TW561200B - Plasma etching of silicon using fluorinated gas mixtures - Google Patents

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561200 A7 _______ B7 五、發明說明（) 相關申諳銮 此申請案是共同讓與的U.S.專利申請案序號09/206,201 的部分接續申請案（其名稱為，，使用含氟氣體混合物電漿蝕刻 多晶矽"，申請日期1 998年12月3日，全文在此併入參考文 獻）。 發明領娀 本發明係關於電漿蝕刻之方法，更明確的說是使用至少包 含氟（F)、氧（〇)、碳（C)及氫（Η)之氣體混合物來蝕刻矽之方法。 發明背景 形成於半導體基材上的溝槽在製造積體電路方面有許多用 途，包含：隔離、形成電容器、形成晶體管等。溝槽之重要 用途之一是形成溝槽電容器以作為動態隨機存取記憶體 (DRAM)裝置之貯存結。溝槽電容器雖然體積相當小，但由於 形成電容器之溝槽深度之故，使其具有頗大的電極表面積。 在常見的溝槽電容器中，溝槽壁形成電容器的一個電極，此 壁上塗覆著一層薄介電材料，而其餘溝槽則用多晶矽充填， 故而此多晶矽形成電容器的第二個電極《因此溝槽式dram 裝置所使用之面積，要比其他使用平面式或堆疊式電容器之 記憶體裝置來得少。為使溝槽電容器之電容達最大，可將溝 槽壁表面積達最大，亦即加深溝槽並使溝槽壁幾成垂直。 傳統上’貯存結係使用異向性化學物或反應性離子姓刻幕 膜的矽基材而形成。化學蝕刻係使用溴化氩（HBr)、氣氣（C12)、 第2頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561200 A7 ___B7 ____ — 五、發明說明（） 氧氣（〇2)、三氟化氮（NF;)、六氟化硫（％)、及氮氣（N2)之現 合化學劑》例如，HBr/CL化學劑可改進矽蝕刻速率至約5〇〇〇 A/分鐘，其光阻選擇性（定義為對矽與對光阻劑蝕刻速率之比 例）”於3 . 1至4 . 1。亦可以其他諸如氧化物或氣化物之材 料層，作為蝕刻罩膜以改進矽對罩膜之選擇性。為了促進晶 圓產出率，則必須使矽蝕刻速率最適化，尤其是應用在例如 溝槽蝕刻》然而一般而言，增加矽之蝕刻速率亦會同時降低 罩膜蝕刻之選擇性。 因此須要一種既能增加矽蝕刻速率同時又能提高罩膜選擇 性之矽蝕刻方法。 發明概述 本發明克服了前述技藝之相關缺點，本發明係關於使用包 含氣（F)、氧（〇)、碳（〇及氫（H)元素在内之氣體（混合物）所產 生的電衆來姓刻矽的方法。較佳之具體化實施例之一中，揭 示於矽基材溝槽蝕刻之蝕刻氣體（混合物），包含：六氟化硫 (SF,)、二氣甲燒（CHJ2)、及氧氣（〇2)，這些氣體流速分別為 SF6 約 65 seem、CH2F2 約 25 seem 及 02 約 60 seem，總壓力 約1 5 mtorr ，基材偏壓功率約25 W。石夕蚀刻速率超過ι微米 /分鐘，可達成硬罩膜蝕刻之選擇性大於約2〇: 1。特定言之， 在速率約1.2-1.5/zm/分鐘下蝕刻，可具有矽溝槽與次微米大 小之大的縱橫比，硬罩膜選擇性高達2 8。 本發明的實施可藉由混合約10-100 seem之氟化氣體（即包 含氟元素之氣體）、1-100 scem之氟烴氣體（即包含F、H、及 第3頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

561200 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（） C 70素之氣體）、及約10-100 sccm之含氧氣體（即包含氧元素 之氣體）’總麼力約4-100 mtorr的條件來。此外，亦可使用 包含SF6 : CH2F2及〇2 : CH2F2之比例介於1 5 : 1至3 : 1之 軋體組合物來異向性地餘刻石夕，可產生幾近垂直的溝槽。本 發明具體化實施例之一可使用去耦合的電漿源（Dps)蝕刻反應 器。一般而言，電感源功率約300-5000 W,可產生電漿，施 用至晶片支持基座之陰極偏壓功率約1 〇 _ 5 〇 〇 W，其可維持溫 度在約-40至60°C之間。 本發明之蝕刻製程亦可用來蝕刻包含多晶矽及非晶矽在内 之其他形式的矽材料層，並以光阻罩膜來代替硬罩膜。 圖示簡單說明 本發明極易於藉由以下之詳細描述與圖形了解，其中： 第1圖為進行本發明蝕刻加工之電漿加工設備圖； 第2a圖為進行本發明蝕刻方法前的基材橫切面圖； 第2b圖為第2a圖基材進行本發明姓刻方法後之橫切面 圖； 第3a-3c圖為不同溝槽外型之橫切面圖。 為了增進了解，圖形中相同之元件盡可能的使用相同之參 考數目。 圃號對照說明 ho Dps ϋ刻加工室 第4頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -·ϋ ϋ β— ϋ I ϋ n -n· ·1 n n · ϋ ·1 I a— 11 ϋ n 一。r · n i n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 561200 A7 B7 五、發明說明（） 110 110 112 114 116 118 119 120 122 124 126 127 130 134 138 136 140 142 144 146 148 200 210 212 加工室 蝕刻室 感應線圈天線部分 基材 基材支持基座（陰極） 無線電頻率源 匹配網路 半球形頂蓋 RF源 匹配網路 入口 節流闊 室壁表面 接地線 氣體控制板 真空泵 控制器 記憶體 中央處理器 支持電路 來源 矽基材 圖樣化罩膜 矽氧基氮化物層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再填寫士 訂---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 561200 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） 214 氧化物層 發明詳細說明 ；" 本發明係關於使用包含氟（F)、氧（〇)、碳（C)及氫（H)元素 在内之氣體（混合物）所產生的電漿來蝕刻矽的方法。本發明 之蝕刻製程可用於矽蝕刻DPS(去耦合的電漿源）Centura⑧蝕 刻系統及深溝槽DPS系統，此二系統可購自Aapplied Material， Inc. of Santa Clara，California。矽蝕刻 DPS 系統之詳細描述 揭示於 by Yan Ye et al. at the Proceedings of the Eleventh Symposium of Plasm Processing，May 7，1996，及發表於 Electrochemical society Proceedings, Vol 96-12，pp. 222-233 (1996)。全文在此併入參考文獻。深溝槽DPS系統與矽蝕刻 DPS系統相較之下有較小的室體積，且感應線圈及晶片基座 間有較小的空間。偏壓功率亦可併入固定頻率施加在晶圓基 座上。 第1圖為DPS姓刻加工室110的簡圖，其係由包含至少一 個感應線圈天線部分112，位於一介電性、半球形頂蓋120(本 文稱之為頂蓋120)之外，並聯結至無線電頻率（RF)源11 8( — 般而言能產生RF信號，具有可調的頻率約12.56 MHz)。RF 源11 8經匹配網路1 1 9耦合至天線11 2。加工室11 0亦包含基材 支持基座（陰極）1 16，其係聯結至第二種RF源122。RF源122 一般而言能產生頻率介於50 KHz至15 MHz之RF信號。在 深溝槽DPS室中使用之偏壓頻率約400KHz。RF源122係經 匹配網路124耦合至陰極116»室11〇亦含有傳導力的室壁130 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ-.------- 訂---- 561200 Α7 ________ Β7 五、發明說明（） 其係聯結至接地線134。控制器140 包含中央處理器 (CPU)144、記憶體142、及CPU耦合至DPS蝕刻加工室110 之各種組件的支持電路1 46以改進蝕刻製程之控劑。 在操作上’基材114係置於基材支持基座/陰極116，氣體 組合物經入口 126從氣體控制板138供應至加工室110。電 漿之點燃係在加工室11 〇施用RF功率，其係分別由rf源11 8 及122輸送至天線112及基座/陰極ι16。蝕刻室110内之壓 力係使用真空泵1 3 6及位於蝕刻室11 〇及真空泵1 3 6間之節 流閥127加以控制。室壁表面130之溫度係使用位於蝕刻室 Π0壁面130内含液體之導管（未顯示）加以控制。 用閉環系統（未顯示）使熱轉移介質經基座/陰極丨丨6循流以 控制溫度，使用適當的熱轉移介質，可加熱或冷卻基座/陰 極116 ’來源148之氦氣流係流至由基材114背部及基座表 面溝槽（未顯示）形成的甬道，彼係用以增進基材114及基座/ 陰極116間之熱轉移。在姓刻製程中，基材114逐漸經電漿 加熱至恒溫狀態度，大約30-1 30t。使用熱控制頂蓋12〇及 基座/陰極116，基材Π4可為維持在大約_2〇至60 °C之典型 DPS室的溫度。為了達到此一基材溫度，頂蓋12〇維持在大 約80°C，例如用加熱燈（未顯示），室壁維持在大約65<J(：，例 如用分開的密封環控制系統（未顯示）。 施用至感應線圈天線112的rf功率其頻率介於50 kHz及 15 MHz,較佳者約12.56 MHZ,且在本發明具體化實施例中 其功率之變化可從數百至瓦數千瓦，例如在深溝槽Dps室中， 天線功率之頻率為ΐ2·56ΜΗΖ，功率介於300至2〇〇〇瓦之間， 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蜚） 請 先 閱 讀 背 ύ 之 注 意 事 項 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561200 A7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而偏壓功率之RF頻率為400 KHz，功率介於1〇至5〇〇瓦 間。在其他蝕刻室中，使用本發明蝕刻製程時亦可使用 偏壓功率。 為了增進上述室110之控制，CPU 144可為一般任你 在工業上設定控制各種加工室之電腦處理器，及次處理器 記憶體142係耦合至CPU 144。記憶體142可為一種或多種 可輕易得到之記憶體例如隨機存取記憶體（RAM)❶唯讀記愧 髏（ROM)、軟碟、硬碟、或任何其他的數位貯存形式；且可 為某種位於遠方之主電腦的一部份。支持電路146係用常見 的方法耦合至CPU 144以支援處理器。此類電路包含快速緩 衝貯存區、電源、時鐘脈衝電路、輸入/輸出電路及次系統等。 用於本發明蝕刻製程之控制軟體一般而言儲存於記憶體1 42 以進行一般的軟體控制下之製程。位於遠方控制硬體之CPU 亦可儲存及/或執行軟體。 當由CPU 144執行時，軟體可例行的將一般的電腦轉度 成特定的電腦（控制器1 40)以控制操作室進行蝕刻製程。此以 軟體執行之例行特定製程的步驟將會於以下之第2a圖及2b 中詳細討論。 雖然討論之本發明製程一般係使用軟體執行，某些揭示於 此之方法步驟亦可用硬體及軟體控制器進行。因此本發明可 用軟體，應用特定的積體電路或其他型硬體，或混合軟體及 硬體執行電腦系統。 以下之討論中，矽基材（例如，一般單晶矽晶片）在DPS室 之溝槽蝕刻係用以說明本發明的一個具體化實施例。蝕刻製 第8頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） Γ 1 ·1 ϋ ϋ I 1· n i·— II ϋ 0 i emMm i mmmmm tmme n ϋ J ，· n n t f琦先閱讀背面之注急事項寫本頁} A7 B7

561200 五、發明說明（） 程一般而言可施用於其他形式之矽。因此，應強調不論石夕材 料層是如何形成的’ ”石夕”係指所有形式之>5夕材料，例如·單 晶矽、多晶矽及非結晶形的矽。此外，本發明可用於以不门 於D P S室之方法產生反應性電漿的其他加工室，包含例如電 容性輛合的電聚糸統或搖控電聚產生系統之加工室。 第2a圖描述姓刻前矽（Si)基材200與圖樣化罩膜21〇之橫斷 面的（切面的）外形輪廓。圖樣化罩膜2 1 0可為光阻劑材料或内 含氧化物、氮化物、或金屬等之，，硬罩膜"材料。此具體化實 施例中，圖樣的罩膜2 1 0為硬罩膜由兩層材料層組成·· 6 〇 〇人 厚之矽氧基氮化物（SiON)層2 12及由約4300A之高溫氧化物 (HTO)組成之氧化物層214。多層之硬罩膜210可由混合的材 料加工步驟形成，例如習知技藝人士熟知的沈積法、微影及 蝕刻。第2a圖之Si基材200可在DPS室中使用表1之製程參數加 以蝕刻。

SF6 65 seem ch2f2 25 seem 〇2 60 sqcm 壓力 15 mtorr 天線功率 700 W 陰極功率 25 W 基座溫度 15°C 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項3寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561200 A7 ------ B7 五、發明說明（） 如表1，本發明較佳之具體化實施例係使用包含六氟化硫 (SF6)、二氟曱烷（cn)、及氧氣（〇2)在内之氣體混合物，作 為電漿來源氣體，其組成約43% SF6、17% CH2F2及40% 02。 此化學提供超過約12, oooA/分鐘之Si蝕刻速率，及大於20: 1之罩膜選擇性。視特定構造的縱橫比（一般定義為深度：寬 度之比例）而定，，罩膜選擇性可亦可高至約28 : 1。第2b圖 說明Si基材200蝕刻後所形成的Si溝槽204之橫切面。 雖然較佳之蝕刻製程係依據表1之參數進行，但亦可接受 不同之氣體組合物對應之更寬之流速範圍：例如，在工作室 壓力約 4-100 mtorr 下，10-100 seem 之 SF6、1-100 seem 之 CH2F2及l〇-l〇〇sccrn之〇2。氣體係由氣體控制板138供應， 壓力由真空泵136及閥127設定。工作室壓力、及氣體流速 均由控制室1 4 0加以控制。 第3 a-3c圖說明各種不同之化學蝕刻劑氣體產生之各種溝 槽外形輪廓。本發明中，SF0係為蝕刻劑（例如氟（F)原子）之 來源，並對Si進行等向的蝕刻。一般而言，高SF0含量之氣 體混合物有產生底切（undercut)姓刻外形輪廓的傾向。圖3a-3b 說明具有底切之溝槽外型》然而在CH2F2、及02存在下，經 由保護側壁206對抗側面的蝕刻可控制溝槽204之外形輪鄭 及大小。例如，高CIF2及〇2含量之氣體混合物可導致一頭 逐漸變得尖細的外形輪廓，如圖3c。在某些SF0、CH2F2、及 〇2混合氣體之流速下可造成近乎垂直的外形輪廓，例如第2b 圖所示。此則導致，例如當單獨的或混合的CH2F2及〇2與Si 作用時可在側壁2 0 6形成薄層聚合物（示於虛線部份），"鈍化，， 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------Ψ.-------訂·丨 (請先閱讀背面之注意事項再填窵本頁) 561200 A7 B7 五、發明說明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 側壁206對抗蝕刻劑對側面過度的蝕刻。調整氣體混合物中 組成物之相對濃度，可產生不同程度之鈍化及蝕刻，因此可 控制所欲求之剪裁的外形輪廓及大小。當然，其他操作參數， 例如：壓力、功率及基材溫度亦可影響溝槽外形輪廓及大小， 與產生的石夕姓刻速率及罩膜選擇性。 必須一提的是在討論中”氣體混合物'’及”氣體，，可相互通 用，且可廣汎的解釋包含對應至單一成分的氣體與多重成分 氣體的狀況。例如，包含象（F)、氧（0)及碳（C)之氣體可包含 單一成分的氣體，或内含F、0及C元素之多重成分的氣體 混合物SF6、02及C02。 一般而言，本發明之蝕刻化學包含的氣體混合物包含：F、 Ο、C及Η。例如敗化氣體，包含：三敗化氣（NF3)及四敗曱 烷（CFJ等，可作為蝕刻劑的來源。相同的，其他内含至少f、 N及C元素的氟-烴氣體，包含：三氟基曱烷（CHF3)及氟曱烧 (CH3F)等亦可如CH2F2般有相似的功能。此類氟化氣體與〇2 , 或其他包含氧元素（含氧氣體）形成的氣體混合物可調整石夕溝 槽蝕刻控制產生有效的外形輪廓及大小。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 雖然本討論及表1之钱刻法係以s c c m表示氣體流速，不 過此類流速範圍係用以說明特定的具體實施例。更進一步的 說，本發明包含之各種氣體組合物比例（莫耳或體積比例）可 產生溝槽構造所欲求之外形輪廓及大小。例如，包含SF6; CH2F2 比例約1 · 5 ; 1、2 : 1、2.4 : 1及、3 : 1之氣體組合物；與包 含 02 ·· CH2F2 比例約 1·5 ; 1、2·2 ; 1、2.6 : 1 及 3 : 1 之組合 物；可用於矽，產生異向性的溝槽外形輪廓。尤其是，SF6 : 第11頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 561200 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（） CH2F2及〇2 : CH2F2之比例較佳者約2.5 : 1的組合物比例。 一般的而言，進行本發明時，可在電感源功率約300-5000 W、 12.56 MHz下產生反應性的電漿，較佳者約 700 W。陰極偏 壓功率約1 0-500 W，較佳者約25 W，400 KHz下可對晶片基 材114進行偏壓。蝕刻製程進行之基材溫度介於約-40至60 °C，較佳者約1 5 °C。一旦室1 1 0内反應性的氣體到達適當之 壓力後，可啟動控制器1 40、電源11 8及1 22並控制匹配網 路119及124可使室110達到足以耦合的RF功率。典型的 操作塵力約4 -1 0 0 m t 〇 r r，約1 5 m t 〇 r r較佳。此外姓刻製程中， 控制器1 40控制氦源1 48以維持均勻的晶片溫度並個別的控 制基座/陰極116、室壁130及頂蓋120之溫度。 使用本發明的蝕刻製程，可使矽溝槽以蝕刻速率超過約1 祕米/分鐘（例如石夕|虫刻速率約1 · 2 -1 · 5 # m/分鐘）完成高度縱 橫比異向性的蝕刻，罩膜選擇性大於約2〇 : 1 ,及高至約28 : 1 °亦可達成高達約± 3%内的晶片蝕刻一致性。晶片#刻一 致性的定義是（ERmax-ERmin) / (2ERavg)，其中ERmax是最大的 姓刻速率，er_為最小姓刻速率，及ERavg是晶片内觀察到 的平均蝕刻速率。特定言之，以〇.34微米為例，縱橫比約21 之Si溝槽可在速率約i.2微米/分鐘，罩膜選擇性約21下蝕 刻 以0 · 6微米為例，縱橫比約1 3之溝槽可在速率約1 · 4微 米/分鐘、罩膜選擇性約27下蝕刻。 如上述’製程亦可施用於蝕刻多晶矽或非結晶形的石夕層。 相同的，使用多層硬罩膜210僅係用以說明，該方法可輕易 的適用於其他硬罩膜或光阻罩膜。調整反應物中氣體混合物 --------^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

561200 A7 B7 五、發明說明（） 組合物與操作壓力及功率可最佳化s丨蝕刻速率及光阻劑選擇 性。例如，增強氣體混合物中CH2F2之含量可改進的光阻劑 選擇性，因為CH2F2可形成薄聚合物層，保護光阻劑對抗钱 刻劑之攻擊。一般而言，增加CH2F2組合物導致矽或多晶石夕 蝕刻速率降低，其可用調整加工室之功率或操作壓力彌補。 雖然本發明教示包含許多較佳具體化實施例及詳細描述’ 習知技藝人士可輕易的設計出許多其他仍屬於此類教示範圍 内之各種具體化實施例。 請 先 閱 讀 背 Sj 之 注 意 事 項

ιΎ 頁I I I I I I訂 秦 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第[3頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 561200 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第三氣體係 選自 CHF3、CH2F2、及 CH3F 中。 9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該氣體包含1 〇 至 lOOsccm 之 SF6，10 至 lOOsccm 之 〇2及 1 至 lOOsccm 之 CH2F2 〇 10·如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第一氣體及 該第三氣體在該室中之比例大於1 · 5 : 1。 11. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第二氣體及 該第三氣體在該室中之比例大於1 · 5 ·· 1。 12. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第三氣體更 包含氟（F)。 1 3.如申請專利範圍第1 0項所述之方法，其中該第二氣體及 該第三氣體在該室中之比例大於1.5 : 1。 14.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該點燃步驟包 含施用10至500瓦之偏壓功率至陰極電極之步驟。 1 5.如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該點燃步驟包 第15頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先·Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561200 六、申請專利範圍 各施用300至5000瓦之電感源功率至電感耦合天線之步 驟。 16·如申請專利範圍第5項所述之方法，其中該室之壓力係 於 4 至 1〇〇 mtorr 間。 17·如申請專利範圍第5項所述之方法，其中之蝕刻步驟更 包含下列步驟 以速率超過1〇,〇〇〇人/分鐘蝕刻該矽材料層之步驟； 及 以少於钮刻該矽材料層速率之1/20的速率蝕刻罩膜 層之步驟。 18.如申請專利範圍第5項所述之方法’其中在蝕刻步驟期 間，於室内支托内含該矽材料層之工作部件的基座溫度 係維持在-40及60°C之間。 1 9 · 一種蝕刻方法，其係包含以下步驟： 供應内含SF6、〇2及CH^之氣體至加土 .室； 在該室中施用10至500瓦之偏壓功率至陰極電極及 施用300至5000瓦之電感源功率至電感耦合天線以點燃 電漿；以及 _ 在該室中蝕刻矽材料層。 第16頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂-----！-線 --- <請先·Η讀背面之注意事項再填寫本頁) A8B8C8D8 561200 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 20·如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中之氣體係包含 W 至 100 seem 之 SF6、10 至 1〇〇 seem 之 〇2、及 1 至 100 seem 之 CH2F2 〇 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中該室内氣體壓 力係介於4至100 mtorr間。 22·如申請專利範圍第1 9項所述之方法，其中蝕刻步驟更包 含以下之步驟： 以超過10,〇〇〇 A/分鐘之速率來蝕刻該矽材料層；及 以低於該矽材料層蝕刻速率1 /20之速率蝕刻該罩膜 層。 23.如申請專利範圍第19項所述之方法，其中在蝕刻步驟期 間’室内支托該矽材料層之基座其溫度維持在-4〇及60 °C之間。 24·如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該内含SF6及 H2F2之氣體，其SF6 : CH2F2之比例大於1.5 : !。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 25 ·如申請專利範圍第19項所述之方法，其中該内含02及 CH2F2之氣體，其〇2 : CH2F2之比例大於1.5 : 1。 26.如申請專利範圍第24項所述之方法，其中該内含ο]及 第17頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） A8 B8 C8 D8 561200 六、申請專利範圍 CH2F2之氣體，其02 : CH2F2之比例大於1.5 : 1。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）