TW593149B

TW593149B - Method of making < 200 nm light transmitting optical fluoride crystals for transmitting less than 200 nm light

Info

Publication number: TW593149B
Application number: TW91117496A
Authority: TW
Inventors: Rebecca Sue Retherford; Robert Sabia; Vincent P Sokira
Original assignee: Corning Inc
Priority date: 2001-06-20
Filing date: 2002-07-29
Publication date: 2004-06-21

Description

593149 五、發明說明（1) 相關申請：本申請依據Retherford等人在2001年6月20日申請之

標題為’’METHOD OF MAKING <2 0 0NM LIGHT TRANSMITTING OPTICAL FLUORIDE CRYSTALS FOR TRANSMITTING LESS THAN 200nm LIGHT”之美國第60/29 9,690號專利臨時申請案主張優先權。發明領域：本發明疋關於光學氟化物晶體，特別是對低於2 Q 〇毫微米光，例如由準分子雷射所產生光線，其具有高透射值的光學氟化物晶體，例如氟化鈣。特別地，本發明是關於製造具有改進之透射表面的光學氟化物晶體。本發明是2 ^ 光子氟化物晶體表面，除去中空間頻率粗糙度的卜10⑽ 米空間波長，和高空間頻率為〈丨微米空間波長。 4 發明背景： / 利用膠態懸浮來磨光物件及其毛胚的最終部分上已和礬土膠質是經由各種技術產物以確保最高純度的產物溶液穩定到可以達到最佳表顆粒尺寸分佈可以經過調整在處理之後從表面處理件清目前光學氟化物晶體可級並非良好地足以作為光學版印刷術元件。質的應用，在形成光學元件部經變成相當關鍵的項目。石夕石來形成，通常需要昂貴的前身。透過緩和劑系統的使用，使面處理的PH值和固體負载值。以控制最终的表面處理，以及洗殘留研磨顆粒的能力’。，用之最終光學透射表面的等氟化物晶體雷射元件和光學平

593149 五、發明說明（2) 發明大要：本發明包括一種製造波長<2〇〇毫微米之光學氟化物晶體的方法，此方法包括提供氟化物晶體預型件，此預型件含有第一和第二初步表面處理的光學透射表面，這些表面的粗k度R M S $ 2 0埃，其含有多個初步表面處理之中間空間頻率粗糙度的1 - 1 0 0 0微米空間波長，和初步表面處理之高空間頻率粗I度的< 1微米空間波長，而此初步表面處理的氟

化物預型件具有低的初步表面處理；U2 0 0毫微米透射率LT (%/>公分）。此方法包括提供除去最終磨光之中間空間頻率和咼空間頻率空間波長的膠態顆粒溶液，此溶液的pH值-Θ ，以及夕個膠恶顆粒；並且使用此除去中間空間頻率和高空間，率空間波長的溶液將此初步表面處理的表面最終磨光成第一和第二最終磨光的氟化鈣光學透射表面，使得此除去中間空間頻率和高空間頻率空間波長的溶液除去初步表面處，之空間頻率的空間波長，以便提供含有最終表面處理之鬲光學透射表面的最終表面處理光學氟化物晶體，這些，面不合中間空間頻率粗糙度的卜丨〇⑽微米空間波長， =间工間2率粗糙度的<1微米空間波長，而此最終晶體具入<2〇〇毫微米的高透射率Ητ(%/公分），其中葬且 ΐ ϋ ί人<200亳微来的光線透射過此最終表面處理的高允学還射表面。 i π ΐ如明包括製造透射<200毫微米光之光學氟化物晶體以在小於2 G焦爾/平方公分的照射下，透射小於 2〇〇㈣米的光線。此方法包括提供光學氟化物晶體預型

593149

件，此預型件含有第一和第二初步表面處理的平行平坦光學透射表面，這些表面的表面粗糙度RMS $5〇埃，含有初步表面處理的中間空間頻率（1 —1〇〇〇微米空間波長）粗糙度和初步加工的高空間頻率（<1微米空間波長）粗糙度，而此初步表面處理的預型件具有低的初步表面處理λ < 2 〇〇毫微 f透射率LT(%/公分）。此方法包括提供處理最終表面的膠態不易碎球形研磨粒子溶液，此溶液的pH值，含有多數平均顆粒尺寸在20到300毫微米範圍内的膠態不易碎球形研磨顆粒。此方法包括使用此處理最終表面的膠質，將初步，面處理的表面最後磨光成最終磨光的光學透射表面，使得此處理最終表面的膠態顆粒溶液，除去初步表面處理之中間空間頻率粗糖度的1 _ 1 〇⑽微米空間波長，和初步表 2處理之高空間頻率粗糙度的ο微米空間波長，以便提供 t有最終表面處理之高光學透射表面的最終表面處理光學 ^，物晶體毛胚，此最終毛胚具有最終表面處理的λ <200 毫彳政米鬲透射率ΗΤ(%/公分），其中HT>LT。鱗曰本發明包括製造紫外線；1 <20 0毫微米之合格光學氟化物晶體的方法適用於波長人<2〇〇毫微米下，優先地使用照射<20焦爾/平方公分，而波長人小於2〇〇毫微米情況。此方法包括提供光學氟化物晶體預型件，此預型件含有第一初步表面處理的平坦光學透射表面，這些表面的表面粗糙度 RMS $ 50埃，含有初步表面處理之中間空間頻率粗糙度為1 -1 0 0 0微米空間波長，和初步表面處理之高空間頻率粗糙度的< 1彳放米工間波長，而此預型件具有低的初步表面處理入<

第8頁 593149 五、發明說明（4) ' --- 200毫微米透射率LT(%/公分）。此方法包括提供除去最終磨光中間$間頻率㈣態球形研磨顆粒溶液，此除去中間空間頻率溶液的pH值2 9,含有多數平均顆粒尺寸在2〇到 300毫微米範圍内的膠態顆粒’優先地這些顆粒包含。此方法包括使用此除去中和高空間頻率的溶液，將初步表面處理的表面最終磨光成最終磨光的光學透射表面，使得 ΐ除ί =空間頻率和高空間頻率的溶液，除去初步表面處理中間二間頻率粗糙度為1-1 000微米，和初步表面處理 ;:空：頻率粗縫度為U微米空間波長，以便提供含有最 =面處理广高光學透射性表面的最終表面處理光學氣化 Β曰體’此最終晶體具有最終表面處理的又<20 二射车公分），其中HT>LT。並且使用照射< ^ Γ:ί，::透長射λ广毫微米财學;=透射表面以提供對波長㈣毫微米合格的光晶包括一種製造波長<2〇〇毫微米之光學氟化約』^ : π 1 ’用於照射<20焦爾/平方公分下。此方法包括 2化約晶體預型件，此預型件含有第一和第二初步 < 5 0 #八7、坦光學透射表面，這些表面的表面粗糙度RMS _ ^米3空;;步長%面處t中間空間頻率粗链度為1 -為<1微米空間波長：：步表面處理之高空間頻率粗糙度 =包以==毫：米透射一捉供除去最終磨光之中間空間頻率和高空間頻第9頁 593149 五、發明說明（5) 率的膠態Si Ο?顆粒溶液，此溶液的pH值-9,含有多數平均顆粒尺寸在20到30 0毫微米範圍内的膠態Si 〇2顆粒。此方法包括使用此除去中間空間頻率和高空間頻率的溶液，將初步表面處理的表面最終磨光成第一和第二最終磨光的氟化鈣光學透射表面，使得此除去空間頻率的溶液，除去初步 ^面處理的空間頻率波長，以便提供含有最後表面處理之鬲光學透射表面的最終表面處理光學氟化鈣晶體，此最終晶體具有λ <200毫微米的高透射率HT(%/公分），其中HT〉LT ^此方法包括使用知、射< 2 〇焦爾/平方公分，而波長又〈2 〇〇毫U米的光束，透射過此最終表面處理的高光學透射表面，以提供波長；I < 2 0 0毫微米合格的光學透射測，本發明包括-種製造波長·毫微米=學氟㈣晶入=法。此方法包括提供a㈣晶體預型件，此預 3有弟一和第二初步表面處理的光學透射表面， =表面粗糙度RMS $20埃，含有多數初步表面處理之二中、間頻率粗糙度為卜1 000微米空間波長和初步 a二高空間頻率粗糖度為 <丨微米空間波長而此=^之 :广化鈣預型件具有低的初步表面處理λ〈：理率LTU/公分）。此方法包括提供除去最終磨光射，率和兩空間頻率空間波長的膠態顆粒溶中：間值^9,含有多數膠態顆粒；並且使用此除去中門和高空間頻率空間波長的溶液，將初步】2頻率 =磨光成第-和第二最終磨光的氣犧：透里的表面最付此除去中間空間頻率和高空間頻率空間波長的：：:：

593149

:初步表面處理的空間頻率空間波長，以便提供含有最故曰曰體面高光人學Λ射表面的最終表面處理光學氟化舞· 些表面不含中間空間頻率粗糙度為卜1〇〇〇微米空間 U，和高空間頻率㈣度為u微米空間波長，此最終晶體 j λ<20 0毫微米的高透射率HT(%/公分），其中ht〉lt。並，用波長；I <200毫微米的光束，透射過此最終表面的南光學透射表面。本發明詳細描述: 、本灰明包括製造透射< 2 〇〇毫微米光的光學氟化物晶體 =透射小於200毫微米的光，優先地是在小於2〇焦爾/平方公分的照射下。這類透射<200毫微米光的光學氟化物晶體被應用於在波長小於2 〇〇毫微米下運作的真空紫外線光學平版印刷術系統和雷射中。圖1顯示這樣利用<2〇〇毫微米光學氟化物晶體的1 9 3毫微米平版印刷術系統/準分子雷射，而圖2顯示利用<2〇〇毫微米光學氟化物晶體的157毫微米平版印刷術系統/準分子雷射。本發明包括一種製造透射< 2 〇〇毫微米光之光學氟化物晶體預型件2 0的方法。如圖3 -1 4所示，此氟化物晶體預型件2 0優先地含有第一和第二初步表面處理的平行平坦光學透射表面22。初步表面處理之平坦光學透射表面22的表面粗糙度RMS S 5 0埃，含有初步表面處理之中間空間頻率粗糙度為1 -1 0 0 0微米空間波長，和初步表面處理之高空間頻率粗糙度為<1微米空間波長，而此預型件20具有低的初步表面處理λ <2 00毫微米透射率LT(°/。/公分）。此方法包括提供

第11頁 593149 五、發明說明（7) ------------ 處理最終表面的_ 的PH值U 不易碎球形研磨顆粒溶液24,此溶液内的膠態不L卒二數平均顆粒尺寸在2〇到3〇0毫微米範圍使用此處理形研磨顆粒。如圖5_7所示，此方法包括麥 < 表面的膠態顆粒溶液24,將預型件2〇的初 i、;24 Π表本面22最終磨光。透過此最終磨光的膠態顆粒中*門，、、由/表面處理之中間空間頻率粗糙度為卜10〇〇微二=二决和初步表面處理之高空間頻率粗糖度為<1微 :: & F會被除去，而提供最終表面處理磨光的光學

、面顆粒溶液2 4的最終磨光，除去了預型件2 〇之表氺與^初^表面處理波長，而提供含有最終表面處理之高光:透射表面30的最終表面處理光學氟化物晶體毛胚28， ^匕八後^胚具有最終表面處理的λ <20 0毫微米高透射率町 Α、刀），其中HT>LT。此最終磨光除去了中間空間頻率粗糙=為卜1 0 0 0微米空間波長，和高空間頻率粗糙度為q微米^間波長，產生了不含中間空間之卜1 000微米空間波長，和同空間之< 1微米空間波長的最終表面處理高光學透射表面30,並且此最終表面處理的晶體28具有增進的λ<2〇〇毫微米透射率。

提供光學氟化物晶體預型件20，優先地包括提供具有低初步表面處理之193毫微米透射率LT的預型件20,並且除去中空間頻率粗糙度為卜1 〇〇〇微米空間波長，和高空間頻率粗糙度為< 1微米空間波長以提供具有丨9 3毫微米高透射率HT的最終表面處理光學氟化物晶體28，其中HT-LT>丨（％/ 公分，在193毫微米下）。提供晶體預型件2〇優先地包括提

第12頁 593149 五、發明說明（8) ----- 供具有低初步表面處理之丨93毫微米透射率LT的氟化鈣晶體預型件20,其中在193毫微米下，LT>9〇%/公分。在一個實施例中，提供光學氟化物晶體預型件2〇包括提供氟化鎂晶Λ 體預型件。在進一步的實施例中，提供光學氟化物晶體預型件20包括提供氟化鋇晶體預型件。在另一個實施例中，提供光學氟化物晶體預型件20包括提供氟化鋰晶體預型，件。提供光學氟化物晶體預型件2〇,包括提供含有初步加工表面22的光學氟化物晶體預型件2〇,此表面的表面度RMS $20 埃。處理最終表面之顆粒溶液24的膠態球形研磨顆粒26是不易碎的，跟易碎的研磨顆粒比較起來，它們沒有可測得的脆弱性。易碎的研磨顆粒容易斷開而形成鋸齒邊緣，在磨光期間，這些邊緣會由於研磨而機械式地除去物質。提供處理最終表面的顆粒溶液24,優先地包括提供除去最欲^ 面處理之中空間頻率，和高空間頻率的石夕石顆粒溶液，直顆粒26包含矽石。矽石顆粒26優先地是由火焰_水解導致的矽石顆粒。在優先實施例中，處理最終表面之溶液24的矽石顆粒26是火焰水解熔解矽石粉塵顆粒。在一個優先實施例中，矽石顆粒2 6是火焰-水解粉塵矽石顆粒。在另一個實 =中，石夕石顆粒26是沉殿的石夕石顆粒，例如由溶膠_凝膠導出的碎石顆&。在-個實施例中，提供處理最終表面的溶液24,包括提供除去最終表面處理之中間空間頻率和高空間頻率的鋁氧化物顆粒溶液24，其含有鋁氧化物顆㈣ «提供處理最終表面的溶液24’包括提供除去最終表面處 593149

理之中間空間頻率’和高空間頻率的顆粒溶液，其顆粒26的表面積在10到200平方公尺/八古‘ 的表面積在20到110平方公尺^克的^圍°優先地顆粒26 乃A尺/見的耗圍内，更優先地在20 到5 0平方公尺/克的範圍内。楹批步顆：溶液，其ρΗ值在9到13的範圍内，更優先地在一個優先實施例中，處理最終表面的浴液24包s氫氧化鉀。在進一步實施例中，處理最終表面的溶液24包含氫氧化銨。在另一個實施例中，處理最終表面的溶液24包含氫氧化鈉。一，一個優先實施例中，此方法包括使最終表面處理的光+氟化物晶體2 8符合規格，其可以使用作為^〈 2 q 〇毫微米的光學元件晶體。此方法優先地包括測量晶體2 8的1 9 3 毫微来透射率，更優先地包括測量晶體28的157毫微米透射率。在一個貫施例中，此方法包括將最終表面處理的光學氟化物晶體28,製作成<200毫微米雷射中的<2〇〇毫微米雷射部件光學元件，優先地在<20焦爾/平方公分的照射，更優是在〈1 〇焦爾/平方公分的照射量，而又更優先地是在< 1焦爾/平方公分照射。優先地此晶體28被製作成157毫微米的雷射元件，例如視窗，稜鏡，或透鏡。在一個實施例中，此方法包括將最終表面處理的光學氟化物晶體2 8製作成< 2 0 0毫微米的光學平版印刷術元件，優先地此光學平版印刷術元件在< 2 0焦爾/平方公分的照射量下使用，更優先地是在<；[0 焦爾/平方公分的照射，而最優先地是在<1焦爾/平方公分

第14頁 593149 五、發明說明（ίο) "祕的照射下。優先地光學氟化物晶體光學元件應用於丨5?毫微米光線的透射。如圖3 -1 4所示，本發明包括製造紫外線又< 2 〇〇毫微米之合袼光學氟化物晶體的方法，此晶體有適合使用波長入< 2 0 0毫微米和照射< 2 0焦爾/平方公分下。此方法包括提供光學氟化物晶體預型件20,此預型件含有第一初步表面處理的平坦光學透射表面22,此表面的表面粗糙度RMS - 5〇埃，、其含有初步表面處理之中間空間頻率粗糙度為卜1〇〇〇微米空間波長，和初步表面處理之高空間頻率粗糙度為〈丨微米空間波長，而此預型件2G具有低的初步表面處理λ<2〇〇毫微米透射率LT(%/公分）。此方法包括提供除去最終磨光 f中間空間頻率和高空間頻率的膠態研磨顆粒溶液24，優先地含有膠態3102顆粒26。所提供之膠態顆粒溶液24的?11 值優先地-9,而且優先地含有多數膠態义〇2顆粒26。膠態顆粒26的平均顆粒尺寸優先地在2()到3⑽毫微米的範圍内

方法°括使用所&供之除去空間頻率波長的最終磨光 3溶液24,將初步表面處理的表面以最終磨光以除去初 V ^面處理之中間空間頻率粗糙度為1 — 1 〇 Μ微米空間波長 ’ Π〜空間頻率為“微米空間波長以提供含有最終表面處 …之二光主學透/表面go的最終表面處理光學氟化物晶體28 =5 : 的氟化物晶體28具有最終表面處理的W # N透射率Ητα/公分I其tHT>LT。此方法包括锈射'主I?焦爾/平方公分，而波長WOO毫微米的光束，射過此取後表面處理的高光學透射表面3〇，以提供對波

第15頁销ft 593149

長又<20 0笔微米合格的光學透射測量，優先地在〈i〇焦爾/ 平方2分照射下，更優先地在< 1焦爾/平方公分照射下。提/、預型件2 〇，優先地包括提供具有低初步表面處理之193毫微米透射率LT的預型件2〇，並且除去中間空間頻率為1胃1 0 0 0彳政米空間波長，和高空間頻率為 < 丨微米空間波長以提供具有咼1 93毫微米透射率HT的最終表面處理光學氟化物晶體28,其中HT-LTX%/公分，在193毫微米了），優先地在193毫微米下，LT>9〇%/公分。在本發明的操作上經由除去卜1〇〇〇微米空間波長和〈丨微米空間波長，將在193毫微米 = LT = 90· 3%的預型件20,改進到HT=91 · 98%的最終表面處理晶體28。在一個實施例中，所提供的預型件2〇是氟化鈣晶體預型件，具有大於90%/公分的低初步表面處理丨93毫微米透射率。在一個實施例中，所提供的預型件20是氟化鎂晶體預型件。在另一個實施例中，所提供的預型件2 〇是氟化鋇晶體預型件。在進一步的實施例中，所提供的預型件2 〇是氟化鐘晶體預型件。所提供之預型件20的表面粗糙度 RMS優先地$20埃。

&供除去空間波長的最終磨光膠態球形研磨顆粒溶液 2 4，優先地包括提供膠態球形研磨§丨顆粒2 6。在.一個實施例中，S i 〇2顆粒2 6是火焰-水解導出的煙壎;g夕石粉塵顆粒。在一個實施例中，Si 〇2顆粒26是沉澱的矽石顆粒，例如溶膠-政膠導出的顆粒。優先地此S i 〇2顆粒2 β的表面積在1 〇到2 0 0平方公尺/克的範圍内，更優先地是在2 q到11 〇平方公尺/克的範圍内，而優先地的是在20到50平方公尺/克的範

第16頁

593149 五、發明說明（12) 圍内。所提供之顆粒溶液24的pH值優先地在9到1 3的範圍内，更優先地是在1 〇到11的範圍内。在一個實施例中，顆粒溶液2 4包含氫氧化鉀。在一個實施例中，顆粒溶液2 4包含氫氧化鈹。在一個實施例中，顆粒溶液2 4包含氫氧化鈉。在一個實施例中，此方法進一步包括將最終表面處理的光學氟化物晶體製作成< 2 0 0毫微米的雷射部件光學元件，例如雷射視窗，雷射稜鏡，或雷射透鏡，優先地此雷射元件用來透射157毫微米光線，更好的是在<ι〇焦爾/平方公分照射下的1 5 7宅微米光線，而最優先地在< 1焦爾/平方公分的照射下。在一個實施例中，此方法進一步包括將最終表面處理的光學I化物晶體製作成<200毫微米的光學平版印刷術元件，例如透鏡或是光束分裂器，優先地此光學元件用來透射 157毫微米光線，更優先地在<；[〇焦爾/平方公分照射下157 毫微米光線，而最優先地在< 1焦爾/平方公分照射下。本發明包括製造波長<2〇〇毫微米的光學氟化鈣晶體，用於照射<20焦爾/平方公分下。此方法包括提供氟化鈣晶體預型件2 0，此預型件含有初步表面處理的平坦光學透射表面22,這些表面的表面粗糙度RMS $5〇埃，其含有初步加工之中間空間頻率粗糙度為卜^⑽微米空間波長，和高空間頻率粗糙度為。微米空間波長。所提供的氟化妈晶體預型件20具有低的初步表面處理入<2〇〇毫微米透射率lt(%/ 公分）。此方法包括提供除去最終磨光之中間空間和高空.

593149

，其含有平均顆粒尺寸在2 〇到3 0毫微米範圍内的膠態s丨〇 2 顆粒。此方法包括使用此顆粒溶液24,將預型件2〇的表面 2 2最終磨光以便除去初步表面處理的空間頻率空間波長以提供含有最終表面處理之高光學透射表面3〇的最終表面處理光學I化鈣晶體28，此晶體28具有；t <2〇〇毫微米的高透射，HT(%/公分），其中HT>LT。此方法包括使用波長λ<2〇〇毫微米的光束，透射過此最終表面處理的高光學透射表面以f供對波長λ<20 0毫微米合格的光學透射測量，和合格的晶體28。優先地此方法包括使晶體28適合用於<2〇焦爾/ 平方公分的照射下，更優先地 <；丨0焦爾/平方公分的照射，又 k先地是<1焦爾/平方公分的照射。提供預型件2〇優先地包括提供氟化鈣晶體預型件20,此預型件2〇具有低的初步表面處理193毫微米透射率；並且除去中空間頻率粗糙度為 γ 1 0 0 0彳政米空間波長，和高空間頻率粗糙度為< 1微米空間波長以提供最終表面處理的光學鈣氟化物晶體，此最終晶體具^有高的193毫微米透射率HT，其中HT —LT>1(%/公分，在 W3毫微米下）。優先地在193毫微米下，LT>9〇%/公分。在一個優先實施例中，所提供氟化鈣晶體預型件2 〇含有初步表面處理的表面22，這些表面22的表面粗糙度RMS $20埃。在一個實施例中，所提供顆粒溶液24包含熔解矽石粉塵顆粒。在一個實施例中，所提供顆粒溶液24包含粉塵矽石顆粒。在一個實施例中，所提供的顆粒溶液24包含沉澱 =矽石顆粒。優先地3丨〇2顆粒26的表面積在1〇到2〇〇平方公尺/克的範圍内，更好的是在2〇到11〇平方公尺/克的範圍

593149 五、發明說明（14) 内。最好顆粒溶液24的pH值在9到1 3的範圍内f . 幻〇到11的範圍内。在一個實施例中，顆粒溶，’疋固實施例中，顆粒溶液24包含她個貝施例中，顆粒溶液24包含氫氧化鈉。含有百低雜貝值和间透射率的早晶光學氟化 t ^ , ： Ξi ； :ίίΠ:坦表面，更好的是兩個平坦而彼此平行 :?:卡’更優先地。微米。然後經由多表面並維持平域μ供初步表 H末改進此多步驟磨光是使用在中性_溶液二先心，粒尺：的機械式研磨劑，#中的顆粒尺寸在大二'低 izto? "" ® ^ ^ M ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ tL ^A 12 03 , ^ ^ , SiC, 長以及表層；ΐ;’Λ 間頻率粗縫度為°微米空間波別是對曰^透=fσ以除去以提供有利的度量之測量，特，而不需曰曰要的測量。本發明提供光學透射率的鑑定測量通常長/㈣的測量，^路徑長度試樣發明消除表面缺陷所造成的透射率損耗。本 -件之則’證明並鑑定晶體的透射率，本發明可 593149

速和:父低的鑑定成本，並且改進製造光學元件的成本。件先f施例中，所提供的光學氣化物晶體預型晶體，其初步表面處理表面22是晶體平實施例中，所提供的晶體預型_是具根ϋ私二2:體，其，步表面處理表面22是晶體平面。二夹面:厶广括中和高空間頻率粗链度，以及表層下損壞 =面品質強_^ 毫微米透射率。特別是對193毫微米，透射率從h 4 98%^ Ί 的9〇.3〇%，増加到〇.8毫微米RMS表面的91. 糙°产為ΐ-·〗H。，本發明經由除去並消除中間空間頻率粗編於本發明使用最終步驟磨光以除去從先前的機械磨光所 =i表面和表層下的損壞以提供改進的c叫表面作為内 ° 、率的測量。此最終步驟磨光是使用分散在鹼性環境 P值9-12)中的球形不易碎研磨劑來執行。此研磨顆粒可以包括非限制性例如火焰—水解Si〇2(粉塵或熔解），沉積之 ^，和/儿積A丨2〇3。這種使用高pH值溶液中之球形不易碎氺，最終磨光步驟是化學—機械式處理。此實例應用使 ^疋叙塵S i Ο?。此處理優先地被執行來測量有關透射率和雷射損壞的度量衡，以及用來製造準分子雷射元件和版印刷術產品。 :=、！米空間波長，和高空間頻率粗糙度為<:l微玉日1 /皮長以提供增進的透射率。此本發明包括使表面品質產生一些特性以便鑑定表面有 -方面舄要被改進以增進光學效能。在底下本發明的範

第20頁 593149 五、發明說明（16) 例中，我們測量氟化約單晶的透射效能，相對於兩個不同之表面品質的關係。所處理之表面的特性是使用光學干涉測量法和原子力顯微照相來執行以便確定那些類的表面缺陷對CaF2是普遍的，以及這些缺陷影響透射效能的程度。表α 面品質是以中和高空間頻率粗糙度（分別是卜1 〇〇〇微米和< 1微米空間波長的範圍）來討論。使用Stockbarger方法來製造單晶氟化鈣細工，其中整體的熱膨脹係數為18.85x1 〇-6/°C(參考表格1)。此晶體被"' 切割成單一路徑長度試樣，以平面作為平行的曝露表面。這些試樣是雙面研磨並被拋光，然後使用含有逐漸降低顆粒尺寸的純機械式研磨劑以作多步驟磨光（參考表面處理規=Α)以便提供初步表面處理的光學氟化物晶體預型件。曝露並磨光之表面的努氏硬度以確定在152_159公斤/平方毫米的範圍内，決定於刻痕器長軸，和結晶學方向之間的指向（也就疋，方位角度）。試樣表面使用等離子體來清洗，並 ^使用5 1和40倍放大（掃瞄面積分別為1.48和0.023平方笔$ )的知瞄白光光學干涉測量法來賦予特性；然後分析中間二_間頻率缺陷和巨觀表面粗糙度。原子力顯微照相（AM 進步被/用來賦予高空間頻率刻痕，和微觀表面粗糙度的古=。然後，，用含氮氣體進行淨化，而光束尺寸為27平方 ==的鎢重#氫雙光束UV/VIS分光光度計以測量試樣的透卢頻譜掃瞄是從185到400毫微米，以30毫微米/分鐘的 9 W I度ί仃操作，而單一波長測試則是在1 8 5，1 9 3，2 0 5，口〇〇笔微米下進行，其中在每個波長具有60秒的滯留

第21頁纖 593149 五、發明說明（17) 寺間此系統具有土 0· 2毫微米的波長準確度，和± 〇· 〇3%/ 二二的透射率準破度。在完成後’根據本發明使用在化學調整環境（氫氧化銨溶液，pH值10-10· 5)中的球形不易碎研磨知](私塵S i Ο?)，進一步將每個表面磨光以促進不含刻痕 1表層下損壞之表面的形成（參考表面處理規約B)。對這二再處理的試樣，重複清洗，表面特性，和透射率的測試。這些再處理試樣路徑長度改變小於0. 5 %。旦UF2的表面分析結果顯示在表2中。使用光學干涉測 ί氺5 =和4 0倍放大）可以確定出，對於1 · 4 8和0 · 0 2 3平方 =2的掃目田面積，純機械式的磨光處理（表面處理規約A)分了 2·〇和1.4¾微米RMS的宏觀表面粗糙度值。在β倍 $的掃目田久有顯示出刻痕，或是與頻率相關的缺陷（圖

粗二声2 ^，2〇倍放大的分析（圖160顯* 了中間空間頻率夺規Π 4予曰，由此表面上之局部半平面區域中的差異來 ^古 ^二，由波峰—波谷資料來看，以大約1 0毫微米的步來:^5平母米中橫向重複的高和低點）。使用AFM 頻率： = 其微觀表面粗链度為^ = 化學-機械式最终磨光：上“面積，根據本發明之步將表面加工分別改先 ^ 1 · 5和〇 · 8毫微米R μ S。此外此額夕卜：最終處理步驟除去了中間空此外在此額同别面在4 0倍放大的測試中（圖i 6 b )戶斤觀察到=。存·^: 覺觀察的，是改進的波峰-波谷值，這些值指出了局Ϊ

第22頁 593149 五、發明說明（18) 半平面區域的除去（參考表2) dAFM分析（圖空間頻率刻痕的除去，而且右雔h夕士认π )知出了问微觀表面㈣度。、#頰似之大削.2毫微細s的

對代表性CaF2試樣，所執行的UV/VIS 顯示在圖1 8中。此試樣是首弁先先度计知目田後使用如同前而矣品Γ 先步表面處理規約A，然後使用如同別面表面處理規削所理步驟來準備。者油且政化+ 貝外取…磨光處 .. 田波長降低時，表面品質影響透射率的裎所示的單-波長透射率透Λ革4果：^ 干j Α、…果，而更加準確地來定暑。 = 留時間，因此測試準…為加大。由於的增進：特；i’對個:個長表犧^ 了1 u未，兩個表面處理規約之間的差 = 之透射效能的差異。這些結果代表了中間二二0 :工間頻率粗链度，對CaF2透射率的結合效應，並且 3丘貝了冰糸外線波長對表面品質的敏感度，特別是對中間空間頻率粗糙度為卜1 000微米空間波長，和高空間頻率粗糙度為< 1微米空間波長。，：、、、:透射率測試指出，化學-機械式磨光步驟的額外使用顯著地增進了 Caf?2的光學效能，然而結果並不能只歸因 =，表面粗^造度上的增進。AFM分析（圖17心顯示使用純機械處理（也就是，初步表面處理規約A)之處理表面存在著高空間頻率的刻痕。這些刻痕的形成，被認為伴隨有某種程度之淺裂縫形式的表層下損壞，這些表層下損壞在機械磨光期間會傳播！彳表面中。我們相信這樣的損壞會經由發散

593149

五、發明說明（19) 光線，而降低透射率。使用化學_機械式磨光步驟（也就是表面處理規約B)顯示出可以除去這些高空間頻率的刻痕（圖1 7b)，而且被認為可以進—步除去所結合表層下之損壞。我們相信增進的透射率有部分決定於表層下之損壞的除 I 0 ' 對於不同配製之CaFz試樣的光學測試顯示出表面品質對透射率的顯著效應。特別是在193毫微求下，透射率由使用純機械研磨劑之多步驟磨光規約來配製丨.4毫微米rms表面的9 0. 3 0 %，增加到由含球形不易碎研磨顆粒鹼性溶液之化學-機械式最終磨光步驟，進一步處理到〇·8毫微米RMs之相同表面的91. 98%。由光學干涉測量法和原子力顯微照相之分析可以確定表面品質的差異，在於消除了中和高空間頻率粗縫度。同時也可以看出，消除了純機械磨光所伴隨的表層下之損壞。

CaFz物理特性，硬度以及熱膨脹數值對晶體指向為特定的，Knoop硬度值範圍表示方位角之差異。

CaF2 立方體 3.18 75. 8 152-159 18· 85 特性結構密度（g/cc) 彈性模數（Gpa)

Knoop 硬度（HK300 )(Kg/mm2) 熱膨脹係數，0-300 °C(xlO_6/

593149

由純機械拋光（表面處理規約A)以及依據本發明額外 ^ ^ ί ^幾4^最#終抛光步驟（表面*理規約B )配製出、勺叔糙度（R a)，均方根粗糙度（RMS) 以及波峰至波谷（R t )加以記錄。

儀器及掃表面處理規約A KMS(mm)

Rt(mm) 描尺寸 Ra(mm) 光學干涉儀 17.45+ 3.15 11-48 + 5.03 1.66+ 0.12 1.48_2 1·63± 0.06 2.03+ 〇〇7 0.023龍2 1.13± 0.28 139+ 〇 32 原子力顯微圖 25_2 0·16± 0·〇ι 〇.02± 0.01 表面處理規約Β 光學干涉儀 1 · 48mm2 0. 0 23mm2 原子力顯微 1. 20 ± 0.12 0. 64 ± Ο, 07 圖 1.50+ 0.14 〇. 80 + 〇. 〇8 12.82+ 1.57 6. 97 + 〇, 86 25_2 〇· 15 ± 0. 〇 3 0.1 9 + 0.0 3 1.5 1 + 〇. 23 表3 1公分厚CaFz試樣透射值（低初始表面處理透射u)(最終表面處理高透射HT)，其在1 85, 1 9 3, 20 5, 248,及4〇〇nm波長下配製兩個不同的表面品質（參閱表2)，包含兩個表面處理規約間透射（△)差值。

波長 LT LH HT-LT

(nm) 表面處理規約A 表面處理規約B

第25頁 593149 五、發明說明 (21) 400 93. 28% 93.51% 0. 23% 248 92. 20°/〇 9 3. 0 0°/〇 0. 80% 205 90.94% 92.41% 1. 47% 193 90.30% 91. 98% 1. 68% 185 89.68% 91.59% 1.91% 業界熟知此技術者能夠對本發明作各種變化及改變，但是並不會脫離本發明精神及範圍。因而本發明各種變化及改變均含蓋於下列申請專利範圍及同等物範圍内。

第26頁 593149 圖式簡單說明第一圖（圖1 )顯示根據本發明之<2〇〇毫微米平版印刷術，和雷射光學元件的實施例。第二圖（圖2 )顯示根據本發明之< 2 〇 0毫微米平版印刷術，和雷射光學元件的實施例。第三圖到第十四圖（圖3 -圖1 4 )顯示本發明的方法。第十五圖（圖15)是CaFz表面的光學干涉測量法影像。這些表面是使用根據本發明的表面處理規約人（圖丨5a—初步表面處理的光學透射表面）和B(圖15b-最終表面處理的光學透射表面）來配製出。圖1 5的光學干涉測量法影像是以 5倍放大來記錄，其掃瞄面積為ι·48平方毫米。影像圖丨5(a )顯示Ra = 1.58毫微米，RMS = 2.00毫微米，而Rt = 17.63毫微来 =表面品質，而影像圖15(b)顯示Ra = ：L21毫微米，rmS = 1.52 毫微米，而Rt = 11· 90毫微米的表面品質。第十/、圖（圖1 6)是c a Fs表面的光學干涉測量法影像。，些表面是使用根據本發明的表面處理規約A(圖l6a-初步 ί =處理的光學透射表面）和B(圖16b-最終表面處理的光以配製出。圖16的光學干涉測量法影像是以 /¾ - p A 5己錄，其掃瞄面積為0. 〇23平方毫米。影像圖16 米的表面品質而毛呈搜 29毫微米’而Rt=9.58毫微 0 82臺η半、，衫像圖16(b)顯不Ra = 0. 64毫微米，RMS = 未，而Rt = 6.76毫微米的表面品質。表面是使ΪΪ(據圖2是叫表面的原子顯微照相圖。這些處理的光學透私主^明的表面處理規約A(圖17a—初步表面处射表面）和B(圖17b—最終表面處理磨光的光

第27頁

Claims

593149

、j請專利範圍 r^iii<2〇〇毫微米光線透射性光學敗化物晶體的方法，該敗化物晶體作為透射小於2〇〇ηπι光線，此方法包括：提供光學氟化物晶體預型件，該預型件具有第一和第二初步表面處理之平行板光學透射表面，該ς步表面處理^ 有‘50埃均方根（RMS)表面粗糙度，其具有初步表面處理、之中間空間頻率粗糙度為卜丨〇〇〇微米之空間波長以及初步表面處理之高空間頻率粗糙度為 < 丨微米之空間波長，該初步表面處理之氟化物預型件具有低的初步表面處理之〃 λ <2 0 0nm透射率LT(%/公分）；提供最終表面處理膠態非易碎球面研磨顆粒溶液，該終表面處理溶液pH值29以及具有一組多種膠態非易碎球面研磨顆粒，該顆粒之平均顆粒尺寸在2〇至3〇〇1^範圍内利用最終表面處理膠態顆粒溶液將初步表面處理之表面終拋光為最終拋光之光學透射表面，該最終拋光之 Ϊ: ί: Ϊ理膠態顆粒溶液去除初步表面處理中間空間頻 ί 微米之空間波長以及初步表面處理之高 ::==1微米之空間波長以提供最終表面處理之射I η曰:主該晶體具有最終表面處理之抛光光學透時^>LT，。、取β 、面處理λ<2〇〇ηιη為高透射率HT(%/cni)，同 2體請專利範圍第1項之方法，其中提供光學敗化物晶之透射二3二ί 3型件在mu111具有低的初步表面處理之空間波早及一 2该中間空間頻率粗糙度為1 - 1 0 0 0微米波長乂及南工間頻率粗縫度q微米之空間波長以提

第29頁 593149 丨晒六、申請專利範圍供最終表面處理之光學氟化物晶體，其在193ηιη下具有高透射率HT，其中 HT-LT>1 (%/cm 在 193nm)。 3 ·依據申請專利範圍第}頊之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供氟化鈣預型件，其在丨9 3 ηιη具有低的初步表面處理之透射率LT,其在193nm下LT>90%/cm。 4.依據申請專利範圍第〗項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供氟化鎂晶體預型件。 5^依據申請專利範圍第丨項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供氟化鋇晶體預型件。 6體Ξίΐΐί:範圍第1項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供氟化鋰晶體預型件。範圍第1項之方法，其中提供光學氣化物晶理之表面ϋk供7^學a化物晶體預型件，其初步表面處表面，、有$20埃均方根（RMS)表面粗糙度。 8·依據申請專利範圍第1 膠熊非县边讨；m由只 < 乃床，具中k供最終表面處理二南 ’研磨顆粒溶液，該溶液包含提供去Ff & 表面處理中間空間頻率以芬古处时t / 3炖択云除取終 9依攄由4奎w # 、及同工間頻率之矽石顆粒溶液。以及高空間頻率之Si0顆4 法，其中去除中間空間頻率所構成。 2員粒洛液由一組多種矽石粉塵顆粒 10.依據申請專利範圍第8項之率以及高空間頻率之L n /、〒音除中間空間頻粒所構成。 102顆粒溶液由-組多種煙霧秒石顆 11 ·依據申請專利範圍第8 員之方法，其中去除中間空間頻 1 第30頁 593149 六、申請專利範圍率以及高空間頻率之Si〇2顆粒溶液由一組多種沉殿石夕石顆粒所構成。 12·依據申請專利範圍第1項之方法，其中提供最終表面處理溶液包含提供去除最終表面處理中間空間頻率以及高空間頻率之氧化鋁顆粒溶液。门工 13.依據申請專利範圍第1項之方法，其中提供最終表面處理溶液包含提供去除最終表面處理中間空間頻率以及高六間頻率之顆粒溶液，其具有一組多種顆粒之表面 0 = 200m2/公克範圍内。 14·依據申請專利範圍第13項之方法，其中顆粒且在20至110m2/公克範圍内。八π π 很 15·依據申請專利範圍第丨項之方法，其中提供最終表面處，>谷f包含提供去除最終表面處理中間空間頻率以及高空間頻率之顆粒溶液，溶液pH值在9至13範圍内。 1 6 ·依據申晴專利範圍第1 工百士、也廿 11|&_。乾^15項之方法，其中溶液PH值在10至 1 7 ·依據申晴專利範圍第1 ^音鉀。 _弟1 5項之方法，其中溶液包含氫氧化 1 8 ·依據申晴專利範圍第1 & 氨。罘1 b項之方法，其中溶液包含氫氧化 1 9 ·依據申請專利範圍第鈉。固弟15項之方法，其中溶液包含氳氧化 20.依據申請專利範圍第1 含形成最終表面處理之朵風 > 中方法更進一步包子氟化物晶體為〈2〇〇nm之雷射組

第31頁 593149 六、申請專利範圍件。 21 一依據申請專利範圍第1項之方法，其中方法更進一步包含形成最終表面處理之光學氟化物晶體為<2〇〇nm之光石版印刷元件。 22·依據申請專利範圍第1項之方法，其中方法更進一步包含評定最終表面處理之光學氟化物晶體以使用作為λ <2〇〇 nm之光學元件晶體。 23· —種製造紫外線光學氟化物晶體之方法，該晶體適合使用波長λ <20 0nm，該方法包含：提供光學氟化物晶體預型件，此預型件含有第一和第二初步表面處理之平坦光學透射表面，該初步表面處理之^ 面具有S 50埃均方根（RMS)表面粗糙度，其初步表面處理之中間空間頻率粗糙度為卜1〇〇〇微米空間波長，以及初步表面處理之高空間頻率粗糙度為<;1微米空間波長，該初面處理之氟化物預型件具有低的初步表面處理透射率LT(%/公分）； UUnm /提2去除最終拋光中間空間頻率以及高空間頻形研磨顆粒之s i M員粒溶液，該去除中間空間頻率以及，y 空間頻率之溶液pH值g 9以及具有—組多種膠二之平均顆粒尺寸在20至3〇〇ηιη範圍内； “々，顆拉 ::去除中間空間頻率以及高空間頻率之溶液將田1理之表面作最終拋光成為最終拋光光夺^ 取終拋光最終表面處理膠態顆粒溶液去除初表” 間空間頻率粗糙度為Η 000微米之空間波長二：面地理中 <工间渡長以及初步表面

第32頁 593149 六、申請專利範圍處理高空間頻率粗糙度< 1微米之空間波長以提供最終表面處理之光學默i化物晶體，該晶體具有最終表面處理之拋光光學透射表面，其最終表面處理；（<2〇〇nm為高透射率 cm)，同時HT>LT; 透射最終使用照度<20J/cm2之波長λ<20〇ηπι光束通過最終表面處理之高光學透射表面以提供波長λ <2〇〇nm之合格光學透射量測。 2 4 ·依據申請專利範圍第2 3項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供預型件在193[1111具有低的初步表面處理透射率LT以及去除該中間空間頻率粗糙度為κοοο微米之空間波長以及高空間頻率粗糖度 < 丨微米之空間波長以提供最終表面處理之光學氟化物晶體，其在丨93nm下具有高透射率HT，其中 HT-LT>1 (%/cni 在 193·)。 2 5·依據申請專利範圍第23項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供氟化鈣預型件，其在193nm具有低的初步表面處理透射率LT，其在193nm下LT>90%/cm。 26·依據申請專利範圍第23項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供氟化鎂晶體預型件。 2 J ·_依j康申請專利範圍第2 3項之方法，其中提供光學氟化物曰曰體預型件包含提供氟化鋇晶體預型件。 238，_依#據申請專利範圍第23項之方法，其中提供光學氧化物曰曰體預型件包含提供氟化鋰晶體預型件。 2曰康π申f專利範圍第23項之方法，其中提供光學氣化物曰曰體預1件包含提供光學氟化物晶體預型件，其初步表面

593149

處理之表面具有$20埃均方根（RMS)表面粗糙度。 3〇·依據申請專利範圍第23項之方法，其中去除中間空間頻率以及高空間頻率之矽石顆粒溶液由一組多種熔融矽石粉塵顆粒所構成。 31依4康^申請專利範圍第23項之方法，其中去除中間空間頻率以及高空間頻率之Si〇2顆粒溶液由一組多種煙霧矽石顆粒所構成。 .+依據申請專利範圍第23項之方法，其中提供最終表面處 J溶液包含提供去除最終表面處理中間空間頻率以及高空間頻率之顆粒溶液，其具有一組多種顆粒之表面積在丨〇至 2 0 0m2 /公克範圍内。、 33依據申請專利範圍第32項之方法其中顆粒具有表面在2〇至llOmV公克範圍内。、 H依據申請專利範圍第23項之方法，其中提供最終表面處問^ ^包含提供去除最終表面處理中間空間頻率以及高空曰’率之顆粒溶液，溶液pH值在9至13範圍内。 τ 依據申請專利範圍第34項之方法，其中溶液PH值在1〇至 U乾圍内。 •依據申请專利範圍第3 4項之方法，其中溶液包含氫氧化 2·。依據申請專利範圍第34項之方法，其中溶液包含氫氧化依據申請專利範圍第34項之方法，其中溶液包含氫氧化

593149 六、申請專利範圍 3 9 ·依據申請專利範圍第2 3項之方法，其中方法更進一步包含形成最終表面處理之光學氟化物晶體為<20Onm之雷射組件。 4 〇 ·依據申請專利範圍第2 3項之方法，其中方法更進一步包含形成最終表面處理之光學氟化物晶體為<200nm之光石版印刷元件。 41· 一種製造波長又<2 0 0nm光學氟化鈣晶體之方法，該方法包含：提供氟化鈣晶體預型件，此預型件含有第一和第二初步表面處理之光學透射表面，該初步表面處理之表面具有$ 50埃均方根（RMS)表面粗糙度，其具有初步表面處理之中間空間，率粗繞度為卜丨000微米空間波長，以及初步表面處理之高空間頻率粗糙度為<α微米空間波長，該初步表面處理之氟化鈣預型件具有低的初步表面處理λ<20 0nm 為LT(%/公分）； ^ •提供去除最終拋光中間空間頻率以及高空間頻率膠態 Si〇2顆粒溶液，該去除中間空間頻率以及高空間頻率之‘:容 =ΡΗ值29以及一組多種膠態Si〇2顆粒；顆粒之平均顆粒尺寸在20至300nm範圍内；二：去：中間空間頻率以及高空間頻率之溶 2 =面作最終抛光成為第一及第二最終拋光氣 $子透射表面，該去除中間空間頻率以及高空初ti?處理r間頻率及空間波長以提供最終、处王f學氟化物晶體，該晶體具有最終表面處理之

第35頁 593149 六、申請專利範圍高光學透射表面，其λ<200ηιη為高透射率HT(%/cm)，同時 HT>LT; 透射最終使用波長又<200nm光束通過最終表面處理之高光學透射表面以提供波長几< 2 〇〇 n m之合格光學透射量測。 42·依據申請專利範圍第41項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供預型件在193nm具有低的初步表面處理透射率LT以及去除該中間空間頻率粗糙度為卜1〇〇〇微米之空間波長以及高空間頻率粗糙度< 1微米之空間波長以提供最終表面處理之光學氟化物晶體，其在193nm下具有高透射率 HT，其中 HT - LT>1 (°/〇/cm 在 i93nm)。 43·依據申請專利範圍第41項之方法，其中提供光學氟化物晶體預型件包含提供氟化鈣預型件，其在193nm具有低的初步表面處理透射率LT，其在ι93ηιη下LT>90%/cm。 44·依據申請專利範圍第41項之方法，其中提供光學晶體預型件包含提供光學氟化物晶體預型件，其初步處理之表面具有$20埃均方根表面粗糙度。、 45.依據申請專利範圍第41項之方法其中去除中 ;以及高空間頻率之石夕石顆粒溶液由-組多種熔融：= 塵顆粒所構成。少裡蝽燄矽石粉粒所構成。〇2顆粒溶液由-組多種煙霧矽石顆 4 7.依據申请專利範圍第4 理中間空間頻率、心乃次…、甲舌除最終表面處々羊以及同工間頻率之顆粒溶液由—組多種沉

第36頁 593149 六、申請專利範圍澱矽石顆粒所構成理溶液據包申:提專:：圍第41項之方法，其中提供最終表面處 ίΓΐί二最終表面處理中間空間頻率以及高空間頻率之顆粒溶液 i , A Μ 2〇〇m2/公克範圍内’,、、—、，且夕種顆粒之表面積在10至 4 9 ·依據申請專利蘇圖$ / Q 至110m"公克範圍内。員之方法，其中顆粒表面積在20 5 0 ·依據申請專利範圍第4彳理溶液包含提供去除i & #、 /，、提供最終表面處間頻率之顆牛二Ϊ 面處理中間空間頻率以及高空門頻羊顆粒/谷液，溶液PH值在9至13範圍内。 5 1 ·依據申凊專利範圍第5 〇百 1U£圍内。固弟50項之方法，其中溶液PH值在10至 5 2 ·依據申清專利範圍第5 〇鉀。 5 3 ·依據申请專利範圍第$ 〇氨。 5 4.依據申請專利範圍第5 〇鈉0 項之方法，其中溶液包含氫氧化項之方法，其中溶液包含氮氧化項之方法，其中溶液包含氫氧化 55. 依據/請專利範圍第41項之方法，其中方法更進一步包含形成最終表面處理之光學氟化物晶體為<2〇〇nm之雷射組件。 56. 依據申請專利範圍第23項之方法，其中方法更進一步包含形成最終表面處理之光學氟化物晶體為<2〇〇nm之光石版印刷元件。

第37頁 593149 六、申請專利範圍 57· 種製造波長λ <200nm光學氟化鈣晶體之方法該方法包含： ’ 、提供光學氟化鈣晶體預型件，此預型件含有第一和第二初乂表面處理之光學透射表面，該初步表面處理之表面具有S 2 0埃均方根（RMS)表面粗糙度，其具有一組多種初步表面處理之中間空間頻率粗經度為1 - 1 0 0 0微米之空間波長以及初步表面處理之高空間頻率粗糙度為〈丨微米之空間波長，該初步表面處理氟化鈣預型件具有低的初步表面處理入< 20 0nm透射率lt(%/公分），· “ $供去除最終拋光中間空間頻率以及高空間頻率膠態顆粒/合液’该去除中間空間頻率以及高空間頻率之溶液—值 -9以及具有一組多種膠態顆粒；

利用去除中間空間頻率以及高空間頻率之溶液將初步名面處理之表面作最終拋光成為最終拋光氟化鈣光學透射名面，該去除中間空間頻率以及高空間頻率之溶液將去除初步表，處理之空間頻率及空間波長以提供最終表面處理之光學氟化鈣晶體，該晶體具有最終表面處理之拋光光學透射表面而不含中間空間頻率粗糙度為卜ι〇〇〇微米之空間油

長以及高空間頻率粗糙度為〈丨微米之空間波長，其具有 20 0nm 高透射率HT(%/cm)，同時Ht>lt，· 透射最終使用波長久<20 0nm光線通過最終表面處理之度光學透射表面。 58· —種製造波長Α<2〇〇ηπι光學包含：氟化物晶體之方法，該方法

第38頁 593149 六、申請專利範圍 ' -- 提供光學氟化物晶體預型件，此預型件含有第一和第二初步表面處理之光學透射表面，該初步表面處理之表面I 有$20埃均方根（RMS)表面粗糙度，其具有一組多種^刀步表面處理之中間空間頻率粗糙度為卜1 0 0 0微米之空間波=以及初步表面處理之高空間頻率粗糙度為<;1微米之空間波長，該初步表面處理氟化物預型件具有低的初步表面處理" 20 0nm透射率lt(%/公分）；提供去除最終拋光中間空間頻率以及高空間頻率膠態顆粒溶液，該去除中間空間頻率以及高空間頻率之溶液 $ 9以及具有一組多種膠態顆粒；利用去除中間空間頻率以及高空間頻率之溶液將初步表面處理之表面作最終拋光成為最終拋光氟化物光學透射表面，該去除中間空間頻率以及高空間頻率之溶液將去除初步表，處理之空間頻率及空間波長以提供最終表面處理之光學氟化物晶體，該晶體具有最終表面處理拋光光學透射表f而不含中間空間頻率粗糙度為卜1〇〇〇微米之空間波長及高空間頻率粗糙度為< 1微米之空間波長，其具有λ〈 2 〇〇 nm高透射率HT(%/cm)，同時HT>LT ; 透射最終使用波長；l<200nm光線通過最終表面處理之高度光學透射表面。

第39頁