TW552310B - Sputtering chamber shield promoting reliable plasma ignition - Google Patents

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552310

五·、發明說明（ 發明領域： . 本發明係有關於電漿錢鐘反應器（Plasma Sputtering Reactors)，且特別是有關於用以提昇濺鍍並保護反應室侧 面之一反應室擋板。 發明背景： 濺鍍，也稱作物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition ; PVD)，在半導體積體電路的製造上，偏好以 濺鍍技術來沉積材料，特別是金屬與含金屬之材料。濺鍍 具有高沉積率，通常使用相當簡單又便宜的製造設備和相 當便宜的材料前驅物（precurs〇rs)，此材料前驅物即為PVD 例子中的靶。在商業的應用中常見的濺鍍類型為磁控直流 錢鍍’此方法被限定用於金屬把的漱鍵。賤鍍廣泛地使用 於鋁的沉積，用以在半導體積體電路上形成金屬層。近 來，已經發展出以PVD的方法進行銅沉積。然而，在製 造半導體積體電路時，濺鍍可應用在範圍更廣之有用材料 上。反應性濺鍍如鈦或鋰之類的金屬靶的濺鍍廣為人知， 此時電漿中有反應氣體存在，其中最典型的氣體是氮。因 此，濺鍍之金屬原子與反應氣體反應並在晶圓上沉積了一 金屬化合物，其中最特別地是金屬氮化物，如氮化鈦在氮 氣中使用一鈦金屬靶，或是氮化钽在氮氣中使用一鈕金屬 靶。 然而其它金屬的濺鍍在半導體積體電路的製造上也 很重要。例如，在傳統的鋁對矽之接觸金屬化製程中，一 第2頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

552310 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（ 厚度通常小於1 5nm之鈥薄層，沉積在硬基材的狹窄源極 (Source)與汲極（Drain)部份上，而此矽基材之前已被摻入 像是硼或磷之類的p型或η型掺值。然後晶圓經回火 (Anneal)，如藉由快速加熱製程（Rapid Thermal Processing ; RTP)，使鈦和矽在其介面附近一起擴散而形 成一金屬矽化物，在這個例子中形成的是鈦的金屬矽化 物。此金屬矽化物可提昇隨後沉積在金屬矽化物上之金屬 化製程之附著性，並且也在金屬化與半導體之間提供了一 更大的歐姆式接觸（Ohmic Contact)。 然而在含鈦的金屬矽化物上有一些限制，此含鈦的金 屬石夕化物通常為T i S i 2。鈥與秒反應生成金屬；?夕化物所需 之溫度相當高，範圍在6 0 0。(：到9 0 0 °C之間，取決於特性 的需求。這是相當高的溫度，而且可能造成摻雜的摻質從 接合的預定區域擴散出來。此外，當鈦的金屬矽化物沉積 在漸窄的狹窄源極與汲極寬度時，可看到鈦的金屬矽化物 有增加其電阻率的傾向。在1 # m線寬時，可獲得一令人 滿意的低片電阻4 Ω /□，但在〇. 3 # m線寬時，則片電阻 增加到大約20 Ω /□。 因為這些原因，所以需要把替代的金屬矽化物列入考 慮。始和鎳矽化物兩者極被看好。它們的金屬矽化溫度約 低50°C到200°C。它們在金屬矽化的製程中所造成的應力 較少°可以忽略其視線寬而定的電阻率。矽化鎳（NiSi)於 金屬化過程中有一些潛在的優點在於它的低電阻率、低應 力、與碎的低消耗上。然而，它已經不受偏愛因為相對於 第3頁 -----ΓΙΙΙΙΙΙΙ1 - I 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 552310 A7 B7 五、發明說明（）

TiSi2的90CTC和CoSi2的l〇〇〇°C，它的穩定只維持到750 °C。因為這些原因，所以目前已經廣泛地研究矽化鈷來當 矽化鈦的替代品。 第1圖所示為一 D C磁控濺鍍反應器’可用以濺鍍 姑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

傳統的P V D反應器1 〇之結構圖如第1圖所示，此結 構圖係根據Endura PVD反應器所畫，該Endura PVD出自 加州之聖克拉拉之應用材料有限公司（Applied Materials，Inc. of Santa Clara，California)。此 PVD 反應 器10包括一真空反應室12，此真空反應室12係透過陶 瓷隔離物14而與一 PVD靶16相隔離，組成此PVD靶16 之材料通常是一金屬，且此PVD靶1 6之材料被濺鍍沉積 在晶圓1 8上，此晶圓1 8則係藉由一晶圓夾鉗22被一晶 座20所支撐，且此晶座20具有加熱器電極。一靜電的墊 塊也可放在晶座20上，用以代替晶圓夾鉗22。PVD靶的 材料可能是鋁、銅、鈦、鈕、這些金屬的合金或摻雜少數 比例的合金元素、或其它經得起DC濺鍍的金屬。擋板24 被支撐在真空反應室裡面，以保護真空反應室12之内璧 免於被濺鍍的材料附著，並提供陽極接地板。使用可遠擇 且可控制之一 DC電源供應器26,將PVD靶16施以負向 偏壓，使得PVD靶16相對於擋板24之偏壓大约為· 600VDC。傳統上，晶座20與晶圓18帶有電流動，但它 仍然要依靠一些DC自發性偏壓（Self-bias)來吸引電漿中 的正電荷離子。 第4頁 >紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) '-------- 552310 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------____ 五、發明說明（） 第一個氣體來源34透過一質流控·制器（Mass Flow Controller)36供應一錢鐘的反應氣體至真空反應室 中，此反應氣體通常是氬。如第1圖所示，可以藉由在擋 板背後之一個或多個入口導管供應氣體，從真空反應室12 底部之各個方向引入反應氣體。氣體擴散於擋板底部或者 通過介於晶圓夾鉗22、擋板24和晶座20之間的缺口 42。 真空系統44透過一寬幫浦接口 46與真空反應室12相 連’透過此真丄系統4 4使得真空反應室1 2的内部保持低 壓。雖然基準壓力可以維持在大約l〇-7T〇ri:甚至更低，但 反應氣體氬之傳統壓力一般維持在大约

ImTon:〜lOOOmTorr之間。電腦控制器48控制DC電源供 應器2 6和質流控制器3 6。 當氬進入反應室後，在PVDI巴16與擔板24間加上 DC電壓，將氬激發到電漿中，接著帶正電之氬離子會被 帶負電之P V D 1 6所吸引。隨後離子以大量的能量撞擊 PVD把16 ’並導致靶原子或原子群從Pvd靶16被濺擊 出來。一些乾粒子因為撞擊到晶圓而沉積下來，因此形成 靶的材料膜。 磁電管（Magnetr〇n)50係放置在PVD靶16的後面， 以提供有效率之濺鍍。其具有被磁軛56連結在一起之相 對之磁鐵52、54，此磁鐵52、54在其附近的真空反應室 内產生一磁場。磁場抓住電子，且為達電中性，離子密度 也增加而在磁電管附近的真空反應室内，形成一高密度電 漿區58。為了在濺鍍PVD靶16時得到完全的覆蓋，通常 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -線. 第5頁

552310 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 發明說明（） 磁電管50可藉由一馬達驅動的軸承62，.繞著Pvd靶16 的把中心6 0旋轉。 另外’錢鍍金屬硬化所需要之極薄鈷層，並不需要高 沉積率’因此在磁電f下面的區域也不需要很大的電漿密 度。因此’對於200mm的晶圓相較於一些鋁或銅的濺鍍 需要20kW或更多的動力，此Pvd靶可能只需要少於ikW 的動力。這類金屬碎化所需的薄層，其厚度需要小心控 制，如此可避免在矽化過程中消耗過度的矽。因濺鍍薄鈷 層所需之動力較低’因此，可改善厚度的控制能力。 然而姑的濺鐘會產生一些與鋁、銅或鈦的濺鍍極不相 同的問題。鈷是鐵磁性材料。因此，在鈷靶中磁電管所產 生的磁場至少有部份會轉向，而不利於高密度電漿區的形 成。由於磁電管下之磁通量的減少而導致一些電漿密度的 減少，但這並不是鈷濺鍍的主要問題，因為鈷的沉積率並 不需要那麼高。無論如何，鐵磁性靶之電漿點火確實產生 一項問題。 電漿點火也可能會造成重大的問題，特別是商業上所 使用之典型的電漿反應器。雖然實質上沒有電流，但最初 的電漿激發需要高電壓以使得反應氣體被激發成電子與 正電離子。此情況必須維持一段足夠的時間與空間以在電 容偶極電漿之例子中的兩個電極間，提供一實質上具有低 電阻之中性電漿。電漿的維持需要一回饋環境以提供足夠 量之氫原子數量，若氬是支配的氣體，則氬原子數量至少 需要與被激發成離子與電子所損失的氬原子一樣多。電子 第6頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !·裝 552310 A7 --—------R7 -----------—丨· 五、發明說明（） 被器壁吸收的損失通常是一限制因素。若有太多的電子損 失，則電漿會被瓦解或不會形成。 就目前之觀察來說，以姑電漿來進行電漿點火並不可 靠。通常鈷沉積在點火的次序上需要多次嘗試，因此可能 會延長點火所需時間。 因此，極需要一種方法來提供可靠的電漿點火’用以 濺鍍鈷或其它材料，特別是鐵磁性材料。 發明目的及概诫： DC磁控電漿濺鍍反應器中所使用的反應室擋板的形 狀有助於擋板與靶之間的擴大暗區。此擋板從反應室内壁 上的靶延伸下來，以避免内壁被濺鍍的材料所覆蓋。此擋 板相對於陰極偏壓靶是接地的，因此也可當作電漿放電的 陽極。此擋板包括一傾斜部份，此傾斜部份與靶的斜面側 邊被一固定缺口所分開。這個缺口夠小可當作一暗區，以 阻止电浆在整個暗區形成。擔板也包括一垂直之圓柱形部 份’此垂直之圓柱形部份在反應室内壁内的靶與晶圓之間 延伸。傾斜部份藉由一接頭轉向到垂直部份。根據本發 明，就鋁與銅濺鍍而言，接頭的位置比一般的濺鍍還要更 遠離乾，最好是介於9mm與20mm之間。 圖示簡單說明： 第1圖是DC磁控濺鍍反應器的結構剖面圖。 第2圖是本發明之電漿濺鍍擋板結構剖面圖，可適用 第7頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） ------—---»裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552310 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 於第1圖的DC磁控濺鍍反應器。 圖號對照說明： 10 PVD反應器 12 真空反應室 14 陶磁隔離物 16 PVD靶 18 晶圓 20 晶座 22 晶圓爽翻* 24 擋板 26 DC電源供應器 34 氣體來源 36 質流控制器 42 缺口 44 真空系統 46 寬幫浦接口 48 電腦控制器 50 磁電管 52 磁鐵 54 磁鐵 56 磁輛 58 高密度電漿區 60 革巴中心 62 轴承 80 姑乾層 82 背板 84 斜面 86 框邊 90 接合器 92 環狀外邊 94 内部壁架 96 傾斜部份 98 缺口 100 接頭 102 垂直部份 104 碗狀部份 106 垂直部份 發明詳細說明： 無磁性靶的電漿點火同樣也需要注意。第1圖所示之 第8頁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552310 五、發明說明（） DC電源供應器26是一插妞冬诸细γαα & 疋種相田複雜的電予電源供應系統。 Έ：必須在點火階段提供具有高電I但是幾乎沒有電流的 DC電源，並在電漿點火後，轉換成提供低電壓且高電流 的DC電源。纟圖示的商用DC磁控濺鍍反應器中的點火 電壓為-1 500VDC。 鈷通常沉積為阻障層或是其它介面層，沉積的厚度相 當小。因此鈷的低濺鍍沉積率較能控制沉積厚度。當晶圓 上的鈷濺鍍沉積到200mm沉積階段時，通常使用約5〇〇w 到1 0 0 0 W的D C電力。對其它尺寸的晶圓而言，所提供之 電力大小是與晶圓面積息息相關，而沉積率同時也係依據 其它反應室參數而定。當電流約2A到5A時，電源通常 提供大約-450VDC到-480VDC之電壓。在這些濺鍍電源 下’所需之姑的厚度可在大約1 5秒内沉積完成。在此兩 種模式下所做的切換，一部份藉由DC電源供應器26的 軟輸出階段來完成，而另一部份藉由量測電流供應量之可 動式控制電路來完成。 此外’為了以姑乾點燃電漿，在點火期間以介於 100ms到200ms的脈衝週期重複地產生脈衝，所供應的 DC電壓約介於0VDC到- 1 500VDC之間。若在任何脈衝期 間，電流上升超過電漿點火的預設標準，則停止點火次 序，且將DC電源供應器26的輸出轉換成沉積模式。 然而，藉由鈷靶發現點火脈衝通常需要4秒到1 〇秒。 有時，甚至會超過10秒，此則表示電漿點火失敗，且可 能會顯示出系統的錯誤，而需要操作者的介入。再則，當 第9頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

552310 A7 五、發明說明（） 電子與擔板接地時，正好位在暗區缺口内.的靶轉角之電子 濃度的降低會影響點火。因此，會導致被離子化之氬數量 不夠’特別是遠離真空反應室内壁擋板的部份。 如第2圖所示，為Pvd靶16與真空反應室12之内 壁接合區域結構圖。此圖並未繪示出濺鍍鈷之可旋轉磁電 管’也未繪示出冷卻水池。鈷靶層8 〇是與背板黏合或連 接的接合物’其中如鋁或銅可組成此背板8 2。姑靶層8 0 與背板82皆具有斜面84，此斜面84從PVD靶1 6的前 面到後面向外傾斜約1 5度角。斜面角度可設計為介於5 度〜4 5度之間。靶的背板8 2包括一框邊8 6，此框邊8 6被 陶瓷隔離物14所真空密封，此框邊86在pVD靶16與接 地的真空反應室1 2之内壁之間提供電絕緣。陶磁隔離物 14依次被鋁之一接合器（Adapter)90真空密封，且與真空 反應室12之内壁有電性流通。接合器9〇在Pvd靶16與 晶圓1 8之間提供有彈性的距離設定，因此可提供一較便 宜且可取代之部分。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 擋板24有一環狀外邊92，此環狀外邊92靠在接合 器90的内部壁架94上，並且與接合器9〇有電性導通而 接地。擋板24也包括一傾斜部份96，此傾斜部份96靠 在環狀外邊92，且此傾斜部份96以PVD靶1 6的斜面角 度來形成，而形成介於播板24之傾斜部份96與PVD乾 16之間的缺口 98。缺口 98的典型厚度為8〇mils(2mm)。 為了方便起見’當傾斜部份96與斜面84形成一圓錐形 時，則假設缺口 9 8具有一固定厚度。 第10頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 552310 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（） 傾斜部份96向下且向内延伸到接頭1〇〇，在接頭1〇〇 的下方則形成擋板之圓柱形垂直部份1〇2。接頭1〇〇'位於 靶底部的下方距離d處。當傾斜部份％與垂直部份1〇2 間有平緩的轉變時，則定義接頭為垂直部份1〇2的頂端。 如第1圖所π，擋板24之垂直部份丨〇2先延伸到晶 圓18下數公分處，再向内水平延伸成碗狀部份1〇4 ,然 後再向上延伸另一個垂直部份1〇6 ,終止於製程中所提供 之晶圓18的正下方。外部的垂直部份1〇2在電漿濺鍍過 程中當作陽極。擋板24通常由不鏽鋼組成，而且其内側 面可能經泡沫式轟擊或被弧狀噴灑鋁所覆蓋，以提供更粗 糙的表面。濺鍍沉積的材料在粗糙的表面上黏得更緊，因 此在濺鍍的過程中，可減少沉積在擋板上的材料剝落的可 能性。 缺口 98在擋板24的傾斜部份96與PVD靶16之間 形成一暗區，因為缺口 98在真空反應室壓力下被使用的 PVD #巴1 6之鄰近的各方向都夠薄，所以在缺口 98中並沒 有被供應電漿。依據paschen，s曲線可獲得明顯的效應， 此曲線是電極板之間壓力與缺口大小之乘積的函數，可以 顯示撞擊通聚所需的最小電壓。因此缺口是分開pVD乾 16與擋板24的一小段距離，可防止電漿在Pvd靶16與 擋板24之間形成。電漿可以形成一較大的分隔區，但是 此情況發生在電漿處理區，且有利於濺鍍。在靶側邊的暗 區沒有電漿’可以防止靶區被濺鍍，尤其是背板8 2具有 與想要被賤鍍的材料不同的成分。 第1 1頁 本紙張尺度適时國國家標準（CNS)A4 ^7210 X 297 ϋΐ')-- ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 552310 A7 B7 五、發明說明（） 電漿點火需要從把面被射出來的大量電子，使氬氣離 子化並開始一連率的激發，而導致氬電漿的產生。若在點 火過程中，過量原子從靶的邊緣被轉移到擋板的上部，則 由於它們之間的路徑相當短，以致於沒有足夠的機會與氬 氣作用使氬氣充分地離子化成電漿。換言之，在點火期間 的電子路徑必須增長以增加電子與氬原子的作用藉以產 生電漿點火。此外，若PVD靶的側邊暗區太狹窄，則PVD 靶旁邊的暗電流就要加大一些，因此會從靶面排掉一些原 子。 前文所述為傳統的結構。就一種用以濺鍍鋁的擋板而 言’其擋板接頭100被放置在PVD靶16底下約3mm的 距離，這樣的擒板被證明不符合#賤鍍的要求。另外使用 一相當靠近PVD靶16的高擋板之一接頭100，則位於接 頭1 00的垂直部份1 02很快地會變得離靶相當遠。結果乾 上的電子大部份會移動到接頭1 00上面的擋板部份，因此 透過電子被傳送之氬量相當少。因此，電漿中損失的電子 會集中在靠近PVD靶16的外部周圍，且因為氬的含量太 少以致於不能可靠的點火。再則當點火期間的電子損失在 一較大的靶區散開時，則可以提昇點火的可靠性。當接頭 100被降低時，在接頭100上方之擋板24有更大部份會 吸引電子，並形成面積更大的話乾層80。結果，有更多 的氬在電子路徑上，因此氬更容易被點燃成電漿。雖然上 述的說明解釋了所觀察到的反應，然而本發明並未受限於 上面的操作理論。 第12頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----.---:-----^裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂！

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552310 Α7 -— —--- Β7 五、發明說明（） 為了使點火更可靠’在乾面下之接頭100的厚度應該 增加到高於約3mm。目前有兩種擋板被使用在底面介於斜 面之間直徑為329mm的平面把上，此直徑適合賤鐘2〇〇mm 的晶圓。第一種擔板有一位於PVD靶16下9xnm的接頭 100，和一位於垂直部份1〇2内部之327mm的内徑。第二 種擔板有一 21mm的接頭和一 323mm的内徑。 使用姑靶與氬反應室壓力為3 85miliT〇rr時，21mm 接頭的擋板被測試用來點火的結果並沒有產生點火延 遲。點火延遲定義為超過以前描述之電漿點火所需的3秒 脈衝時間。在大多數的例子，電漿被撞擊的時間少於1 秒。由使用兩種不同擋板而觀察到9mm接頭有一些點火 延遲。故使用3mm接頭的結果比使用9min接頭差。而中 間值1 5則可產生令人滿意之效果。 因此，濺鍍擋板較佳是有一至少離開靶9mm的接頭， 再較好的是至少15mm，極好的是至少21mm。另一方面， 接頭應該放在乾平面周圍内與乾中心相距1 m m以上的徑 向位置。因為縮減效應與靶遮蔽之故，接頭最好不要放在 距乾40mm以上’較好是不要超過3〇 mm，且從乾邊緣之 中心半徑不要超過丨cm。此外，過低的接頭會把電漿擠壓 到太裡面，而避免從靶邊緣所產生之濺鍍。 擋板接頭的位置更加地遠離靶面，而且靶邊緣的中心 也相對於與磁電管有關的接頭位置。既然磁電管所建立的 磁力線可抓住電子因而擴展電漿，既低又向内之擋板接頭 會從把將電漿推向内並更進一步地將電漿擴展。點火與離 ___ 第13頁 ^氏張尺度適用中國國家標準ϋ規格⑽χ挪 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . -線· 552310 A7 -------— B7__, 五、發明說明（） 子傳送到晶圓之效果會得到提昇，但是需要避免因過度擠 壓所產生的不均勻乾賤鍍。 雖然本發明已經在姑靶中測試過了，但它應該同樣地 可應用於賤鍍其它鐵磁性的金屬所構成的靶，此鐵磁性的 金屬像是鎳或鉻化鎳。當然可以了解的是重量比例不多之 靶材料的合金是常見的，典型的合金比例少於5或丨〇wt· % 。然而，甚至更多樣化的鐵磁性合金系統可能有助於使 用本發明。鐵磁性的材料與稀土元素金屬混合也正被開發 應用在半導體晶圓的製造上。這類的金屬也是鐵磁性的。 本發明的擋板也可與非鐵磁性的材料一起使用，甚至是常 見的銘和銅。 雖然在前述的例子中擋板有接地，但在相同效果下， 它也可以維持在另一預設的DC電位。此外，電性浮動擂 板有時也被用來與靶相連接。 因此，本發明在簡單反應室零件變動較小下，增加濺 鍍效率，特別是在增加電漿點火的可靠性 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · •線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 T 4 第 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐）

Claims (1)

1. 552310 — 丨会告 六、 申請範圍 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 1. 一種金屬播板’該金屬擔板係用於一錢鍍反應器中，其 中該賤鍍反應器包括一把，且該具有一平面與一斜面 外部周圍’該金屬擋板則包括向前延伸之一傾斜部份， 且該傾斜部份與該斜面外部周圍分開以形成一電衆暗 區，該金屬擔板更包括一垂直部份，該垂直部份以垂直 該平面之方向延伸離開該靶，且該垂直部份以一接頭與 該傾斜部份連接，其中該接頭係位於距離該平面至少 9mm 處。 2·如申請專利範圍第1項所述之金屬擋板，其中該靶包括 一鐵磁性的It部份。 3. 如申請專利範圍第2項所述之金屬擋板，其中該鐵磁性 的把部份包括姑。 4. 如申請專利範圍第1項所述之金屬擋板，其中該傾斜部 份實質上是圓錐形。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第1項所述之金屬擋板，其中該接頭係 位於距離該平面至少21 mm處。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之金屬擋板，其中該接頭係 位於距離該平面不超過4 0 mm處。 第1 5貫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552310 D8___ 六、申請專利範圍 7 ·如申請專利範圍第1項所述I金屬擒板’其中該接頭係 位於距離該靶之一邊緣之中心半徑超過1 mm處，且該 靶之該邊緣係介於該不面與該斜面外部周圍之間。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之金屬擋板，更包括： 一底部部份，該底部部份與該垂直部份相連接，該 垂直部份位在被濺鍍沉積之一基材的背後，且該底部部 份朝該基材水平方向延伸；& 一第二垂直部份，該第二垂直部份與該底部部份相 連接，且該第二垂直部份朝該基材垂直方向延伸。 9. 一種金屬擋板，該金屬擋板係用於一濺鍍反應器中，其 中該濺鍍反應器至少包栝一靶，且該靶具有一平面與一 斜面外部周圍，該金屬擋板則包括向前延伸之一傾斜部 份，且該傾斜部份與該斜面外部周圍分開以形成一電漿 暗區，該金屬擋板更包栝一垂直部份，該垂直部份以垂 直該平面之方向延伸離開該靶，該垂直部份以一接頭與 該傾斜部份連接，其中的該接頭係位於距離該靶之一邊 緣之中心半徑至少1 mm處，而該靶之該邊緣則係介於 該平面與該斜面外部周圍之間。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之金屬擋板，其中該靶包 括一鐵磁性的乾部份。 第16肓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNWA4規格（210 x 297公_5^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :裝 訂： 緩濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^23i〇 A8 B8 C8 ^-------______ 六、申請專利範圍 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項所述之金屬擋板’其中該鐵磁 性的靶部份包括鈷。 1 2，如申請專利範圍第9項所述之金屬擋板，其中該傾斜 部份實質上是圓錐形。 1 3 .如申請專利範圍第9項所述之金屬擋板，其中該接頭 係位於距離該邊緣之中心半徑不超過1 cm處。 1 4.如申請專利範圍第9項所述之金屬擋板，其中該接頭 係位於距離該把之一表面至少9mm處。 1 5.如申請專利範圍第9項所述之金屬擋板，更包括： 一底部部份，該底部部份與該垂直部份相連接，該 垂直部份位在被濺鍍沉積之一基材的背後，且該底部部 份朝該基材水平方向延伸；以及 一第二垂直部份，該第二垂直部份與該底部部份相 連接，且該第二垂直部份朝該基材垂直方向延伸。 16, —種濺鍍反應器，其至少包括： 一真空反應室， 一支撐物，該支撐物位於該真空反應室内，係用以 支持一支撐表面，其中該支撐表面上具有被濺鍍覆蓋之 一基材； 第17頁 ΐ紙張尺度適用中國國家標準〈CNS)A4規格（210 X 29f公釐^ ' --------------裝---·-----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J^i〇

   A8B8C8D8 申請專利範圍 一靶’該靶位在該真空反應室之一·側，且該靶與該 支撐表面相對，而該靶至少包括一被濺鍍沉積之材料， 該乾並與一電源供應器相連，且該靶更包括一斜面邊 緣； 一金屬擔板，該金屬擔板位於該真空反應室内，且 孩金屬擋板維持在一預設之電位下，該金屬擋板包括： 一傾斜部份，該傾斜部份向前延伸，且該傾斜 部份以一缺口與該斜面邊緣分開，而在該傾斜部份 與該斜面邊緣之間形成一電聚暗區；以及 一垂直部份，該垂直部份從該乾延伸到該支撐 表面之背面之一高度，且該垂直部份以一接頭與該 傾斜部份相連； 其中該接頭係位於距離該乾至少9mm處。 i / ·如專利申請範圍 頭係 位於距離該至少2 1 mm處 -------------裝---·-----訂· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 8 ·如專利申請範圍第1 6項所述之濺鍍反應器，其中該接 頭係位於距離該把不超過40mm處。 1 9.如專利申請範圍第1 6項所述之濺鍍反應器，其中該接 頭位於該靶之一轉角之内部超過lmm處，且該靶之該 轉角係位於該接頭之一實質平面與該斜面邊緣之間。 第18頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 552310 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 20.如專利申請範圍第19項所述之濺鍍反應器，其中該接 頭係位於該轉角内部不超過1 cm處。 2 1.如專利申請範圍第1 6項所述之濺鍍反應器，其中該接 頭係位於該之斜面邊緣之中心。 22. 如專利申請範圍第16項所述之濺鍍反應器，其中該靶 包括一鐵磁性材料。 23. 如專利申請範圍第22項所述之濺鍍反應器’其中該鐵 磁性材料包括鈷。 2 4.如專利申請範圍第22項所述之濺鍍反應器，其中該鐵 磁性材料包括鎳。 2 5 .如專利申請範圍第1 6項所述之濺鍍反應器，其中該把 在一負向DC電位中是可偏壓的，且該金屬擋板接地。 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -.線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第19頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）