TWI222102B - Holographic reticle and method for manufacturing the same, and photolithograph method with holographic technology for semiconductor manufacture - Google Patents

Description

1222102 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種全像光罩（Holographic Reticle ; HR),與其製造方法及半導體製程中運用全像（H〇1〇graphic) 技術之微影（Photolithograph)方法，特別是有關於一種 半導體製程中運用全像技術來解決光罩缺陷之微影方法。 【先前技術】

在積體電路元件之關鍵尺寸（Critical Dimensi〇n ;CD)的 微縮化趨勢下，微影製程面臨相當嚴苛的考驗，而廣泛應 用於微影製程之圖案轉移的光罩，其製作的困難度也隨之 大幅增加。隨著光罩製作難度的提升，所製作出之光罩圖 案總免不了有缺陷的產生。 在一般之光罩上，其原始影像以相同之尺寸或數倍之放大 倍率被複製到晶圓之光阻上，而在光罩之圖案與晶圓之光 阻上的影像產生一對一之對應關係。這樣存在光罩圖案與 光阻影像間之一對一的對應關係致使光罩上之缺陷在晶圓 上造成瑕疵。 因此，目前在進行微影製程之圖案複製時，為確保製程可 罪度與良率’皆需先對所使用之光罩進行檢測與修補。然 而’光罩缺陷的檢測與修補不僅相當費時，而且有些光 罩’例如極紫外線（Extreme Ultraviolet ; EUV)之多層反 射光罩、電子投射微影製程（Electron Projection Lithography ;EPL)之圖規光罩（Stencil Mask)、離子束 光罩（Ion Beam Mask)、X光光罩（X-ray Mask)、以及限角

1222102 五、發明說明（2) 度散射投影式電子束光罩（Scattering with Angular Limitation Projection Electron Beam Lithography Mask ; SCALPEL Mask)等高階光罩，更是相當不易進行檢 測與修補。 例如，對極紫外線之多層反射光罩而言，為了使極紫外線 光罩具有反射性，因此在光罩上覆蓋有多層建設性干涉的 薄膜材料，藉以增強極紫外線光罩產生反射作用。而在此 多層的干擾薄膜上更覆蓋有一層吸收層，以根據所需圖案 而選擇性地加以遮光。由於極紫外線之多層反射光罩上之 所有層多達60〜80層，因此難以對多層反射區域上之缺 進行修補。 、㈢ 另外，對鏤空之離子束光罩而言，其透光缺陷為鏤空狀 態。因此，要在鏤空之透光缺陷上進行填補是一件^常困 難的事，不僅過程相當複雜繁瑣，而且成功率相當低。 【發明内容】 $於上述之發明背景中’由於傳統光罩之圖案與複製於曰 圓上之影像呈現一對一之對應關係，如此一來，光丄^曰 ，陷將會在晶®之影像上形成瑕麻。此外，對於 ，影製程之圖規光罩、，紫外線之多層反射光罩 = 2罩、X光光罩、以及限角度散射投影式電子束光罩離束 p白光罩而言，檢測與修補不僅非常難難，甚回 對其進行檢測與修補。 根本就無法 因此’本發明的主要目的之一就是在提供一種半導體製程 1222102 、發明說明（3) 中運用全像技術之微影方法，利用全像技術將原始之佈局 圖案編碼轉換成全像條紋（Holographic Fringes)並形成 於二階強度光罩（Binary Intensity Masks ;BIM)或相移 光罩（Phase Shi ft Mask ; PSM)，而製作出全像光罩。再 利用一般之微影技術，透過全像光罩將全像光罩上之全像 條紋還原，而在晶圓之光阻上形成具有原始圖案之影像。 由於全像之特性，可大幅改善光罩缺陷之問題。 本發明之另一目的就是在提供一種使用全像光罩來進行圖

案轉移之微影方法’藉由全像之特性，可有效改善關鍵尺 寸之誤差。 本發明之另一目的就是在提供一種運用全像技術之微影方 法 了利用區域編碼技巧（Local Encoding Technique ; L E T)進行原始佈局圖案的編碼。因此，僅簡 碼之複雜計算，更可控制光罩上個別影像之j圖案編 (Intensity)、相位（Phase)、聚焦深度（Depth Of F〇cus)、或成像位置（Focus P〇siti〇r〇。

本發明之再一目的就是在提供一種運用無缺陷顧慮之全像 光罩的微影方法，可解決難以檢測與修補之高階光罩，例 如電子投射微影製程之圖規光罩、極紫外線之多層反射光 罩、離子束光罩、X光光罩、以及限角度散射投影式電子 束光罩荨’之缺陷問題。 根據以上所述之目的，本發明更提供了一種半導體製程中 運用全像技術之微影方法，至少包括：提供一圖案；利用 例如區域編碼技術進行一編碼步驟，藉以將上述之圖案轉

第10頁 1222102 五、發明說明（4) --------- 數個全像條紋；形成—全像光罩，纟中此全像光罩 二有上述之圖案所轉換而成之全像條紋；以及利用例如 :先技術進行-還原步驟’藉以將上述全像光罩上之全像 條紋還原在-晶圓之—光阻層上，而在此晶圓之光阻層上 形成上述圖案之一影像。 其中，上述之還原步驟可利用直接照射的方式，以光束直 接照射全像光罩，以將全像光罩上之全像條紋還原成原始 圖案而成像在光阻層上。 上述之還原步驟亦可利用偏轴照射的方式，以光束斜向射 入全像光罩上方之擋板的開口，再射入全像光罩而將全像 條紋還原成原始圖案。通過全像光罩且具有原始圖案之光 束的第零級光射向晶圓上之光阻與全像光罩間的另一擋 板’而具有原始圖案之光束的衍射光則射向此另一檔板之 開口進而將原始圖案成像在光阻層上。 另外’上述之還原步驟更可利用表面成像技術（τ〇ρ Surf ace Imaging Technique ; TSI)或雙層 / 多層光阻技術 (Bi-layers/multi-layers PR Technique)，先在光阻層 上依序形成可透光之緩衝層以及全像光罩層，再利用現有 之曝光設備將全像光罩之全像條紋轉移至全像光罩層上， 接著對全像光罩層直接進行曝光，而將全像光罩層之全像 條紋還原成原始圖案，進而使此原始圖案成像在光阻層 上。. 其中’於上述之表面成像技術中，對全像光罩層直接進行 曝光時，可利用雙光子效應（Two-photo Effect)的技術來

第11頁 1222102 五、發明說明（5) 時，、ΐ ί光罩層上之全像條紋。運用雙光子效應的技術 备时只需進行一道曝光步驟，即可將全像光罩層上之全像 二二還原並成像在光阻層上，不僅製程相當簡易，更可大 幅縮短製程時間。 上所述之目的，本發明另外提供了一種全像光罩， ^ ^括：一透明基板，其中此透明基板至少包括相對之 之第表面以及一第一表面；一圖案位於上述之透明基板 之 表面上；以及上述圖案之一共軛圖案位於透明基板 之第二表面上。

根1 =上所述之目的，本發明另外更提供了 一種全像光罩 j製造方法，至少包括：提供一透明基板，其中此透明基 包括相對之一第一表面以及一第二表面；形成一圖 於上述之透明基板之第一表面上；以及形成上述圖案 之一共輕圖案位於透明基板之第二表面上。 八 ，據以上所述之目的，本發明亦提供了 一種全像光罩，至 少包括：一透明基板，其中此透明基板至少包括一表面； 以及一相移圖案位於上述之透明基板之表面上，1中去丄 光束^射過全像光罩時，此光束之第零級光消失了且二 束之高階光透射出全像光罩。

根據以上所述之目的，本發明另外又提供了一種全像光 ，製？方法，i少包括：提供一透明基板，其中此透明基 板至 >、包括一表面；以及形成一相移圖案位於上述之透$ 基板之表面上，其中當一光束透射過全像光罩時，此光 之第零級光消失，且此光束之高階光透射出全像光罩。

第12頁 1222102 發明說明（6) :::像之特性，光罩上之缺陷不 i枯i始，案影像造成嚴重影響。因&，像於晶圓之光阻 攸之微影方法可解決光罩缺陷問題。’本發明之運用全 【實施方式】 一？全像光罩與其製造方法及半或、 王技術之微影方法。此半導體 導體製程中運 方法係將原始佈局圖案編碼成全像：；用全像技術之 ::條紋形成全像光罩，再利用微影製程二丄〗利用這些 王像條紋逛原在晶圓之光阻上。藉由入、王像光罩上之 二不=缺陷的存在’可解決難以檢測與修ίί:罩：：光 難。為了使本發明之敘述更加詳盡 j罩的困 述並配合第1圖至第13圖之圖示。 了參照下列描 請參照第1圖，们圖係繪示本發明較佳實施 2 = J方法的流程圖。首先’如同步驟100所述，提 供所需之佈局圖案。再如同步驟1〇2所述，對所 案進行編碼的動作，藉以將圖案轉換成全像條紋，/复圖^ 案編碼動作可採用例如區域編碼技術。 、 請參照第2圖至第4圖，其中第2圖係繪示傳統快速傅立葉 轉換法之編碼示意圖，第3圖係繪示本發明較佳實施例^ 區域編碼技術的編碼示意圖，第4圖則係繪示本發明較佳 實施例之區域編碼技術的編碼區域重疊示意圖。利用傳統 之快速傅立葉轉換法進行全像圖案編碼時，係將影像丨22' 編碼至整個全像光罩1 2 0上，如第2圖所示。然而，快速傅 !2221〇2 五、發明說明（7) 立葉轉換法之編碼方式在計算上雖然較為快速，但編碼範 圍十分巨大，故實用性較差。因此，為了減輕圖案編碼的 負擔，本發明採用區域編碼技術來進行圖案的編碼。區域 編碼技術係將影像1 42只編碼在全像光罩1 40上的一部分， 而在全像光罩140上形成編碼區域144，如第3圖所示。如 此一來，進行影像146之編碼時，影像146的編碼計算可仿 效先前影像1 42之編碼過程，因此可簡化編碼之計算過 程，減輕編碼的負擔。

在區域編碼技術中，當兩個影像的編碼區域重疊時，會導 致個別影像的強度下降，此時，可利用強度衰減係數 (Intensity Decreasing Coefficient ;IDC)來進行影像

強度的修正。舉例而言，請參照第4圖，影像162在全像光 罩160上之編碼區域166與影像164之編碼區域168產生重疊 而形成重疊區域170時，影像162之強度衰減係數為（1/2)" X (1/編碼區域166面積）Χ重疊區域170面積。上述之強度 衰減係數是針對兩個編碼區域產生重疊的情形，若三個^ $相同之編碼區域a、b、與c產生重疊時，其強度衰減係 為（1/2)χ (1/編碼區域面積）x ( &與b重疊面積+ &與(：重 且面積）~(l/3)x (1/編碼區域面積）x (a、匕、與c重最面 =)。多個面積相同之編碼區域產生重疊時之強度衰減 數’可根據上述規則類推而得，不再贅述。 接著’再回到第1圖，如同步驟丨04所述，將圖宰轉 =條紋以例如二階強度光罩形式或相移=以 成王像光罩。然後，如同步驟1〇6所述，對所形成之全像

1222102 五、發明說明（8) 光罩進行曝光，藉以將全像光罩上之全像條紋還原，而使 原先所提供之圖案的影像成像在晶圓表面之光阻層上。 其中，步驟1 0 6可利用例如直接照射的方式、偏轴照射的 方式、或者表面成像技術來進行。請參照第5圖，第5圖係 繪示本發明第一較佳實施例之利用全像光罩進行曝光的剖 面示意圖。在第一實施例中，所採用之曝光直接照射的方 式，以光束206直接照射全像光罩2 04，而使全像光罩204 上之全像條紋還原而直接成像在晶圓2 〇 〇之光阻層2 〇 2上。 其中’全像光罩204與光阻層202之間的距離2〇8取決於所 採用之光束206的波長與各編碼區域之面積。此外，光束 206之強度不可過大，否則全像光罩2〇4上之全像條紋會直 接轉移至晶圓200之光阻層202上。 請參照第6(a)圖至第6(c)圖，第6(a)圖至第6(c)圖係繪示 本發明第一較佳實施例之一全像光罩的剖面示意圖❶全像 光罩204a至少包括透明之基板2〇9，且基板2〇9之表面21〇 上具有所需之全像條紋的圖案214，而基板2〇9之表面212 =至少包括圖案214之共軛圖案216，如第6(a)圖所示。 八，基板209之材質可例如為石英，且圖案214至少包括 像條紋。由於全像光罩2Ma之圖_4背面具有 ϊΞΓ第1:二此第零級照射光218會被完全遮住而無法 以υ此透射過全像光罩204a，如第6(C)圖 厂、 第7(a)圖與第：)圖係繪示 本發月第-較佳實施例之另-全像光罩的剖面示意圖。使

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用相移光罩來作為全像光罩2G4b時 括透明之其祐991 σ , „ 王课先罩204b至少包 媸此基板221上至少包括利用相位差所 構成之相移圖案222。1中，A j用相位差所 2:強产降積比例之安排’可使第零級照射光 光2=ΪΪί::ΐ，如第7(a)圖所示，而使高階照射 透射過全像光罩204b後依然存在，如第7(b)圖所 7J> ° ==8圖’第8圖歸示本發明第二較佳實施例之利用 ^像先罩進行曝光的剖面示意圖。在第二實施例中，全像 光罩306之一表面與晶圓3〇〇表面之光阻層3〇2之間具有擋 板304，而與全像光罩3〇6之上述表面相對應之另一表面上 方亦存在有擋板308。其中，擋板3〇4上至少包括開口 316 且擋板308上亦至少包括開口318。第二實施例採用偏軸照 射的方式’將光束310斜向射入擋板3〇8之開口318，而使 光束310射入全像光罩3〇6。光束310通過全像光罩3〇6後， 光束310之第零級光為擋板304阻擋，而光束31〇所產生之 衍射光312的部分射向擋板304之開口 316，進而將光束310 透過全像光罩306所還原之圖案成像在光阻層go?上。其 中，全像光罩306與光阻層302之間的距離314同樣取決於 所採用之光束3 10的波長與各編碼區域之面積。 由於擋板308與擋板304可阻擋光束310之第零級光，而僅 讓光束310通過全像光罩306所產生之衍射光312通過開口 316。因此，可避免光強度太強而導致全像光罩3〇6之全像 條紋直接轉移至光阻層3 0 2上，如此一來，可順利地將全

第16頁 1222102 五、發明說明（10) 像光罩306之全像條紋還原並成像在光阻層3Q2上。 請參照第9圖至第11圖’第9圖至第11圖係繪示本發明第三 較佳實施例之利用全像光罩進行曝光的剖面流程圖。在第 三實施例中’係利用半導體製程之表面成像技術。首先， 在晶圓400上依序覆蓋光阻層402、緩衝層4〇4、以及全像 光罩層406。其中’緩衝層404之材質為具有透光性之材 料。此外，全像光罩層4 0 6之材質可例如為感光材料，且 全像光罩層406之曝光能量與光阻層402之曝光能量不同。 再以光束412射向全像光罩410，光束412通過全像光罩410 後經透鏡408後’而將全像光罩410上之全像條紋轉移至全 φ 像光罩層406上，其裝置如第9圖所示。 接著，請參照第10圖，不經過透鏡408，直接以另一道光 束414射向全像光罩層406，經過緩衝層404所提供之距離 緩衝，而使全像光罩層406上之全像條紋還原並成像在緩 衝層404底下之光阻層402上，進而使原先所提供之圖案的 影像成像在光阻層4 0 2上。 在本發明之第三較佳實施例中，全像光罩層4 〇 6亦可為由 光阻層416、緩衝層418、以及光阻層420所構成之雙層光 阻結構，如第11圖所示。其中，光阻層416之圖案422與光 參 阻層420之圖案424需互補，故光阻層416與光阻層420之性 質不同，亦即其一為正光阻，另一則為負光阻。在一較佳 實施例中，光阻層402可為193奈米（nm)型光阻，而光阻層 416與光阻層420則可為248nm型光阻。藉由光阻層416、緩 衝層418、以及光阻層420所構成之雙層光阻結構，可將第

第17頁 1222102 五、發明說明（11) 零級照射光遮住而使其無法穿透，並只有讓高階照射光透 射過去。 請參照第1 2圖，第1 2圖係繪示雙光子效應之成像示意圖。 若基材500上之光阻層502需在波長200 nm的光照射下，才 得以有效曝光。此時，若透過透鏡504提供波長40Onm之光 束506對光阻層502進行曝光，光阻層502並不能有效曝 光’而僅在雙光子效應的影響下，於光束5〇6之聚焦點的 鄰近區域產生成像區508。因此，上述進行全像條紋之還 原步驟時，可利用雙光子效應的技術。

請參照第1 3圖’第1 3圖係繪示本發明利用全像光罩以及運 用雙光子效應技術之成像示意圖。利用表面成像技術以石 雙光子效應的技術將全像光罩層556上之全像條紋還原至 基材5 5 0上之光阻層5 5 2時，利用光束5 5 8直接照射全像光 罩層55 6而產生具不同聚焦深度之還原光束56〇。其中，另 束558之波長較長，無法使光阻層5 52曝光，也就是說，另 束558之個別光子所具有之能量小於光阻層552之曝光能 量。藉由緩衝層5 54所提供之緩衝距離，這些具不同聚焦 深度之還原光束560射入光阻層552並產生交錯'。當兩交截

之還原光束560投射在聚焦區域的能量產生雙光子效應足 以破壞光阻層552之結構時，便在光阻層552 成^

562。如此一來，僅需藉由一次暾#r /生成傢L 人曝尤即可藉由全傻夯星 層556將原先所提供之三度空間的☆胂国电仏 丨私兀*早 成像在光阻層552中，相當簡易又省時。。料政地 綜上所述，本發明之一優點锊Η㈤| & ’尤疋因為本發明利用全像技雜

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將原始之佈局圖案編碼，而 全像條紋而以二階強度光罩 全像光罩。再藉由一般之微 像條紋還原，而使原始圖案 因此’可有效改善光罩缺陷 本發明之另一優點就是因為 案轉移，因此藉由全像光學 上對關鍵尺寸誤差的顧慮， 本發明之又一優點就是因為 可利用區域編碼技巧來進行 之複雜計算，更具有可控制 位、聚焦深度、及成像位置 本發明之又一優點就是因為 光罩來進行微影，光，因此 光罩’例如電子投射微影製 層反射光罩、離子束光罩、 影式t子束光罩等之缺陷問 ，然本發明已以一較佳實施 =本發明，任何熟習此技藝 範圍内，當可作各種之更動 圍當視後附之申請專利範圍 轉換成全像條紋，並依照這些 形式或相移光罩形式，製作出 影技術，可將全像光罩上之全 之影像成像在晶圓之光阻上。 之問題。 本發明使用全像光罩來進行圖 繞射元件之特性，可減輕光罩 獲得較廣之製程窗。 本發明之原始佈局圖案的編碼 。因此，不僅可簡化圖案編碼 光罩上個別影像之強度、相 的能力。 本發明運用無缺陷顧慮之全像 可解決難以檢測與修補之高階 程之圖規光罩、極紫外線之多 X光光罩、以及限角度散射投 題。 例揭露如上，然其並非用以限 者’在不脫離本發明之精神和 與潤飾，因此本發明之保護範 所界定者為準。

第19頁 1222102 圖式簡單說明 【圖式簡單說明】 第1圖係綠示本發明較伟音 法的流程圖實運用全像技術之微影方 = 示傳統快速傅立葉轉換法之編碼示意圖。 意圖。’、1不本發明較佳實施例之區域編碼技術的編碼示 :4圖係，本發明較佳實施例之區域編碼技術的 與夏叠不意圖。 第5圖係續^示本發明第一 曝光的剖面示意第較佳實㈣之利用全像光罩進行 1 ϋ圖至第6(C)圖係♦示本發明第—較佳實施例之-全 1豕九罩的剖面示意圖。 ί H與第7 (b)圖係繪示本發明第—較佳實施例之另-王像先罩的剖面示意圖。 m係繪示本發明第〕較佳實施例之利用纟 ，先的剖面示意圖。 疋α 圖至第11圖係繪示本發明第三較佳實施例之利用全 九罩進行曝光的剖面流程圖。 =圖係繪示雙光子效應之成像示意圖。 係繪示本發明利用全像光罩以及運用 術之成像示意圖。 丁欢泥孜 1 〇 2 :編碼 【元件代表符號簡單說明 1()0 :提供圖案

第20頁 1222102 圖式簡單說明 104 :製作全像光罩 1 2 0 :全像光罩 140 :全像光罩 1 4 4 :.編碼區域 1 4 8 :編碼區域 162 :影像 1 6 6 :編碼區域 170 :重疊區域 2 0 2 :光阻層 204a :全像光罩 206 :光束 20 9 :基板 21 2 :.表面 21 6 :共軛圖案 220 :高階照射光 2 2 2 :相移圖案 2 2 6 :高階照射光 3 0 2 :光阻層 30 6 :全像光罩 310 :光束 31 4 :距離 318 開口 4 0 2 :光阻層 406 :全像光罩層 1 0 6 :進行曝光步驟 122 :影像 142 :影像 146 :影像 160 :全像光罩 164 :影像 1 6 8 :編碼區域 2 0 0 ·晶圓 204 :全像光罩 204b :全像光罩 208 :距離 210 :表面 214 :圖案 21 8 :第零級照射光 221 :基板 224 ··第零級照射光 3 0 0 ·晶圓 304 :擋板 308 :擋板 31 2 :衍射光 316 :開口 400 :晶圓 4 0 4 :緩衝層 408 :透鏡

第21頁 1222102 圖式簡單說明 410 :全像光罩 41 2 :光束 41 4 :光束 41 6 :光阻層 418 :緩衝層 4 2 0 :光阻層 422 :圖案 424 :圖案 50 0 :基材 5 0 2 :光阻層 504 :透鏡 506 :光束 5 0 8 :成像區 550 :基材 5 5 2 :光阻層 554 :緩衝層 556 :全像光罩層 558 :光束 5 6 0 :還原光束 5 6 2 ·成像區 第22頁

Claims (1)

1222102 六、申請專利範圍 1· 一種半導體製程中運用全像（Holographic)技術之微影 (Photolithograph)方法，至少包括： 提供一圖案； 進行一編碼（Encoding)步驟，藉以將該圖案轉換成複數個 全像條紋（Holographic Fringes); 形成一全像光罩（HR)，其中該全像光罩上具有該些全像條 紋；以及 進行一還原步驟，藉以將該全像光罩上之該些全像條紋還 原在一晶圓之一能敏層（Energy-sensitive Layer)上，而 在該晶圓之該能敏層上形成該圖案之一影像。 2·如申請專利範圍第1項所述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該編碼梦驟係利用一區域編碼技術 (LET)。 3.如申請專利範圍第1項所述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該還原少驟係利用一曝光方式。 4·如申請專利範圍第1項所述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該還廣夕驟更至少包括進行一直接照 射步驟。 5 ·如申請專利範圍第1項戶斤述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該還雇夕驟更至少包括進行一偏軸照

1222102 六、申請專利範圍 射步驟。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該偏軸照射步驟更至少包括： 提供一第一擋板位於該能敏層與該全像光罩之一表面之 間，其中該第一擋板上至少包括一開口； 提供一第二擋板位於該全像光罩之另一表面上方，其中該 全像光罩之該另一表面與該表面相對應，且該第二擋板上 至少包括一開口；以及 提供一光束斜向射入該第二擋板上之該開口，而射入該全 像光罩，其中該光束通過該全像光罩後，該光束之第零級 光射向該第一擋板，而該光束之衍射光則射向該第一擋板 之該開口’進而射向該能敏層。 7·如申請專利範圍第1項所述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該還原步驟更至少包括： 形成一緩衝層位於該能敏層上； 形成一全像光罩層位於該缓衝層上； 提供一透鏡位於該全像光罩以及該晶圓上之該全像光罩層 之間； 進行一圖案轉移步驟，藉以透過該透鏡而將該全像光罩上 之該些全像條紋轉移至該全像光罩層上；以及 =另一光束直接照射該全像光罩層，藉以將轉移至該全像 光罩層上之該些全像條紋還原，而在該能敏層上形成該圖

第24頁 1222102 六、申請專利範圍 案之該影像。 8·如申請專利範圍第7項所述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該緩衡層之材質具有可透光性。 9 ·如申請專利範圍第7項所述之半導體製程中運用全像技 術之微影方法，其中該全像光罩層之曝光能量不同於該能 敏層之曝光能量。 10·如申請專利範圍第7項所述之半導體製程中運用全像 技術之微影方法，其中以該另一光束直接照射該全像光罩 層之步驟更至少包括利用一雙光子效應（Two-photo E f f e c t)之技術。 11·如申請專利範圍第10項所述之半導體製程中運用全像 技術之微影方法，其中該另一光束至少包括複數個光子， 且每一該些光子之能量小於該能敏層之曝光能量。 12·如申請專利範圍第1項所述之半導體製程中運用全像 技術之微影方法，其中該能敏層係一光阻層。 13· 一種半導體製程中運用全像技術之微影方法，至少包 括： 提供—圖案； 第25頁 1222102 六、申請專利範圍 進行一編碼步驟，藉以將該圖案轉換成複數個全像條紋； =成一全像光罩，其中該全像光罩上具有該些全像條紋； 提供一晶圓，其中該晶圓上至少已形成有依序堆疊之一能 敏層、一緩衝層位於該能敏層上、一全像光罩層位於該 衝層上； 提供丁透鏡位於該全像光罩以及該晶圓上之該全像光罩層 進行一圖案轉移步驟，藉以 之該些全像條紋轉移至該全 進行一曝光步驟，藉以將轉 像條紋還原在該能敏層上， 該圖案之一影像。 透過該透鏡而將該全像光罩上 像光罩層上；以及 移至該全像光罩層上之該些全 而在該晶圓之該能敏層上形成

14 ~如Γ 專利範園第13項所述之半導體製程中運用全像 ，術之祕〜方法’其中該編碼步驟係利用一區域編碼技

16·如申請專利範 技術之微影方法， 能敏層之曝光能量 園第13項所述之半導體製程中運用全像 其中該全像光罩層之曝光能量不同於該

第26頁 1222102 六、申請專利範圍 17·如申請專利範圍第13項所述之半導體製程中運用全像 技術之微影方法，其中該曝光步驟更至少包括利用一雙光 子效應之技術。 18·如申請專利範圍第17項所述之半導體製程中運用全像 技術之微影方法，其中該曝光梦驟至少包括利用一光束， 且該光束至少包括複數個光子，而每一該些光子之能量小 於該能敏層之曝光能量。 19·如申請專利範圍第13項所述之半導體製程中運用全像 技術之微影方法，其中該能敏層係一光阻層。 20· —種全像光罩，至少包栝： 一透明基板，其中該透明基板至少包括相對之一第一表面 以及一第二表面； 一圖案位於該透明基板之該第一表面上；以及 該圖案之一共軛圖案位於該透明基板之該第二表面上。 21. 如申請專利範圍第2 0項所述之全像光罩，其中該透明 基板之材質為石英。 22. 如申請專利範圍第20項所述之全像光罩，其中該圖案 至少包括複數個全像條紋。

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23· —種全像光罩，至少包括： 透明基板’其中該透明基板至少包括一表面；以及 一相移圖案位於該透明基板之該表面上，其中當一光束透 射過該全像光罩時，該光束之第零級光消失，且該光束之 高階光透射出該全像光罩。 24·如申請專利範圍第23項所述之全像光罩，其中該透 基板之材質為石英。 25· —種全像光罩之製造方法，至少包括： 提供一透明基板，其中該透明基板至少包括相對之一第 表面以及一第二表面； 形成一圖案位於該透明基板之該第一表面上；以及 形成該圖案之一共軛圖案位於該透明基板之該第二表面 26·如申請專利範圍第25項所述之全像光罩之製造方法 其中該透明基板之材質為石英。 2了·如申請專利範圍第25項所述之全像光罩之製造方法 其中該圖案至少包括複數個全像條紋。 28· —種全像光罩之製造方法，至少包括： 提供一透明基板，其中該透明基板至少包括一表面；以及

1222102 六、申請專利範圍 形成一相移圖案位於該透明基板之該表面上，其中當一光 束透射過該全像光罩時，該光束之第零級光消失，且該光 束之高階光透射出該全像光罩。 29.如申請專利範圍第28項所述之全像光罩之製造方法， 其中該透明基板之材質為石英。

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