TW533632B - Single-mode vertical cavity surface emitting laser device - Google Patents

Description

533632 五、發明說明（1) 【發明之應用領域】 本發明係關於一種垂直共振腔面射型雷射元件 (VCSEL) ’特別是關於一種單模輸出之垂直共振腔面射型 雷射元件。 【發明背景】 垂直共振腔面射型雷射（Vertical Cavity Surface Emitting Laser，以下簡稱VCSEL)為一種表面發光型的半 導體雷射。其主要應用於光通訊傳接模組（transceiver) 中光傳輸元件及光資訊讀取頭之雷射二極體。具有低臨界 電流、高操作速度（1-1〇Gbps)及高光纖耦合率之優點。 在應用上，可依據傳輸的頻率區分為多模（multiple transverse mode)與單模（singie-m〇de)兩種 vCSEL元件。 其中’單模輸出之VCSEL元件可有較長的傳輸距離，目前 最大可達2公里。而多模輸出的傳輸距離則因其輸出於在 多模光纖（multi-mode fiber)時，傳輸訊號衰減所造成的 損耗較大，使得其傳輸距離較短，目前的技術可達約 3 0 0 - 5 0 0公尺。因此，多模的VCSELg前多應用在乙太網路 (ethernet)當中的短距離傳輸。 以目前的技術來講，VCSEL的結構主要是由上、下兩 個多層的分佈式布拉格反射鏡（distributed Bragg ref lector，DBR)、主動區、P型與n型金屬所構成。在布 拉格反射鏡的製作技術上，則有離子佈植或氧化侷限 (oxide-conf ined)技術。如「第1 a、IB、1C圖」所示，其 為運用離子佈植技術所製作的多模VCSEL，其由下往上的 533632 五、發明說明（2) 組成為·· N-型金屬U、基座1〇、布拉格反射鏡 (DBR)20、主動區30、p—型布拉格反射鏡4〇、質子佈植區 3 2及P 5L i屬41、、41 a、41 b。當注入電流流過主動區3 〇 時，主動區3 0在注入電流流過部分超過起始電流密度而發 丨光，並經由發光窗52、52a、52b發射雷射光束5卜5U、 51b。至於以氧化侷限技術所製作的VCSEL元件，可視為將 質子佈植區32替換成氧化層的部分。當然，還有許多不同 I樣態的VCSEL元件的製作方法。 請續參考「第ΙΑ、IB、lc圖」，如果欲製作出單模的 VCSEL兀件，就必須將p—布拉格反射鏡4〇當中質子佈植區 32之間的寬度W’縮小，同時，也必須將元件頂面的p型金 |屬41所形成的發光窗52的寬度W1縮小。然而在製程上，這 兩者的縮小並不容易控制，因此，良率較低。 另外，以離子佈植技術來製作的單模VCSEL元件，其 串聯電阻較大，因此速度較慢且最大輸出功率大約為八 lmW (毫瓦），不易提高。其主要是受發光區較易為質子佈 |植缺陷影響，使雷射功率降低，其可靠度亦降低。而以氧 化侷限技術所製作的單模輸出VCSEL元件，因氧化層之電 流限流區直徑小，氧化速率製程不易精確控制而較難製 I作。並且，其製造良率低，電阻亦較高，其操作速度慢。 所以，上述的問題必須加以解決，才能獲得良率較佳 |的單权VCSELtg件。於是’如何在現有的多模vCSEL的製造 技術基礎上，製作出單模VCSEL元件，成為vans件發展 的重點。

第5頁 533632 、發明說明（3) 發明之目的及概述】 鑒於以上習知技術的問題’本發明提 之 垂直共振腔面射型雷射元件，運用-抗反射膜形成於 VCSEL原有的頂面發光窗上，並於該薄膜中央形成一成炉 為m(微米）或以下的單模發光窗。在製程上， 二 控制，且良率高，可降低成本。 + π Μ 件 為達上=二本=戶斤提供的單模輸…csel元 ’包含：多核輸出之VCSEL元件，具有_了頁面發光區； 以及’ 一層抗反射膜，其形成於多模輪出之vcsel元件之 該頂面發光區並再形成-單模發光窗，用以限制多出 之VCSEL元件之輸出為一單模雷射光。 、 其中的多模輸出之VCSEL元件’可以是任何一種多模 輸出之VCSEL元件，例如質子佈植VCSEL、氧化侷限vcsel 與内共振腔（Intracavity )氧化侷限型vCSEL等等。 而抗反射膜2 5 0可為高折射係數材料，如鍺（Ge折射 率為5.2+ 0.65j)或為其他介電質（仏^“^丨幻單層或多 層膜之抗反射膜所構成。 曰 此外，本發明更提供一種形成單模輸出之vcsel元件 之方法，可整合多模輸出之VCSEIjt件製程來形成此單模 輸出之V C S E L元件。呈體步驟音止 、 + -放制，、體ν驟為.i先，以一般的多模輪 出VCSEL^o件製程完成VCSEL元件。接著，在VCSEL發光窗 上形膜，此抗反射膜中央有—單模發光窗。 * : 1此單模輸出VCSEL元件的光功率—電流特性曲線， 可寻戈杈佳之單模光輸出所須之最佳電流值。提供上述之 533632 五、發明說明（4) 最佳電流值至該單模輸出VCSEL元件，即可獲得單模雷射 光的輸出。 有關本發明的特徵與實作，茲配合圖示作最佳實施例 詳細說明如下： 發明之詳細說明】 本發明之單模輪出之垂直共振腔面射型雷射元件，其 原理說明如下。運用一般的多模VCSEL，形成一抗反射膜 於VCSEL之原有了員面發光窗（直徑大於m)上，該頂面發 光窗位於環形P—型金屬141中央，且於該薄膜中央形成一 直，為5/Z m(微米）以下的單模發光窗152，如「第2圖」及 第3圖」所不。於是，由於抗反射膜1 5 0的存在，將使抗 反射膜^ =覆蓋的p型布拉格反射鏡的部分反射率降低， 即2使後風抗反射膜下方的主動區不易達到起始條件而發 出雷1射光，進而導致電流流向未被抗反射膜覆蓋的區域 (直徑小於5// m)時，可發出單模雷射光。同時，由於布拉 才°反射鏡的限制窗（a p e r t u r e )(直徑為W，）較大，可使 VCSEL串聯電阻值較小。 有關錢上抗反射膜所產生的反射率降低效應，請參考 「第10圖」。 &至於抗反射膜的形成，可於多模輸出之VCSEL元件製 私70成後’直接沉積或蒸鍍抗反射膜。接著，再運用掀除 或#刻的方式來形成單模發光窗即可。 ^具體的實施例請參考「第3〜5圖」，其分別為覆蓋了 抗反射膜（AR)的質子佈植vcsEL、氧化侷限VCSEL與内共振

第7頁 533632 五、發明說明（5) 腔氧化侷限型VCSEL示意圖。 首先，請參考第一具體實施例的「第3圖」，此元件 由下往上的組成為·· N -型金屬111、基座π 〇、N -型布拉格 反射鏡（DBR)120、主動區130、P-型布拉格反射鏡140、質 子佈植區132、P-型金屬141及抗反射膜150。其中的抗反 射膜1 5 0即為依據本發明所揭露的技術所鍍上的部分。 其中，VCSEL之底部雷射鏡面為N-型布拉格反射鏡 1 2 0，頂部雷射鏡面為p-型布拉格反射鏡1 4 〇。抗反射膜 150中央有一直徑（w)小於5// m的發光窗152，雷射光束 1 5 1 (單模雷射）由此頂面發光窗1 52輸出。此外，N-型及P-型布拉格反射鏡1 2 〇、1 4 0是由數十對（p a i r )高—低兩種不 同折射係數之材料所構成，厚度為發光波長（又）的1 / 4， 使其全部反射率達到約9 8 %以上。而主動區1 3 0是由量子井 及被覆層所構成，主動區1 3 0厚度為發光波長人，亦可為2 λ、3又或λ / 2的整倍數。質子佈植區1 3 2是利用離子佈植 摻雜，在Ρ -型布拉格反射鏡1 4 0當中形成的晶格破壞區 (damaged region)，使電流限流區直徑為W’。此一質子佈 值區1 3 2具有高阻抗，使電流流向中央發光主動區。n -型 金屬111可為AuGe/Ni/Au(金鍺合金/錄/金），位於VCSEL元 件底部。P-型金屬141則可為Ti/Pt/Au(鈦/翻/金）等。基 座1 1 0可為N -型重摻雜之珅化鎵（G a A s )或碟化銦（I n ρ )基 座0 本發明所锻上的抗反射膜1 5 0可使其與所覆蓋的ρ 一型 布拉格反射鏡1 4 0部分的反射率降低，即可使覆蓋抗反射

533632 五、發明說明（6) 主=易達到起始條件而發出雷射光，進而使 δ=ΛΛ 密度增加。於是，即可獲得由抗反射膜 、、 仁小於10的發光窗1 52輸出的單模雷射 ^。此夕卜，抗反射膜150可為高折射係數材料，如錯㈤， 5.2+ 0.65j)或為其他介電質（dielectri 之抗反射膜所構成。 + s X / a ' 接著 第4圖」之第二具體實施例，其由下往上的 ，成為：N-型金屬21卜基座21〇、N—型布拉格反射鏡 (DBR) 2 2 0、主動區23 0、p-型布拉袼反射鏡24〇、氧化層 2 32、P-型金屬241及抗反射膜25〇。其中的抗反射膜25〇即 為依據本發明所揭露的技術所鍍上的部分。 其中，VCSEL之底部雷射鏡面為N—型布拉格反射鏡 2 2 0,頂部雷射鏡面為p—型布拉格反射鏡24〇。抗反射膜 2 5 0中央有一直徑（W)小於5/z in的發光窗2 5 2，雷射光束 2 5 1 (單模雷射）由此頂面發光窗2 5 2輸出。此外，N—型及p_ 型布拉格反射鏡2 2 0、2 4 0是由數十對（pair)高-低兩種不 同折射係數之材料所構成，厚度為發光波長（λ )的1 / 4， 使其全部反射率達到約9 8 %以上。而主動區2 3 0是由量子井 及被覆層所構成，主動區2 3 0厚度為發光波長（λ )，亦可 為2久、3；1或；I /2的整倍數。氧化層2 32是利用選擇性氧 化技術形成，形成於Ρ—型布拉格反射鏡240當中，使電流 限流區直徑為W’。氧化層232具有高阻抗，可使電流流向 中央發光主動區。Ν-型金屬211可為AuGe/Ni/Au (金鍺合金 /錄/金），P-型金屬241則可為Ti/pt/Au(鈦/始/金）等。基

533632 五、發明說明（7) 座21 0可為N-型重摻雜之砷化鎵（GaAs)或磷化銦（inp)基 座0 抗反射膜2 5 0使其與該部分之頂部反射率降低，即可 使覆盍抗反射膜下方的主動區不易達到起始條件而發出雷 射光’進而使該區域的起始電流增加，而發出單模雷射 光。於是，即可獲得由中央的一直徑小於m的發光窗 2 5 2所輸出的單模雷射光。此外，抗反射膜2 5 〇可為高折射 係數材料，如鍺（Ge，5. 2+ 0. 65 j)或為其他介電質 (dielectric)單層或多層膜之抗反射膜所構成。 最後，在「第5圖」中，此種VCSEL結構可應用於長波 長或可見光的範圍。在此結構中，由於布拉格反射鏡之厚 度較厚，電阻較大，不易由習知質子佈植技術形成，因 此，較多採用氧化侷限技術及内共振腔結構來製作。 、此元件包含了幾個主要的部分：其由下往上的組成 為：基座310、N-型布拉格反射鏡（b〇tt〇m DBR)32〇、N—型 接觸層32卜N-型金屬31卜主動區33〇、卜型接觸層342、 p-型布拉格反射鏡（top DBR) 340、氧化層332、p_型金屬 341及抗反射膜3 5 0。其中的抗反射膜35〇即為依據本發明 所揭露的技術所鐘上的部分。 其中，VCSEk底部雷射鏡面為底部布拉格反射鏡 =頂部雷射鏡面為卜型布.拉格反射鏡34〇。抗反射膜 350中央有一直徑（W)小於5/z蝴發光窗352，雷射光束 ^51(單模雷射光）由此頂面發光窗奶輸出。此外，n_型及 P-型布拉格反射鏡320、340是由數十對（^丨”高_低兩種

第10頁 533632 五、發明說明（8) ' t/T，折射係數之材料所構成，厚度為發光波長（λ )的 旦 使其全部反射率達到約以上。而主動區33〇是由 L hi被覆層所構成，主動區3 3 0厚度為發光波長 用、g埋亦^為2λ 、3λ或人/2的整倍數。氧化層3 3 2是利 ^氧化技術形成於ρ-型接觸層342當中，其直徑為· 入二其具有高阻抗’可使電流流向中央發光主動區。Ν-型.· =鸯311可為AuGe/Ni/Au (金鍺合金屬/金），位於重摻雜 麵型ί觸層321之上。P—型金屬341則可為Ti/Pt/Au (鈦/ 炎金）等’其位於重摻雜的p —型接觸層3 4 2上。基座3丨〇可 為N-型重摻雜之砷化鎵“^幻或磷化銦（lnp)基座。 乂抗反射膜3 5 0使該部分頂部反射率降低，即可使覆蓋 抗反射膜下方的主動區不易達到起始條件而發出雷射光， 而使該區域的起始電流增加，而發出單模雷射光。於是， 1可獲知由中央的一直徑小於m的發光窗5 2所輸出的單 杈雷射光。此外，抗反射膜35〇可為高折射係數材料，如 鍺（Ge， 5· 2+ 0· 65 j)或為其他介電質㈠““以^㈠單層或 多層膜之抗反射膜所構成。 一綜上所述’本發明可提供一種形成單模輸出之VCSEL =件之方法，可整合多模輪出之VCSEL元件製程來形成此 單模輸出之VCSEL元件。其具體步驟說明如下··首先，以 一般的多模輸出VCSEL元件製程完成VCSEL元件。接著，在 VCSEL發光窗上形成一抗反射膜，此抗反射膜中央有一發 光窗。其中’發光窗的直徑最佳值約在m。 在具體的操作上，以鍺為抗反射膜之單模輸出光譜如；

第11頁 533632 五、發明說明（9) 「第6圖」所示，可發現在電流為1 1 mA的情況下，本發明 可獲得穩定的單模雷射光。其光功率-電流特性如「第7 圖」所示，亦即，在不同電流下，本發明可獲得不同的模 態，並且，在較高電流時，同樣可獲得單模輸出。 接著，透過「第8圖」的輸出模態圖可知，本發明只 要控制電流量，即可控制單模雷射光的輸出。因此，本發 明更可提供一種運用本發明的單模輸出之VCSEL元件來控 制單模雷射光輸出之方法。 「第9圖」則為未鍍膜之VCSEL光譜特性，隨著電流增 加，模態也會增加，無法如本發明可得穩定的單模輸出。 運用本發明之單模輸出之VCSEL元件，即可實現製程 簡單、成本低廉的單模輸出雷射光源。並且，在製程上， 不需縮小VCSEL元件的限制層的寬度，例如「第1圖」的W1 與W2。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習相關技藝者，在不脫離本發明 之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明 之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定 者為準。

第12頁 533632 圖式簡單說明 ΐ 〜1C圖為習知之多模VCSEL結構示意圖； 笛徊炎士 I 拉輪出之VCSE1Jt件之上視圖； 施例；^ 1明之單模輪出之VCSEL元件的第一具體實 施例f 4W ^本發明《單模輪出< VCSEL元彳的第二具體實 施例？ 5圖為本發明《單模輪出《旧虬元#的第三具體實 丨發光= 本5:r錯為抗反射膜之單模輸出光譜圖， 圖，為抗反射膜之光功率-電.^^ 第8圖為本發明以鍺為於 直徑為μ m; 者為抗反射膜之光譜特性，發光窗 弟9圖為習知技術未鍍卜y 圖；及 上抗反射膜的VCSEL光譜特性 .…發明，布拉格反射鏡錢上抗反射膜，總反 【圖ί b符號說明】 10 基座 11 N-型金屬 20 N-型布拉格反射鏡 30 主動區 32 質子佈植區 第13頁 533632 圖式簡單說明 32a 質子佈植區 34b 氧化層 35b 鈍化層 40 P-型布拉格反射鏡 41 P-型金屬 41a P-型金屬 41b P -型金屬 51 光束 51a 光束 51b 光束 52 發光窗 52a 發光窗 52b 發光窗 110 基座 111 N-型金屬 120 N-型布拉格反射鏡 130 主動區 132 質子佈值區 140 P-型布拉格反射鏡 141 P-型金屬 150 抗反射膜 151 雷射光束 152 發光窗 210 基座

第14頁 533632 圖式簡單說明 211 N-型金屬 220 N _型布拉格反射鏡 230 主動區 232 氧化層 240 P-型布拉格反射鏡 241 P -型金屬 250 抗反射膜 251 雷射光束 252 發光窗 310 基座 311 N-型金屬 320 N-型布拉格反射鏡 321 N-型接觸層 330 主動區 332 氧化層 340 P-型布拉格反射鏡 341 P -型金屬 342 P-型接觸層 350 抗反射膜 351 雷射光束 352 發光窗

Claims (1)

1. 533632 六、申請專利範圍 1.一種單模輸出之垂直共振腔面射型雷射元件，包含： 一多模輸出之垂直共振腔面射型雷射（VCSEL)元 件，具有一頂面發光區；及 一抗反射膜，形成於該多模輸出之垂直共振腔面射 型雷射元件之該頂面發光區並形成一發光窗，用以限制 該多模輸出之垂直共振腔面射型雷射元件之輸出為一單 模雷射光。 2 .如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該多模輸出之垂直共振腔面射型雷 射元件係為一質子佈植垂直共振腔面射型雷射元件，包 含： 一基座； 一 N-型金屬，形成於該基座之下表面； 一 N-型布拉格反射鏡（DBR)，形成於該基座之上； 一主動區，形成於該N-型布拉格反射鏡之上，由電 流注入而產生該單模雷射光； 一 P-型布拉格反射鏡，形成於該主動區上； 一質子佈植區，形成於該P-型布拉格反射鏡中，其 具有尚電阻’用以限制該電流的流動方向往該主動區之 中央；及 一 P-型金屬，形成於該P-型布拉格反射鏡上以形成 該頂面發光區，用以限制該單模雷射光經由該頂面發光 區輸出。 3.如申請專利範圍第2項所述之單模輸出之垂直共振腔面 533632 穴、申請專利範圍 射型雷射7L件，其中該基座係選自重摻雜N—型砷化鎵 (GaAs)與磷化銦（Inp)。 4.如申請專利範圍第2項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該N_型與卜型布拉格反射鏡之材料 係為化合物半導體材料。 5·如申請專利範圍第2項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該N—型金屬係選自金鍺合金、鎳與 金之纟且合。 =請專利範圍第2項所述之單模輸出之垂直共振腔面 ，型雷射元件，其中該卜型金屬係選自鈦、鉑與金之組 合。 ^ ^專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 ^型雷射70件，其中該多模輸出之垂直共振腔面射型雷 、疋件係為一氧化侷限型（oxide-confined)垂直共振腔 面射型雷射元件，包含： 一基座； —型金屬，形成於該基座之下表面； 一 N—型布拉袼反射鏡（DBR)，形成於該基座之上； 、 —主動區，形成於該N-型布拉格反射鏡之上，由電 心t注入而產生該單模雷射光； 一 P -型布拉格反射鏡，形成於該主動區上； 一氧化層，形成於該P-型布拉格反射鏡中，其具有 靖電阻，用以限制該電流的流動方向往該主動區之中 決；及

   533632 六、申請專利範圍 一 p-型金屬，形成於該p-型布拉格反射鏡上以形成 該頂面發光區，用以限制該單模雷射光經由該頂面發光 區輸出。 8.如申請專利範圍第7項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該基座係選自重摻雜N-型之砷化鎵 (G a A s)與填化錮（I η P )。 9 .如申請專利範圍第7項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該Ν-型與Ρ-型布拉格反射鏡之材料 係為化合物半導體材料。 1 〇 .如申請專利範圍第7項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該Ν-型金屬係選自金鍺合金、鎳 與金之組合。 11.如申請專利範圍第7項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該Ρ-型金屬係選自鈦、鉑與金之 組合。 1 2 .如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該多模輸出之垂直共振腔面射型 雷射元件係為一内共振腔（intracavity)氧化侷限型垂 直共振腔面射型雷射元件，包含： 一基座； 一 N-型布拉格反射鏡（bottom DBR)，形成於該基 座上； 一 N-型接觸層，形成於該底部布拉格反射鏡（DBR)

   第18頁 533632 六、申請專利範圍 一 N-型金屬，形成於該N-型接觸層之上； 一主動區，形成於該N-型接觸層之上，由電流激 發而產生該單模雷射光； 一 P-型接觸層，形成於該主動區上； 一氧化區，形成於該P-型接觸層中，其具有高電 阻，用以限制該電流的流動方向往該主動區之中央； 一 P-型布拉格反射鏡，形成於該P-型接觸層 上；及 一 P-型金屬，形成於該P-型接觸層之上。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項所述之單模輸出之垂直共振腔 面射型雷射元件，其中該基座係選自砷化鎵（GaAs)與 填化銦（I η P )。 1 4 .如申請專利範圍第1 2項所述之單模輸出之垂直共振腔 面射型雷射元件，其中該Ν-型與Ρ-型布拉格反射鏡之 材料係為化合物半導體材料。 1 5 .如申請專利範圍第1 2項所述之單模輸出之垂直共振腔 面射型雷射元件，其中該Ν-型金屬係選自金鍺合金、 鎳與金之組合。 1 6 .如申請專利範圍第1 2項所述之單模輸出之垂直共振腔 面射型雷射元件，其中該Ρ-型金屬係選自鈦、鉑與金 之組合。 1 7 .如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該頂面發光區之直徑係大於5微米 (// m) 〇

   第19頁 533632 六、申請專利範圍 18.如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該發光窗之形成係於該抗反射膜 形成之後，掀除部分該抗反射膜而形成。 1 9 .如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該發光窗之形成係於該抗反射膜 形成之後，蝕刻部分該抗反射膜而形成。 2 0 .如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該發光窗之直徑在5微米（// m)及5 微米以下。 2 1.如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該抗反射膜之材料係為一高折射 係數材料。 2 2.如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該抗反射膜之材料係選自鍺（Ge， 5.2+ 0.65j)、其他介電質（dielectric)材料之組合。 2 3 .如申請專利範圍第1項所述之單模輸出之垂直共振腔面 射型雷射元件，其中該抗反射膜係選自一單層或多層 介電質抗反射膜之組合。 24.—種形成單模輸出之垂直共振腔面射型雷射元件之方 法，係整合一多模输出之垂直共振腔面射型雷射元件 之製程來形成該單模輸出之垂直共振腔面射型雷射元 件，包含下列步驟： 提供一運用多模輸出VCSEL元件製程完成一 VCSEL 元件；及 533632 六、申請專利範圍 於該VCSEL元件頂面形成一抗反射膜，該抗反射膜 具有一發光窗。 · 2 5 .如申請專利範圍第2 4項所述之形成單模輸出之垂直共 i 振腔面射型雷射元件之方法，其中該發光窗之直徑係 為5微米（/z m)及5微米以下。 - 2 6 .如申請專利範圍第2 4項所述之形成單模輸出之垂直共 _ 振腔面射型雷射元件之方法，其中該抗反射膜之材料 係為一高折射係數材料。 2 7,如申請專利範圍第2 4項所述之形成單模輸出之垂直共 振腔面射型雷射元件之方法，其中該抗反射膜之材料 _ 係選自鍺（Ge， 5. 2+ 0. 65 j)、其他介電質 (d i e 1 e c t r i c )材料。 2 8 .如申請專利範圍第2 4項所述之形成單模輸出之垂直共 振腔面射型雷射元件之方法，其中該抗反射膜係選自 一單層或多層介電質抗反射膜。 _

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