TW552200B - Fluid injection device and its manufacturing method - Google Patents
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552200 五、發明說明（1) 本發明係有關於一種流體噴射 別係有關於一種可接古栋田4玄衣置及其製造方法特 置及其製造方Ξ 率及延長壽命的流體喷射裝 目前流體噴射裝置大多運 ^ 元件上，#中噴累頭”：f:於噴墨頭、燃料喷射益等 第1圖顯示、一V習知疋美:真：用熱趨氣泡式設計。 流體喷射裝置！，其Γ一 ί;=Γ，1〇2,53°的單石化 - ΐϋ—4 Ϊ層12，而在石夕基底1Q和結構層12之間形成 - 二而Λ结構層12上設有-第 流體腔“内產生一第第-加熱器2〇用以在 :產i弟二氣泡32,以將流體腔“内之流體26射 va 1 ve由)於的"^十化"VI體喷射裝置1具有虛擬氣閥（V1 rtua 1 valve ) W 6又s十’並擁有高排列 量損失的特性，且無須另外利低又互二擾、低熱 此可以降低生產成本。 < 力式接口噴孔片，因 r、、、：而在習知的單石化的流體噴射梦罟1 φ 12主要由低應力的量“ ό篮唷射裝置1巾，結構層 限制，因此對於整體結=八，在製程上，其厚度有所 擠壓而飛離裝置的、、=、=女令〒有其影響，且由於受氣泡 向無法導正的缺為結構f 12厚度不足，而會有方 上，產生的熱量可^久，加熱器20、22位於結構層12之 是相對的仍有部八& =的傳導到流體腔14内的流體26，但 刀的殘餘熱量會累積在結構層丨2，間接影 0535-7974TWF(N),A91066;nick.t
IH 第5頁 552200 五、發明說明（2) 響整體系統的操作頻率。 有鐘於此，本發明的目的在 及其製造方法，A 供一種流體喷射裝置 為遠赤卜、+、 耠冋用效率，且可延長壽命。 其包括-基材、一第一、甬二係鈥供一種流體喷射裝置， 声、以另一入Μ第通孔、一軋泡產生裝置、一保護 .I ^ 、屬層；基材具有一流體腔以及一表面，第一 Ϊ面^於Μ且與流體腔相連通；氣泡產U置設置於 第一通孔：且位於基材之流體腔外；保護層 ; 上，金屬層以位於流體腔外的方式設置於保護 4。且具有一第二通孔，其中第二通孔與第一通孔連 一較佳實施例中，在金屬層遠離基材的表面之一侧 形成複數個鰭片，用以增強金屬層之散熱效果。 山在另一較佳實施例中，第二通孔與第一通孔連通的一 &的直徑比未與第一通孔連通的另一端的直徑大。 在另一較佳實施例中，流體噴射裝置更包括一粘著 層’其設置於基材和金屬層之間，用以加強金屬層和基材 間的粘著。 應了解的是粘著層之材質可為鋁（Α1)，金屬層之材質 可為鎳始合金（Ni-Co alloy)、金（Au)、金鈷合金（Au-Co alloy)。 在另一較佳實施例中，結構層上形成一第三通孔，且 保護層上形成與第三通孔對應的一第四通孔，藉由第四通 孔’用以供金屬層與矽基底直接連結。 0535-7974TWF(N),A91066;nick.ptd 第6頁 552200
仅禮ί另一較佳實施例中，結構層上形成一第三通孔，且 =二曰上形成與第三通孔對應的一第四通孔，而基材更包 1一粘著層，其設置於結構層上而位於保護層和結構層之 間，且經由第三通孔與矽基底抵接、第四 層抵接，用以加強金屬層和石夕基底間的連：。”金屬 又在本發明中，提供一種流體噴射裝置之製造方法， 包f下列步驟：提供一晶圓；在晶圓上形成一結構層，並 將晶圓和結構層之間定義形成一流體腔；設置一氣泡產生 裝置於結構層上，其中氣泡產生裝置位於流體腔外；在結 構層上形成一保護層；以及在保護層上形成一金屬層；在 結構層上形成與流體腔連通的一第一通孔。 ，了解的是金屬層覆蓋氣泡產生裝置，且金屬層係藉 由電鑄（electroforming)、無電鍍（eiectr〇less
Plating)、物理氣相沉積（pvD)、化學氣相沉積（cvd)而披 覆於保濩層上，而結構層之材質為氮化石夕（$丨& )。 在一較佳實施例中，製造方法更包括下列χ步驟：在金 屬層中形成一第二通孔，且第二通孔連通第一通孔。 在另一較佳實施例中，製造方法更包括下列步驟：在 結構層上形成金屬層之前，在結構層上形成一粘著層，用 以加強金屬層和晶圓間的粘著。 在另一較佳實施例中，製造方法更包括下列步驟：在 結構層上形成保護層之後，在保護層上形成一第三通孔， 且在結構層上形成與第三通孔連通的一第四通孔，藉由第 三通孔和第四通孔，用以供金屬層與晶圓直接連結。
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五、發明說明（4) 在另一較佳實施例中，製造方法更包括下列步驟：在 晶圓上形成結構層之後，在結構層上形成一第三通孔，且 在結構層上形成一粘著層，其經由第三通孔與晶圓連 第一實施例 參考第2圖，其顯示本發明之流體喷射裝置之第一實 施例，本實施例之流體噴射裝置1 〇 〇包括一基材丨丨〇、_% 一通孔114、一氣泡產生裝置丨2〇、一保護層13〇、以及一 金屬層1 4 0。 基材11 0包括一矽基底111、以及一結構層丨丨2，結構 層11 2設置在矽基底111上，且在矽基底丨丨1與結構層丨丨2之 間形成一流體腔113，第一通孔114則形成在結構層112 並與流體腔11 3相連通。 氣泡產生裝置1 20係設置於結構層丨丨2之一表面 1122(參考第3a圖）上，並鄰近第一通孔114，且位於美 110中之流體腔113外；在本實施例中，氣泡產生裝置 包括-第-加熱|§121、以及—第二加熱器122，第一加埶 器1 21如習知般，用以在流體腔丨丨3内產生一第一氣包來、、、 考第1圖），第二加熱器m與第—加熱器m分別位於>一 通孔U4的相對側，且如習知般，用以在流體腔113内產生 一第二氣泡（參考第1圖）以將流體腔丨丨3内之流體射出。 保護層130设置於結構層112之表面1122上，且具有一 第五通孔131 ;金屬層140設置於保護層上，且具有一 第二通孔141，其中第二通孔141經由第五通孔131而與第 一通孔114連通。
552200 五、發明說明（5) 應了解的是金屬層之材質可為鎳鈷 Ni—c〇 alloy )、令 r a 、 齡舻古l U )、金鈷合金（Au-Co alloy )等導熱係 乂:每1料是較佳地，而結構層之材質為氮化矽。 λ知例之流體喷射裝置之構成如上所述，以下參考 a e圖說明本實施例之種流體喷射裝置之製造方法。 έ士 M js 1 供日日圓作為石夕基底111 ’且在石夕基底111上形成一 、"θ 1 2 ’並在石夕基底111和結構層11 2之間形成一流體 如第&圖所示，·接著，設置氣泡產生裝置120於結 曰一上’此氣泡產生裝置1 20位於流體腔11 3外，如第 3匕囷所示，然後，在結構層1 2 0上形成一保護層1 3 0，如第 圖斤示：之後在保濩層130上形成一金屬層14〇，如第3d 圖所示，；最後，分別在結構層112、結構層13〇、金屬層 140上形成相互連通的第一通孔114、第五通孔“I、第二 通孔141，如第3e圖所示，其中第一通孔114與流 7 連通。 應了解的是金屬層140覆蓋氣泡產生裝置12〇，且金屬 層140可藉由電鑄、無電鍍、物理氣相沉積、化學氣相沉 積等方式而彼覆於保護層1 3 0上。 ' ’儿 如上所述，本實施例之流體喷射裝置在其外部形成一 層尽膜的金屬層’一方面可加強流體噴射裝置的結構強 度，一方面利用金屬層較高的導熱係數，使氣泡^生裝置 的加熱器殘留的熱量可以透過金屬層迅速的傳遞到空^中 或基材等其他區域，使操作頻率得以提高。 乳 又，厚膜金屬層也可使液滴飛離的通道增長，而使飛
552200 五、發明說明（6) 離液滴的脫離方向更加穩定。 另外，參考第4a圖，其顯示本實施例之流體喷射裝置 之一變形例，在第4a圖中的流體噴射裝置i〇〇a中，在其金 屬層140a遠離基材1 i〇a的表面之一側形成複數個鰭片 142，用以增強金屬層14〇之散熱效果，當然金屬層14〇3之 表面亦可不用全部形成鰭片i 42，而僅局部形成鰭 2亦 可達到散熱效果。 又’參考第4b圖，其顯示本實施例之流體喷射裝置之 ^ 一變形例，在第4b圖中的流體噴射裝置100b中，^改變 第二通孔141b的形狀，使第二通孔141b與第一通孔114連 通的一端的直徑比未與第一通孔114連通的另一端的直徑 大’以使液滴的脫離方向能更加穩定。 欲完成如第4b圖中的流體噴射裝置1〇〇b，可利用正 或負型光阻160，以獲得上窄下寬的光阻外型，如第4c 所不，再進行電鑄製程及去除光阻後，可形成如第切 示的金屬層外型，最後使用乾蝕刻製程，完成如 示銳孔般的第二通孔141b。 禾圖所 由於第4b圖中的流體噴射裝置1〇〇b中的第二通 以銳孔的方式形成，可使飛離液滴的脫離方向更加穩 第二實施例 第5圖係為本發明之流體噴射装置之第二實施 意圖’在本實施例之流體喷射裝置1〇〇(1中，氣泡產生裝不置
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120係由單一加熱器120(1所構成，此 體喷射裝置m之不同點，至於其他構=二流 相同，在此省略其說明。 句第 κ方也例 由於在本實施例之流體噴射裝 層，因此也可達到與第一實施例：二卜=形=金屬 到空氣中或基材等其他區域，並使迅速的傳遞 加穩定。 儿使軋離液滴的脫離方向更 第三實施例 參考第6圖，其顯示本發明之流體噴射裝置之第三實 施例，本實施例之流體喷射裝置me包括一矽基底1^^、 一結構層112e、一第一通孔114、一氣泡產生裝置j2〇、— 保護層130e、一金屬層140e、以及一第二通孔141，其中 第一通孔114、氣泡產生裝置120、以及第二通孔14ι之構 成與第一實施例相同’在此省略其說明，並標以相同的符 號。 本實施例與第一實施例之不同點在於：在本實施例 中，結構層112e上形成一第三通孔1121 e(參考第7a圖）， 且保護層130e上形成與第三通孔11 21e對應的一第四通孔 132e(參考第7c圖），藉由第四通孔132e，用以供金屬層 140e與秒基底llle直接連結。 本實施例之流體喷射裝置100e之製造方法與第一實施 例之流體喷射裝置1 0 0之製造方法之間的不同點在於：在
0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第11頁 552200 五、發明說明（8) 矽基底11 le上形成結構層112e時，在結構層112e上形成一 第三通孔1121e，如第7a圖所示，接著在結構層112e上形 成保護層130e後，如第7b圖所示，在保護層130e上形成一 第四通孔132e，如第7c圖所示，最後在保護層130e上形成 金屬層140e，如第7d圖所示。 本實施例藉由第四通孔132e，使金屬層140e與矽基底 111 e直接連結，藉此可更增強散熱效果。 又，由於在本實施例之流體喷射裝置外部也形成有金 屬層，因此也可達到與第一實施例相同的功效，亦即，可 加強流體喷射裝置的結構強度，可將殘留的熱量迅速的傳 遞到空氣中或基材等其他區域，並使飛離液滴的脫離方向 更加穩定。 第四實施例 參考第8圖，其顯示本發明之流體喷射裝置之第四實 施例，本實施例之流體喷射裝置1 〇 〇 f包括一矽基底丨丨丨f、 一結構層112f、一第一通孔ι14、一氣泡產生裝置12〇、一 保護層130f、一金屬層140f、一第二通孔141、一黏著層 150a、以及一介電層170，其中第一通孔114、氣泡產生裝 置1 2 0、以及第二通孔1 41之構成與第一實施例相同，在此 省略其說明，並標以相同的符號，而結構層丨丨2 f、保護層 1 3 0 f、以及金屬層1 4 0 f之構成與第三實施例相同，在此也 省略其說明。 本實施例與第三實施例之不同點在於：在本實施例
0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第12頁 552200 、發明說明（9) 中，流體喷射裝置100f更包括一粘著層15〇3和一介電層 1 7 0 ’其中钻著層1 5 0 a和介電層1 7 〇係設置於基材11 〇之結 構，11 2 f和金屬層1 4 〇 f之間，粘著層丨5 〇 a經由保護層丨3 〇 f ^第四通孔132f(參考第9e圖）與金屬層140£抵接、且經由 L構層112f之第三通孔U2lf(參考第9&圖）與矽基底丨丨“ 抵接’用以加強金屬層丨4〇 f和矽基底丨丨丨f間的連結。 、應了解的是粘著層15〇a之材質可為鋁，且應注意的是 ，為枯著層1 50a的材質具有導電性，因此不可與氣泡產生 裝置120相接觸，不過基於製程考量，可在形成粘著層 150a的同時，形成一導線層15〇1)，但粘著層15〇8和導線層 150b之間必須有間隔。 本實施例之流體喷射裝置100f之製造方法與第一實施 例之流體喷射裝置丨00之製造方法之間的不同點在於：在 石夕基底111 f上形成結構層丨丨2f時，如第9a圖所示，在結構 層112f上形成一第三通孔1121f，如第9b圖所示，接著在 結構層112f上形成一介電層17〇，如第9c圖所示，之後在 介電層170上形成一黏著層15(^，如第9d圖所示；然後， 在黏著層150a上形成保護層130f後，在保護層13〇f上形成 一第四通孔132f ’如第9e圖所示，最後在保護層i3〇f上形 成金屬層140f，如第9f圖所示。 本實施例藉由黏著層150，使金屬層14〇f與矽基底 111 f間的連結更為穩固。 又’由於在本實施例之流體喷射裝置外部也形成有金 屬層’因此也可達到與第一實施例相同的功效，亦即，可
0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第13頁 552200 五、發明說明（10) 加強流體喷射裝置的結構強度，可將殘留的熱量迅速的傳 遞到工氣中或基材等其他區域，並使飛離液滴的脫離方向 更加穩定。 ，然本發明已以較佳施、^ 限定本發明q壬何熟習此技藝者：12其並非用以 和範圍内，當可作此 在不脫離本發明之精神 範圍當視後附之申▲主之更動與/閏飾’因此本發明之保護 节Μ專利範圍所界定者為準。
〇535-7974TWF(N)；A91066;nick.ptd 第14頁
552200 圖式簡單說明 為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 明顯易懂’下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖示，作 詳細說明如下： 圖式簡單說明： 第1圖係為習知單石化的流體喷射裝置之示意圖； 第2圖係為本發明之流體喷射裝置之第一實施例之示 意圖； 第3a〜3e圖係為第2圖中之流體喷射裝置之製造方法之 示意圖，其中僅顯示第2圖中之P1部分； 第4a圖係為第2圖中之流體喷射裝置之變形例之示意 圖， 第4b〜4d圖係為第2圖中之流體喷射裝置之另一變形例 之示意圖； 第5圖係為本發明之流體喷射裝置之第二實施例之示 意圖； 第6圖係為本發明之流體喷射裝置之第三實施例之示 意圖； 第7a〜7d圖係為第6圖中之流體喷射裝置之製造方法之 示意圖，其中僅顯示第6圖中之P2部分； 第8圖係為本發明之流體喷射裝置之第四實施例之示 意圖，以及 第9a〜9f圖係為第8圖中之流體喷射裝置之製造方法之 示意圖，其中僅顯示第8圖中之P3部分。 符號說明：
0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第15頁 552200 圖式簡單說明 1〜單石化的流體喷射裝置 1 0〜矽基底 1 2〜結構層 1 4〜流體腔 2 0〜第一加熱器 22〜第二加熱器 2 6〜液體 3 0〜第一氣泡 32〜第二氣泡 100、100a、100b、100d、100e、100f 〜流體喷射裝置 110、 110a〜基材 111、 111 e、111 f 〜矽基底 112、 112e、112f 〜結構層 1121e、1121f〜第三通孔 11 2 2〜表面 11 3〜流體腔 11 4〜第一通孔 120〜氣泡產生裝置 120d〜加熱器 1 21〜第一加熱器 122〜第二加熱器 130、130e、130f 〜保護層 1 3 1〜第五通孔 132e、132f〜第四通孔
0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第16頁 552200 圖式簡單說明 140、 140a、140b、140e、140 卜金屬層 141、 141b〜第二通孔 142〜鰭片 150a〜黏著層 150b〜導線層 1 6 0〜光阻 1 7 0〜介電層
mi 0535-7974TWF(N);A91066;n i ck.p t d 第17頁
Claims (1)
- 552200 六、申請專利範圍 1. 一種流體喷射裝置包括： 一基材，具有一流體腔以及一表面； 一第一通孔，設置於該表面且與該流體腔相連通· 一氣泡產生裝置，設置於該表面上並鄰近該第—甬 孔，且位於該基材之流體腔外； ^ 一保護層’設置於該表面上；以及 一金屬層，以位於該流體腔外的方式設置於該保護屑 上，且具有一第二通孔，其中該第二通孔與該第一通孔^ 通。 運 2 ·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置，其中 該氣泡產生裝置包括·· ' 一第一加熱器，以位於該流體腔外的方式設置於該表 面上，用以在該流體腔内產生一第一氣泡；以及 一第二加熱器，以位於該流體腔外的方式設置於該表 面上，且與該第一加熱器分別位於該第一通孔的相對側’ 用以在該流體腔内產生一第二氣泡以將該流體腔内之流體 射出。 3 ·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置’其中 该氣泡產生裝置包括一加熱器。 4 ·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置，其中 在該金屬層遠離該基材的表面之〆側形成複數個鰭片，用 以增強該金屬層之散熱效果。 5 ·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置，其中 該第二通孔與該第一通孔連通的〆端的直徑比未與該第一0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第18頁 552200 六、申請專利範圍 通孔連通的另一端的直徑大。 6 ·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置’更包 括： 一粘著層，設置於該基材和該金屬層之間，用以加強 該金屬層和該基材間的粘著。 7 ·如申請專利範圍第6項所述的流體喷射裝置’其中 該粘著層之材質為鋁。 8·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置’其中 該金屬層之材質為鎳鈷合金。 9·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置’其中 該金屬層之材質為金。 10·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置’其中 該金屬層之材質為金鈷合金。 11 ·如申請專利範圍第1項所述的流體喷射裝置’其中 該基材包括： 一矽基底；以及 一結構層，設置在該矽基底上，且在與該矽基底之間 形成該流體腔。 1 2·如申請專利範圍第丨丨項所述的流體喷射裝置’其 中該結構層上形成一第三通孔，且該保護層上形成與該第 三通孔對應的一第四通孔，藉由該第四通孔，用以供該金 屬層與該石夕基底直接連結。 1 3·如申請專利範圍第丨丨項所述的流體喷射裝置，其 中該結構層上形成一第三通孔，且該保護層上形成與該第0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第19頁 552200 六、申請專利範圍 -- 三通孔對應的一第四通孔，而該基材更包括： 一粘著層，設置於該結構層上而位於該保護層和該結 構層之間，且經由該第三通孔與該矽基底抵接、經由該第 四通孔與該金屬層抵接，用以加強該金屬層和該矽基底間 的連結。 1 4 ·如申請專利範圍第丨3項所述的流體噴射裝置，其 中該粘著層之材質為銘。 1 5 · —種流體喷射裝置之製造方法，包括： 提供^一晶圓； 在該晶圓上形成一結構層，並將該晶圓和該結構層之 間定義形成一流體腔； 設置一氣泡產生襞置於該結構層上，其中該氣泡產生 裝置位於該流體腔外； 在該結構層上形成一保護層； 在該保護層上形成一金屬層；以及 在該結構層上形成與該流體腔連通的一第一通孔。 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項所述的流體喷射裝置之製 造方法’其中該金屬層覆蓋該氣泡產生裝置。 1 7·如申請專利範圍第丨5項所述的流體喷射裝置之製 造方法’其中該金屬層係藉由電禱而彼覆於该保護層上。 1 8 ·如申請專利範圍'第1 &項所述的流體喷射裝置之製 造方法，其中該金屬層係藉由無電鍍而彼覆於該保護層 上。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項所述的流體喷射裝置之製552200 六、申請專利範圍 造方法’其中該金屬層係藉由物理氣相沉積而被覆於该保 護層上。 2 0 ·如申請專利範圍第丨5項所述的流體喷射裝置之製 造方法’其中該金屬層係藉由化學氣相沉積而彼覆於该保 護層上。 2 1 ·如申請專利範圍第1 &項戶斤述的流體喷射裝置之製 造方法，其中在該金屬層遠離該晶圓表面之一側形成複數 個鰭片，用以增強該金屬層之散熱效果。2 2 ·如申請專利範圍第1 5項所述的流體喷射裝置之製 造方法’其中更包括下列步驟： 在該金屬層中形成一第二通孔，且該第二通孔連通該 第一通孔。 2 3 ·如申請專利範圍第2 2項所述的流體噴射裝置之裝 造方法，其中該第二通孔係以與該第一通孔連通的/端的 直徑比未與該第一通孔連通的另/端的直徑大的方式’形 成在該金屬層中。2 4 ·如申請專利範圍第丨5項所述的流體喷射裝置之裝 造方法，其中在該結構層上形成該金屬層之前，在該結構 層上形成一粘著層，用以加強該金屬層和該晶圓間的枯 著。 2 5 ·如申請專利範圍第丨5項戶斤述的流體喷射裝置之於 造方法，其中在該結構層上形成/第三通孔，且在該保邊 層上形成與該第三通孔連通的一第四通孔，藉由該第奴通 孔，用以供該金屬層與該晶圓直接連結。552200六、申請專利範圍2 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述的流體喷射襞置之製 k方法’其中在該晶圓上形成該結構層之後’在該結構声 上形成一第三通孔，且在該結構層上形成一粘著層，其二 由該第三通孔與該晶圓連接。 生 27·如申請專利範圍第1 5項所述的流體噴射裝置之黎】 造方法，其中該金屬層之材質為鎳鈷合金。 又 28·如申請專利範圍第15項所述的流體喷射裝置之 造方法，其中該金屬層之材質為金。 29·如申請專利範圍第15項所述的流體喷射裝置之 造方法，其中該金屬層之材質為金鈷合金。 3 0 ·如申請專利範圍第1 5項所述的流體喷射裝置 造方法’其中該結構層之材質為氮化石夕。 、 31· —種流體噴射裝置，其包括： 一基材，具有一流體腔以及一表面； 一第一通孔，設置於該表面且與該流體腔相 一氣泡產生裝置，設置於該表面上並鄰近該 孔，且位於該基材之流體腔外； 布 通 以及 的方式設置於該保護層 一保護層，設置於該表面上； 一金屬層，以位於該流體腔外 上而達到散熱的效果。 32·如申請專利範圍第31項戶斤、+、仏▲ ，其 ，用 s %述的流體噴射_ ¥ 中在該金屬層遠離該基材表面之—/ 町裝置 IV ^ ^ ^ ^ M ^ ^ ^ ^ ^ s ~ 4則形成複數個鰭片 以增強該金屬層之散熱效果。 ^ 33.如申請專利範圍第31項# 1 #述的流體喷射裝置，更0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd ilr^--- 552200 六、申請專利範圍 ----- 包括： 一粘著層，没置於該基材和該金屬層之間，用以加強 該金屬層和該基材間的點著。 34. 如申請專利範圍第33項所述的流體喷射裝置，其 中該枯著層亦為導電層。 35. 如申請專利範圍第31項所述的流體喷射裝置，其 中該金屬層之材質為鎳鈷合金。 36·如申請專利範圍第31項所述的流體喷射裝置，其 中該金屬層之材質為金。 37·如申請專利範圍第3 1項所述的流體喷射裝置，其 中該金屬層之材質為金鈷合金。 38·如申請專利範圍第31項所述的流體噴射裝置，其 中該基材包括： 一矽基底；以及 一結構層，設置在該矽基底上，且在與該矽基底之間 形成該流體腔。 3 9 ·如申請專利範圍第3 8項所述的流體喷射裝置，其 中該結構層上形成一第三通孔，且該保護層上形成與該第 三通孔對應的一第四通孔，藉由該第四通孔，用以供該金 屬層與該$夕基底直接連結。 4 0.如申請專利範圍第38項所述的流體喷射裝置’其 中該結構層上形成一第三通孔，立該保護層上形成與該第 三通孔對應的一第四通孔，而該基材更包括· 一粘著層，設置於該結構層上而位於該保護層和該結0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第23頁 552200 六、申請專利範圍 構層之間，且經由該第三通孔與該矽基底抵接、經由該第 四通孔與該金屬層抵接，用以加強該金屬層和該矽基底間 的連結。0535-7974TWF(N);A91066;nick.ptd 第24頁
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