KR102659491B1 - 배선 재료용 저저항 필름의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 출원은 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원의 필름 제조 방법은, 고집적화된 반도체 제조에 적합한 필름을 안정적인 분위기에서 제조할 수 있다. 본 출원의 필름 제조 방법은, 고집적화된 반도체 제조에 적합한 필름을 빠른 속도로 제조할 수 있다. 본 출원의 필름 제조 방법은, 고집적화된 반도체 제조에 적합한 필름을 오염 없이 형성할 수 있다.

Description

배선 재료용 저저항 필름의 제조 방법{Manufacturing method of a film for interconnection material having low-resitivity}
본 출원은 배선 재료용 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 출원은 배선 재료용 저저항 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 출원은 배선 재료용 차세대(next-generation) 저저항 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 분야에서 고집적화의 요구가 높아짐에 따라, 배선의 선폭 또한 작아지고 있으며, 이의 증가에 따른 비저항 증가도 문제되고 있다. 특히 배선 재료로 구리를 사용하는 경우 이와 같은 문제가 부각된다.
이와 같이 기존의 배선 재료로 적용되는 구리를 대체할 수 있는 소재와, 이를 적용한 공정과 관련한 기술 연구가 진행중이다. 특히 코발트(Co)와 루테늄(Ru)은 전자 평균 자유 경로(EMFP; Electron Mean Free Path)가 짧고, 높은 녹는점을 가지며, 이에 따라 선폭을 미세화하는데 유리하고, 우수한 열안정성을 가지기 때문에, 구리를 대체할 수 있는 차세대 저저항 배선용 재료로 주목받고 있다.
코발트와 루테늄의 증착은 대부분 원자층 증착(ALD: Atomic Layer Deposition) 혹은 화학 기상 증착(CVD; Chemical Vapor Deposition) 공정으로 진행된다. 그러나, 이는 낮은 증착 속도, 높은 공정 온도 및 전구 물질에 포함된 탄소에 의한 오염 등의 문제점을 가진다.
따라서, 기존의 증착 공정의 문제점을 해결할 수 있는 차세대 배선 재료의 증착 방법에 대한 연구가 필요하다.
"On-Chip Interconnect Conductor Materials for End-of-Roadmap Technology Nodes"Anshul A. Vyas at el., IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY, VOL. 17, NO. 1, JANUARY (2018) "Potential of Ruthenium and Cobalt as Next-generation Semiconductor Interconnects"Dooho Choi, Korean J. Met. Mater., Vol. 56, No. 8 pp.605-610 (2018) "Atomic Layer Deposition of Ruthenium with TiN Interface for Sub-10 nm Advanced Interconnects beyond Copper"Liang Gong Wen at el., ACS Appl. Mater. Interfaces, 8, 2611926125 (2016)
본 출원은 낮은 비저항을 가져서 고집적화된 반도체 제조에 적합한 배선 재료용 필름을 제조할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.
본 출원은 고집적화된 반도체 제조에 적합한 배선 재료용 필름을 안정적인 분위기에서 제조할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.
본 출원은 고집적화된 반도체 제조에 적합한 배선 재료용 필름을 빠른 속도로 제조할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.
본 출원은 고집적화된 반도체 제조에 적합한 배선 재료용 필름을 오염 없이 형성할 수 있는 방법을 제공하고자 한다.
본 출원의 목적은 상기 목적에 제한되는 것은 아니다.
본 출원의 일 측면은, 마그네트론 스퍼터링 건에 타겟 물질을 장착시킨 상태에서 상기 마그네트론 스퍼터링 건에 전압을 인가하여 상기 타겟 물질로부터 유래된 성분을 가지는 필름을 증착시키는, 필름 증착 단계를 포함하고, 상기 타겟 물질은 전자 평균 자유 경로가 5 nm 내지 20 nm의 범위 내인 단일 금속이며, 상기 필름 증착 단계는 상기 필름의 두께와 상기 타겟 물질의 전자 평균 자유 경로의 차이의 절대값이 10 nm 이하가 되도록 진행하고, 상기 필름 증착 단계에서, 상기 마그네트론 스퍼터링 건에 양극성 펄스 전압을 인가하는 배선 재료용 필름의 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원의 방법은 낮은 비저항을 가져서 고집적화된 반도체 제조에 적합한 필름을 제조할 수 있다.
본 출원의 방법은, 고집적화된 반도체 제조에 적합한 필름을 안정적인 분위기에서 제조할 수 있다.
본 출원의 방법은, 고집적화된 반도체 제조에 적합한 필름을 빠른 속도로 제조할 수 있다.
본 출원의 방법은, 고집적화된 반도체 제조에 적합한 필름을 오염 없이 형성할 수 있다.
도 1은 본 출원의 방법에서 인가되는 전압의 형태를 도시한 것이다.
도 2는 본 출원의 방법을 진행하는 장치의 모식도이다.
도 3은 비교예 1, 비교예 4 및 비교예 7의 두께-비저항 그래프이다.
도 4는 비교예 2, 비교예 5 및 실시예 1의 두께-비저항 그래프이다.
도 5는 비교예 3, 비교예 6 및 실시예 2의 두께-비저항 그래프이다.
도 6은 비교예 1 내지 비교예 3의 두께-비저항 그래프이다.
도 7은 비교예 4 내지 비교예 6의 두께-비저항 그래프이다.
도 8은 비교예 7 및 실시예 1 내지 실시예 2의 두께-비저항 그래프이다.
도 9는 비교예 1, 비교예 4 및 비교예 7의 XRD 분석 결과이다.
도 10은 비교예 2, 비교예 5 및 실시예 1의 XRD 분석 결과이다.
도 11은 비교예 3, 비교예 6 및 실시예 2의 XRD 분석 결과이다.
도 12는 비교예 1의 AFM 분석 결과이다.
도 13은 비교예 4의 AFM 분석 결과이다.
도 14는 비교예 7의 AFM 분석 결과이다.
도 15는 비교예 2의 AFM 분석 결과이다.
도 16은 비교예 5의 AFM 분석 결과이다.
도 17은 실시예 1의 AFM 분석 결과이다.
도 18은 비교예 3의 AFM 분석 결과이다.
도 19는 비교예 6의 AFM 분석 결과이다.
도 20은 실시예 2의 AFM 분석 결과이다.
본 출원은 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로 본 출원에서 제조되는 필름은 고집적화된 반도체 제조에 적합하다. 본 출원의 필름은 소위 차세대 배선 재료로 알려진 금속 성분을 포함한다. 상술한 것처럼, 차세대 배선 재료로 알려진 금속 성분으로 필름을 형성하더라도, 그 두께가 얇아지면 비저항이 증가하는 문제가 있다. 비저항이 높으면 반도체 제조에 적합하지 못하다. 본 출원에서는 특정 방식을 적용함으로써, 차세대 배선 재료를 사용하여, 얇은 두께로 형성되는 경우에도 균일한 표면을 가지고, 향상된 결정성을 가지는 필름을 제조할 수 있다. 그리고 차세대 배선 재료는 저저항 특성을 가지는 것으로 알려져 있기 때문에, 고집적화된 반도체 제조에 적합하다.
본 출원의 방법은, 마그네트론 스퍼터링 건에 타겟 물질을 장착시킨 상태에서 상기 마그네트론 스퍼터링 건에 전압을 인가하여 상기 타겟 물질로부터 유래된 성분을 가지는 필름을 증착시키는 단계(필름 증착 단계)를 포함한다.
즉 본 출원의 방법에서 적용되는 증착 방식은 마그네트론 스퍼터링이다. 이의 내용은 공지된 것과 같기에, 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다. 상기 타겟 물질은 이에 스퍼터링 건에 인가된 전력에 의해 피증착 대상(기판 등)에 증착된다.
상기 타겟 물질이 증착되는 기판의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 공지의 실리콘 기판 혹은 플라스틱 기판이 적용될 수 있다.
본 출원에서는 타겟 물질로서 종래의 구리를 대체하여 다른 성분을 적용한다. 구체적으로, 본 출원에서는 타겟 물질로 전자 평균 자유 경로(Electron Mean Free Path; EMFP)가 특정 범위 내인 성분을 적용한다. 보다 구체적으로, 본 출원에서는 타겟 물질로 전자 평균 자유 경로가 특정 범위 내인 단일 금속을 적용한다. 보다 더 구체적으로, 본 출원에서는 타겟 물질로 전자 평균 자유 경로가 5 nm 내지 20 nm의 범위 내인 단일 금속을 적용한다.
전자 평균 자유 경로는, 금속 내의 자유 전자가 다른 입자와 충돌하지 않고 움직이는 평균적인 거리를 의미한다. 본 출원에서는 그 측정값이 알려진 단일 금속을 타겟 물질로 적용한다. EMFP가 5 nm 미만인 타겟 물질은 매우 희박하여 고가이기 때문에 적합하지 못하다. EMFP가 20 nm 초과인 타겟 물질은 종래의 구리를 대체하기에는 부족하다. 일 예시에서, 상기의 값을 만족하는 타겟 물질로는 코발트 또는 루테늄 단일 금속을 예로 들 수 있다. 이 중에서도 루테늄 단일 금속을 적용하면 비저항을 최소화시킬 수 있다.
본 출원의 방법은 상기 증착 단계에서 필름의 두께가 상당히 작게 되도록 진행한다. 구체적으로, 본 출원의 방법은 상기 증착 단계를 상기 필름의 두께와 상기 타겟 물질의 EMFP가 거의 차이가 없도록 진행한다. 보다 구체적으로, 본 출원의 방법은 상기 증착 단계를, 상기 필름의 두께와 상기 타겟 물질의 전자 평균 자유 경로의 차이의 절대값이 10 nm 이하가 되도록 진행한다. 상기 절대값은, 다른 예시에서, 5 nm 이하, 1 nm 이하, 0.5 nm 이하, 0.1 nm 이하 또는 0.01 nm 이하 일 수 있다.
본 출원의 방법은 상기 증착 단계를 특정한 방식으로 진행한다. 구체적으로 본 출원의 방법은 상기 증착 단계에서 상기 마그네트론 스퍼터링 건에 특정 형태의 전압을 인가한다. 보다 구체적으로 본 출원의 방법은 상기 증착 단계에서 상기 마그네트론 스퍼터링 건에 양극성 펄스(bipolar pulse) 전압을 인가한다.
이와 같이 마그네트론 스퍼터링 건에 양극성 펄스 전압을 인가하여 타겟 물질을 증착하는 공정은 소위 양극성 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링(Bipolar High-Power Impulse Magnetron Sputtering; BP-HiPIMS)으로 알려져 있다. 이는 펄스 형태로 인가하지 않고, 직류 방식으로 진행하는 직류 마그네트론 증착(Direct Current Magnetron Sputtering; DCMS)와 구별되고, 또한 펄스 형태로 인가되더라도 한쪽 부호의 전압으로만 인가되는 단극성(mono-polar) 고출력 임펄스 마그네트론 스퍼터링(High-Power Impulse Magnetron Sputtering; HiPIMS)과도 구별된다.
본 출원과 같이 마그네트론 스퍼터링 건에 양극성 펄스 전압을 인가하면 EMFP가 짧은 단일 금속을 사용하여 얇은 두께의 필름을 형성하게 되더라도 비저항이 크게 증가하지 않기 때문에, 반도체의 고집적화에 매우 적합하다. 상기의 DCMS 혹은 HiPIMS 방법을 적용하면 이와 같은 효과를 기대할 수 없다.
본 출원의 방법은, 상기와 같이 얇게 형성된 특정 타겟 물질의 필름이 특정 형태를 가질 때에 보다 적합하다. 구체적으로, 본 출원의 방법은 상기 필름 증착 단계에서 형성된 필름이 매우 얇을 때에도 낮은 비저항을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 본 출원의 방법은 상기 필름 증착 단계에서 형성된 필름이 매우 얇은 선폭의 패턴을 가질 때에도 낮은 비저항을 가질 수 있다. 이 때 상기 선폭은 전술한 필름의 두께와 같을 수도 있다. 즉 본 출원의 방법에서는 고집적화 반도체 적용에 적합한 필름을 제공할 수 있다.
본 출원의 방법에서, 상기 양극성 펄스 전압은 주기적으로 인가될 수 있다. 또한 상기 주기에서는 음전압 펄스가 먼저 인가되고, 그 다음 양전압 펄스가 인가될 수 있다. 도 1은 본 출원의 방법에서 인가되는 전압의 형태를 도시한 것이다. 도 1에 따르면, 일 주기 내에서 음의 전압(V1) 펄스가 소정 시간(T1) 동안 인가되고, 전력 공급 쇼트를 방지하기 위한 약간의 지연 시간(T2)을 거친 다음, 양의 전압(V2) 펄스가 소정의 시간(T3) 동안 인가되며, 이는 주기(P)적으로 반복될 수 있다. 상기 음전압 펄스가 인가되면, 높은 피크 전력이 유발되고, 상기 타겟 물질 표면에는 금속 원소의 고밀도 플라즈마가 발생한다. 이어서 상기 고밀도 플라즈마는 후속하여 인가되는 양전압 펄스에 의한 전기장으로 상기 타겟 물질의 표면에서 상기 기판을 향해 충돌할 수 있다.
본 출원에 방법에서 인가되는 상기 양극성 펄스 전압의 조건은 보다 상세히 제어될 수 있다.
일 예시에서, 상기 음전압 펄스의 전압은 - 3kV 내지 -1 kV의 범위 내일 수 있다. 이 때 상기 양전압 펄스의 전압은 50 V 내지 1 kV의 범위 내일 수 있다. 상기 전압의 범위 내에서 필름의 증착 공정을 안정적으로 진행할 수 있고, 그 결과 우수한 특성의 필름이 형성될 수 있다.
일 예시에서, 상기 음전압 펄스 및 상기 양전압 펄스의 펄스 폭은 각각 10 μs 내지 500 μs의 범위 내일 수 있다. 상기 펄스 폭의 범위 내에서 플라즈마 점화가 적절히 유지될 수 있고, 낮은 듀티의 펄스를 인가할 수 있으며, 그 결과 높은 피크 전력의 전압을 인가할 수 있다.
상기 양극성 펄스 전압의 주파수는 50 Hz 내지 5 kHz의 범위 내일 수 있다. 상기 주파수의 범위 내에서 양극성 펄스 전압이 인가되었을 때, 플라즈마 점화가 적절히 유지될 수 있고, 낮은 듀티의 펄스를 인가할 수 있으며, 그 결과 높은 피크 전력과 전압을 인가할 수 있다.
일 예시에서, 상기 음전압 펄스의 펄스 듀티(pulse duty)는 0.1 % 내지 10 %의 범위 내일 수 있다. 상기 주파수의 범위 내에서 양극성 펄스 전압이 인가되었을 때, 플라즈마 점화가 적절히 유지될 수 있고, 그 결과 높은 피크 전력과 전압을 인가할 수 있다.
상기 양극성 펄스 전압의 인가는 진공 분위기 하에서 진행되는 것이 증착 공정의 원활한 진행을 위해 좋다. 예를 들어, 본 출원의 방법은 상기 필름 증착 단계를 0.5 mTorr 내지 10 mTorr의 범위 내의 압력에서 진행할 수 있다. 이러한 진공 분위기는 상기 증착 단계가 일어날 수 있는 장치의 반응 챔버에 아르곤 등의 비활성 기체를 공급하면서 조성할 수 있다. 플라즈마 점화가 용이해지고, 필름의 특성을 유지하기 위해서는 상기 범위 내의 압력에서 증착 단계를 진행하는 것이 좋다.
도 2는 본 출원의 방법을 진행할 수 있는 장치(이하 “증착 장치”)의 모식도이다. 증착 공정은 진공 챔버(1) 내에서 진행된다. 스퍼터링 건(3)에 펄스 전원 장치(2)를 통해 전압을 인가하면 이로부터 플라즈마(4)가 발생한다. 플라즈마는 시료대(7) 위에 장착된 시료(6)에 증착된다. RF 전력 공급 장치(9)는 상기 RF 안테나(5)에 플라즈마를 발생시키기 위한 전력을 공급하고, RF 안테나(5)와 RF 전력 공급 장치(9)는 매칭 네크워크(8)를 통해 매칭된다. 고진공 펌프(13) 및 저진공 펌프(14)는 진공 챔버(1)를 진공 상태로 만들 수 있다. 진공 게이지(12)는 진공 챔버(1) 내의 진공도를 측정할 수 있다. 플라즈마원 기체를 형성하는 공정 가스(10)는 상기 진공 챔버(1)에 공급되고, 이의 유량은 가스 유량계(11)로 조절된다.
이하 실시예를 통하여 본 출원을 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 실시예에 제한되는 것은 아니다.
비저항 측정
4-point probe(CMT-SR200N, Changmin Tech Co., Ltd.)를 사용하고 해당 장비의 매뉴얼에 따라 증착된 필름의 면저항을 측정하였다.
X선 회절 분석 실험
X선 회절 분석기(LynxEye D8 Advance)를 사용하고 해당 장비의 매뉴얼에 따라 증착된 필름의 결정성을 분석하였다. 전압 40 kV, 전류 200 mA, 방사선 Cu Kα 조건에서 분석을 진행하였다. 상기에서 측정한 면저항과 본 실험에서 측정한 두께를 곱하면 비저항을 산출할 수 있다.
원자 힘 현미경(AFM) 분석
원자 힘 현미경(XE-7, Park System, PPP-NCHR 10M cantilever)을 사용하여 해당 장비의 매뉴얼에 따라 증착된 필름의 두께와 조도를 측정하였다. 구체적 수치는 이에 내장된 XEI 분석 소프트웨어를 사용하여 측정하였다.
도 2에 도시된 형태의 증착 장비를 준비한다. 상기 증착 장비의 스퍼터링 건에 장착되는 스퍼터링 타겟으로 하기 나열한 것들을 사용하였다.
구리 타겟: 직경 3 인치 및 두께 6.35 mm 정도의 원판형, 순도 99.999 중량%
코발트 타겟: 직경 3 인치 및 두께 1 mm 정도의 원판형, 순도 99.995 중량%
루테늄 타겟: 직경 3 인치 및 두께 3.175 mm 정도의 원판형, 순도 99.95 중량%
타겟 물질이 증착되는 기판으로는 시판 유리 기판(Eagle XG glass)을 사용하였다.
공정 가스로는 아르곤을 사용하고, 진공 분위기 조성을 위해 진공 챔버 내의 압력을 대략 1.5~2 mTorr 수준으로 유지하였다. 타겟 물질 별로 BP-HiPIMS 공정 조건을 표 1처럼 조절하였다. BP-HiPIMS 공정은 1-60초 동안 진행하였다.
구리 코발트 루테늄
음전압(V) -1450 -1400 -1450
양전압(V) 200 80 400
주파수(Hz) 150 150 150
듀티(%) 0.45 0.6 0.375
지연시간(μs) 5 5 5
양전압 펄스폭(μs) 200 200 200
평균 전력(kW) 0.52 1.15 0.062
피크 전력(kW) 115.5 191.5 16.6
DCMS 공정은 도 2에 도시된 것과 같은 증착 장비에 펄스 전원 장치 대신 직류 전압 장치로 전력을 공급하여 진행하였다. 이때 인가된 전압은 -500 V, 평균 전력은 500 W였다.
HiPIMS 공정은 양전압 펄스를 인가하지 않은 것을 제외하고는 BP-HiPIMS 공정과 동일한 조건으로 진행하였다.
표 2에 본 건의 실시예 및 비교예를 구분하였다. 예를 들어, 코발트를 타겟 물질로, BP-HiPIMS를 증착 공정으로 적용한 것은 실시예 1이고, 구리를 타겟 물질로, DCMS를 증착 공정으로 적용한 것은 비교예 1이다.
Cu Co Ru
DCMS 비교예 1 비교예 2 비교예 3
HiPIMS 비교예 4 비교예 5 비교예 6
BP-HiPIMS 비교예 7 실시예 1 실시예 2
도 3 내지 도 5는 동일 타겟 물질에 대해서 증착 방식을 다르게 한 필름에 대해서 측정한 비저항을 해당 필름의 두께에 따라 측정한 그래프이다.
도 3 내지 도 5에 따르면, BP-HiPIMS 방식으로 증착된 필름의 비저항이 가장 낮았고, 특히 DCMS 방식과 비교하면 두께가 얇아질 수록 비저항 차이가 커졌다.
도 3(비교예 1, 비교예 4 및 비교예 7)에 따르면, 구리 필름의 경우 9 nm의 필름 두께에서 BP-HiPIMS 방식을 적용한 필름의 비저항이 DCMS 방식을 적용한 필름의 비저항 보다 35 % 정도 감소한 것을 알 수 있다. 도 4(비교예 2, 비교예 5 및 실시예 1)에 따르면 코발트 필름의 경우 6.8 nm의 필름 두께에서 BP-HiPIMS 방식을 적용한 필름의 비저항이 DCMS 방식을 적용한 필름의 비저항 보다 91 % 정도 감소한 것을 알 수 있다. 도 5(비교예 3, 비교예 6 및 실시예 2)에 따르면 루테늄 필름의 경우 2.5 nm의 필름 두께에서 BP-HiPIMS 방식을 적용한 필름의 비저항이 DCMS 방식을 적용한 필름의 비저항 보다 75 % 정도 감소한 것을 알 수 있다.
도 6 내지 도 8은 서로 다른 타겟 물질에 대해서 증착 방식을 같게 한 필름에 대해서 측정한 비저항을 해당 필름의 두께에 따라 측정한 그래프이다. 대체로 EMFP가 긴 구리의 경우 증착 방식에 상관 없이 필름의 두께가 얇아지는 경우 비저항이 급격히 증가하는 것을 알 수 있다.
도 6에 따르면 DCMS 방식으로 증착하는 경우 루테늄과 코발트의 경우에도 필름 두께가 감소함에 따라 비저항이 상당히 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이를 통해 DCMS 법은 본 출원에서 목적하는 필름을 제조하는데 적합하지 않음을 알 수 있다. 도 7 및 도 8에 따르면, 특히 코발트와 루테늄이 필름 두께의 감소에 따라 비저항 증가폭이 현격히 줄어드는 것을 확인할 수 있다.
도 9 내지 도 11은 실시예 및 비교예에 따라 제조된 필름(두께: 35 nm)의 XRD 분석 결과이다. 도 9 내지 도 11에 따르면 실시예에 따라 제조된 필름이 비교예에 따라 제조된 필름 보다 피크의 신호 강도(intensity)가 세고, 반치폭(FWHM; Full Width at Half Maximum)이 좁기 때문에 우수한 결정성을 나타내는 것을 확인할 수 있다.
도 12 내지 도 20은 실시예 및 비교예에 따라 제조된 필름(두께: 35 nm)의 AFM 사진이고, 이에 따라 측정된 표면 조도를 하기 표 3에 기재하였다. 이에 따르면, 실시예에 따라 제조된 필름이 비교예에 따라 제조된 필름 보다 낮은 표면 조도를 가지는 것을 알 수 있다.
실시예
1		 실시예
2		 비교예
1		 비교예
2		 비교예
3		 비교예
4		 비교예
5		 비교예
6		 비교예
7
표면
조도
(nm)		 0.147 0.154 0.496 0.220 0.195 0.390 0.180 0.160 0.287
1. 진공 챔버
2. 펄스 전원 장치
3. 스퍼터링 건
4. 플라즈마
5. RF 안테나
6. 시료
7. 시료대
8. 매칭 네트워크
9. RF 전력 공급 장치
10. 공정 가스
11. 가스 유량계
12. 진공 게이지
13. 고진공 펌프
14. 저진공 펌프

Claims (8)

  1. 마그네트론 스퍼터링 건에 타겟 물질을 장착시킨 상태에서 상기 마그네트론 스퍼터링 건에 전압을 인가하여 상기 타겟 물질로부터 유래된 성분을 가지는 필름을 증착시키는, 필름 증착 단계를 포함하고,
    상기 타겟 물질은 전자 평균 자유 경로가 5 nm 내지 20 nm의 범위 내인 단일 금속이며,
    상기 필름 증착 단계는 상기 필름의 두께와 상기 타겟 물질의 전자 평균 자유 경로의 차이의 절대값이 10 nm 이하가 되도록 진행하고,
    상기 필름 증착 단계에서, 상기 마그네트론 스퍼터링 건에 양극성 펄스 전압을 인가하되,
    상기 양극성 펄스 전압은 주기적으로 인가되고,
    상기 주기에서는 음전압 펄스가 인가된 다음에 양전압 펄스가 인가되며,
    상기 음전압 펄스의 펄스 듀티(pulse duty)는 0.1 % 내지 10 %의 범위 내인
    배선 재료용 필름의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 타겟 물질은 코발트 또는 루테늄 단일 금속인
    배선 재료용 필름의 제조 방법.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 음전압 펄스의 전압은 -3 kV 내지 -1 kV의 범위 내이고,
    상기 양전압 펄스의 전압은 50 V 내지 1 kV의 범위 내인
    배선 재료용 필름의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 음전압 펄스 및 상기 양전압 펄스의 펄스 폭은 각각 10 μs 내지 500 μs의 범위 내인
    배선 재료용 필름의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극성 펄스 전압의 주파수는 50 Hz 내지 5 kHz의 범위 내인
    배선 재료용 필름의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 필름 증착 단계를 0.5 mTorr 내지 10 mTorr의 범위 내의 압력에서 진행하는
    배선 재료용 필름의 제조 방법.
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