TWI228687B - Active-type organic electroluminescent display and fabrication method thereof - Google Patents
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Description
1228687 、發明說明（1) 發明所屬之技術領域 本發明係有關於主動式有機電激發光（AM-OLED)顯示 ^ ^ 彳寸別有關於一種具有改善陽極透明導電層表面 粗缝度結構之主動式有機電激發光（AM-OLED)顯示器與製 程。 先前技術 •有钱餐光一極體（OLED; organic light emitting 為使用有機層作為主動層（acUve layer)的發光二 ^ 近年來已漸漸使用於平面面板顯示器（f 1 a t p a n e 1 1 sp 1 ay )上’依驅動方式可區分為被動式有機電激發光 PM-0LED)及主動式有機電激發光（AM_〇LED)顯示器。主動 式1，電激發光（AM〜0LED)顯示器的發光原理是於特定的 ^機^ /膜積層加上電流以使電能轉換成光能，其具有面發 …的特徵、自發光的高發光效率以及低驅動電壓等優點， 且具有廣視角、向對比、高應答速度、全彩化及可撓曲化 的4寸性。至於TFT元件的製作上，可採用多晶矽 (P〇ly-silicon)、非晶矽（am〇rph〇us siHc〇n，a_Si:H) 或有機半導體材料。 古銦錫氧化物（Indium Tin Oxide， 1丁〇)因其功函數 网、具有良好的導電度及在可見光範圍的高透明度而被廣 泛的作為主動式有機電激發光（AM—〇LED)顯示元件的陽 極:而銦錫氧化物作為主動式有機電激發光（am —〇led)顯 不凡件的陽極時，其表面之粗糙度（r〇ughness)足以左右
◦773-9243TWF(Nl) ; P91173 ; Phoelip.ptd 第5頁 1228687 五、發明說明（2) t : : ί發光兀件的特性及壽命。陽極透明導電層表面之 會影響有機電激發光元件之光電特性…4= 雷的Η 2且㈢引起不平整的銦錫氧化物尖端會產生尖端放 路。、夕Μ，使有機層被擊穿，導致有機電激發光元件短 銦錫氧化物ΙΤΟ表面粗糙度受其製程方式及其載厣 tu=er iayer)的粗糙度所影響。目前利用濺鍍法形i銦 化物（ITO)透明導電層，其銦錫氧化物（ιτ〇)表 糙度已可以達到lnm以下。不像被動式有機電激發光之粗 (PM-OLED)元件可以將銦錫氧化物（IT〇)直接形成於 玻璃（或是直接使用銦錫氧化物玻璃〇T〇 —glass)) '， ::: = :====程二 _ 化=το) *面之粗糖度主要是受到Λ載層（under 3:) 7影響。在主動式有機電激發光（AM—0LED)顯示元件的熨 程中，一般是以具有耐熱、透明及絕緣之有機材衣 離層，再將銦錫氧化物（IT0)電極形成於其上。渦由、、、w y:i ί::ί f不佳的關係，使得形成於其上的透明 V迅s八表面平均粗糙度（r〇ughnessaverage Ra)高達 3〜4nm，約為一般透明導電層適用標準C平均粗糙度約 )的二到四倍，嚴重降低有機電激發光元件之發光嗖 :不會引起尖端放電效應，，有機層〜皮擊 牙，導致该晝素短路。 第6頁 0773-9243TW(Nl) ； P91173 ； Phoelip.ptd 1228687 五、發明說明（3) 發明内容 有鑑於此，本發明 發光顯示器，以絕緣厣（、八〃的係提供種主動式有機電激 (〇rganic material) ^ 電材質）取代傳統利用有機材質 Under layer)的方7，為透&明、導電層（像是_載層 載層使得透明導電厣1著以面"^決有機材質做為透明導電層 丁 層其表面平均粗糙度（r〇匕 ， Μ增加，導致有機電激發光元件之發光 (特性）下降及漏電流等問題。 千之毛先效率 再者，本發明之另一目的係為提供本發明所述之φ 式有機電激發光顯示器的製造方法，—月動 為達#太^ ^ 式有機電激發光顯示器。 機電激發光顯示器，至少包含一美帛主動式有 乂 ϋ上’作為有機電激發光顯示器的控制電路；— 二電L層：Γ包覆層上定義出-晝素電極‘匕 一素電極开y成於上述晝素電極預定一矣 成於晝素電極兩側側壁及第二包覆 ^ ^^ 極體材料層，形成於未被前述絕緣二；之：=光二 緣層之表面；以及一全屬房，护杰二‘献之晝素電極及絕 "上作為該有機發光二極體之陰極。fγ t 4 材質上之有機發光二極體，因其陽】：成=平坦介電 /劳極表面粗糙度較低，不 0773-9243TWF(Nl) ； P91173 ； Phoeli P.ptd 第7頁 1228687 五、發明說明（5) 以得到適合做為φ 、 陽極之低夺 二、，式有機電激發光（AM-OLED)顯示元件 透明導電:S ΐ Ϊ粗趟度透明導電層，解決有機材質做為 漏電流等^題7導致有機電激發光元件之發光效率下降及 為了讓本發明$ pβ 懂，下文士、RR與 上述和其他目的和特徵能更明顯易 人ϋ兄明貫施之士、， 如下： 万式，亚配合所附圖示，作詳細說明 實施方式 本發明係提供—姑七& ^ 、 緣層（介電材質）取抑ί動式有機電激發光顯示器，以絕 material")^ 、專統利用有機材質（o r g a n i c )做為透明導電層（像 的方法，以解決有應从所 ）載層 導電声J： # $伞μ ^材貝做為透明導電層之載層致使透明 其表面平均粗糙度（r〇 η 加，導致有機電激發光元件之恭本^ |Verage，Ra)私 題。 兀件之备先效率下降及漏電流等問 透明導電層ITO形成於任何 時，其穿透率幾乎是與沒有/成不上載/r(under layer)上 璃)-樣，然而透明導電層IT=:(只形成於透明玻 , u 甩嘈u u表面之平均粗糙度 (roughness average ， Ra)卻會
不同而Ik之改變。分別將[秀明露+ y J 竹還明V電層ΙΤ〇以濺鍍 (sputtenng)方式形成於玻璃（即沒有载声 (SiOx，介電材質）、氮化石夕（SiN θ 夕 A(耐熱透明絕緣物，JSR日本合成 柯貝）百扶材貝 口尽口成橡膠編lPC4〇3)及有機
0773-9243TWF(Nl) ; P91173 '· Phoelip.ptd 第9頁
1228687 """' ' ------------- 五、發明說明（6) ' —- 材質B (耐熱透明絕緣物，JSR曰本合成橡膠編號PC415) 上’當透明導電層ΐτο之膜厚設定為750A時，ιτ〇表面之 平均粗糙度（r0Ughness average，Ra)與不同载層（⑽心厂 1 ayer)(或沒有載層）之關係如表1所示； WM - 袠面之平均粗糙度(nrn) 0_99 氧化矽 0.8¾ 諷化敢 0.61 有機材質A 3.06 句機材質B 3.67 PMOLED所用之IT0玻璃 0.78 表1 :透明導電層IT0(厚度7 5 0 A時）其表面之平均粗糖 度（R a)與不同載層之關係 广 而當透明導電層ιτο之膜厚設定為1500人時，ΙΤ〇表面之平 均粗糙度（roughness average，Ra)與不同載層（^der layer)(或沒有載層）之關係如表2所示。 表面之平均粗糨度(nm) 玻璃(沒句載層） 1.^ 氧化矽 1.47 函/化砂 1.27 有機材質A ~' 3.42 ""有機材質B " "~ 3.63
1228687 五、發明說明（7) 表2:透明導雷 糙度(=與不^同“之關:度150(3 A時）其表面之平均粗 粗糙度（Ra)約為〇 86 虱化矽上之表面平均 成於有騎質上（不1有:1二:較將透明導電層 面平均粗糙度超過3n:來的低4 : A或有機材質B)所得的表 透明導電層π〇二也發生在 粗糙度也越高），IT()% &於气π &腠尽越厚吋表面平均 ㈣度退比將透明導電層ΙΤ0形成於有機材 二論：】 機材質Α或有機材質Β)所得的表面 、 ^至=-平均粗糙度約為形成於有機材質上之 门Λ 圖至第16圖及第2a圖至第2e圖顯示在不 同載層下以原子力顯微鏡（atQmic f〇rce㈣抓咐， AFM)分別觀察透明導電層IT0其表面形貌（Μ" morphology)的情形。由圖中可清楚得知，不論是在透明 導電層厚度為7 5 0入或1 5 0 0人時’透明導電層1加形成於氧 化石夕及氮化石夕上（如第lb圖、第lc圖、第2b圖及第2c圖之 形態圖）之表面平整度遠比將透明導電層IT〇形成於有機材 質上（如第Id圖、第le圖、第2d圖及第2e圖之形態圖）之表 面平整度來的好許多。第3a圖至第3e圖及第4a圖至第4e圖 也顯示在不同載層下以掃描式電子顯微鏡（Scanning
Electron Microscope，SEM)分別觀察透明導電層IT〇之
0773-9243TWF(Nl) ; Ρ91173 ; Phoelip.ptd 第11頁 1228687
Π及，證，將透明導電層1T〇形成於介電材質(如· 秀化夕)上取代形成於有機材質上，可大大的改善 透月V电層I TO表面平均粗糙度。 I ^由上所述，可知將透明導電層I TO形成於氧化矽及氮 上可改善透明&電層丨T 〇表面平均粗糙度。本發明將 此結構引進主動式有機電激發光（AM—0LED)顯示元件中。 實施例 百先，提供一基板10，請參考第5a圖。該基板係為一 透明基板，可為透光之玻璃或塑膠材質。若為塑膠基板， 其材貝可為聚乙細對苯二甲酉旨 (p〇iyethyieneterephthalate)、聚醋（p〇lyester)、聚碳 ，酯（polycarbonates)、聚丙烯酸醋（p〇lyacrylates)或 是聚苯乙烯（polystyrene)。在此一基板1〇上形成緩衝層 (buffer layer)3〇，且在緩衝層3〇上形成閘極絕緣層32θ及 複數個電晶體20，，以作為該有機電激發光顯示器的控制電 路。該電晶體係為薄膜電晶體（thin f iim transistQ]r， 丁 F T)，可以是多晶矽薄膜電晶體、非晶矽薄膜電晶體或是 有機薄膜電晶體。接著，形成一由介電材質所構成之第一 包復層34於该基板電晶體及其他區域之表面，露出電晶體 ‘以旦素電極相接之〉及極2 1。在此’形成一由介電材質所 構成之第一包覆層34的方法可為濺鍍（sputtering)或電漿 強化式化學氣相沉積（p E C V D)方式。而可作為第一包覆層 3 4之介電材質係擇自絕緣之氧化物、碳化物、氮化物及其
0773-9243TWF(Nl) ； P91173 ； Phoelip.ptd 第12頁 Ϊ228687 ----------- 五、發明說明（9) 組合物所組成之族群中，像是氧化矽（SiOx)、氧化鋁 (Al〇x)、氧化鎂（Mg〇)、氮化矽（SiNx)、氮化鋁（aiNx)或 是氟化鎂（MgFx)等。 如第5b圖所示，在第一包覆層34上及電晶體欲以晝素 電極相接之汲極2 1上形成第二包覆層3 6，此第二包覆層3 6 係為有機材質，可擇自丙稀酸樹脂（A c r y 1 i c r e s i η )、聚 亞驗胺（po 1 y i m i de )或透明光阻材質中，可利用感光或加 熱使之固化。接著定義出晝素電極（即有機電激發光二極 體之陽極’為一透明導電層）預定區5 5，利用|虫刻方式以 第一包覆層3 4做為蝕刻停止層，去除部份第二包覆層 36(為有機材質），曝露出晝素電極預定區55，請參考第一 圖。其中去除部份第二包覆層36之蝕刻方式可為乾蝕刻或 濕蝕刻方式。利用遮罩（mask)，定義出畫素電極5〇(即有 械電激發光二極體之陽極，為一透明導電層）於第一包覆 層34上之晝素電極預定區55内，且耦接於上述電晶體2〇之 汲極21，如圖5d所示。此畫素電極5〇可為銦錫氧化物 (ιτο)、銦鋅氧化物（IZ0)、辞鋁氧化物（AZ〇)或是氧化鋅 (ZnO) 而此旦素電極50(為透明材質）可由丨賤鍍法、電子 束瘵鍍法、熱療鍍法、化學氣相鍍膜法及喷霧熱裂法 形成。 如第5e圖所示，接著形成—上部絕緣層 (top-insulat〇r)38於該畫素電極5〇上，再以晝素電極5〇 作為钱刻停止層，對此絕緣層38 #刻，定義出該畫素電極 50上之有機發光二極體材料層預定區45 ’預留畫素電極“
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I228687 五、發明如 -- 一^^ Z °卩位置，並在其上形成有機發光二極體材料層4 0。此有 才幾發伞— 體，一極體材料層4 0可為小分子或高分子有機發光二極 梦才料’若為小分子有機發光二極體材料，可利用真空蒸 、一方式形成有機發光二極體材料層；若為高分子有機發光 極體材料，則可使用旋轉塗佈、喷墨或網版印刷等方式 y成有機發光二極體材料層。 形、最後’如第5 f圖所示，在有機發光二極體材料層4 0上 屬^ 一金屬層52作為該有機發光二極體之陰極。形成此金 之二5 2之方式可為真空熱蒸錢或藏鍵方式。該金屬負電極 屬j料可選自Ca、Ag、Mg、A1、以及其它低工作函數之金 7蜀村料或複合金屬材料。 俨=知之作法係為將晝素電極70(即有機電激發光二極 ^ 2 一透明導電層）形成於有機材質66上（也就是 本，心月：ί t二包覆層），其結構如圖6所示。為明顯區別 質傳統技術之差#，在這裡我們將有機材 t=6耐/透Λ絕緣物，日本合成橡膠編飢 構中之有機材質，量測其發光效率， ”、、員不的、会口 所得之元件（其結構如圖πί/Λ/光與^發明上述作法 在以氧化矽（Sl〇x)或氮化矽（_ $電羊作一比較。 ，層no之載層，其發光效率（effici 為透明導 效率可達17.綠2’沒有載層之元心 層（破璃基板）之元件相比幾乎相 cd/A)與無載 • 一 U W ^化矽做為載層時 而 第14頁 0773-9243TWF(Nl) ; P91173 ; Phoelip.ptd 1228687 五、發明說明（11) 較以有機材質A (耐熱透明絕緣物，J SR日本合成橡膠編號 PC4 0 3 )及有機材質B(耐熱透明絕緣物，JSR曰本合成橡膠 編號PC41 5)所為透明導電層ITO之載層之元件相比，不但 發光效率較高，且元件壽命也較長。其主要原因係以介電 材質所為透明導電層I TO之載層，跟以有機材質載層相 比，可改善透明導電層IT0之表面粗糙度（nm)。 第8 a圖至第8 c圖也分別顯示出本發明之結構（如第7圖 所示）a、b及c三區域之陰極金屬表面SEM(Scanning Electron Microscope,掃描式電子顯微鏡）圖，由此也可 清楚看出以介電材質作為載層（第8 a圖）所得之表面較為平 整。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
0773-9243TWF(Nl) ； P91173 ； Phoelip.ptd 第 15 頁 1228687 圖式簡單說明 第1 a圖至第1 e圖顯示在不同載層下以原子力顯微鏡 (atomic f〇rCe microscope，AFM)觀察1丁〇 表面（ιτο厚度 為/ 5 0 Λ )之形態圖，載層分為別（1 a )破璃（沒有載層）、 (1 b)氧化矽、（1 c )氮化矽、（i d )有機材質a ( pC4 〇 3 )及（丄e ) 有機材質B(PC41 5) ◦ 第2a圖至第2e圖顯示在不同載層下以原子力顯微鏡 (atomic force micr〇scope，AFM)觀察I丁〇 表面（IT〇厚度 為1 5 0 0 Α)之形態圖，載層分為別（2a)玻璃（沒有載層）、 (2b)氧化矽、（2C)氮化矽、（2d)有機材質A(pC4〇3)及（2e) 有機材質B(PC415)。 第3a圖至第3e圖顯示在不同載層下以掃描式電子顯微 鏡（SCanning Electron Microscope，SEM)觀察 IT〇 表面 j ΤΟ厚度為7 5 0 A )之形態圖，載層分為別（3a)玻璃（沒有 載層）、（3b)氧化矽、（3〇氮化矽、（3(〇有機材質 A(PC403)及（3e)有機材質g(pc415)。 第4a .圖至第4e圖顯示在不同载層下以掃描式 鏡（scanning Electron Micr〇sc〇pe (IT0厚度為·入)之形態圖，載 ：=表， ^層）、（4b)氧化石夕、（4〇氣化石夕、⑷）有缝Γ(/又有 A(PC40 3 )及（4e)有機材質^%415)。 弟5 a圖至弟5 f圖顯示本發明之彳 示器其製作流程。 “月之主動式有機電激發光顯 第6圖顯示將晝素電極（即有機電 極，為一透明導電層)形成於有機材質上之主動式有二
〇773-9243TW(Nl) ； P91173 ； Phoelip.ptd 第16頁 1228687 圖式簡單說明 激發，，示器傳統製法元件結構 ' 弟圖顯示本發明主動式。 較於傳統製法（第6圖）之元士 、包教發光顯示器製法相 篦8 a闰7· — '、、Q才冓圖。 弟8a圖至第8c圖顯示本發 其a、b及c三區域之陰極金屬^足結構，如第7圖所示， Electron MlCr〇sc〇pe，sem)々面^電子顯微鏡（Scanning I悲圖。 符號說明 2 0〜電晶體； 3 0〜緩衝層； 34〜第一包覆 3 8〜上部絕緣 1 〇〜基板； 21〜電晶體之汲極 3 2〜閘極絕緣層； 36〜第二包覆層； 4 〇有機發光二極體材料層， 機發光二極體材料層預定區 旦素電極（透明導電層）； 52〜有機發光二極體之陰極金屬層 5 5〜晝素電極預定區；β 0〜緩衝層； 62〜閘極絕緣層； 64〜第一包覆 6 6〜第二包覆層； 6 8〜上部絕緣 7 0〜透明導電層； 7 2〜有機發光二極體之陰極金屬層 8 〇〜有機發光二極體材料層； 1 0 0〜基板； 2 0 0〜電晶體 2 1 〇〜電晶體之汲極。
0773-9243TWF(Nl) ； P91173 ； Phoelip.ptd 第17頁
Claims (1)
1228687 遂 Mlt 921Q1^R 六、申請專利範圍 1 · 一種主動式有機電激發光顯示器，至少包含： 一基板； I水Ϊ數個電晶體，形成於該基板之上，作為該有機電激 毛光顯示器的控制電路； B .由介電材質構成之第一包覆層形成於該基板及該電 晶體之上； 由有機材質構成之第二包覆層形成於該第一包覆層 之上且該第一包覆層在第一包覆層上定義出一畫素電極 預定區； 一，、 一畫 區，其中 average 素電極形成於該第一包覆層上之晝素電極預定 該畫素電極之表面平均粗糙度（roughness ，Ra)係不大於1. 5nm ; 一絕緣層至少形成於該畫素電極兩側侧壁； 有機發光二極體材料層，至少形成於該晝素電極未 被該絕緣層遮蔽之表面上；以及 一金屬層，形成於該有機發光二極體材料層之上。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之主動式有機電激發光 顯示器，其中該畫素電極耦接於該電晶體。 3·如申請專利範圍第1項所述之主動式有機電激發光 顯示器’其中該基板係為透光之玻璃或塑膠基板。 4 ·如申請專利範圍第3項所述之主動式有機電激發光 顯示器’其中該塑膠基板之材質係為聚乙烯對苯二曱酯 (polyethyleneterephthalate)、聚酉旨（polyester)、聚碳 酸酉旨（polycarbonates)、聚丙烯酸酉旨（p〇iyacryiates)或
0773-9243TWFl(Nl).ptc 第18頁 1228687 _案號92101326__――日 倐正_ 六、申請專利範圍 是聚苯乙烯（polystyrene)。 5.如申請專利範圍第1項所述之主動式有機電激發光 顯示器，其中該電晶體係為薄膳電晶體（thin film transistor，TFT) 〇 6 ·如申請專利範圍第5項所述之主動式有機電激發光 顯示器，其中該薄膜電晶體係為多晶矽薄膜電晶體、非晶 碎薄膜電晶體或是有機薄膜電晶體。 7·如申請專利範圍第6項所述之主動式有機電激發光 顯示器，其中該多晶矽薄膜電晶體係以低溫製造技術完成 8 ·如申請專利範圍第1項所述之主動式有機電激發光 顯示器’其中構成該第一包覆層之介電材質係擇自絕緣之 氧化物、碳化物、氮化物及其組合物所組成之族群中。 9·如申請專利範圍第}項所述之主動式有機電激發光 顯示器，其中構成該第一包覆層之介電材質係為氧化矽 (SiOx)、氧化紹（ΑΙΟχ)、氧化錢（Mg〇)、氮化石夕（siNx)、 氮化鋁（AINx)或是氟化鎂（MgFx)。 1 0 ·如申請專利範圍第丨項所述之主動式有機電激發光 顯示器，《中該晝素電極為一透明導電材質，係為錮‘ 化物（IT0)、銦鋅氧化物（IZ〇)、辞鋁氧化物（AZ 化鋅（ZnO)。 7劣疋軋 一 $專利範圍第1 π m地您主勤式有機電激發朵 Ξ H中構成該第二包覆層之該有機材質係為丙i酸 樹MAcryhc resin)、聚亞醯胺(p〇lyimide)或是透：光
0773-9243TWFl(Nl).ptc 第19頁 1228687
-- 案號 92101326 六、申請專利範圍 阻材料。 機電激發光 分子或高分 1 2 ·如申請專利範圍第1項所述之主動式有 顯示器，其中該有機發光二極體材料層係為小 子有機發光二極體材料。 1 3. —種主動式有機電激發光顯示器的製作方法， 少包含下列步驟： 〆 提供一基板； ^形成複數個電晶體於該基板之上，作為該有機電激發 光顯示器的控制電路； x 形成一由介電材質所構成之第一包覆層於該基板之 上，並利用一化學機械研磨製程對該第一包覆層的表面進 行平坦化處理； 形成一第二包覆層於該第一包覆層之上，並以罩幕餘 刻去除部份第二包覆層，以在該第一包覆層上定義出一畫 素電極預定區； | 形成一晝素電極於該第一包覆層上之該晝素電極預定 區’且耦接於上述電晶體； 至少形成一絕緣層於該畫素電極之上，且預留出該畫 素電極之一部份，以形成一有機發光二極體材料層預定 區； 至少形成一有機發光二極體材料層於該有機發光二極 體材料層預定區；以及 形成一金屬層於該有機發光二極體材料層之上。 14·如申請專利範圍第1 3項所述之主動式有機電激發
1228687
光顯示器的製作方法，其中該電晶體係為薄膜電晶體 曰 修正 thin fllm transistor, TFT)。 丨_5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之主動式有機電激發 二，不器的製作方法，其中該薄膜電晶體係為多晶矽薄膜 電晶體、非晶矽薄膜電晶體或是有機薄膜電晶體。 "1_6·如申請專利範圍第丨5項所述之主動式有機電激發 f顯示器的製作方法，其中該多晶矽薄膜電晶體係以低溫 製造技術完成者。 一 1_7·如申請專利範圍第丨3項所述之主動式有機電激發 光2員不器’其中構成該第一包覆層之介電材質係擇自絕緣 之氧化物、碳化物、氮化物及其組合物所組成之族群中。 ^ 1 8·如申請專利範圍第1 3項所述之主動式有機電激發 光顯，器的製作方法，其中構成該第一包覆層之介電材質 係為氧化矽（Si〇x)、氧化鋁（Α1〇χ)、氧化鎂（Mg〇)、氮化 石夕（SlNx)、氮化鋁（AINx)或是氟化鎂（MgFx)。 ^ 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項所述之主動式有機電激發 光”、、員示器的製作方法，其中該晝素電極為一透明導電材 質’係為銦錫氧化物（IT0)、銦鋅氧化物（IZ0)、鋅銘氧化 物（AZ0)或是氧化鋅（Zn〇)。 20·如申請專利範圍第13項所述之主動式有機電激發 光顯示器的製作方法，其中該透明導電材質係由濺鍍法、x 電子束蒸鑛法、熱蒸鍍法、化學氣相鍍膜法或埶 解法形成。 、務…农 21 ·如申請專利範圍第1 3項所述之主動式有機電激發
第21頁 92im^R 1228687 六、 申請專利範圍 光顯示器的製作方法，其中形成一由介電材質所構成之第 一包覆層之製作方式係以濺射或電漿強化式化學氣相沉積 方式。 2 2·如申請專利範圍第13項所述之主動式有機電激發 光顯示器的製作方法，其中構成該第二包覆層之有機材質 係為丙婦酉夂树脂（Acrylic resin)、聚亞醯胺（polyimide) 或是透明光阻材料。 2 3·如申睛專利範圍第1 3項所述之主動式有機電激發 光顯不益^製作方法，其中該有機發光二極體材料層係為 小分子或高分子有機發光二極體材料。 24. 如申請專利範圍第23項 之 光顯示器的製作方法，”該小分子有擁=有機電激發 在剎用直空墓鈹古4 二 刀子有機發光二極體材料 25. 1請專利= 2機 係利用旋轉塗佈、噴墨或網版印刷方二極體材料 體材料層。 /成有機發光二極 0773-9243TWFl(Nl).ptc 第22頁
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