TW577045B - Device and method for reading multilayer optical disk - Google Patents

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TW577045B TW090125158A TW90125158A TW577045B TW 577045 B TW577045 B TW 577045B TW 090125158 A TW090125158 A TW 090125158A TW 90125158 A TW90125158 A TW 90125158A TW 577045 B TW577045 B TW 577045B
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Description

五、發明說明（1) 本發明係 和方法，亦稱 加光碟的儲存 記錄光碟最具 份反射性第— 層的光束掃描 之碟片而言， 同，第一層會 I述中亦稱為 是例如利用預 書寫面積之例 基於隆部/凹 準。上述第二 關於双層 為對該光 容量。尤 希望的科 層，和反 。以部份 由於已書 造成第二 遮蔽或遮 壓紋標示 ，而記錄 溝，而預 層上的光 或多層光碟之閱 學資料載體之掃 其是相位變化的 技之一。双層碟 射性第二層。第 書寫的第一層或 寫面積和尚未書 層上的光強度變 蔽效應。按照該 (即所謂預坑）為 面積是另一例。 坑結構是例如用 變動大幅減少讀 讀和/ 描。使 双層記 片設有 二層是 以所謂 寫面積 動。此 硬段化 之。遇 硬段化 於已知 出效能 或書寫裝置 用多層可增 錄，被視為 半透明且部 以通過第一 硬段化格式 的透光性不 等光變動在 格式，格化 坑面積是已 格式係例如 DVD-RAM標 和記錄信號 品質。如果使用相位變化記錄層尤為顯著，因其對記錄雷 射功率變化極其敏感。然而上述問題不但双層相位變化材 料會發生，而是材料組合之全部多層碟片都會，其中資訊 是按順序儲存，造成透射光的明暗順序。此種明暗順序有 右干原因，例如在/層的不同面積有不同的反射性’不同 的吸收因數或不同的干擾行為，破壞性/建設性，或具有 類似效果的其他不同性能。不同層可為單一類型或不同類 型’例如再錄性、預錄或非錄性。 本發明之目的，在於提議一種裝置’即使用在要掃描 的層上有造成光變動層之多層碟片時，可提高效能’並涉 及其方法。
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五、發明說明（2) 作适所+ 按照本發明，此頊目的是以申請專利範圍獨災、’、 特點解決。有益的特黠亦列於申請專利範圍附屬f “ 本發明光學資料載體之掃描裝置，利用主要 ’是由資料載體反射炎利用光感測器感測，資料、\ 、 掃描之第一層和第二層，第二層是通過第一層掃描，通， 第一層的光視第一層的局部性能受到遮蔽，本發明裝置设 有光感測器輸出信號保持機構，並預備下列放大電f σ，無 關遮蔽變數。其優點是位於某一常數範園内之輸出#號， 容易進一步處理，與造成遮蔽層的品質或狀態無關。 強度 有可 組合 ，是 是雷 (與 面積 強度 強度 之增 能超 益變 宜兼 裝置 與遮 變增 亦有 利用 射， 光是 或預 變動 變化 益變 過某 異更 備， 裝置 宜包 蔽量 益， 正面 裝置 則雷 否透 坑面 ，在 〇為 化， 一水 適合 因為 宜又 括掃 呈比 增益 效果 的光 射功 射通 積） 讀出 了讀 進行 準， 於讀 在此 包括 描光 例變 與遮 〇半 學磁 率會 過書 ，使 之際 出， 遮蔽 因為 出。 情況 發生 束發 化。 蔽量 透明 頭特 變化 寫面 得在 ，光 宜經 補正 在此 然而 下的 遮蔽 生機 另宜 呈比 層的 殊機 以補 積或 記錄 學磁 由光 〇由 情況 ，增 增益 感測 構， 包括 例變 變化 構感 正遮未書 當中 頭的 感測 於雷 下會 益變 變化 光束 具有可 輸出信 化。當 透射或 測。光 蔽。雷 寫面積 ，記錄 感測器 器的輸 射功率 發生資 化和雷 之異動 用之来 變強 號放 然， 其造 束產 射功 ，或 表面 上也 出信 在讀 料抹 射功 範圍 束發 度控制， 大器，具 二種特點 成的遮蔽 生機構若 率經調諧 通過資料 不發生光 不發生光 號放大器 出之際不 消，則增 率變化亦 較小。 生器，感
第7頁 ^77045 五、發明說明（3) 測該光束用之光感 束發生 光柵或 看，遮 光束更 適應雷 感 光束掃 差信號 推晚挽 距離， 生遮蔽 束信號 以便可 可適應 的資料 其他性 距離， 相同的 後繼光 的個別 上指示 距離已 器可為 雷射攝 蔽感測 早到達 射功率 測光束 描法， ，以校 法的情 宜選擇 之前， 宜延遲 在需要 例如；I； 栽體性 能。感 例如配 軌道。 束決定 信號延 狀態之去口，；^ 呈雷 影光 光束 不同 或敌 宜為 其中 正主 況。 遠較 增加 ，例 時即 同的 能、 測光 置在 本發 遮蔽 遲。 位置 片轉 測器，以及顯示 來’即可容易和 射之光源、呈半 學元件’或另一 配置在掃描光束 遮蔽面積。留下 大器增益，或二 其他目的產生之 從側面光束或使 要光束產生之信 在掃描層感測光 功率或增益切換 掃描速度或進行 如經由簡單延遲 開動切換。延遲 掃描速度、不同 隨時或在其他情 束宜採用配置在 前面90 °或180 ° 明另一解決方式 效果，並將碟片 本發明又一解決 預計遮蔽面積開 速亦然。例如， 該光感測器輸出信號用 可靠進行遮蔽感測。 透明鏡之光束分裂哭 適當元件。按掃描^向 前面。因而比主要掃描 充分時間準備在時間 者皆備。 前導光束’例如用於二 用側面光束產生追縱誤 號’即所謂公知之差示 束和主要掃描光束間之 所必要為大。得以在發 額外任務。遮蔽感測光 線或儲存於記憶體内， 時間宜有所變化，以便 的切換處理速度、不同 況下可以改變或變化之 主要掃描光束前面較大 ’但掃描相同或幾乎 是利用主要光束本身或 完全或幾近完全轉動時 方式是，事實上由執道 始處，其與遮蔽面積之 預坑面積是按照預定規
J//U45 弋；發明說明⑷ #配置，因而在經過前導光 敝預坑面積開始。 一 本發明光學資料載體之 :層遮蔽的變異，按照測得 ，度和光感測器輸出信號的 =外’不需要特殊製程來製 决本發明目的。 本發明方法宜利用感測 度以感測遮蔽之變異。 =、。其優點是利用碟片上儲 ，成高頻攪動，不會發生 且視遮蔽感測光束和掃描 置和第二遮蔽位置間之已知 按照本發明，光學資料 二層，第二層係通過第一層 層的局部性能而被遮蔽）之 遮蔽圖案之第一層，以補正 有低遮蔽效果之第一層面積 圖案。此圖案之設計對於第 而是確定充分遮蔽，使在第 點是只能進行一次，首度書 則可設遮蔽圖案，而全部預 分遮蔽。當然，碟片亦可在 預先格式化，故可直接存取 束後消逝的時間，即可預計遮 掃描方法包括步驟為：測量第 變異成比例變化主要掃描光束 放大至少其一。此優點是除上 造双層碟片，但可在裝置内解 掃描資料載體的遮蔽感測光束 感測之強度信號經低通濾波為 存資料或雷射功率的高頻變異 在低通濾波信號内。如上所述 光束間之距離，或第一指示位 距離，延遲強度信號。 載體（具有要掃描之第一和第 掃描，通過第一層的光視第一 掃描準備方法，可藉提供具有 遮敝效果之局部差異。音即具 ’刻意設有造成或增加遮蔽的 一層之閱讀或書寫沒有影響， 一廣上無強度變動。此法的優 寫在第一層上。所有非書寫面 坑面積或類似面積亦可設有充 製造中或提供給消費者之前， 双層或全部層，而不遭遇到變
577045 五、發明說明 動。 雖然 優良的只 壓紋圖案 言，預坑 會變成和 化狀態， 晶層的預 某些圖案 選用不干 按照 可比最大 吕己錄或抹 晶性〜 :有不同 焉材料/ 態。然而 性或更重 的資料面 案的灰度 確保不會 ，但寬度 遮蔽 下，此等 (5) 完成的碟片可按照本發 在具有預定特性的面積 的其他面積，設有遮蔽 面積的透射性能，在半 所記錄資料面積同樣程 例如具有#晶形記錄層 置碟片，則此舉可利用 為之。在此情況下，「 擾到預坑資訊的讀出。 本發明，遮蔽圖案可為 資料記錄坑為大或比最 消圖案為例如光柵 晶性一結晶性等，有亮 的相位變化材料和/或 堆在此分別指具有高反 基準狀態往往假設是結 要的透射性，是預坑面 積相同或接近相同。本 或坑遠較資料坑或預坑 使預壓紋的預坑讀出降 小後多的光柵結構亦在 圖案亦宜用來儲存其他 坑或不同的顯著性灰度 明設 ，諸 圖案 透明 度。 的未 在預 某些 灰度 小資 有遮蔽圖案，作特別 多預坑面積或具 。以相位變化碟片而 第一層初次記錄時， 視碟片的初始相位變 預置碟片，或具有結 坑，積内抹除或書寫 」指遮蔽圖案當然要 圖案或 料記錄 結構，相鄰執道 暗—亮一 層堆 射性 晶性 積和 發明 為大 解。 本發 資訊 之坑 設計存 和低反 。若干 記錄有 光柵結 或為小 條紋配 明範圍 。尤其 長度或 坑圖案 土几為小 為非晶 暗等條 在。高 射性的 執道平 暗和晋 構，即 之圖案 置在軌 内。 是在遮 距離變 ，各坑 。某些 性一結 紋。須 低或低 基準狀 均反射 資料坑 遮蔽圖 ’可以 道方向 蔽情況異，可
第10頁
V7H-J 五、發明說明（6) ，來儲存資訊，諸如記錄參變數、裝匕一 著作權資訊、編密碼參變數等。即 指示、記錄資料、 用大量生產裝置閱讀，但可應用於】^資訊目前無法利 感測更大或更小坑之未來裝置。 權議題，或用於可 設有本發明遮蔽圖案的資料栽體，、 法之裝置，亦在本發明範圍内。在此夫以及進行本發明方 或在精於此道人士範圍内的設計變化，特別提到的特點， 進一步變化例和優點也包含在較佳 触也是如此。本發明 說明中。. ，、體例使用附圖之下列 附圖中： 第1圖表示本發明裝置； 第2圖表示本發明具有遮蔽圖案 第3圖表示本發明具有遮蔽圖^之結構； 第4圖表示本發明遮蔽圖案的不同型^軌道結構； 第5圖表示本發明遮蔽圖案的其他 第1圖以簡略方式表示本發明袭置。 光學資料載體為碟片1，如部份斷面圖_此八體例内’ 例，以便更清楚看到相關特點。碟片W =。尺寸不照比 和第二記錄層12。第一層η為半透第-,錄層匕 射層，設有透明蓋層13和中間層14, . &而層12為反 的右部表示層堆1 5，單層11亦可改為數声不f^ 11 方。然而，在此僅說明單層丨丨，在曰配置在層2上 應用於層堆15。 在精於此道之士範圍内可 裝置包括半導體雷射2為光源，產生掃描光束3。雷射 第11頁 577045
五、發明說明（7) 2可用不同功率驅動。使得裝置可進行記錄， 型的碟片1 ’並按照下樹本發明適應。光束3以準' 以準直，通過光束分裂器5，以物鏡6聚焦到第二声^加。 在光束3途徑設有光柵7,除了主要掃描光束3 θ ° ^欠要光束3’，3” ，其中之一可用作遮蔽感測光束3，。 描方向，遮蔽感測光束3,是配置在碟片1上的主评 束3之前。光束3’表示以誇大方式與第2圖下部的主* 3分開，側面光束3，’亦然。光束3, 3,，3 ”利用第二層丨2反 射’以光束分裂器5引導至聚焦鏡8,利用鏡8聚隹在 測器1 0上。 ^ # TO a ，，光感測器10包括三個感測器面積9, 9,，9” ，有光束3, 3’，3”分別$在其上。感測器面積9,『，9，，各分成二個或 以上之感測器元件，以便產生進行焦點控制或追蹤控制等 控制功能所必要的感測器信號D，並按照已知方法產生資 料信號。例如，可實施像散法作為聚焦法，使用感測器面 積9 ’而使用全部感測器面積9，9，，9，，的微分推挽法， 可實施作為追蹤法。進行此等功能之必須元件，為精於此 道之士所知，故不予贅述。 一感測器面積9，之輸出信號D，，供應至低通濾波器丨6， 經，低通渡波過的信號DL提供至具有可變增益G，之放大器 17 輸出遮蔽感測信號SD。另一變通方式是，把遮蔽感 測仏號SD供應至具有可變延遲時間τ之延遲元件丨8。延遲 ，件輸出信號為延遲遮蔽感測信號SD，。設有也具備 可變增益G，G ’’的類似放大器1 7，1 7，，，分別把感測器面積
577045 潑;，明說明（8) ，9 ’’的輸出信號放大。在大多數情況下，對全部三種放 大器適用一致的增益，然而對某些感測法，是以不同增益 可能較佳。 掃描光束3聚焦在第二層12上，成為掃描小點22，而 在其第一層1 1的橫斷面則是放大點2 1。此放大點2 1蓋住明 和暗面積，即被暗面積所遮蔽。以被點2 1所蓋的完全書寫 面積而言，暗和明面積間之比一定。而落在點2 1内的未書 寫面積則不一定。因此，在如此情況下發生不同的遮蔽， 形成掃描點22.的光強度會變動，一如遮蔽情況。 在掃描之際，利用另一引導點’於此即為遮敝感測光 束3’的掃描點22’，檢查碟片1因半透明第一層11所造成遮 蔽引起的即將形成的朦朧情況。此點2 2 ’在主要點2 2之前 。主要點22和前導點22’間之分開距離設計成若發生遮蔽 時，容許及時雷射功率變化或放大器增益切換。因為遮蔽 造成的感測信號為低頻，乃經低通濾波，因此不會被資料 信號或rf雷射調變所降解’二者均為高頻。在應用所謂微 分推挽追蹤法時，宜使用三個光束3, 3,，3”的前導點22， ，以感測第一層造成的遮蔽。 意即本發明裝置在主要讀出光束受到影響之前，即感 測遮蔽感測光束3’的反射強度變化。 光束強度變化時’確實切換主要 遮蔽存在，但主要光束的電子讀⑴：卜，:雖然有 第2圖以簡略方式表*多層碟際上不變。 部份俯視圖。有若干轨道19平；的第一層軌道結構小 置’各執道中心20以虛
577045 表示主要 亦稱為坑 相似，但 有資料面 2 6間配置 預壓紋、 被記錄裝 置在軌道 邊之一半 已告記錄 結構之執 部28則以 ，凹部無 坑24可記 。在任何 通常以明 預坑23不 效果。在 掃描光束3之放大點2 1。各執道設 23,24’以擴圓體表示，垂直於執 在執道方向之長度不同。在第2圖 積2 6 ’在各側延伸比圖所示長得多 總面積2 5。以硬段化碟片1而言， 永久坑，所謂預坑2 3。預坑2 3為永 置書寫和消除。在第2圖所示例中 之一半，無論是鄰接左邊資料面積 。資料面積26之坑24配置在每一執 。在圖示例中，資料面積2 6係由具 道19組成。圖中各凸部27以白底色 黑底色表示。雖然此黑底與坑2 3， 遮蔽效果，因其不能防止通過的光 錄，意指不存在於未記錄層，並可 情況下，資料面積26的坑24造成不 暗差別表示，即造成其本層下方層 同，不會引起遮蔽，因其不會有類 資料面積2 5内，按照本發明設有遮 五、發明說明（9) 線表示。圓圈 有資料標誌， 道方向之寬度 的左側和右側 。在資料面積 總面積2 5設有 久性，即不能 ，預坑2 3只配 26之一半或右 道上，惟層1 1 有預壓紋凹凸 表示，而各凹 24著色者類似 量一如坑2 4。 從記錄層抹消 同的反射光， 之遮蔽。此與 似坑2 4的遮蔽 蔽圖案29 ’由長度遠較坑23, 24最大長度的坑所組成。 在半透明層11的初次記錄中，總面積2 5設有明暗圖案 2 9 ’在遠場領域有和記錄資料面積2 6同樣透明性和反射性 。意即在第二層1 2由總面積2 5以及第一層11的資料面積2 5 造成類似的遮蔽效果。遮蔽圖案29在此為光柵結構，有輪 流暗/明條紋，與預坑2 3平行。然而，不會干擾預坑資訊
第14頁 577045 五、發明說明（ίο) "一' 讀出的遮蔽圖案之任何其他結構亦可應用。 上述預坑面内提供圖案之兩種情況，說明如下： 第一，層11假設完全未預罩，意即半透明記錄層11的 記錄性材料不在結晶性基準狀態。在此情況下，記錄層需 ί ΐ ΐ ί記錄之前預置。意即完全資料面積26必須轉i為 :ί ί準狀態°經完全預置，而預坑面積具有上述較流 ιΛ】f案。進行預置有若干可能性，例如在使用標準抹消 $ 2 (像連續性雷射功率）之商業用驅動器内，或在 j法，不會干擾預坑資訊的讀出。第2圖未詳示的另一的抹 ΐίί虹不寫明圖案29 ’…句的灰度，其透光性斑 ===料面積26相同。對於具有個別性能的若干材料，^ ΪΠ雷射功•’即位於抹消功率和最大雷射功率間的功 第二，層1 1假設經完全預置，意即記錄層丨丨是在社曰 =I準二態。在此情況下只有總面積25需要具有上述= II圖案。對右干材料而言，書寫功率要保持一定， ^其他材料而言，書寫功率需要高頻調變，視個別材料^ 此而定。層功率的高頻調變會干擾預坑23的讀出。以第 =所示壓紋總面積而言，此問題是利用在無預坑23的面 寫加以解決。在具有預坑23的面積内，應用雷射閱= J率。由於無預坑23的面積和具有預坑23的面積是輪流 壓紋總面積25内，故在遠場領域内，反射性或透射性ς岣
577045 五、發明說明（11) 勻變化。 第3圖表示第一層11與第層圖所示的類似部份。同樣 部份以同樣符號表示，只有與第2圖不同部份才加以說明 。總面積2 5内的預坑2 3配置偏心，在實施例中是正好在二 相鄰軌道中心20之中間位置。例如按照DVD-RAM標準，使 用該項偏心的所謂擺動坑作為預坑2 3。在此情況下，區段 ID重複二次，在各偏心預坑面積内。對此DVD-RAM型壓紋 總面積，可適用就第1圖所示之同樣遮蔽圖案，但系統的 冗餘即減少。所以，.最好是只在總面積2 5的執道一半應用 書寫雷射功率。在此情況下，於遮蔽圖案書寫當中，有50 %預坑2 3不能閱讀。然而’此往往仍然足以讀出區段I D。 第5圖表示在偏心預坑23情況下，提供遮蔽圖案29之 另一方式。為簡化起見’預坑23和坑24均不予圖示，而只 顯示不同型的執道19，凸部27和凹溝28。與第2和3圖不同 的是，表示若干資料面積26和若干總面積25。可見各執道 1 9在完整總面積2 5設有遮蔽圖案2 9，而同樣執道的接績總 面積2 5則完全沒有遮蔽圖案。意即按照此變通解決方式， 只有每第二總面積2 5才完全閱讀’而遮蔽圖案2 9則書寫於 直間之總面積2 5。於此’系統的冗餘亦稱微減少。 第4圖表示總面積2 5的小部份，有三個相鄰執道1 9， 其中二個在圖上有預坑23。遮蔽圖案在此包含小坑30，在 軌道1 9的軸向看來，其軸向長度遠較預坑2 3為小。此等極 小坑3 0，以通常提供光圈的有限解析’或常用的有限調變 轉送功能（MTF)，無法感測。掃描光束3在此層11上的聚焦
第16頁 577045
五、發明說明（12) 點3 2大小在此指示。可見大到無法感測單一小坑3 〇。 須知本發明主要關係到遮蔽效果’遮蔽效果指 二層時所貫穿第一層的透射性能之低頻變化。此3 = 3 月Μ見第一層是已記錄或未記錄而定。反之，第- 屮 j發生高…，是在第二層掃描之前和 光束所通過的第一層坑或其他資料標示之 造成。此種高頻變異常稱為介質串音。 二間刀佈所
雖然按照本發明，双層碟片生產不需特殊製法，但冬 然^利於製造業已具有遮蔽圖案之碟片j。在初次記錄過田 程中，半透明總面積25的透射性能變化時，不需特殊的光 ，磁頭。為提高光碟的儲存容量，在相位變化材料上多層 記錄，是很有前途的科技。如果半透明第一層丨丨完全記^ 時，與DVD + RW或DVD-Rff等連續性或軟段化格式組合，在較 深的第二層1 2上不會發生遮蔽問題。然而，以硬段式凸/ 凹格式而言，半透明第一層丨丨的壓紋總面積25會造成第二 層12上的光變動。按照本發明有若干方法可以避免或補正 f〒二層12上由反射和透視不均勻造成的光強度變動，倡 議半透明第一層11。不均勻主要發生在與具有壓紋總面積 2 5的胃非連續性凸/凹格式組合。按照一解決方案，多層碟 片1是在第一記錄階段之前或之際，在記錄裝置内預處理 。在此情況下，即可使用標準碟片製法。
577045 案號 90125158 #：_Ά 曰 修正 圖式簡單說明 第1圖表示本發明裝置 第2圖表示本發明具 第3圖表示本發明具 第4圖表示本發明遮 第5圖表示本發明遮 有遮蔽圖案之執道結構， 有遮蔽圖案之另一執道結構 蔽圖案的不同型式； 蔽圖案的其他型式。
元件 符 號 說 明 1 碟 片 18 延 遲 元 件 2 半 導 體 雷 射 19 執 道 3 掃 描 光 束 20 .執 道 中 心 3, ，3” 次 要 光 束 21 放 大 點 4 準 直 儀 22 掃 描 小 點 5 光 束 分 裂 器 22, 掃 描 點 6 物 鏡 23 預 坑 7 光 柵 24 坑 8 聚 焦 鏡 25 總 面 積 9, 9,，9 η 感 測 面 積 26 資 料 面 積 10 光 感 測 器 27 凸 部 11 第 _ 一 記 錄 層 28 凹 部 12 第 二 記 錄 層 29 遮 蔽 圖 案 13 透 明 蓋 層 30 小 坑 14 中 間 層 32 聚 焦 點 15 層 堆 D，D， ，D II 輸 出 16 低 通 濾 波 器 DL 低 通 濾 波 17 ，17, ，1 7” 放 大器 SD 遮 蔽 感 測
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Claims (1)

  1. 577045
    種光學資料載體（i)之掃描裝置，利用主要掃描 钏，1?)、，是由資料載體（1)反射，並利用光感測器（1 〇)感 一 >料載體（1)有要掃描之第一層和第二層（11，12)，第 = = (12)是通過第一層（11)掃描，通過第一層的光使第一 Λ 7 1 局部性能受到遮蔽，其特徵為，裝置設有機構 蔽變里L L可保持光感測器（1〇)的輸出信號（D)，無關遮 敝變呉所造成之低頻效果者。 描光ϋIΐ專利範圍第1項之裝置，其中包括至少一掃 放ίίΓ" 17構;7”，，=變強度控制，以及輸出信號 均與遮蔽量成7比1j變)化者具… 3·如申请專利範圍第1或2項之 ， 5感測光束(3,）之光束發生器⑺裝，、中匕括發生遮 J ^ (9* )，^ ^ ^ ^ ^ (0, D，}^ 延遲之延遲機構（18)者。 输出L號（D，DL) 4· 種光學資料載體（1)之掃据古、土 光束（3)，是由資料載體（1)反射~私方^，利用主要掃描 測’資料裁體（1)有要掃描之第一岸利用_光感測器（1〇)感 二層（12)是通過第—層（η) θ σ第二層（11，12)，第 層⑴)的局部性能受到遮蔽；特第-層的光視第-—感測第二層（12)遮蔽之為，包括下列步驟： 一按感測變異成比例變化主|^ m號(D，D，，D”）之中 1光束⑺和光感 5.如申請專利範圍第4項之方 者^ #中遮蔽變異是利
    2003.11.17.019 577045 案號 90125158 曰 修正 六、申請專利範園 用進行下列步驟之一項或多項加以感測： 一感測掃描資料載體（1 )的感測光束（3，）遮蔽強度； —感測之強度信號（D，）經低通濾波； ~視遮蔽感測光束（3 ’）和掃描光束（3 )間之距離， 延遲強度信號（D，，DL，SD); 一視第一指示位置和第二遮蔽位置間之已知距離， 延遲強度信號（D，，DL，SD)者。 撼> 6 ·:種光學貧料載體（1 )掃描用之方法，載體具有要 一 ΐ第二層（11，12)，第二層（12)是通過第一層 mi: I層（ιι)的光視第一層（ιι)的局部性能 01)1有，遮蔽效果的局部差異是藉第一層 又有遮蔽圖案加以補正者。 7·如申請專利範圍第6項 甘士 a 8·如申請專利範圍第6或7=積（25)獲仔補正者必 是灰度圖案便是坑圖案，复由、之方法，其中遮蔽圖案不 (23, 24)為大，或者其中之、之坑（29)比最大資料記錄坑 24)為小者。 、〈机（3〇)比最小資料記錄坑（23， 9·如申請專利範圍第 30)用來儲存其他資料者。 方法，其中遮蔽圖案（29， 利範圍第6項之遮蔽 10· —種資料載體，具有如 圖案者。 謂寻
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