TW584756B - Manufacturing method for TFT array substrate of reflective LCD - Google Patents

Description

584756 案號91111522 年月曰 修正 體 晶 膜 薄 之 器 示 顯 晶 液 式 射 反 種一 於 有 是 >明 ο發 綱本 明 發 五 法 方 作 製/ 板ί 基源 列體 陣晶 極 汲 r^llr 與 極 ^w 射 反 將 種 1 於 關 有 是 別 特 且 基 列 tB一 體 晶 一£一〇0 rJ^CT 膜 薄 的 作 製 併 - 線 配 料 資 件 元 體 導 半 於 惠 受 半 多 步 進 il 急 的 會 社 體 。媒 法多 方對 作針 製 板 步 進 性 躍 飛 之 置 裝? 示T 顯CR 或.、 十一口 而 件 元 示 顯 就 管 線 射 極 陰 品 示 顯 的 異 優 有 具 因 性 濟 經 與 質 故 獨 直 顯 輕 於 對 器 示 顯 極於 陰由 J Ο 而在 然存 。題 場問 市其 器有 示仍 上低 耗及 消以 源 能 與 上 用 利 間 空 在 管 線 射 短 Λ 、器 輕示 、顯 質晶 品液 示體 顯晶 高電 有膜 具薄 此的 因質 ，特 加耗 增消 益源 日能 求低 要及 的以 上小 耗、 消短 源、 能薄 C L - Τ F Τ 主 的 場 市 為 成 漸 逐 已 器 示 顯 晶 液 而 價 在 能 上 作 製 在 器 示 顯 晶 液 若 ο 題 問 的 高 偏 格 價 有 會 常 通 與 上 場 市 在 器 示 顯 晶 液 昇 提 幅 大 以 可 則。 ，力 低爭 降競 所的 有品 面產 方他 格其 第晶 照電 參膜 請薄 之1 器第 供 提 圖 示照以 顯參02 晶請Η 式首一 射。成 反圖彡 ίΛ 習示ο 為程10 示流板 繪作基 其製於 ，的並 圖板， 5基ο 第声ο ，一列 至 L 圖卩 1體 板 基 ο參 11 極請ί 閘著ο 與接板 一 基 及 於 及 以 蓋之 覆質 04材ϊν晶 緣卩 邑与"一 極 Η成 閘形 一再 ί後 C形之 線性Μ 配面。 描全 掃，ί 之圖ο 接 連？、閘 示 繪 方 上 閘 於 參 請ο rc 11 ο著層 11 > 層接道 道 通 通 於 方 上 兩 第極 與源 圖成 ο 3 杉 1第开 極纟端 緣形纟 絕在ιοί 極，極 閘圖沒 的 ο 通 層成 及 以 後 之/ 06W 〇 1 源 ®曰:/ U道與 1± i ί

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7637twfl.ptc 第5頁 584756 案號 91111522 曰 修正 五、發明說明（2) 1 0 8其中之一連接的資料配線（未繪示），接著再形成一 保護層1 1 〇於基板1 0 0上，以將·由閘極1 0 2、閘極絕緣層 1 0 4、通道層1 0 6、源極/汲極1 〇 8所構成的薄膜電晶體以及 基板100上的其他區域覆蓋。 最後請參照第5圖，先形成一凸塊層丨丨2於基板1 〇 〇上 的保護層1 1 0上方，接著再形成一反射電極1 1 4於凸塊層 1 1 2表面上。由於凸塊層1 1 2係由有機材質所形成，以微觀 的角度來看，凸塊層112的上表面會有很多凹陷（c〇ncave )與凸起（ convex )，形成複數個凸塊（bu 層112上表面之凹陷與凸起^ P 秸田ϋ塊 厅供的凹凸表面1 1 1 ，环η你 得入射於反射電極1 1 4上的氺始qi T w 1 1 1 j U使 所形成的反射電極1 1 4具右㊁此^ Α 欣町進而使侍 習知反射式液晶顯示\良之好笼的上射， 方法中，係、先進行源極之膜電晶體陣列基板的製作 行反射電極的製作，因此为貝料配線的製作之後再進 極的製作必須以兩道光罩$ f//極、資料配線與反射電 因此，本發明的目的在 薄膜電晶體陣列基板製作 夕、射式液晶顯示器之 線與反射電極以同一光罩製一==，極/彡及極、資料配 必須以兩道光罩製作的缺^ :併I作完成，以改善習 為達上述目的並避進而降低製作的成本：％知 射式液晶顯示器之薄J發明提出一種反 供一基板，於基板上谁尸體陣列基板製作方法，立总广 丞板上進仃形成一具有一間板法其係提 有閘極以及一與間極 為昂貴。 I程才能完成，在製作成本上較

7637twf1.ptc 584756 _案號91111522_年月日 絛正_ 五、發明說明（3) 連接之掃瞄配線之一第一導體層，接著再形成一閘極絕緣 層覆蓋於基板上。之後於閘極上方形成一通道層。接著於 基板上形成具有一源極/汲極、一與源極/汲極連接的資料 配線以及一反射電極之第二導體層，其特徵在於該源極/ 汲極、一與源極/汲極連接的資料配線以及一反射電極係 以同一道光罩製程形成。最後才形成一保護層於基板上 方。 為讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易 懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說 明如下： 圖式之標示說明： 1 0 0、2 0 0 :基板 1 0 2 :閘極 1 0 4、2 0 4 :閘極絕緣層 1 06、2 0 6 :通道層 1 0 8 :源極/汲極 1 1 0、2 1 0 :保護層 1 1 1、2 1 1 :粗糙表面 1 1 2、2 1 2 ··凸塊層 1 1 4 :反射電極 2 0 2 :閘極 2 0 8 a ·源極/ >及極 2 0 8 b :反射電極 2 1 4 :接觸層

7637twf1.ptc 第7頁 584756 i號9111膽 發明說明（4) 2 1 6 :餘刻終止層 較佳實施例 實施例i : ^夜圖曰至s第一10圖’其繪示為依照本發明-較佳 程干音Η ", 土 1 ‘、肩不器之薄膜電晶體陣列基板的製作流 =圖，提供-基㈣〇,基㈣ 層，*-導體層有!上：成：第一導體 閘極ίί:二第蓋7χ;二成第-導體層之後’形成- 絕緣層2 04的材右〇〇//問極2 0 2的上方，問極 ./ 如為具有適當介電係數（^ )之氮矽 化物（_slNx )或是石夕氧化物（Si〇x )。 」之亂矽 來成同ΐ ΐ 第7圖’ ☆閘極絕緣層2Q4形成之後，接著 =;於間極2 0 2上方的間極絕緣層2。4上上 Ϊ、二f,的形成方式例如為全面性的形成-非晶矽 “nr微影、…方式將問極-上方以;卜的非 玲-ίϊ?參!、第8圖，形成-凸塊層212於反射電極（未 ”形成的位置±，例如為問極2 0 2旁之書電極(未 上，^塊層212例如為一有機材質的有機層（〇rg—an素^域 ump Wer )，由於凸塊層212係例如由有機材質所 L以微觀的角度來看，凸塊層212的上表面質= 陷（concave )與凸起（c〇nvex )，形成複數個凸塊夕凹

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(b u m p ) ’故可以提供一凹凸表面2 1 1 ，以使得後續形成之 反射電，（未繪示）具有良好的反射特性。 接著請參照第9圖，形成一第二導體層於基板2 〇 〇上 方’第二導體層主要包括一源極/汲極2〇 8a、一與源極/汲 ，2 0 8 a連接之資料配線（未繪示）以及一反射電極2 〇 8匕。 第一導體層之材質例如為鋁金屬、鉻金屬或鈦金屬等可同 ^夺用來製作源極/汲極2 0 8a與反射電極2〇8b的金屬材質。 藉由第8圖所繪示凸塊層212上表面所提供的凹凸表面 2 1 1 ’可以使得入射於反射電極2 〇 8 b上的光線呈多方向散 射’進而使得所形成的反射電極2 〇8b具有良好的反射特 性。 接著請參照第1 〇圖，形成一保護層2 1 〇於源極/汲極 208a與通道層2〇6之上，即完成了反射式液晶顯示器之薄 膜電晶體陣列基板的初步製作。 接著請參照第1 1圖與第1 2圖，其分別繪示為依照本發 明一另較佳實施例製作反射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣 列基板之方法。在一般薄膜電晶體結構中，由於源極/汲

極2 0 8a例如為鋁、鉻或鈦金屬材質，當源極/汲極2〇8a與 其下方通道層206、閘極絕緣層204直接接觸時，通常會有 接觸上、電性上的問題。所以，本發明可進一步於通道層 206形成之後（第7圖）與源極/汲極2〇8a形成之前，在源曰 極/沒極2 0 8a與通道層2 0 6、閘極絕緣層2 0 4之間例如形成 · 一η型摻雜非晶石夕材質（n + a- Si )的一接觸層214。 此外’由於源極/汲極2 〇8a在形成時會經過一道蚀刻的製

584756 案號 91111522 年 月 修正 五、發明說明（6) 程，若製程控制不當往往會造成通道層2 0 6被損壞（ damage )。因此，本發明可更進一步在接觸層214之間的 通道層2 0 6上方例如形成一蝕刻終止層2 1 6以防止通道層 2 0 6被損壞的缺點。 請參照第1 1圖，其繪示為在通道層2 0 6形成之後（第7 圖）與源極/汲極208a形成之前，於通道層206兩端形成一 接觸層214，而於通道層206上方形成蝕刻終止層216的步 驟。 請參照第1 2圖，其繪示為在凸塊層2 1 2形成之後（第8 圖）與源極/汲極2 0 8 a形成之前，於通道層2 0 6兩端形成一 接觸層214，而於通道層206上方形成蝕刻終止層214的步 驟。 綜上所述，本發明反射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣 列基板製程至少具有下列優點： 1 .本發明反射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板製 作方法係將源極/汲極、資料配線與反射電極以同一光罩 製程一併製作完成，對製程的簡化上有很大的幫助。 2.本發明反射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板製 作方法係將源極/汲極、資料配線與反射電極以同一光罩 製程一併製作完成，減少了一道光罩製程，進而降低製程 所需的成本。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

7637twf1.ptc 第10頁 584756 _案號91111522_年月日 修正_ 圖式簡單說明 第1圖至第5圖繪示為習知反射式液晶顯示器之薄膜電 晶體陣列基板的製作流程不意圖， 第6圖至第1 0圖繪示為依照本發明一較佳實施例反射 式液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板的製作流程示意圖； 以及 第1 1圖至第1 2圖繪示為依照本發明一另較佳實施例反 射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板製作方法。

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Claims (1)

1. 584756 _案號91111522_年月日__ 六、申請專利範圍 1. 一種反射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板製作 方法，至少包括： 提供一基板，其具有一第一導體層，其中該第一導體 層包含一閘極； 形成一閘極絕緣層覆蓋於該基板及第一導體層上； 於該閘極上方形成一通道層；以及 ~ 形成一第二導體層於該基板上，該第二導體層包括一-同時形成之一源極/汲極以及一反射電極。 2. 如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中形成該第二導體層之 前，更包括形成一接觸層步驟。 1_ 3. 如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中形成該通道層之後， 更包括形成一#刻終止層於該通道層上方。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中形成該第二導體層之 後，更包括形成一保護層覆蓋於該第二導體上。 5. 如申請專利範圍第1項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，進一步包含一形成凸塊層 之步驟，且該反射電極係形成於該凸塊層之一上表面。 6. 如申請專利範圍第5項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中該凸塊層之一上表面彳® 係為一凹凸表面，以使得該反射電極具有良好的反射特 性。

   7637twf1.ptc 第12頁 584756 案號 91111522 Λ_ 曰 修正 六、申請專利範圍 7 . —種反射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板製作 方法，至少包括：提供一基板，該基板具有一第一導體 層，其中，該第一導體層包含一閘極，形成一閘極絕緣層 覆蓋於該基板及第一導體層上，再於該閘極上方形成一通 道層；以及形成一第二導體層於該基板上，其特徵在於該 第二導體層包括一源極/汲極以及一反射電極，且該源極/ 汲極與該反射電極係同時定義而形成。 8.如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中形成第二導體層之 前，更包括形成一接觸層。 9 ·如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中形成該通道層之後， 更包括形成一姓刻終止層。 1 0.如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中形成該第二導體層之 後，更包括形成一保護層。 1 1 .如申請專利範圍第7項所述之反射式液晶顯示器之 薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中在第二導體層形成之 前，進一步包含一形成凸塊層之步驟，且該第二導體層之 反射電極係形成於該凸塊層之一上表面。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所述之反射式液晶顯示器 之薄膜電晶體陣列基板製作方法，其中該凸塊層之該上表 面係為一凹凸表面。 1 3. —種反射式液晶顯示器之薄膜電晶體陣列基板，

   7637twfl.ptc 第13頁 584756 案號 91111522 年 月 曰 修正 六、 包 括 層 及 申請專利範圍 含·· 一基板； 一第一導體層，配置於該基板表面，該第一導體層包 一閘極； 一閘極絕緣層，配置於該基板上並覆蓋該第一導體 f 一通道層，配置於該閘極上方之該閘極絕緣層上；以 源/ 一極 括源 包該 層與 體係 導極 二電 第射 該反 ，該 層中 體其 導， 二極 第電 一 射 反 極 汲 及連 以端 極一 汲的 極 接 之於 之設 之 導 之 表 第 圍 範 利 專 請 中 如 4 IX 器 示 顯 晶 液 式 射 反 之 述 所 項 第15膜 薄該 薄 置 設 係 其 層 觸 接一 含 包 步 1 進 板 基 列 丨 ftlt 體 晶 膜 層請陣之 請 層申 道⑺ 通 於16 置 之項 極13 汲第 /圍 極t板 源彳基 之專列 進 L、步 液 式 射 反 之 述 所 含 包 終 刻 蝕 示 顯， 晶層 止 器 係 其 上 器 示 顯 晶 液 式 射 反 之 述 所 項 3 11 第 圍 範 利 專 第 該 且 層 塊 凸。 一上 含層 包塊 步凸 一該 進於 ，置 板設 基係 列極 陣電 體射 晶反 電之 膜層 薄體 專 請 中 如 板 基 列 •frit 體 晶 17膜。 薄面 第 圍 範 器 示 顯 晶 液 式 射 反 之 述 所 項 凸 凹一 係 面 表 上 之 層 塊 凸 該 中 其 7637twf1.ptc 第14頁