TWD213082S - 半導體製造裝置用反應管（三） - Google Patents
半導體製造裝置用反應管（三） Download PDFInfo
- Publication number
- TWD213082S TWD213082S TW109306839F TW109306839F TWD213082S TW D213082 S TWD213082 S TW D213082S TW 109306839 F TW109306839 F TW 109306839F TW 109306839 F TW109306839 F TW 109306839F TW D213082 S TWD213082 S TW D213082S
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- product wafer
- gas
- film
- article
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
Images
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPD2020-11850F JP1682776S (enExample) | 2020-06-15 | 2020-06-15 | |
| JP2020-011850 | 2020-06-15 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWD213082S true TWD213082S (zh) | 2021-08-01 |
Family
ID=75268182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW109306839F TWD213082S (zh) | 2020-06-15 | 2020-12-04 | 半導體製造裝置用反應管（三） |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP1682776S (enExample) |
| TW (1) | TWD213082S (enExample) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWD239445S (zh) | 2023-03-13 | 2025-07-21 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用外罩之部分 |
| TWD241748S (zh) | 2023-06-28 | 2025-12-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用隔熱單元外罩 |
-
2020
- 2020-06-15 JP JPD2020-11850F patent/JP1682776S/ja active Active
- 2020-12-04 TW TW109306839F patent/TWD213082S/zh unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWD239445S (zh) | 2023-03-13 | 2025-07-21 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用外罩之部分 |
| TWD241748S (zh) | 2023-06-28 | 2025-12-01 | 日商國際電氣股份有限公司 (日本) | 基板處理裝置用隔熱單元外罩 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP1682776S (enExample) | 2021-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWD213081S (zh) | 半導體製造裝置用反應管（一） | |
| JP7171900B2 (ja) | 選択的材料除去 | |
| TWI698549B (zh) | 噴淋頭總成及其組件 | |
| CN102460716B (zh) | 高生产率多孔半导体制造设备 | |
| CN114717538B (zh) | 一种薄膜沉积装置及其沉积方法 | |
| CN104046960B (zh) | 一种应用于薄膜沉积技术的气体分配器 | |
| CN108690972A (zh) | 用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置 | |
| TW200537561A (en) | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design | |
| CN113755823A (zh) | 半导体热处理设备的气体喷射装置及半导体热处理设备 | |
| JP7267308B2 (ja) | 上方電極アセンブリ、反応チャンバおよび原子層堆積装置 | |
| JP2025527920A (ja) | シャワープレート、シャワー方法及び処理装置 | |
| TW201137941A (en) | Epitaxial growth device, and method of manufacturing the same | |
| CN104835876B (zh) | 气体均匀布气装置 | |
| KR101355638B1 (ko) | 원자층 증착 장치 | |
| TWD213083S (zh) | 半導體製造裝置用反應管（四） | |
| CN116590692A (zh) | 喷淋板、反应腔室、使用气体的处理设备及基片处理方法 | |
| CN217521954U (zh) | 一种炉管设备 | |
| CN218621044U (zh) | 等离子体化学气相沉积装置 | |
| TW200908191A (en) | Substrate processing apparatus | |
| CN204625834U (zh) | 反应管及采用该反应管的硅芯生长炉 | |
| CN219260187U (zh) | 气体喷淋头装置及化学气相沉积设备 | |
| CN208667844U (zh) | 用于膜层沉积装置的气体注入管及膜层沉积装置 | |
| WO2021169860A1 (zh) | 晶圆支撑件、晶圆加工装置及晶圆加工方法 | |
| US9053928B2 (en) | Wafer and film coating method of using the same | |
| CN202688432U (zh) | 一种晶体硅太阳能电池双层镀膜设备 |