TW588225B - Method of calibration of a lithographic apparatus, mask for use in calibration of lithographic apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby - Google Patents

Description

588225 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（1 本發明關於一種將一模型成像至一基板上之与 饿心心影裝 置’基板係至少局邵由一層輻射敏感性材料覆苔， 意衮置包 含： -一輻射系統，用於提供一輻射之投影束； -一支承結構，用於支承模製裝置，模製裝置用於依一 求模型以模製投影束； -一基板平台，用於固定一基板； •一投影系統，用於將模製之投影束投影至基板之一靶部

Jl 〇 口 此處所用之“模製裝置，，一詞應做廣義解釋，其意指可人 一入射之輻射束賦與一模製之截面，而相對應於欲產生2 基板靶邵上之模型；本文中亦可使用“光閥，，。大體上，嗲 模型對應於一產生在靶部上之裝置内之一特定功能層， 例如積體電路或其他裝置（容後詳述），此模製裝置之4例 包括： -一光罩，光罩之概念在微影蚀刻中已屬習知，其包括之 光罩類型如二元式、交替相移式、衰減相移式、以及多種 W合式光罩類型。此一光罩放置於輻射束内即導致輻射選 擇性傳輸（傳輸型光罩）或反射於（反射型光罩）光罩上，且相 符於光罩上之模型。在一光罩例子中，支承結構通常爲一 光罩平台’碓實使光罩固定於入射輻射束之要求位置，且 必要時其可相對於束而移動。 -一可程控之面鏡陣列，此一裝置之實例爲一具有黏彈性 控制層與反射表面之矩陣可定址表面，此一裝置背後之基 A4規格（210X297公釐） -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 4- 五、發明説明（1 ^ ---—- 原里爲（例如）反射表面之定址區將入射光反射成繞射光， 未疋址區知入射光反射成非繞射光。利用一適當之過濾 咨’該非繞射光即可自反射束遽除，僅留下繞射光；依此 束即依據矩陣可定址表面之定址模型而模製，所需之矩 足止可利用適當電子裝置實施。此面鏡陣列之較多資料 例如可見於US 5,296,891及US 5,523，193專利中，在此供做 V考在可私' 控之面鏡陣列例子中，該支承結構例如可 爲框架或平台，且可依需要固定或移動。 可程k之LCD陣列，此一結構之實例可見於us 5,229,872專利中，在此供做參考。如上所述，在此例子中 支承結構可爲框架或平台，且可依需要固定或移動。 馬了簡明起見，本文之其餘部分在特定處皆以光罩及光 罩平台表示，惟，本文之基本原理應較寬廣於文内模製裝 置所示之内容。 微影投影裝置例如可用於積體電路（ICs)之製造中，在此 例子中，模製裝置可產生一相對應於各層1C之電路模型， 此模型可成像於一基板（矽晶圓）上之一革巴部（例如包含一戈 多晶粒），而基板已塗覆一層輻射敏感性材料（抗蝕劑）。大 體上，單一晶圓含有相鄰靶部之一整個網絡，其係由投影 系統一 一照射。在利用一光罩平台上之光罩模製之現有装 置中，二不同類型機器之間有所分別，在一型微影投影裳 置中，各靶部係藉由曝光整個光罩模型於靶部而照射；此 一裝置通常稱爲一晶圓步進器。另一裝置中-通常稱爲 步進掃描器-各靶部係藉由在投影束下以一既定方向（掃描 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) ' ----一 — 588225

万向）依序掃描光罩模型而照射，同時同步地掃描平行或反 平行於此方向之基板平台；大體上，由於投影系統具有一 倍:因數Μ(通常<υ，因此基板平台之掃描速度v將爲光罩 平口知描速度之Μ倍。關於此處所述裝置之資料可詳見於 us 6,046,792專利中，在此供做參考。 在使用一微影投影裝置之製程中，一模型（例如在光罩内 )係成像於一基板上，而基板至少局部塗覆一層輻射敏感性 材料（抗蝕劑）。在此成像步驟之前，基板可經歷多項程序 ，例如上底漆、塗覆抗蝕劑及軟性烘烤。曝光後，基板可 進仃其他程序，例如一後曝光烘烤（pEB)、顯影、硬性烘 烤及成像圖型之測量/檢查，此列程序做爲模製一裝置如ic 之個別層之基礎，此一模製層隨後經歷多項程序，例如蝕 ，三離子植入（摻雜）、金屬化、氧化、化學機械式拋光， 等等以元成個別層。右'需要多數層，則整個程序或其 變化型式將需針對每一新層而重覆，最後即有一列裝置出 現於基板（晶圓）上，諸裝置隨後由一技術相互分隔，例如 切細或鋸切，使各裝置得以安裝於一載體上、連接於針腳 等。關於此製程之進一步資料可見於Hilla 版公司出版之Peter van Zant所著“微晶片之製造：半導體 處理之貫務導論”第三版，ISBN 0-07067250_4，在此供做 參考。 爲了簡明起見，投影系統可在文後稱爲“透鏡，，；惟，此 用司應廣義解譯成包含多種投影系統，例如包括折射光學 件、反射光學件、及雙折射系統。輻射系統亦可包括依諸 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） A7 B7 4 五、發明説明（ :又1Γ 一者而操作之組件，以利導引、成型或控制輻射 之投影束，且此組件亦可在文後總和地或單一地稱爲“透 鏡’’。此外，微影蝕刻裝置可爲具有二或多基板平台之類 型（及/或一或多光罩平台），在此“多階，，裝置中亦可平行 使用/、他平台，或者準備步驟可在一或多平台上實施， 而其他一或多平台則用於曝光。雙階式微影蝕刻裝置例 如可見於US 5,969,441及W0 98/40791專利中，在此供做參 考。 一針對界尺寸（CD)，[即元件尺寸，例如一電晶體之閘極 寬度，其中之變化型式將造成元件物理性質中之不必要變 化]，在彳政影蝕刻皺縮中，通過一基板及基板之間之焦點與 曝光劑量之一致性係日益重要，傳統上，步進器使用能量 感應斋而藉由監視照明系統之輸出以監視曝光劑量，及使 用影像感應咨以探測2中影像。理想之設定値係由“前送晶圓 ’’決定，即製程之前先行曝光、顯影及測量之晶圓，在前送晶 圓中，測試結構係曝光於一俗稱焦點能量矩陣（FEM)中，且最 佳之焦點及能量設定値係自諸測試結構之檢查中決定。 使用一對準系統以監視焦點之方式已有人提出，此技術 測量曝光劑量之延伸性亦揭露於Peter Dirksen等人之期刊 SPIE Vol· 2726/799 (1996)。使用步進器對準之焦點及曝光 劑量決定中’此文揭示對準標記經過修改以形成一焦點標 記及一劑量標記，一習知對準標記之實例包含一列四相光 柵’其中一者之光柵線係在第一方向對準，另二者之光栅 線係在垂直於第一方向對準。在焦點標記中，光柵線係以一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 588225 A7

具有次解析度斷線貧戶> $見度又切斷結構取代，例如， 柵周期爲16微米，則斷蟑眘 如A、 ， 、 #斤、、泉寬度可在0·7至〇_25微米範圍内， 在焦點標記中，光播轉々入 輸率。 丨柵、、泉包含—透明部及-部具有大約0.4ί 一在DlrkSe_T〈万法中，焦點能量矩陣係成像於一具有 輻射敏感性層之基板上，但是輻射敏感性層並不做處理， 生成之影像稱爲―“潛在影像，，，且係以厚度變化做爲照射 k化u數而形成’造成在標記影像處繞射之以目位延滞 。藉由測量相關於規律對準標記之諸修改標記位置，可顯 出一對準偏差（A0)，代表焦點及劑量誤差。 此方法之-缺點在於劑量校準需在最佳焦點平面中達成 ’因爲劑量A0爲焦點敏感性，因此，若非不可行，則焦點 及劑量之同時校準極爲困難。另—缺點在於潛在影像之八〇 測量並不代表已處理影像之A〇測量，例如_潛在影像之 相位延滯係取決於抗蝕劑性質及抗蝕劑厚度，而在製程下 游（即抗蚀劑顯影及剝離後）中則無此依存性。同樣地，產生 易測量AOS(潛在影像僅可形成於相關於已處理抗蝕劑層 而呈較厚之抗蝕劑層中，且做過度曝光。因此，用於標準 過程之劑量不可比較於實際製程步驟中所用之劑量，且生 成之測量値亦無代表性。 本發明之一目的在提供一種校準方法，其可提供一較具 有實際處理狀現代表性之同時焦點及劑量校準。 本發明之上述及其他目的係由一種校準一微影投影裝置 之方法達成，包含： -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公董) 裝 訂 線 588225 A7 1~ ---J7___ 五、發明説明（6 ) •一輻射系統，用於提供一輻射之投影束； -一支承結構，用於支承模製裝置，模製裝置用於依一要 求模型以模製投影束； -一基板平台，用於固定一基板； _ 一投影系統，用於將模製之投影束投影至基板之一靶部 上， 該方法包含以下步驟： 將提供於該模製裝置中之至少一對準標記成像於由該基 板平台所固定一基板上之一輻射敏感性層，其特徵在： 該對準標記包含一焦點敏感性部及一劑量敏感性部，該 焦點及劑量敏感性部各具有複數點於一對比背景上，該複 數點係呈非對稱性配置。 本發明亦提供一種模製裝置，用於依據一要求模型以模 製一微影投影裝置内之投影束，該模製裝置包含至少一含 有一焦點敏感性部與一劑量敏感性部之對準標記，該焦點 及劑量敏感性部各具有複數點於一對比背景上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 成像於基板之輻射敏感性層上之對準標記較佳爲隨後 顯影’且測量其位置以提供代表焦點誤差及輸送至基板 <劑量之對準偏差。裝置之焦點及劑量設定値之完全校 準可藉由成像及顯影一 FEM而得，使得對準標記之複數 影像可以一陣列中之不同焦點及劑量設定値成像。本發 明進一步提供一第二階段於校準製程，以選定裝置之焦 點及劑量設定値，由於焦點設定値係自一最佳焦點位置 牙夕位’因此對準標記成像於基板上之複數不同位置，以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21Gx297公楚） 發明説明（ 裝置★疋供焦點及劑量 a里艾疋整χ-γ权準，其中X及γ方向 文平行於基板平面。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) :由本發明’焦點及劑量可使用單一晶圓上之複數對 己曝光，及以適用於實際製程之焦點及劑量設 校準。 依本發明之又一觀點所示，其提供一種裝置製造方法， 包含以下步驟： 才疋仪基板，其至少局部由一層輻射敏感性材料覆蓋； -利用一輻射系統以提供一輻射之投影束； 利用模製裝置，使投影束在其截面具有一模型； -將模製之投影束投影至輻射敏感性材料層之一靶部上， 其特欲在裝置先進行上述之焦點及劑量校準，校準結果 再用於判斷投影步驟中採用之焦點及劑量設定値。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 儘管本文内有特定參考本發明裝置於ICs之製造中，應該 可以瞭解的是，此裝置另有其他可行用途，例如其可用於 積合光學系統、磁性領域記憶體用之導引與偵測模型、液 晶顯示面板、薄膜磁頭等之製造中。習於此技者可以瞭解 的是，諸此變換之内文中所用之‘‘主光罩，，、“晶圓，，或‘‘晶粒，， 等詞可分別以較普遍之“光罩，，、“基板，，或“靶部，，等詞代替。 在本文件中，“輻射，，及“束，，用於涵蓋所有類型之電磁輻 射’包括紫外線輻射（例如波長365、248、193、157或126 毫微米）及EUV(超紫外線輻射，例如具有5-2〇毫微米範圍内 之波長）。 本發明之實施例將舉例説明且參考配合圖式以闡釋之， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 。的 225

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) 其中： 圖1説明本發明一實施例之微影投影裝置； 圖2係本發明第一實施例中之修改式對準標記； 圖3係圖2所示對準標記之一部分線結構之放大圖； 圖4係圖2所示對準標記之另一部分線結構之放大圖； 圖5係圖2所示對準標記之線結構中之半透明區之放大 圖； 圖6係圖2所示對準標記之又一部分線結構之放大圖； 圖7係圖2所示對準標記之再一部分線結構之放大圖； 圖8係圖6、7所示線結構之一焦點部之放大圖； 圖9、10係本發明第二實施例之一對準標記之線結構之半 透明部放大圖；及 圖11、12係圖表，分別揭示本發明用於焦點及劑量標記 之不同焦點偏差及劑量程度之對準偏差測量之實驗結果。 在圖式中，相同參考編號表示相同組件。 t施例1 圖1係簡示本發明特殊實施例之一微影投影裝置，裝置包 含： •一輻射系統Ex、IL，用於供給一輻射之投影束PB(例如 UV輕射）’在此特殊例子中，輻射系統亦包含一輻射綠 LA ; •一第一物件平台（光罩平台）MT，備有一光罩固定座以固 定一光罩MA(例如一主光罩），且連接於第一定位裝置， 以相關於物體PL而準確定位光罩； -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 588225 A7 -----B7 _ 五、發明説明（9 ) ^ ~-- •一第二物件平台（基板平台）WT，備有—基板固定座以固 定一基板w (例如一塗覆抗蝕劑之矽晶圓），且連接於第二定 位裝置，以相關於物體PL而準確定位基板； •一投影系統（“透鏡，，)PL(例如一折射或雙折射系統，或一 面鏡群），用於將光罩MA之一投射部分成像於基板w之一靶 部Q例如包含一或多晶粒）。 如此處所示，裝置係一傳輸型（即具有一傳輸光罩），惟 ，大體上其例如亦可爲反射型。另者，裝置可以採用另一 類模製裝置，例如上述類型之一可程控面鏡陣列。 源LA(例如一準分子雷射）產生一輻射束，此束進給至一 照明系統（照明器”!^，且爲直接或通過調節裝置後，例如一 束擴張器Ex。照明器IL可包含調整裝置am,用於設定束内 之強度分佈之外及/或内徑向範圍（一般分別稱爲π外及π内 )°此外’其大致包含多項其他組件，例如一積合器ΙΝ及一 I光态C0,依此，投射於光罩μ Α上之束ΡΒ即可在其截面 具有一要求之均勻度與強度分佈。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ---------^^衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖1中需注意源L A可設在微影投影裝置之殼體内（通常是 在源L A爲一水銀燈之例子中），但是亦可遠於微影投影裝置 ’所生之餐射束則導入裝置内（例如借助於適當之導向面鏡） ;後一現象通常是在源LA爲一準分子雷射之例子中，本發 明及申請專利範圍則涵蓋二者。 束PB隨後截接於固定在光罩平台MT之一光罩固定座上之 光罩MA，通過光罩MA後，束PB通過透鏡PL，以將束PB聚 焦於基板W之一乾部C上。借助於第二定位裝置（及干涉計 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21Gx297公董） — 588225

測f裝置IF) ’基板平台w丁可以準確地移動，例如用於定位 不同㈣c於束PB之路徑中。相似地，第一定位裝置可用 以相關於束PB之路徑而準確地定位光罩mAm列如自一光罩 庫做光罩MA之機械式修正後或在—掃描期間。大體上，物 件平台MT、WT之移動將利用一長行程模組（粗略定位）及一 短行程模組（精細定位）而達成，此未詳示於圖丨中。惟，在 -晶圓步進器中（相對立於—步進掃描裝置），光罩平台^丁 可連接於一短行程致動器，或爲固定式。 前述裝置可依二種模式使用： 1·在步進模式中，光罩平台“丁基本上保持固定，且整個 光罩影像以一次（單一“閃光，，）投影於一靶部C上，基板平台 WT隨後在X及/或乂方向中移動，使一不同之靶部c可受到束 PB投射； 2.在掃描模式中，基本上使用相同現象，丨同的是一既有 之靶部C並未以單一“閃光，，曝光，而是光罩平台MT在一既 定方向中（即掃描方向’’，例如χ方向）以速度p移動，使束 ΡΒ掃描過一光罩影像；同日争，基板平台WT在-相同或相反 万向中以速度V二Μν移動，其中Μ爲透鏡PL之倍率（通常 Μ-1/4或1/5)。依此，一較大之靶部⑼以曝光，而不需損 失解析度。 圖2揭tf —對準光罩丨，係提供於一光罩上，例如由破璃 基板上I一阻光區構成，且用於本發明校準方法之校準。 由圖2可知，對準光罩丨包含四個象限丨丨至丨斗，各包含一光 柵結構，其中二象限U、12令其光柵線對準於一第一方向 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐·)

裝 訂

經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 588225 A7 ____B7_ 五、發明説明（11 ) ，即圖中之水平方向，而另二象限13、14令其光栅線配置 於相垂直方向，即圖中之垂直方向。象限1丨、12中之光柵 線係由標準型式修改而來，以測量劑量之變化，而象限13 、14中者則改用於焦點且劑量校準不必在水平方向相鄰近 ，其亦可在垂直或對角方向相鄰近。同樣地，焦點敏感性 象限可提供於一不同之校準標記，而非劑量敏感性象限， 此外，其不需一直修改一整個象限成爲焦點-或劑量_敏感性 ;部分象限可具有標準線結構。 如圖3所示，其係象限丨丨之部分線結構之放大圖，光栅周 期P包含二線結構：一鉻區2、一透明區3及一劑量敏感性區 4。如圖4所示，象限12之光栅之線結構含有相同元件，但 疋其順序係藉更換透明區3及劑量敏感性區4而改變，劑量 敏感性區4包含一可變傳輸率區，且傳輸率τ單調地自鉻區2 增大至透明區3。所需之傳輸率例如可由透明區之僞隨機模 型或小於投影系統可解析及適當分佈之點取得，此一配置 方式揭示於圖5 ’其中黑點代表光罩上之_鉻層内之透明點 。若投影束之波長爲248毫微米jl投影系統之數値孔爲〇 6 之尺寸例如可爲晶圓上大狀13微米直徑之影像點。 田象限11、12成像於一晶圓上時，晶圓接收到之劑量將 在通過劑量敏感性區4之影像區時改變。在通過影像寬度之 一玷處輸送之劑量將通過抗蝕劑臨界値，因此抗蝕劑 將有效地曝現於該線之較高傳輸率側，而不曝現於較低傳 輸率側。當晶圓處理及顯影時，所顯影之對準標記之線厚 度將取決於劑量敏感性區之曝光與未曝光影像部之間之線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 • In in ϋ· -14- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 588225 A7 B7 五、發明説明（12 ) ' -~ 位置，且此舉將造成對準標記之位置測量時其位置有明顯 移動。同樣地，因爲透明點爲次解析度之尺寸，因此分隔 線4位置大致上將獨立於焦點，此舉可消除先前技藝劑量 A0主焦點敏感性之缺點。藉由印刷對準標記之複數影像於 不同 < 能量設足値，及測量生成之對準偏差，裝置可藉由 使輸送至晶圓處之實際劑量相關於裝置之能量設定値而校 準。 對準光罩1之象限13、14之線結構再次包含一重覆周期之 三區域，如圖6、7所示。象限13之線結構含有一鉻區2、一 透明區3及一焦點敏感性區5，象限14之線結構具有相同元 件，但是其順序係藉更換透明區3及焦點敏感性區5而改變 ，焦點敏感性區係詳示爲圖8中。焦點敏感性區5係由一透 明區内之六角形陣列鉻點7組成，點之間距0例如可爲18微 米，且點直徑可爲0.6微米。FEM成像、第一階特徵、在不 同X-Y位置成像之焦點與劑量標記、第二階特徵亦可在一次 運作中執行，即FEM曝光後不顯影晶圓，依此，對準偏差 之焦點與劑量校準以及全X-Y焦點與劑量校準可在單一步骤 中完成。 當晶圓上之焦點敏感性區5之影像正確聚焦時，絡點7將 在顯影抗蝕劑中成像，且生成一比脱焦之點接近於印刷暗 區2之較暗區，因此在顯影對準標記之測量位置中有明顯移 位。當焦點敏感性區5之影像移離焦點時，成像點之有效直 徑將減小，因此成像光罩之重心將移動以利於觀察對準偏 差。應該注意的是，焦點敏感性組件之密度需保持在發生 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -- -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 五、發明説明（ 同焦點現象之臨界值以下，在臨界值以上及在一特定能量 以上則無法觀察焦點敏感性現象’觀察到同焦點現象 度及能量可依經驗計算或判斷。 欲校準裝置則需實施二階段式程序，在第一階段中，本 發明對準標記在焦點及劑量上之對準偏差之依存性係藉由 印刷一 FEM於晶圓上而依經驗測量，FEM包含複數對準標 記之影像，且印有裝置之不同焦點及劑量。晶圓隨後顯景: 、，且測量對準標記丨之各影像之對準偏差。由焦點及劑量I 之對準偏差之測量依存性可產生二組曲線，其中一者以對 準偏差做為焦點之函數，且以劑量為變數，另一者以對準 偏差做為劑量之函數，且以焦點為變數，二組曲線賦長完 整資料於對準偏差與焦點及劑量之間之關係上。 一 f第二階段中係選擇特定之焦點及劑量彳直，劑量為選用 瓜2利製程窗口者，而焦點則選用略遠於最佳焦點位置 、通^ X對準偏差做為焦點函數之曲線係拋物線，且選定 ^焦點位置略遠於諸拋物線之波峰。藉由選定之焦點及劑 里值，對準標記1即或像於一測試基板上之複數X-Y位置， 晶圓隨後顯影’且可判斷不心γ位置之對準偏差與焦點及 劑量之依存性上之完整資料。 實施例2 在第一足可行實施例中，其相同於第一實施例的是對 2 ^屺又焦點及劑量敏感性部係由圖9、10所示之點與孔任 * 土替代以生成一焦點及劑量敏感性之對準標記，特 別疋其中一象限具有一焦點及劑量敏感性部2 1 ,如圖9所示 -16- 本紙張尺度彻^aW(CNS) 588225 A7 B7 五、發明説明（ ，其包含一任意陣列之絡點22於一透明背景上。另二象限 具有一焦點及劑量敏感性部23，其包含一任意陣列之孔24 於絡考景中。請注意，雖然圖10中之模型為圖9中之模型 之負向，但是此在實施上並不可能，且孔之模型可以完全 不同於點之模型。在定義任意陣列之點或孔中，可指定最 小及最大之點與孔尺寸以及一最小間隔。 實驗結果 得自一王光罩上之焦點能量矩陣之印刷與測量之實驗結 果係揭示於圖11、12，在焦點能量矩陣中，本發明之對準 標記係相對於一標稱零值而曝光於自_15至+15微米之16個 焦點階級，且在40至150毫焦/厘米2之九個標稱能量位準。 圖11揭示相關於對準標記之不同能量位準之對準偏差至焦 點之曲線，而圖12揭示對準標記之不同能量位準之對準偏 差相對於焦點之曲線，明顯差異之焦點及劑量反應揭示焦 點及劑量可分別判斷。 μ 雖然本發明特定實施例已揭述於前，可以瞭解的是本發 明可有其他實施方式，㈣書並非用於限制本發明，例^ 焦點及劑量敏感性部可併合於其他型式之對準標記，例如 用於一KLA覆蓋工具之内框式標記。

裝 罐 -17-

Claims (1)

1. 588225 A8 B8 C8 D8 ^090113719號專利申請案涊的丄 請專利範圍替換太⑼ϋ E| ) 申请專利範圍 L 一種校準一微影投影裝置之方法，包含： -一輕射系統，用於提供一輻射之投影束； -一支承結構，用於支承模製裝置，模製裝置用於依 一要求模型以模製投影束； -一基板平台，用於固定一基板； -一投影系統，用於將模製之投影束投影至基板之一靶 部上， 該方法包含以下步驟： 將提供於該模製裝置中之至少一對準標記成像於由該基 板平台所固定一基板上之一輻射敏感性層，其特徵在： 琢對準標記包含一焦點敏感性部及一劑量敏感性部，該 焦點及劑量敏感性部各具有複數點於一對比背景上，該 複數點係呈非對稱性配置。 2.如申請專利範圍第旧之方法，其中在該成像步驟中，該 對準標記之複數影像係以裝置之不同劑量及焦點設定值 成像，及進一步包含以下步騾： 測量該對準標記之顯影影像之位置；及 自測量位置判斷該裝置之焦點及劑量特徵。 3·如申請專利範圍第2項之方法，進一步包含以下步驟： :定裝置之—劑量設定值及一焦點設定值，該焦：設定 值係移位自一最佳焦點位置； =用該選定之劑量及焦點設定值，以將該對準標吃成像 於一基板之輕射敏感性層上之複數不同位置； 測量該對準標記之該影像之位置；及 588225 A8 B8 C8 申請專利範圍 自測里位置判斷該裝置之焦點及劑量特徵中之位置之任 意非一致性。 4·如申叩專利範圍第3項之方法，進一步包含以下步驟： 判斷該非一致性之任意系統組件；及 凋整孩裝置〈設定值及/或變數，以減少或補償該系統組 件。 5. 如申請專利範圍第3或4項之方法，其中選定一劑量設定 值及一焦點設定值且將該對準標記成像於複數位置之步 驟’係與將该對準標記之複數影像以不同劑i設定值成 像之步驟同時實施。 6. 如申請專利範圍第2、3或4項之方》去，進一步包含以 驟：

   在測量位置之步驟前顯影該影像。 7.如申請專利範圍第卜2、3或4項之方法，其中該焦點敏感性部包含一六角形陣列之點。8·如申μ專利|巳圍第7項之方法，其中該焦點敏感性部包含 一重覆<線結構’該線係在該重覆結構之各周期中包本 只，-、名 《η 、 ·， ° 一概呈不透明之線 陣列之線 概呈透明之線及一具有該六角形 訂 f 9.=請專利範圍第卜2、3或4项之方法，其中該劑量敏 感性邵包含複數次解析度點，其尺寸可使得影像 小於該裝置之有效解析度， 又且具配置於一區域内以利且 有一在通過該區域之第—方向中增大之密度。 - .如申請專利範圍第9項之方法，其中該劑量敏感性部包含

   588225 A8 B8 C8 __________D8 六、申請專利範圍 —~ -- -重覆之線結構，該線係在該重覆結構之各周期中包含 一概王不透明之線、一概呈透明之線及一具有該複數次 解析度點之線。 11. 如申請專利範圍第1、2、3或4項之方法，其中該對準標 記包含第-與第二劑量敏感性部及，或第一與第二焦點敏 感性部，鮮二劑量及/或焦點敏感性部中之言亥重覆結構 内之線序係不同於該第一劑量及/或焦點敏感性部者。 12. —種模製裝置，用於依據一要求模型以模製一微影投影 裝置内之投影束，該模製裝置包含至少一含有一焦點敏 感性部與一劑量敏感性部之對準標記，該焦點及劑量敏 感性部各具有複數點於一對比背景上，該複數點係呈非 對稱性配置。 13. 如申請專利範圍第12項之模製裝置，其中該焦點敏感性 部包含一六角形陣列之點。 14. 如申請專利範圍第13項之模製裝置，其中該焦點敏感性 部包含一重覆 < 線結構，該線係在該重覆結構之各周期 中包含一概呈不透明之線、一概呈透明之線及一具有該 六角形陣列之線。 15. 如申請專利範圍第12、13或14項之模製裝置，其中該劑 量敏感性部包含複數次解析度點，其尺寸可使得影像之 尺寸小於該裝置之有效解析度，且其配置於一區域内以 利具有一在通過該區域之第一方向中增大之密度。 16. 如申請專利範圍第15項之模製裝置，其中該劑量敏感性 部包含一重覆之線結構，該線係在該重覆結構之各周期 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 588225 A B c D 六 申請專利範圍 中包含一概呈不透明之線、一概呈透明之線及一具有該 複數次解析度點之線。 π_如2請專利範圍第12、13或14項之模製裝置，其中該對 準標記包含第一與竽二劑量敏感性部及/ 盥 焦 點敏感性部，該第二劑量及/或焦點敏感性部中之該重覆 結構内之線序係不，該第—劑量及/或焦點敏感性部者 0 18·如申請專利範圍第12、13或14項之模製裝置，其中模製 裝置包含一光罩平台以固定一光罩。 19. 一種微影投影裝置包含： -一輻射系統，用於提供一輻射之投影束； -一模製裝置，用於依一要求模型以模製投影束； -一基板平台，用於固定一基板； -一投影系統，用於將模製之投影束投影至基板之一靶 部上， 其特徵在： 該模製裝置包含至少一具有一焦點敏感性部與一劑量敏 感性部之對準標記，該焦點及劑量敏感性部各具有複數 點於一對比背景上，該複數點係呈非對稱性配置。 20. —種裝置製造方法，包含以下步驟： -提供一基板，其至少局部由一層輻射敏感性材料覆蓋； -利用一輻射系統以提供一輻射之投影束； -利用模製裝置，使投影束在其截面具有一模型； -將模製之投影束投影至輻射敏感性材料層之一靶部上， 本紙張尺度適用中國國家樣準(CNS) A4規格(210X 297公董） 588225 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 其特徵在該提供一基板之步驟前，該裝置係如申請專利 範圍第1至11項任一項之方法校準。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)