程序產生，但聚碳酸酯之蝕刻係施行較短 時期。參見第l〇a圖，其間項目84 A係絕緣層84之剩餘者。 電非絕緣發射器長絲材料（典型上係金屬）被電化學沈 積於孔洞92 ’以形成相對應之電子發射長絲94，其接觸較 低之非絕緣區域82，如第1 〇b圖所示。使用具圖案之閘電極 層86A作為蝕刻罩，絕緣徑跡層84A之被曝露部份被蝕刻以 形成凹穴，其係個別圍繞電子發射長絲94。參見第i〇c圖。 長絲94之上端部被電沈積及尖銳化以製得尖狀之電子發射 元件94 A。 本紙張尺度適用中’國國冢標準（CNS)人4規格（210X297公釐） 1229109 A7 ______B7_ 五、發明説明（75 ) ---------------------ΦΨ:: (請先閲讀背面之注^事項再填寫本頁) 最後，閘電極86A之端部可藉由施行電拋光步驟而變 圓。第10c圖描述其間電拋光步驟於閘電極86a上施行之情 況之形成結構。項目84B及86B係第10c圖結構内之聚碳酸 西旨徑跡層84A及具圖案之閘電極86A之個別剩餘者。 於第π圖之進一步處理步驟中，具圖案之閘電極86a 被作為蝕刻經閘開口 9〇曝露之絕緣層84部份以形成相對應 W黾開口空間（或凹穴）1 00之餘刻罩，如第i丨a圖所示。姓 刻典型上係由等離子蝕刻步驟及其後之化學蝕刻步驟組成 。每一介電開口空間100向下伸展至較低非絕緣區域82，且 與相對應之閘開口呈垂直排列。第i ia圖之項目84c係内電 極絕緣層84之剩餘者。 -口 削去層102係藉由以低角度（典型上相對於閘層％A上 表面係接近15-30。）蒸發沈積適當之削去層材料（諸如，鋁） 而於閘層86A上形成。參見llb，電非絕緣發射器錐體材料 (典型上係諸如鉬之金屬）係被蒸發沈積於削去層ι 〇2之上 且經由閘開口 90進入介電開口空間1〇〇。錐體材料沈積典型 上約垂直於閘層86A之上表面施行之。 當發射器錐體材料累積於削去層i 〇2上時，錐體材料藉 以進入介電開口空間】〇〇之開口逐漸關閉。錐體材料沈積係 施行足以達完全關閉之長時間。藉此，錐體材料形成個= 於介電開口空間100内之錐形電子發射元件1〇4A。錐形材 料之連績層〗04B同時累積於如第^ 圖所示結構上。 削去層蝕刻被施行（典型上係以化學蝕刻劑為之），以 牙夕除削去層102及覆蓋之錐形材料層]〇4B。閘電極86八之妗 不紙也尺度適用中國國家料（CNS) A4規格（2歌297公楚） 1229109 A7 ~--~-—_ B7 五、發明説明（76 ) ' _ --~ l光以使閘端部變圓。第i丨c圖顯示其間電拋光步 =破，仃之情況之形成結構。項目86C係閘電極86A之剩餘 (請先閱讀If面之注*意寧項再填寫本頁) 每錐开y电子發射元件104A係約於相對應介電開口空 間1 〇 〇内之中央且接近相對應之閑開口 9 G伸展，較佳係伸入 相對應開口 90之中心。 削去層102之形成可自發射器製備方法刪除。於此情況 中錐形材料層1〇4Β典型上以電化學方式移除。以電化學 方式移除層104B且不會明顯損及電子發射元件1〇4A之技 術仏祸述於美國專利第5,766,446及5,893,967號案。 弟12圖描述使用依據本發明製得之區域場發射器（諸 如，第10c或lie圖者）之平板cRT顯示器之芯活性區域之典 垔例子。基材80形成CRT顯示器之底板。較低之非絕緣區 域82係沿底板8〇之内表面置放，且係由導電層82a及覆蓋 之電阻層82B組成。 直列電極110(其係以垂直與第12圖之板伸展）係位於 4伤之閘層86B或86C之下。一直列電極}丨〇係於第12圖中 描述。直列電極之孔洞112(其一係於第1 2圖中顯示）係經直 列電極11 0伸展。每一直列電極孔洞丨丨2曝露出數個電子發 射元件94A或104A。 透明（典型上係玻璃）之面板114被置放於底板80之相 對面。發射光線之磷區域Π 6(其一係於第12圖顯示）係配置 於面板Π 4之内表面，其係直接位於相對應直列電極孔洞 Π 2之對面。薄的光反射層η 8(典型上係鋁）係沿面板〗14之 内表面覆蓋磷區域]]6。藉由電子發射元件94Α或1 04Α發射 本紙张尺度適用中國g家標準（CNS) A4規格（210X297公發） 1229109 A7 ------- B7 五、發明綱（78 j ~~~' -- 方式。因方向用辭被用於方便描述，本發明包含其間位向 不同於此間所用之方向用辭所涵蓋者之實施。 口種不同之电子發射元件及帶電荷徑跡（或徑跡區段） 具縱軸（未示出）。每一電子發射元件-般係以其縱軸呈對 ，。有關_劑沿帶電荷顆粒徑跡經徑跡層施行之指示係 思指被移除之物料佔據含有徑跡層内之徑跡縱轴之至少部 份之體積。 雖然本發明已參考特殊實施例描述，此等描述僅係例 、月之用且不被角午釋為限制如下申請專利範圍界定之 本發明範圍。例如，第3及6圖之處理流程可以各種不同方 式改良。替代依據前述之旋轉、擠塑、擠塑_旋轉及彎月面 之塗覆技術之任意者形成液體膜36A，膜36A可藉由使副結 構30浸潰於用以形成該液體膜之液態化學配方内而產生。 另外，朕36A可藉由噴灑、藉由使用手術刀或相似裝置使 液體展開、藉由篩網印刷、藉由直接注射、藉由等離子喷 灑、藉由光輔助噴灑或藉由層合於乾燥膜上而產生。 一般適用於本發明之液態化學配方之某些聚碳酸酯溶 劑於配方儲存期間氧化至不可接受之程度，因此，降低配 方之有用儲存壽命。卜甲基吡咯烷酮係此一可氧化之聚碳 酸酯溶劑。氧化作用典型上係由於當配方被曝露於氧或反 應性金屬表面時形成自由基而產生。 女定劑-例如，4-第三丁基兒茶酚·可被用於本發明之 含聚碳酸酯之液態化學配方，以抑制聚碳酸酯溶劑之氧化 。安疋劑典型上係藉由與自由基之優先作用而形成安定之 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2]〇Χ297公楚） --------------------，裝…： (請先閲^^面之沐意寧項再填寫本頁) •訂·丨.

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發明説明（79 不具反應性之產物而摔作 並刑… “乍之女疋劑係以低濃度使用之， 典型上係少於配方質量之〇〇〇 此，構成配方之微量組份。（母百4之⑽份數），因 以二=、!：:方内之聚碳_，如上所述者，可 3 / ☆解錢酸酯之液體形成。除以個別選籣， 妓口 ’上述作為主要溶劑及共溶劑之候選者之主要溶劑及 f容^卜’二或更多種之溶解聚碳_之液體可選自作為 人要“彳：候遙者。例如’ €己酮可與甲基吡咯烷酮混 K使用時’共溶劑可相似地以二或更多種不同之溶解聚 2仏夜請作為主要溶劑之候選者）形成。具有數種 制 -了破用以改良擠塑塗覆應用或 ‘備大面積之聚碳酸6旨膜時之形成聚碳酸㈣之性質。 +於具有二種作為主要溶劑之候選者之配方中，每一溶 刻候選者之溶劑混合百分率可從少於配方質量之以至多 於配方質量之99%改變之。例如，二溶劑之配方可含… 伤口比σ疋及2份之1 -曱基。比略烧g同。 二或更多種聚碳酸S旨可相似地被用以形成本發明液態 子配方内之水石厌酸酯材料。此包含具相同碳酸酯重複單 凡但具有_不同之乾燥分子量之均聚碳酸[共聚碳酸酿 及均XK奴8义Ss之重複單元之混合，及具相同碳酸酯重複單 兀但不同排列及/或數目之碳酸酯重複單元之共聚碳酸酯。 若較低之非絕緣區域82係具足以支持該結構之厚度之 連續層，基材80可被刪除。絕緣層8〇可以其間薄絕緣層覆 1相對較厚之非絕緣層（其供給結構支持）之複合基材取代 本紙張尺度相巾丨_緖準（CNS) A4规格（210X297公釐） 1229109 A7 ----~________ B7____ 五、發明説明（80 ) 〇 依據本發明製得之電子發射器可被用以製備非平板 CRT顯示器之平板裝置。因此，各種改良及應用可由熟習 此項技藝者在未偏離所附申請專利範圍所界定之本發明之 真正範圍及精神下為之。 (請先閲ίιιί面之注意寧項再塡寫本頁；> •裝丨 .訂，

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公贫） 1229109 30···副結構 84B，4C···内電極介電層 32···電非絕緣材料主體· 86···電非絕緣閘電極層 34…黏著性促進或濕化層 86A…閘電極 3 6…含聚碳酸酯之液態化學 86B···閘電極 配方之一部份 86C···閘電極86B之剩餘者 36A···含聚碳酸酯之液體膜 88…帶電荷顆粒徑跡 38···固態聚碳酸酯膜 90···開口 38A···聚碳酸酯層 92···較低非絕緣發射器區域 40···絕緣基材 94…電子發射長絲 42…絕緣區域 94A···尖狀之電子發射元件 70···帶電荷之顆粒 100…介電開口空間（或凹穴) 72···帶電荷顆粒徑跡 102···削去層 74···相對應小孔洞 104A···錐形電子發射元件 80···基材 104B···錐形材料之連續層 82…較低電非絕緣發射器區域 110…直列電極 82A…導電層 112···直列電極之孔洞 82B···電阻層 114…透明面板 84···電絕緣層 116…發射光線之磷區域 84A···絕緣徑跡層 118…光反射層 A7 B7 五、發明説明（81 ) 元件符號對照 本紙张尺度適用中國囡家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之这意寧項再塡寫本頁)

Claims (1)

1229109 - DO -料分月日修正^充 Μ 六、申請專利範圍 第89122748號專利再審查案申請專利範圍修正本 修正日期：九十三年八月 1· 一種含聚碳酸酯之液態化學配方，其包含： 聚碳酸酯材料，其包含其間至少一碳酸酯重複單元 具有自由基穩定化作用之共聚碳酸酯；及 一液體’其能使該聚碳酸酯材料於2〇〇c及1大氣壓 . 下’溶解成濃度為該液態配方之質量之至少1 %，該聚 碳酸酯材料被溶於該液體中。 2· —種含聚碳酸酯之液態化學配方，其包含： 聚碳酸g旨材料； —液體’其能使該聚碳酸酯材料於20°C及1大氣壓 下’溶解成濃度為該液態配方之質量之至少1 %，該聚 碳酸酯材料被溶於該液體中；及 一水清除劑； 其中，聚碳酸酯材料内之至少一個碳酸酯重複單元· 具自由基穩定化作用。 3·如申請專利範圍第2項之液態配方，其中該聚碳酸酯材 料包含共聚碳酸酯。 經濟部智慧財產局員工诮貸合作社印# 4.如申請專利範圍第2項之液態配方，其中該聚碳酸酯材 料内之至少一個碳酸酯重複單元具自由基穩定化作用。 5· —種含聚碳酸酯之液態化學配方，其包含： 聚碳酸酯材料，其包含共聚碳^酸酯·；及 一液體，其包含由吡啶、環取代之吡啶衍生物、吡 咯、環取代之吡咯衍生物、吡咯烷、吡咯烷衍生物及環 本纸張尺度適周中舀1冢標丰（CMS)A4規格（2.10 X 2S7公发） 1229109 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 己酮之至少一者所組成之主要溶劑，該聚碳酸酯材料被 溶於該液體中； 其中’聚碳酸S旨材料内之至少一個碳酸酯重複單元 具自由基穩定化作用。 6.如申請專利範圍第5項之液態配方，其中該吡啶及該吡 啶衍生物皆可以下述表示： R.

.//

—R-, 其中：N係氮； C係碳；且 每一 Rj係單價共價取代基，j係由1變化至5之整 數。 7·如申請專利範圍第5項之液態配方，其中該吡咯及該吡 咯衍生物皆可以下述表示： (請先M3背面之注急事項㉟填寫本頁) :裝 ' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印以 其中

:N係氮原子； C係碳原子；且 本纸法尺度迖吊令家棕芈（CNS)A4現格（2]0 X 297公复） 1229109

六、申請專利範圍 母一Rj係單價共價取代基，j係由1變化至5之整 數。 8·如申租專利範圍第6或7項之液態配方，其中之至 乂 一相鄰者形成融合環或融合環之衍生物。 9.如申請專利範圍第5項之液態配方，其中該対烧及吼 ϋ各烧之衍生物一般可以下述表示：

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中：Ν係氮原子； C係碳原子； 母 士係單價共價取代基，j係由1變化至9之整 數，任何碳原子上之Rrh之任意對，係以雙鍵共價鍵 結至该奴原子之單一雙價取代基取代，或/及一相鄰對 石反原子上之RrR9之最高達一對，係以該對碳原子間之 共價鍵取代，俾於其間產生雙共價鍵，或/及心及仏係 以该氮原子及結合至R2之碳原子間之共價鍵取代，俾於 其間產生雙共價鍵。 10·如申請專利範圍第6、7及9項中任一項之液態配方，其 中每一 Rj係氫原子、氚原子、烴基基團、經取代的烴基 基團、乙酿基基團、羧基醛基基團、鹵素原子或假-鹵 素取代基。 —__ — - 87 - _ 不.¾¾尺度迓周中舀舀家棕芊（CNS)A4規格（210 X 297公.¾ )

1229109 A8 B8 C8 D8 經秃部智荖財產局員工消費合作社印¥ 六、申請專利範圍 1].如申請專利範圍第5項之液態配方，其中該液體主要由 1-曱基呲咯烷酮組成。 12. 如申請專利範圍第5項之液態配方，其進一步包含不同 灰該主要〉谷劑之非氣基苯共溶劑，用以改質該液態配方 之至少一性質。 13. 如申咕專利範圍第12項之液態配方，其中該共溶劑產生 . 下述之至少一者之變化··（a)該液體之沸點，（b)該液態 配方之黏度’⑷自該液體配方產生之液體膜之黏稠時 間，⑷該液體膜之水平度，及⑷自該液體膜產生之固 態膜之可燃性。 K如申請專利範圍第5項之液態配方，其中該共聚碳酸醋 内之至少一個碳酸酯重複單元具自由基穩定化作用。 15.如申請專利範圍第1、3、5-7、項中任一項之 夜〜配方，其中s玄共聚碳酸醋包含共聚碳酸醋分子，每 一者包含.· 一主要碳酸酯組份，其係由一主要碳酸酯重複單元 之重複而形成；及 另外之碳酸醋組份，其係由至少一不同於該主要 複單元之另外之碳酸酯重複單元之重複而形成，每一 ^外之重複單元低於該主要重複單元之最小均裂鍵裂 解能，如此，每一另外之重複單元比該主要重複單元更 易於進行去羧化作用。 7申。月專利&圍第15項之液態配方，其中該等主要碳酸 6曰、、且仏一起構成多於該共聚碳酸酯質量之50%。 (请先Μ技背δ之注意事項巧填寫本頁) -裝 .線k 1229109 A8 B8 C8

肀請專利範圍 士申#專利範圍第丨6項之液態配方，其中該等主要碳越 酿組份一起構成該聚碳酸酯質量之至少80%。 18·如申着專利範圍第1 6項之液態配方，其中該每一共聚赛 I陥刀子之主要重複單元，構成雙酚A碳酸酯重複單天 〇 19. ^請專利範圍第16項之液態配方，其中每一共聚碟越 面曰刀子之每一另外之重複單元，構成選自烯丙基環己词 、笨曱基及三級碳酸酯重複單元之一者。 2〇·如申請專利範圍第1、3、5-7、9及；Π]4項中任一項之 液心配方其中4共聚碳酸g旨具如下所示之共聚碳酸裝 芯： (-A】 —.·，Αρ>)η 其中：Ρ係複數整數； 每一 Ai係不同的雙價碳酸酷重複單元，1係從卜變 化至P之整數，且 η係複數指示值，其係指示每_碳酸g旨重複單元 Ai於該共聚碳酸酯芯内發生之複數次數。 21. 如申請專利範圍第i、3、5_7、…⑷項中任一項之 經濟部智慧財產扃員工消賢合作社印^ 液態配方’其中該共聚碳酸酯構成該聚碳酸酯材科 之至少5%。 22. 如申請專利範圍第卜3、5_7、9及】項中任一項之 液態配方’其中該共聚碳酸賴成多於該聚碳酸醋= 質量之50%。 23. —種含聚碳酸酯之液態化學配方，其包含· 本纸味尺度沾甬令舀1家棕準（CNS)/\4規格（210 1229109 A8 B8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消賣合作社印製 申請專利範圍 聚碳酸i旨材料；及 液體’其包含（a)由σ比咬、環取代之。比唆衍生物 、吡咯、環取代之吡咯衍生物、吡咯烷、吡咯烷衍生物 及環己S同中之至少一者組成之主要溶劍，及（b)不同於 该主要溶劑之非氯基苯共溶劑，用以改質該液態配方之 至少一性質’該聚碳酸酯材料被溶於該液體中； 其中’聚碳酸酯材料内之至少一個破酸酯重複單元 具自由基穩定化作用。 24·如申請專利範圍第23項之液態配方，其中該共溶劑產生 下述之至少一者之變化：（a)該液體之沸點，（b)該液態 配方之黏度，（c)自該液體配方產生之液體膜之黏稠時 間，（d)該液體膜之水平度，及（e)自該液體膜產生之固 ‘態膜之可燃性。 25·如申請專利範圍第23項之液態配方，其中該共溶劑係以 比該主要溶劑更低之質量分率存在於該液體内。 26·如申請專利範圍第23項之液態配方，其中該共溶劑包含 曱氧基苯、乳酸乙酯、環戊酮、均三甲苯及乙酸己酯之 至少一者。 27·如申請專利範圍第23項之液態配方，其中該聚碳酸酯材 料内之至少一碳酸酯重複單元具自由基穩定化作用。 28· —種含聚碳酸酯之液態化學配方，包含： 聚碳酸酯材料； 一液體，其包含吡啶、環取代之吡啶衍生物、吡咯 、環取代之吡咯衍生物、吡咯烷、吡咯烷衍生物、氯苯 本纸張尺度過同中舀舀家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公.¾ ) (tiTLKltJ背®之注意事項寫本頁) r»裝 •線， 911 1229109 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 及環己酮之至少一者，該聚碳酸酯材料被溶於該液體中 •，及 I 一水清除劑； 其中，聚碳酸酯材料内之至少一個碳酸酯重複單元 具自由基穩定化作用。 29·如申請專利範圍第卜7、9、u — 14及23·28項中任一項之 液怨配方’其中該聚碳酸酯材料係以比任何其它存在於 該液體内之組份更高之質量分率存在於該液體内。 30.如申請專利範圍第、9、u_14及23_28項中任一項之 液悲配方’其中該液體能使該聚碳酸醋材料在2〇。(^及1 大氣塵下’溶解成濃度為該液態配方之質量之至少5 % 31·如申請專利範圍第1-7、9、11-14及2348項中任一項之 液態配方，其具有不多於該液態配方質量之1%之水。 32·如申請專利範圍第1·7、9、11-14及23-28項中任一項之 液態配方，其具有不多於該液態配方之質量之〇.1%之 水。 33.如申請專利範圍第1-7、9、1卜14及23-28項中任一項之 液態配方，其中該液體於1大氣壓下，具有至少80°C之 沸點。 34·如申請專利範圍第1-7、9、11-14及23-28項中任一項之 液態配方，其中該液體具有酸解離常數於2(TC及1大氣 壓下，大於1(TS之質子化形式。 35. —種製造聚碳酸酯層之方法，其包含下述步驟·· - 91 -____ (请.元M«背νσσ之注音V事項再填寫本頁) 裝 J^T. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1229109 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 提供一液態化學配方，其中包含共聚碳酸酯之聚石炭 酸酯材料被溶於一液體内，該液體能使該聚碳酸酯材料 於20°C及1大氣壓下，溶解成濃度為該液態配方之質量 之至少1%，該共聚碳酸酯内之至少一個碳酸酯重複單 元具自由基穩定化作用； 於一副結構上形成該液態配方之液體膜；及 . 處理該液體膜以大量移除該液體，且使該液體膜轉 化成固態，大部份為聚碳酸酯膜。 36· —種製造聚碳酸酯層之方法，其包含下述步驟： 提供一液態化學配方，其中包含共聚碳酸酯之聚碳 酸酯材料被溶於一液體内，該液體包含由吡啶、環取代 之吡啶衍生物、吡咯、環取代之吡咯衍生物、吡咯烷、 口比p各烧衍生物及環己酮之至少一者組成之主要溶劑； 於一副結構上形成該液態配方之液體膜；及 處理泫液體膜以大量移除該液體，且使.該液體膜 轉化成固態’大部分為聚碳酸酯膜。 37.如申請專利範圍第36項之方法，其中該液體進一步包含 經濟部智慧財產局員工消賣合作社印說 一不同於該主要溶劑之非氣基苯共溶劑，用以改質該液 態配方之至少一性質。 38· —種製造聚碳酸酯層之方法，其包含下述步驟： 提七、/夜H學g己方’其中包含共聚碳酸_之聚石炭 酸SI材料被溶於-液體内，該液體包^卜定、環取代之 咐咬衍生物、^各、環取代之t錢生物”比略烧、。比 咯烷衍生物、氯苯及環己_之至少一者； !2291〇9 Λδ • Β8 C3

六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消賢合作社印Α·!κ 於一副結構上形成該液態配方之液體膜； 處理該液體膜以大量移除該液體，且使該液體膜轉 化成固怨’大部分為聚碳酸酯膜； 使帶電荷顆粒通入該固態膜内，以形成至少經其途 中之數帶電荷顆粒徑跡；及 藉由需沿該帶電荷顆粒徑跡#刻該固態膜之程序 ’於經該固態膜之至少中途產生相對應之孔洞。 39·如申明專利範圍第3 5-3 8項中任一項之方法，其中該共 聚碳酸_構成該聚碳酸酯材料之質量之至少5%。 4〇·如申請專利範圍第35-38項中任一項之方法，其中該共 小石反8义構成該聚碳酸g旨材料之質量之至少$。 41. 如申凊專利範圍第35-38項中任一項之方法，其中該共 聚碳酸酯包含共聚碳酸酯分子，每一者包含： 一主要碳酸酯組份，其係以一主要碳酸酯重複單元 之重複而形成；及 一另外之碳酸酯組份，其係以至少一不同於該主要 重複單元之另外之碳酸酯重複單元之重複而形成，每一 另外之重複單元具低於該主要重複單元最小均裂鍵裂 解能，如此，每一另外之重複單元比該主要重複單元更 易於進行去羧化作用。 42. 如申請專利範圍第41項之方法，其中該主要碳酸酯組份 構成多於該共聚碳酸酯之質量之5 〇0/〇。 43. 如申請專利範圍第4丨項之方法，其中每一共聚碳酸酯分 子之該主要重複單元構成雙酚A碳酸酯重複單元。 本纸伕尺度适兒#固驾家棕1(CNS)A4規格（2ΐ〇χ 29了公发） (请先閉磧背而之注意事項^^寫本頁) i rl裝 訂· .線， A8 B8 C8 D8 1229109 六、申請專利範圍 料一種製造聚碳酸SI層之方法，其包含下述步驟： 提供一液態化學配方，其中聚碳酸酯材料被溶於一 液體内，該液體具備一水清除劑且能使該聚碳酸酯材料 於20°c及1大氣壓下，溶解成濃度為該液態配方之質量 之至少1 % ; 於一副結構上形成該液態配方之液體膜； . 處理該液體膜以大量移除該液體，且使該液體膜轉 化成固態，大部分為聚碳酸酯膜。 45· —種製造聚碳酸酯層之方法，其包含下述步驟： 提供一液態化學配方，其中聚碳酸酯材料被溶於一 液體中’ έ玄液體係包含（a)由D比咬、環取代之π比咬衍生 物、咕咯、環取代之吡咯衍生物、吡咯烷、吡咯烷衍生 物及環己酮之至少一者組成之主要溶劑，及（b)不同於 该主要溶劑之非氣基笨共溶劑，用以改質該液態配方之 至少一性質； 於一副結構上形成該液態配方之液體膜； 處理该液體膜以大量移除該液體，且使該液體膜轉 化成固態，大部分為聚碳酸酯膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印說 46. 如申請專利範圍第45項之方法，其中該共溶劑產生下述 之至少一者之變化：（3)該液體之沸點，（b)該液態配方 之黏度，（c)自該液體配方產生之液體膜之黏稠時間，㈠） 該液體膜之水平度，及（e)自該液體膜產生之固態膜之 可燃性。 47. 如申請專利範圍第37或45項之方法，其中該提供之步驟 本纸成又/S迖同〒舀舀冢標Ψ (CNS)A4規格（2]0 X 297公公） 1229109 A8 B8 C8 D8 經 濟 部 % 慧 財 產 局 員 消 費 合 社 50·如申請專利範 位於該非絕緣 射元件。 六、申請寻利範圍 包含： 使該聚碳酸酯材料溶於該主要溶劑内；及 其後使該共洞劑與包含該被溶解之聚碳酸酯材料 之該主要溶劑混合。 48· —種使用聚碳酸酯層的方法，其包含下述步驟： 提供一液態化學配方，其中聚碳酸酯材料被溶於一 液體中，該液體包含（a)由吡啶、環取代之吡啶衍生物 、吡咯、環取代之吡咯衍生物、吡咯烷、吡咯烷衍生物 、氣苯及環己酮之至少一者組成之主要溶劑，及（b)不 同於該主要溶劑之共溶劑，用以改質該液態配方之至少 一性質； 方；一副結構上形成該液態配方之液體膜； 處理該液體膜以大量移除該液體，且使該液體膜轉 化成固怨，大部分為聚碳酸酯膜； 使π电荷顆粒通入該固態膜内以形成至少經其途 中之數帶電荷顆粒徑跡；及 糟由需沿該帶電荷顆粒徑跡蝕刻該固態膜之程 ^經該固態膜之至少中途產生相對應之孔洞。 孔:Γ專利乾圍第38或48項之方法，其進一步包含經 成/ H结構之電非絕緣層’以於該非絕緣層内 成相對應開口之步驟。 第4 9項之方法，其進一步包含界定個別 曰 该等開口上之約中心處之電子發 1229109 A8 B8 C8 D8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印以 申請專利範圍 51·如申請專利範圍第5〇項之方法，其中⑷該非絕緣層包 含閘層，（b)電絕緣層係被提供於該閘層下方，及（c)較 低之電非絕緣發射器區域被提供於該絕緣雇下方.，該界 定步驟包含： 經該閘層内之該等開口蝕刻該絕緣層，以形成經該 絕緣層且向下至該發射器區域之相對應介電開啟空間 :及 方'。亥>11電開啟空間内形成電子發射元件，以接觸發 射裔區域。 52·如申請專利範圍第35_38、45、私及补項中任一項之方 法’其中該提供步驟包含使水清除劑引入該液體内。 53· —種製造聚碳酸酯層之方法，其包含下述步驟： 提供一液態化學配方’其中聚碳酸酯材料被溶於〆 液體中，該液體具備一水清·除劑及包含咄啶、環取代之 吡啶衍生物、吡咯、環取代之吡咯衍生物、吡咯烷、吡 17各烧衍生物、氣苯及環己g同之至少一者； 於一副結構上形成該液態配方之液體膜； 處理该液體膜以大量移除該液體，且使該液體膜轉 化成固態，大部分為聚碳酸酯膜。 54. 如申請專利範圍第44或53項之方法，其中該提供步驟包 含： 使該水清除劑引入該液體内；及 其後使該聚碳酸酯材料溶於該液體内。 55. 如申請專利範圍第44或53項之方法，其中該水清除劑與 本纸乐尺度適吊令舀1豕楛準（CNS)A4規格（210 X 297公发） 96

申請專利範圍 Λ /夜體或/及該聚碳酸酯材料内之水反應，以產生揮發 性物種。 6·如申請專利範圍第35-37、4446及53項中任一項之方法 ’其進一步包含下述步驟： 使帶電荷顆粒通入該固態膜内，以形成至少經其途 中之數帶電荷顆粒徑跡；及 藉由需沿該帶電荷顆粒徑跡蝕刻該固態膜之程序 衣經該固態膜之至少中途產生相對應之孔洞。 57·如申請專利範圍第35_38、4‘46、48及Μ項中任一項之 方去，其中該聚碳酸酯材料係以比存在於該液體内之其 匕組份更高之質量分率存在於該液體内。 58·如申請專利範圍第、4扣46、48及53項中任一項之 方法，其中該提供步驟包含使該液體與該聚碳酸酯材料 於實質上無水之環境内混合。 59. 如申凊專利範圍第35_3 8、44-46、48及53項中任一項之 方法，其中該提供步驟包含乾燥該聚碳酸酯材料及/或 該液體以移除水。 60. 如申請專利範圍第35_38、4心46、“及兄項中任一項之 經濟部智慧財產局員工消f合作社印以 方法其中6亥形成步驟包含於該副結構上播塑塗覆至少 部伤该液態配方。 61. 如申請專利範圍第35〇8、4扣46、“及兄項中任一項之 方法，其中該處理步騾包含退火該固態膜，以以釋放該 固態膜内之應力。 62·如申凊專利範圍第35 — 38 '料-私、“及53項中任一項之 1229109 Α8 Β8 C8 D8 、申請專利範圍 方法，其中該液體於1大氣壓下，具有至少8CTC之沸點 〇 63.如申請專利範圍第35-38、44_46、48及53項中任一項之 方法，其中該液體具有酸解離常數於2〇。(3及1大氣壓下 ，大於1(Γδ之質子化形式。 (请先ΜΘ背面之注意事項寫本頁) 裝 ▼ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 本.¾¾尺度過用中舀！家標皁（CNS)A4規格（210 X 297公犮）