TW540121B - Heat treatment device and process with light irradiation - Google Patents

Description

540121 A7 B7 五、發明説明（1 ) (發明所屬之技術領域） 本發明有關於將半導體晶圓（下面簡稱〜晶圓〃）施 予成膜，擴散、回火等處理起見施予急速加熱，高溫保持 ，急速冷卻處理之光照射式加熱處理裝置及光照射式加熱 處理方法。 (先前技術） 在於半導體製造過程中，光照射式加熱處理係在於成 膜，擴散，回火等廣汎之範圍地被實施，任何處理均將晶 圓高溫的予以加熱處理者。 在於此加熱處理上使用光照射式加熱處理裝置時，得 將晶圓迅速的加熱，以數秒鐘〜數十秒鐘就可以昇溫至 1 0 0 0 t以上，並且停止光照射就能急速的冷卻者。 按在於加熱晶圓時，在於晶圓上發生溫度分佈之不均 一時，就會發生稱之謂 '結晶轉位〃 （Slip)之現象，即由 於發生結晶轉位之缺陷而有成爲不良品之虞。於是使用光 照射式加熱處理裝置而加熱處理晶圓時，須要以晶圓之溫 度分佈能均一的施予加熱•高溫保持·冷卻之必要。 例如將晶圓加熱至1 0 5 0 °C時，如果在晶圓面內發 生2 °C以上之溫度差就有發生上述結晶轉位之可能性。爲 了抑制結晶轉位之發生起見，將晶圓面內之溫度差保持於 1 °C以內爲宜。 再者爲了成膜而加熱晶圓時爲得均一厚度之膜之形成 起見，以高精度之面內均一度的加熱晶圓才可以。 -4- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540121 A7 _ B7 五、發明説明（2 ) .在於光照射式加熱處理裝置中，將晶圓保持於高溫狀 態時，以均一的放射速度照射於晶圓全面之下，晶圓之周 邊部之溫度仍會降低。例如晶圓之氧化處理係通常將晶圓 加熱至約1 1 0 0 °c地實施。惟晶圓中央部之溫度爲 1 1 0 0 °C時周邊部之溫度乃較中心部低約3 0 °c，構成 上述結晶轉位之原因。 按晶圓周邊部之溫度之會變低係由晶圓之側面而熱之 被放射之緣故，由晶圓側面之熱放射而在晶圓上發生熱之 流動發生溫度之分佈。防止此之方法係從以前就有人提案 ，以圍繞晶圓之外周地配置具有與晶圓同等之熱容量之補 助材之方法。此補助材一般稱之謂導環（Guide Ring)。 當使晶圓及導環可視爲成爲一體化之一枚之板狀體時 ，晶圓及導環一齊由均一之光照射所加熱時，晶圓之周邊 部係不會成爲上述板狀體之周邊部因此晶圓周邊部之溫度 不致於降低。 再者，導環係圍繞晶圓之外周地予以設置，因此在其 上部附加保持晶圓之周緣部之機構時，就可以兼用爲晶圓 保持材。所以在於導環上使之具備保持晶圓之機能之情形 也多。 換言之導環係用於補償熱之從晶圓之側面或從其近傍 而放射所發生之溫度之降低以資使晶圓之溫度均一化之構 件用做晶圓保持材之情形亦多。 惟實際上將導環做到能視做與晶圓成一體（換言之， 熱容量同等）地製作係非常困難，其理由如下。 -5- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540121 A7 B7 五、發明説明（3 ) (1 )導環係很難採用與晶圓同一材質來製作。 按將導環使用與晶圓相同之材質之矽（S i )來製作 時就可以使晶圓及導環之熱容量相等，惟矽係不容易加工 爲可以保持晶圓之形狀，並且反複地曝曬於很大之溫度差 時就會發生變形無法做爲導環之效用。 (2 )加工比較容易，而熱容量雖較矽稍大，惟相近 之材質就有碳化矽（S i C )，故導環通常使用碳化矽來 製作。 惟碳化矽係由於加工上之問題（辱與率）之關係而厚

，C 因此會比晶圓之摩;#% . 7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧时4句a(工消費合作社印製 度無法薄於1 m m m m更厚。 (3 )由上述矽與碳化矽之比熱之差異及厚度之差異 ，而導環之熱容量係加熱至高溫度比晶圓而每單位面積大 1 · 5 倍。 所以爲了解消晶圓與導環之上述熱容量差起見，須要 將以比晶圓之較大之功率來加熱導環才行。 第1 1圖表示先前技術之光照射式加熱處理裝置之構 成之一例。同圖係將光照射式加熱處理裝置，通過其中心 、以真父於晶圓面之面地切斷之斷面構造來顯示者。 如第1 1圖所示，在於光源部1 1，以等間隔（2 0 m m )且同心狀地配置有複數（此例係9支）之圓環之直 徑不R之圓環狀之燈絲型燈L 2〜L 1 〇。配置於最內側 之燈L 2之圓環之直徑係5 0 m m，爲了照射內側即安裝 有封閉一端之形狀之燈L 1。圓環狀燈l 2〜L 1 〇之輸 〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540121 A7 B7 五、發明説明（4) 入功率係例如2 4 0 W/ c m。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在於上述燈L 2〜L 1 0之背後’設有將來自燈L 2 〜L 1 〇之光反射至晶圓W側之波形之鏡1 a °來自光源 部1之光乃從燈L 1〜L 1 0直接地或由上述鏡1 a所反 射，介著石英窗2 (此例係厚度2 0 m m )而照射於載置 於導環3上之晶圓W。從燈L 1〜L 1 0到晶圓W之距離 係此例爲5 0 m m。 導環3係由設於室1 1之保持材1 2所保持，導環3 係兼做晶圓之保持材。 如第1 1圖所示，在於光源部1上不只是有用於照射 晶圓W之領域之燈L 1〜L 8，亦設有爲了擴大光照射領 域用之燈L 9，L 1 0，而導環3也以光照射來加熱。 導環3係如上述加工了碳化矽來製作，如上述其熱容 量約大於晶圓1 · 5倍，因此加大燈L 9，L 1 0之輸入 功率來增加輸出功率，使之對於導環照射較大之光能，以 資解消上述熱容量差。 (本發明欲解決之問題） 經濟部智慧时4笱’，貝工消費合作f£印製 惟爲了擴大上述光照射領域用之燈L 9，L 1 0之光 係以擴開狀的做照射，因此不只是照射導環3也會照射晶 圓W。所以以提高來自燈L 9，L 1 0之輸出地做照射時 晶圓W之溫度也上昇很難以均一的溫度來加熱。 再者，加大了燈L 9，L 1 〇之輸出之後，由於所照 射之光會擴開，因此很難有效率的將該爲了解消晶圓W與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公廣） 540121 A7 __B7 五、發明説明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 導環3之熱容量差之充分之光能賦予導環3，因此在於晶 圓W與導環3所接觸之部份而導環之溫度會非連續的降低 ，成爲結晶轉位之原因。 換言之，如加大來自燈L9，L10之輸出時，該放 射照度係於導環3之部份會變大，惟晶圓W也會被照射， 因此晶圓周邊之放射照度也變大，因此晶圓W之溫度係隨 著朝向周邊部地變高。另一方面來自燈L 9，L 1 〇之光 係擴開，導環3上無法獲得足於補償上述熱容量差之份量 之能量，所以晶圓W與導環3所接觸之部份而溫度會非連 續的降低，而在於溫度之不均一之週邊部會發生結晶轉位 〇 又，爲了賦予用於補償晶圓W與導環3之熱容量差之 能量起見，對於燈L 9，L 1 0之輸出更加大才行，因此 效率差。 本發明係鑑於上述之情形所創作，本發明之目的乃將 用於加熱導環用之來自燈之光只聚光於導環，以資使晶圓 之均一之加熱成爲可能，同時有效率的實施導環之加熱者 經濟部智慈財—巧邑(工消費合作社印製 (解決課題之手段） 本發明乃以下述地解決上述之課題。 (1 )具備有，同心狀的配置：圓環狀且該圓環狀之 直徑各不同之複數個之燈絲型燈，而在該燈絲型燈之背面 設置了鏡之光源部，而於上述鏡之相反側配置晶圓，而在 -8 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 540121 A7 B7 五、發明説明（6 ) 於.該晶圓之周邊部設置了導環而成之光照射式熱處理裝置 中， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上述光源部之上述複數之燈絲型燈乃由：面向於上述 晶圓而設之第1燈群，及設於第1燈群之外周，面向於上 述導環而設之第2燈群所構成，而使從上述第2燈群所放 出之光不致於照射於晶圓。 詳述之，令來自第2燈群之燈至導環至之光照射方向 (垂直於晶圓面之方向）之距離大於從第1燈群之燈至晶 圓爲止之光照射方向（垂直於晶圓面）之距離，而使形成 於第2燈群與第1燈群之間之側壁爲鏡面，藉由該側壁而 將從第2燈群之燈所照射朝向於晶圓方向之光反射於導環 方向，由而防止來自第2燈群之燈之光之照射於晶圓，而 將該份量之光可以聚光於導環。 (2 )在於上述（1 )中，在於第2燈群之最外周形 成，延伸於對於光照射方向開啓之方向，而將從該第2燈 群所放射之光反射於上述導環方向之第2側壁。 換言之，在於第2燈群之外周形成對於光所照射之方 向開啓之方向地設有角度之第2側壁，以該側壁做爲反射 面。 由而將來自第2燈群之燈之朝向導環之外側地照射之 光聚光於導環，可以使照射於導環之光之能量加大。 (3)在於上述（1) ，（2)中，在於導環之外周 設置由第2之燈群放射之光反射於上述導環方向之第2鏡 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - 540121 A7 _B7_ 五、發明説明（7 ) .換言之，在於導環之外周，設置對於光源部之方向開 啓之方向具備有角度之第2鏡，由而得將照射於導環之外 側之光聚光於導環，由而可以增大照射於導環之光之能量 者。 (發明之實施形態） 第1圖表示本發明之實施例之光照射式加熱處理裝置 之斷面構造。 同圖中，標號1係光源部，L 1〜L 8係晶圓加熱用 之燈，形狀及配置間隔，輸入功率等係與第1 1圖所示之 先前例者相同。 標號2係石英窗，3係導環，導環3係由設於室1 1 之保持材1 2所保持。在於導環3上載置晶圓W，導環3 係兼做爲晶圓保持材。 上述導環3之晶圓W之保持部份係，例如如第2圖所 示地被削面、導環3與晶圓W之周緣部份係做線接觸。 燈L 9，L 1 〇係導環加熱用之燈。燈L 9，L 1 0 之輸入功率係3 0 0 W/ c m，係大於晶圓加熱用之燈 L 1〜L 8。由於管徑稍粗所排列之節距係例如燈L 8〜 L 9 間爲 2 1 m m，燈 L 9，L 1 0 間爲 2 2 m m。 又，燈L 9〜L 1 〇即較燈L 2〜L 8至晶圓爲止之 距離（5 0 m m )而例如遠離例如3 0 m m地予以配置。 由於做爲上述構成，因此第1圖所示，在於晶圓加熱 用燈L 8與導環加熱用燈L 9之間會形成側壁4 (此側壁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1〇 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 540121 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 呼.稱第1側壁），以該側壁4爲反射面，於是從導環加熱 用燈L 9，L 1 〇而照射於晶圓W方向之光係被反射於導 環3方向。 由而將燈L 9，L 1 0之輸入加大之後該光不會照射 於晶圓W。因而晶圓之溫度不會上昇，藉由晶圓加熱用燈 之控制而均一之加熱將成爲可能。又以往照射於晶圓W方 向之光係被反射於導環方向3方向，較以往例而照射於導 環3之光之能量係變大。因此可以有效率地加熱導環3。 再者，在於導環加熱用燈之內之最外側之燈L 1 0之 外周部設置，具有對於光之被照射方向（對於晶圓面垂直 方向）而擴開於外側之角度Θ之反射面之第2側壁5。又 角度0係對於光之照射之方向之第2側壁5之反射面之角 度。 從燈L 9，L 1 〇而朝向外側照射之光係由第2側壁 5而反射於導環3方向。 經濟部智慧时4ΡΤ a(工消費合作钍印製 採用上述構成時，以往朝向外側地照射，對於導環3 之加熱無助益之光係被反射於導環3方向，因此照射於導 環3之光之能量變大，因此可以有效率的加熱導環3也。 再者，在於第1圖上，第2側壁5之反射面之斷面形 狀係呈直線狀，惟使燈L 9，L 1 〇所照射之光之能聚光 於導環3上地將上述斷面形狀做爲橢圓，拋物線等之曲線 形狀亦可。 又，第1圖所示之實施例係例示了導環3之兼用於晶 圓保持材之例子，惟另途地將晶圓保持材而保持晶圓W亦 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ΓήΤΤ™ 540121 A7 B7 五、發明説明（9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可以。詳述之，如第3圖所示，在於晶圓W之周邊部之近 傍配置導環3，而分別以保持材1 3，1 4而將晶圓W及 導環3例如予以三點支撐。又晶圓W係由自重而會撓曲， 故上述保持材1 3係配置於晶圓W之撓變量盡量能小之位 置。 第4圖表示，在於具備有上述第1側壁4及第2側壁 5之構造中，照射於晶圓及導環面之放射照度之大小及分 佈。橫軸係從晶圓中心之水平距離（m m )，縱軸係照射 於晶圓及導環面之放射照度之相對應，橫軸之0〜1 5 0 mm之範圍係晶圓W之領域，1 5 0mm〜1 7 〇mm之 範圍係導環3之領域。又，同圖之放射照度係以計算所求 得者。 同圖係表示第2側壁5之角度β爲2 0度之情形，如 上述第1圖所示，供晶圓之加熱用之燈爲L 1〜L 8之8 支供導環加熱用之燈即使用L 9，L 1 〇之二支。 經濟部智慧財4诗3(工消費合作钍印製 第4圖所示之各曲線係表示，各燈L 1〜L 1 〇之光 係擴大至那一個領域爲止地被照射之情形。同圖中之1區 域乃表示由燈L 1所照射之放射照度之大小及分佈，同時 2〜1 0區域係表示由燈L 2〜L 1 0所照射之放射照度 之大小及分佈。 例如從6區域之燈L 6之光乃具有，燈直下之晶圓W 中心至約1 0 5 m m附近有放射照射之峰値，而從晶圓W 之中心而導環3之外側地照射於很廣寬之領域，不限於6 區域，來自晶圓加熱用之1〜8區域之任一燈L 1〜L 8 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 540121 A7 B7 五、發明説明（1〇) 之光也會照射於很寬廣之領域也。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，該導環加熱用燈之9乃至1 0區域之來自 燈L 9，L 1 0之光乃，在於具有導環3之從晶圓W之中 心至1 6 0 m m到導環之外側之領域地具有放射照度之峰 値，照射於晶圓W之量少，特別是對於從晶圓W之中心至 1 0 0 m m之內側地不會照射。 所以加大9，1 0區域之燈L9，L 1 〇之輸出功率 之下仍然可以使晶圓W之被加熱之情形抑制於最小限度’ 得均一的保持晶圓W之面內溫度之狀態下，只加熱導環3 ，由而可以補償晶圓W及導環3之熱容量差者。 第5圖表示，在於第4圖之條件中相加來自各燈L 1 〜L 1 〇之放射照度者。與第4圖一樣，橫軸係從晶圓中 心至水平距離（m m )，同圖之中心係晶圓之中心。又縱 軸係照射於晶圓及導環面之放射照度之相對値，橫軸之〇 〜±1 5 〇mm之範圍係晶圓之領域，±1 5 〇mm〜土 1 7 0 m m之範圍係導環3之領域。 經濟部智慧时4¾吕：工消費；it社印製 由同圖可以知道，由於設置第1側壁4，第2側壁5 ，由而晶圓W面內係大致以均一之光能量地被照射，只在 於導環3部份有大的放射照度地被照射之情形。 又，如9、1 0區域之燈L 9，L 1 〇之配置及該鏡 之形狀係如以往例之第1 1圖之情形時，在於第4圖上、 於8區域之外側會追加由1〜8區之燈之曲線之同樣之二 條之曲線，來自9、1 0區域之燈L 9，L 1 0之光係會 照射到晶圓之中心部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 13 540121 A7 __ B7 五、發明説明（11 ) 此時如加熱導環而加大9、1 0區域之燈L 9， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) L 1 0之輸入時，將被加熱到晶圓W之內側之領域而會使 溫度上昇。 第6圖表示第2側壁5之角度0爲15度時之放射照 度大小與分佈。與第4圖一樣，橫軸係從晶圓中心之水平 距離（m m )，而縱軸係照射於晶圓及導環面之放射照度 之相對値。 橫軸之0〜1 5 0 m m之範圍係晶圓W之領域， 150mm〜170mm之範圍係導環3之領域。 由第4圖，第6圖可知，藉由改變第2側壁5之角度 0而不會改變由晶圓加熱用燈L 1〜L 8之照射之分佈地 ’可以改變由導環加熱用燈L 9，L 1 〇之照射之分佈。 由適當的設定上述角度β，由而可以使來自導環加熱用燈 L 9，L 1 〇之光之照射於晶圓W之量少而使照射於導環 3之量多也。 經濟部智慧財4句_工消費合汴Ti印製 又不只是改變第2側壁5之角度Θ。由改變第1側壁 4及第2側壁5之高度由而改變由導環加熱用燈L9，L 1 0之照射之分佈者。 再者，爲了增加照射於導環之光之能量起見，如第7 圖所示地在於導環之周圍設置具有對於光源部之方向地擴 開之角度α之第2鏡6。又角度α係對於光照射方向成垂 直之平面（平行於晶圓面之平面）之第2鏡6之反射面之 角度。第2鏡6係設於導環之全周。 由而從導環加熱用燈L 9，L 1 〇而照射於導環3之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ 14 _ 540121 A7 B7 五、發明説明（12 ) 外側之光係由第2鏡6而反射於導環3之方向。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於設置第2鏡6而以往照射於導環3之外側而沒有 助益於導環3之加熱之光係被反射至導環3之方向，所以 照射於導環3之光之能量係變大，所以有效率地可以加熱 導環3也。 又替代於第2鏡6而如第8圖所示，在於室1 1設置 傾斜面1 1 a，以傾斜面1 1 a做爲反射面亦可以。 第9圖表示，在具備第1側壁4及第2側壁5之構造 中，將第2側壁5之角度θ 1設爲2 0度，再設第2鏡6 時之放射照度之大小及分佈者。與第4圖同樣，橫軸係從 晶圓中心之水平距離（m m )、縱軸係照射於晶圓及導環 面之放射照度之相對値，橫軸之0〜1 5 0 m m之範圍係 晶圓W之領域。1 5 0mm〜1 70mm之範圔係導環3 之領域。 又同圖中亦顯示第2鏡6之角度爲6 0度6 5度時及 不設第2鏡6時之放射照度之大小及分佈。 經濟部智慧財45肖工消費合作钍印製 由第9圖可以知道，由於設置了第2鏡6，因此不改 變晶圓加熱用燈L 1〜L 8之照射之分佈地，可以改變由 導環加熱用燈L9，L 1 〇所致之照射之分佈。由將上述 角度α設定於適當値而可以使來自導環加熱用燈L9 ’ L 10之光之照射於導環3之量增多者。 第1 0圖表示，先前例及本發明之照射於晶圓及導環 之放射照度及溫度分佈之槪念圖。 第10 (a)圖表示，晶圓W，導環3，保持材12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -· 540121 A7 B7 五、發明説明（13 ) 之.位置之模式圖，及熱容量之變化之圖，如上述晶圓與導 環之熱容量之差係約1 · 5倍。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1 0 (b)圖係表示在於上述第1 1圖之先前之燈 配置中，例各燈L 1〜L 1 0之輸出相同時之放射照度及 溫度之圖。 放射照度係從晶圓W至導環3而能成爲均一。惟另一 方面溫度係在於晶圓面內由於熱容量相等而會成爲均一， 惟在於接觸於熱容量大之導環3之部份而非連續的降低， 被它拖累而晶圓W之周邊部之溫度也會變低，因此在於溫 度降低之部份之周邊部而會發生結晶轉位。 第10 (C)圖係表示，在於上述第11圖之先前之 燈之配置中，只加大燈L 9，L 1 0之輸出時之放射照度 及溫度之圖。 放射照度係雖然導環部份也會變大，惟也會照射於晶 圓W，因此晶圓W周邊之放射照度會變大，因此溫度係隨 著愈向周邊部愈高。 經濟部智慧財4¾Μ工消費合汴社印製 所以來自燈L 9，L 1 〇之光係擴開，無法獲得足於 補償導環3之熱容量差之光能量，所以接觸於導環之部份 之溫度及非連續的降低，而在此溫度之不均一之周邊部而 會發生結晶轉位。 第1 0 ( d )圖係表示本發明之燈配置、鏡構造之情 形，得使來自燈L9，L10之輸出功率大之光，聚中於 導環3，所以放射照度乃只在於導環部份變大。 由此構造而只對於導環3賦予得於補償熱容量差之份 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 540121 A7 B7 五、發明説明（14 ) 之.熱量，可以使從晶圓W至導環3地使溫度均一化。由而 可以防止在於晶圓周邊部之結晶轉位之發生。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又在於成膜時之加熱中也能均一的加熱因此可以形成 均一厚度之膜也。 (發明之效果） 如上所述，在於本發明乃可以獲得下述之效果。 (1 )使從導環加熱用燈所照射之光不致於照射於晶 圓，所以晶圓之溫度不會上昇，而控制由晶圓加熱用燈而 可能做到晶圓之均一之加熱也。 詳述之，令從導環加熱用燈至導環爲止之距離大於從 晶圓加熱燈至晶圓爲止之距離，而在於導環加熱用燈與晶 圓加熱用燈之間設置由鏡之側壁，而使從導環加熱用燈所 放射之光之不會照射於晶圓，因此加大導環加熱用燈之輸 入之下，該光係不會照射於晶圓，所以晶圓之溫度不會上 昇，由控制晶圓加熱用燈而可能做到均一之加熱。 (2 )再者，本來照射於晶圓方向之光係被反射於導 環方向，因此照射於導環之光之能量會變大’所以有效率 的可以加熱導環，由而有效率的可以做到晶圓與導環之熱 容量之補償也。 (3 )在於導環加熱用燈之外周設置第2側壁而使朝 向照射導環之外周照射於導環，由而更能有效的加熱導環 者。 (4 )在於導環之外周部設置第2鏡，由而將照射於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -17 - 540121 A7 B7 五、發明説明（15 ) 導環之周邊之光照射於導環，由而更有效率的加熱導環者 〇 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (5 )藉由上述之組合而以均一之溫度而對於晶圓實 施光加熱。而可以防止在於晶圓上發生結晶轉位也。 再者，在於成膜時之加熱時也能做均一之加熱，因此 可以形成均一厚度之膜者。 圖式之簡單說明 第1圖表示本發明之實施例之光照射式加熱處理裝置 之圖。 第2圖表示藉由導環之晶圓之保持部份之圖。 第3圖表示於晶圓周邊配置導環而以保持材保持晶圓 時之構成例之圖。 第4圖表示，在於第1圖之構造中照射於晶圓及導環 面之放射照度之大小及分佈之圖。（0 = 2 0度時）。 第5圖表示在於第4圖之條件下相加燈L 1〜L 1〇 之放射照度而顯示之圖。 經濟部智慧財4^M工消費合作社印製 第6圖表示，在於第1圖之構造中，照射於晶圓及導 環面之放射照度之大小及分佈之圖。（0 = 1 5度時）。 第7圖表示在於導環之周邊設置第2鏡時之構成例之 圖。 第8圖表示，替代於設置第2鏡而在室中設置傾斜面 時之構成例之圖， 第9圖表示在於第1圖之構造中，設置第2鏡時之照 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -^ - 540121 Α7 Β7 五、發明説明（16) 射於晶圓及導環面之放射照度之大小及分佈之圖。（β = 2 0度時）。 第1 0圖表示，先前例及本案中表示照射於晶圓及導 環之放射照度及溫度之分佈之槪念圖。 第1 1圖表示先前技術之光照射式加熱處理裝置之構 成之一例之圖。 (標號說明） 1 光源部 1 a 鏡 2 石英窗 3 導環 4 第1側壁 5 第2側壁 6 第2鏡 11 室 1 2 ，1 3，1 4 保持材 L 1 燈 W 晶圓 -19- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 540121 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種光照射式加熱處理裝置，主要乃，具備有， 同心圓狀的配置··圓環狀，且該圓環之直徑各不同之複數 _ β燈絲型燈而在該燈絲型燈之背面設置了鏡之光源部， 在於上述鏡之相反側配置晶圓，而在於該晶圓之周邊 @置了導環而成之光照射式加熱處理裝置中，其特徵爲 上述光源部之上述複數之燈絲型燈乃由：面向於上述 晶圓而設之第1燈群，及設於第1燈群之外周，面向於上 述導環而設之第2之燈群所構成， 自第2燈群之燈至導環之光照射方向之距離乃大於自 第1燈群之燈至晶圓爲止之光照射方向之距離，而在第2 燈群與第1燈群之間設置由上述鏡所成之側壁者。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之光照射式加熱處理 裝置，其中 在於第2燈群之最外周形成將從上述第2燈群所放射 之光，反射於上述導環方向之第2側壁者。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所述之光照射式 加熱處理裝置，其中，在於導環之外周設置使從第2燈群 所放射之光，反射至上述導環方向之第2鏡者。 4 · 一種光照射式加熱處理方法，主要乃將從複數之 燈絲型燈所照射之光照射於、晶圓及配置於該晶圓之周邊 部之，與該晶圓熱容量不同之導環以資加熱處理晶圓之光 照射式加熱處理方法中，其特徵爲：上述複數之燈絲型燈 係由：面向於晶圓地配置之第1燈群，及面向於導環地予 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I 1— = 11 —-I- — - - - ---1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 經濟部智慧財產局員工消費合作fi印製 540121 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 以配置之第2燈群所構成， 而使從上述第2燈群所放出之光不致於照射於晶圓地 者 彐二 理 處 熱 加 以 予 圓 晶 將 ---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） -21 -