TW526356B - Liquid-crystal display with inter-line short-circuit preventive function - Google Patents

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526356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 f公 I ” ./fv /_B7_ 〜、、〜· / 五、發明說明(Ί 發明背暑 發明範疇 本發明係有關藉由可Μ減少使用光罩數目之方法而實 現之液晶顯示器，尤其關於一種液晶顯示器，而其產量乃 藉防止由於鋁質閘極上之橫向隆起部（lateral hillocks) 而在閘極與源極K及在閘極與汲極間發生短路而得Μ改進 Ο 習用抟銜夕描沭 液晶顯示器具有諸如體積小，輕薄及耗電量低之優點 ,且其在辦公室自動化設備及視聽設備之類領域中已達商 業普及之階段。特別是運用薄膜場效電晶體（而後記為 τ F Τ (薄膜電晶體））之主動矩陣液晶顯示器理論上可在時間 掃描驅動蓮用線條而在百分之百作用比（d u t y r a t i 〇 )下實 行靜態多工驅動，使得動態影像可在高解晰度與高對比率 下顯示。 該主動矩陣液晶顯示器具有其TFTs連接至形成於基質 之複數個液晶驅動像素（P i X e 1 )電極之結構，而像素電容 係形成於每一像素電極與形成於另一在該像素電極對面之 基質且在該二基質間具有液晶層之共同電極一部份之間， 並且不同電壓乃豳加至每個像素電容Μ維持像素電荷。液 晶之取向係回應形成於每一像素電容之電場而改變以調變 透射之光束，並且顯示影像則藉巨觀組成每一像素之亮度 而形成。 TFT為施加電壓至像素電極之開關元件，其乃由閘電 A7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 3 7 7 6 2 D 1 526356 A7 B7 五、發明說明（2) 極、汲電極、源電極K及非犟晶半導體層所組成。每一電 極連接至閘線、汲線Μ及該像素電極，並且該非單晶半導 體層係由非晶形矽（a - S i )或聚矽（ρ - S i )所製成並作用為通 道層。一群閘線為在時間掃描K選為在一條掃描線（一條 閘線）而啟動所有TFTs之線，並且與其同步之數據信號乃 經每一汲線而傳送至各別像素電極。該共同電極具有其決 定於與掃描信號同步之電壓Μ利用界於該共同電極與其對 面之每一像素電極間之電壓而在該空間驅動液晶。每一顯 示像素之光透射率（transmittance)則被加Μ調整，並且 每顯示像素之成份階度顯示係視覺上得Μ辨視為顯示影像 。从T F T s於斷路之液晶驅動狀態係藉由包含該二電極之顯 示像素維持之電壓而得Μ持續一場之周期，並且加入與其 並聯之儲存電容可增加保持比（h ο 1 d ί n g r a t i 〇 )。 使用在較上位置具有閘之交錯式TFT之傳統液晶顯示 器將予以描述。第1及第2圖顯示傳統TFT基質之構造。第 1圖為平面圖，而第2圖為沿第1圖1X-1X’之剖視圖。在此 等圖式Μ及K下說明之其它圖式中，該等疊層等等並未按 相同比例繪製。防止光進入該T F Τ通道之遮掩層（5 1 )為由 鉻之類等所製成，並且二氧化砂之類的層際絕緣體（5 2 )乃 形成於基質（5 0 ) Μ蓋住該遮掩層（5 1 )。具有源電極（5 5 )之 像素電極（5 3 ) Μ及具有汲電極（5 6 )之汲線（5 4 )係由位在該 層際絕緣體（5 2 )上之透明導電材料I Τ 0 (絪鍚氧化物）所製 成。形成於由a - S i及絕緣層所組成之雙層結搆上之鋁質閘 線（6 0 )係設置使其與汲線（5 4 )交叉。由閘線（6 0 )延續之閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 3 7 7 6 2 D1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3) 電極（5 9 )乃設置於靠近閘線（6 0 )與汲線（5 4 )交叉處。於此 區域中，源電極（55)、汲電極（56)、置於其上之a-Si層ί 5 7 )、由S ί Ν X之類製成之閘絕緣層（5 8 ) Κ及閘電極（5 9 )係 堆疊形成TFT。雖未圖示5然摻有許多雜質（如磷）Κ降低 電阻之a - S i層係大致位於a - S丨層（5 7 )與源電極（5 5 )間Μ及 位於a - S i層（5 7 )與汲電極（5 6 )間Μ改善歐姆特性。 於完成上述圖樣後，聚醯亞胺之類的取向薄膜則形成 於該TFT基質之整個表面上以在施行預定搓磨處理之前得 Μ控制液晶之取向。此TFT基質而後則銲接至具有共同電 極之計數器基質，其中該共同電極係形成於該表面上而其 間並有充電之液晶存在，再者該等基質之邊緣則加Μ密封 Μ製成液晶顯示器。 上述TFT基質製造方法包含三種光學石版印刷步驟： 第一步驟為蝕刻形成遮掩層（5 1 )之鉻Σ第二步驟為蝕刻形 成像素電極（5 3 )、汲線（5 4 )、Μ及源電極（5 5 )與汲電極（ 5 6 )之I Τ 0 s第3步驟為蝕刻形成閘線（6 0 )及閘電極（5 9 )之 鋁。a - S i層（5 7 ')與閘絕緣層（5 8 )係使用與用於蝕刻閘線（ 6 0 )及閛電極（5 9 )相同之光罩而在第3光學石版印刷步驟中 加Μ蝕刻。 因之，該交錯式TFT可藉該等三個光學石版印刷步驟 而形成於該TFT基質上K使其製造成本低廉。然而，既閘 絕緣層（5 8 )係蝕刻而具有如同閘線（6 0 )及閘電極（5 9 )之相 同圖樣，則其具有K下之問題產生。 既諸如汲線（5 4 )、漉電極（5 5 )及汲電極（5 6 )之較低層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 37762D1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 526356 A7 B7 五、發明說明（4) 係為暴露，則其係藉在該基質厚度方向而累積至閘絕緣層 (58)厚度之距離而與諸如閘線（60)及閘電極（59)之上層加 Μ隔離。又，該等上層係藉閘絕緣層（5 8 )之厚度而與該等 下層隔離。另一方面，眾知具有低電阻之鋁適合作為閘線 材料，惟鋁之抗熱性差而形成柱狀突出之所謂的隆起部或 (腫塊）。該等隆起部在熱處理過程中更形增長且可長成一 微米之高。 閘絕緣層（5 8 )具有約為0 . 3至0 . 5微米之厚度，並且當 該等隆起部（橫向隆起部）由閘電極（5 9 )之鋁質側壁而沿橫 向方向形成時，閘絕緣層（5 8 )之厚度距雛並不足Μ防止該 等横向隆起部琨象5而可能達到諸如該等源電極（5 5 )與汲 電極（5 6 )之下層。 填充物係特定置於該TFT陣列基質與該計數基質間以 在此等基質間保持固定空間。當此填充物位於諸横向隆起 部中之横向隆起部，則該等橫向隆起部乃被向下推壓而在 諸如源電極（5 5 )與汲電極（5 6 )之下層上，而導致閘極與源 極間以及閘極與汲極間之短路現象。此閘極與源極間之短 路造成點狀瑕疵，並且該閘極與汲極間之短路則造成線狀 瑕疵，而使顯像品質惡化。 第3圖顯示隆起部密度與烘烤溫度間之關係。其顯示 者為該等隆起部係於〗5 0 t或更高之溫度烘烤而形成於鋁 上。然而，琨有之製造方法包含形成聚醯亞胺薄膜之步驟 ，其中該聚醯亞胺薄瞑為在形成閘電極（5 9 )後控制液晶取 向之取向薄膜f Μ及包含在約2 0 0 °C下製造純化薄膜之步 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3 7 7 6 2 D 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------訂·--------

526356 A7 __B7___ 五、發明說明（5 ) 驟。因之，隆起部之產生乃無法避免。 另一方面s為防止隆起部產生，鋁係製成非常薄，亦 即s形成閘電極（5 9 )之鋁薄膜及閘線（6 0 )可製成為具有 5 〇 〇埃或以下之厚度以防止任何隆起部產生。於此情況下， 具有3000埃厚度鉬質之堆疊構造可避兔開放線，惟鉬有大 於鋁約5倍之電阻，且對線電阻而言並不適於製造大面積 之該物。 髒明溉要 本發明目的係為提供一種液晶顯示器，其係設計Μ防 止由於在閘金屬上產生隆起部而在閘極與源極間Μ及閘極 與汲極間產生短路現象。 為達成上述目的，根據本發明之液晶顯示器包含有複 數個用Μ驅動在基質上之矩陣陣列中液晶套件之像素電極 ,Κ及複數個形成於該等像素電極行間之汲線，Μ及複數 個形成於該等像素電極列間之閘線，並擁有諸如絕緣層與 半導體層之下層，以及複數個薄膜電晶體（TFT),每一薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

向極 ，具 緣 極 之 各電極 及絕電 層 並素電以該閘。緣 ，像汲 ，在及者絕 成該 之層成線窄該 形成份體形 閘為較 處構 部導有 等寬成 點有 一半具該線形 叉具 線之及 ，之係 交 體汲極以又層度 線 晶該電 ： 。緣寬 閘 電成汲 層極絕 之 與 _ 構與緣 電該極 線薄 有極絕 閘之電 汲一 具電之 之較閘 等每及源上份,w.a 該 o K 該層部成線 近壓 ：於體一形閘 靠電極伸導線係該 在 Μ 電延半，閘其當 係½源Μ該該在 , 體極之成在成乃之 晶電份形成構徵因 電素部及形並特 膜 像 一Κ有罾之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 37762D1 526356 A7 ____Β7五、發明說明（6 ) 線寬為窄時，則由該閘線與閜電極至配置於其下之下層的 該源電極（像素電極）與汲電極（汲線）之距離乃成為等於該 絕緣層之厚度加上該閘線（及電極）之線寬與該絕緣層之線 寬之差。因之：當鋁被使用為該閘線及閘電極之材料f gp 使隆起部在鋁上形成s則該等隆起部之突出端並未觸及該 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

阻在該由該線產 對 線汲之隆 質層在 熱含當則如閘所 於 汲與層是 基電 j 善包然，諸與部 成 該線緣使 該導驟 改驟縱度與極起 形 與閘絕即 於明步 可 步 ，寬 極電隆 層 而 該該， ：S0之 乃溫此同閜閜於 掩 層於上低 驟該極 料高因相等該由。遮 緣介加降步^ 電 材是。之此當則生之。絕 £ 差為 下触汲 。 之便此層在。 * 發细置及處寬乃W罩及 象線即如緣免生者其漸位層叉線會 有光以 現閘 ，為絕遊發寬止體之體交之機 具 y 極 路與制亦下以間線防大區導之間之。法1電 短極抑驟同得層之地有道半線層路此方 f 源 成電被步如乃下窄定為通該 _ 緣短如之ji>、 造閑係之有象之為確徵之經與絕生為器驟線 M為成後具琨i)靨加特體線線與發亦示步汲 } 作形成以路線緣更項晶閘汲線間上顯之、 (^鋁之形成短(^.絕可一電該該閘線線晶層極 極之部之形之極該即有膜，在該二剛液電電 電鈸起線線成電較象亦薄外 f為該該逑導素 汲含隆剛閘形汲有現明上之之係致於上明像 與用 $及與部及具路發質此因雛以成造透該 極使之極極起極K短本基除。距 $ 形製成成 電 因 電電隆 電成之 該 會 之度部 形形 源 。閘閘於源形生 應 交線厚起 上M (請先閱讀背面之注音3事項再填寫本頁) I I I I 訂111111

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 37762D1 526356 A7 ___B7 ___五、發明說明（8 )狀之部份。因此，經由絕緣層之類而在該遮掩層上形成之 薄膜電晶體及多種之線可在該遮掩層邊緣之階部避免破裂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第第第 第第第 圖 視 剖 份 部 ;之 圖 ί , 線 面 f - X 平 1 之 X 1 器 示 顯 晶 液 統第 傳沿 為 為 圖圖 器 示 顯 画 度器 密示 部 顯 起晶 隆 液 之例 器施 示實 顯 一 晶 第 液明 統發 傳 本 示據 顯根 為為 圖圖 3 4 圖 意 示 的 圖 面 平 之 圖 5 ; 器 圖 |不 視顯 S晶 份液 部造 之製 線之 ;<例 T 施 4X實 器 一 示 第 顯明 晶發 液本 圖據 根 為 圖 11 1 4 第 沿 為 第 第 明 明 發 發 本 本 據 ； 據 ♦，根 圖根 圖為係 為 視 圖關圖 剖12之13 之 第間第 程 率 過 生 發 路 短 與 量 蝕 側 閘 之 例 豳 實 圖 面 平 之 器 示 顯 晶 液 例 施 實 器 示 顯 晶 液 圖 3 1—f 第 沿 為 圖 4 ii 第 視 剖 份 部 之 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---------

圖 度 密 部 起 隆 例 實 二 第 明 發 本 據 根 為 圖 5 1 第 5 較 a 明 說 Μ 加 下 於 式 圖 附 所 合 配 將 例 胞 實 諸 之 明 發 本 圖 面 平 之 器 示 顯 晶 液 例 胞 實一 第 明 發 本 據 艮 tf 為 圖 4 第 視 剖 之 線 靨 緣 絕. X 際 I 層 4 之 圖1) 4 1 yi\ 第 0 沿 I 奄 為销 J 遮 _ · 5 之 第 成 而 製 金 質 類基 之 明 鉻透 由 於 蓋成 覆 形 〇 係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 37762D1 526356 A7 B7 五、發明說明（9 ) 1 0 )上，而由I T 0製成之儳素電極（]3 )、汲線（1 4 )、與該像 素電極（1 3 )整合之源電極（1 5 ) : Μ及與該汲線（1 4 )整合之 汲電極（1 6 )係形成於層際絕緣層（]2 )上。a + S丨曆（1 7 )及閘 絕緣層（1 8 ) K及閘電極（〗9 )乃在該源電極（]5 )與汲電極（ 1 6 )上K此順序堆疊Μ形成T F T。形成於閘絕緣層（1 8 )之閘 線（2 0 )係由鋁製成且形成以具有如同a - S i ( 1 7 )與閘絕緣層 (1 8 )般與汲線（1 4 )交叉之相同圖樣。 本實施例中s閜電極U 9)及閘線（2 0 )係形成而較閘絕 緣層（1 8 )為窄。縱然横向隆起部在構成閘電極（1 9 )及閘線 ί 2 0 )之鋁上，其仍避免觸及在閘絕緣層（]8 )之較低位置處 的汲線（1. 4 )與源、汲電極（1 5、1 6 )。亦即，其下有閘絕緣 層（1 8 )之位於上位的閘電極（]9 )與閘線（2 0 )係與汲線（1 4 ) 、下位之源電極（1 5 )與汲電極（1 6 )藉由閘絕緣層（1 8 )之總 厚度及介於閘絕緣層（1 8 )圖樣邊緣與閘電極（1 9 )画樣邊緣 或閘線（2 0 )間之距離而加Μ隔離。因之，於閘電極U 9 )上 之横向隆起部及Μ鋁製成之閘線ί 2 0 )並未觸及汲線（1 4 )、 源電極（1 5 )與汲電極（1 6 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

以下將敘述製造上逑液晶顯示器之方法。第6圖中， 鉻係噴鍍至从玻璃之類製成之基質Π 0 )上並予以蝕刻Μ遮 掩層（Ί 1 )。遮掩層（1 1 )係形成Μ具有約1 0 0 0 - 2 0 0 ()埃之總 厚度。該遮掩層之上層為由C r Ν X ( U Ν )所製，其係藉在噴 鍍步驟最後而在氮氣環境下噴鍍而具有1 0 0 - 3 0 ()埃厚度。 既C r N X可蝕刻得較鉻為快，則遮掩層（U )使其邊緣藉使用 如上所逑之C r N X m N )上層而形成以具有漸細之交叉部份^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 37 7 6 21)1 526356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（l〇) 而去除階梯狀部份。於形成遮掩層（Π )後：該基質全然覆 Μ如氮化矽之化學蒸氣沉積（C V D )膜以形成層際絕緣層（ 12) 〇 I Τ 0係噴鍍至層際絕緣層（1 2 )上至約1 0 0 0埃之厚度， 並蝕刻預定之圖樣以形成如第7圖所示之像素電極（1 3 )、 汲線（Ί 4 )、源電極Π 5 :)及汲電極Π 6)。如而後將述及者s 為改善T F T之歐姆特性，如磷之Η型雜質乃事先植人該標的 I Τ 0 Μ使用I Τ 0噴鍍方法將磷摻人像素電極（]3 )、汲線Π 4 ) 、源電極（1 5 )及汲電極（1 6 )。 如第8圖所示，a _ S丨層ί ] 7 )乃藉在像素電極Π 3 )與汲 線（1 4 )與源電極（1 5 ) Μ及汲電極U 6 )所形成之基質上施Κ 電漿C V D而造成5 0 0 - ] 0 0 0埃之厚度。此時s於該I Τ 0中之磷 質乃隨該a-S丨層之成長而向該a-Si散開Μ於該ΙΤ0與a-Si 間之介面形成N +型接觸層（1 7 N ),提供了歐姆接觸層。於 形成a - S Γ層（1 7 )後，氮化矽則覆蓋Μ利用電漿C V D形成具 有2 0 0 0 _ 4 0 0 0埃厚度之閘絕緣層（1 8 )。而後，噴鍍鋁至約 4 0 0 0埃之厚度Μ形成閘電極Π 9 )與閘線（2 0 )。 具有閘線圖樣之光阻劑（2 Π如第9圖所示之形成於閘 電極（1 9 )與閘線（2 0 )之鋁層上。使用光阻劑（2 1 )作為光罩 ,該鋁層乃Μ醋酸及磷酸與硝酸之混合物為蝕刻劑而加以 蝕刻从形成如第1 0圖所示之閘電極（1 9 )及閘線（2 0 )。或者 ,該閘電極與閘線係藉使用電漿蝕刻方法之側蝕刻而形成 狹窄圖樣。此時t該蝕刻時間加K調整K使該鋁層被側蝕 刻約大於該光罩大小1微米之譜f Μ致閘電極（1 9)與閘線（ 10 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) --------訂---------

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3 7 7 6 2 D 1 526356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（n) 2 0 )之圖樣較窄於光阻劑（2〗）。 如第1〗_所示，諸如活性離子蝕刻（R.I E )之各向異性 蝕刻係與四氟化碳之蝕刻氣體而使用該相同光阻劑（2 ])為 光罩Μ將閘絕緣層（〗8 )與a - S丨層Π 7 )移除。因之，閘絕緣 層（1 8 )與a - S i層（1 7 )則遺留在沿著閜電極（1 9 )及閘線（2 0 ) 之區域。a - S i層（1 7 )及閘絕緣層（]8 ) K及閘電極（]9 )乃以 此順序覆在源電極（1 5 )及汲電極（1 6 )上Μ構成該T F T。 光阻劑（2 1 )則最後予Μ移除Μ完成第4圖之構造。 因之，在此實施例中，閘電極（1 9 )及閘線（2 0 )係藉如 溼性蝕刻或電漿蝕刻之各向同性蝕刻而予Μ側蝕刻Μ具有 較該光阻劑（2 1 )為窄之_樣 > 且閘絕緣層（1 8 )及a - S丨層（ 1 7 )係藉各向異性蝕刻而具有如該光阻劑（2 ])般之相同圖 樣，如此則閘電極（1 9 )及閘線（2 0 )使其圖樣形成較閘絕緣 層（〗8 )者為窄。又，於上位之閘電極（]9 )與閘線f K及位 於下位之汲線U 4 )與源電極（1 5 ) Μ及汲電極（1 6 )係藉由a -S i層（1 7 )厚度與閘絕緣層（Ί 8 )與鋁側蝕刻量之總距離而加 Μ隔離，因此，縱當該等横向隆起部形成於鋁質閘線上且 該等橫向隆起部被填充物壓下，但該等横向隆起部並未觸 及汲線（1 4 )、源電極（1 5 ) Κ及汲電極U β ),而防止於閘極 與源極間Μ及閘極與汲極間發生短路現象。 第1 2圖為根據本實胸例之液晶顯示器測試結果，其顯 示由於隆起部所生之短路發生率與側蝕刻量間之闢係。由 第1 2圖可見當該閘電極與閘線之側蝕刻量小於約0 8微米 時s該短路發生率乃主要視該側蝕刻量而定/但當該側蝕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 1 3 7 7 6 2 D 1 526356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（！ 2) 刻量大於上值時，則短路發生率係相當低。因此，該側蝕 刻量s亦即基於該閘絕緣膜之類之側邊的閘電極與閘線之 超側蝕刻量乃宜設定於約1微米之譜。 如上述而顯而易見者5由於鋁閘線上之隆起部導致之 閘極與源極間K及剛極與汲極間之短路琨象係利用交錯式 T P T s而於液晶顯示器中各予以遊免之，並且此顯示器之產 量亦為之改善。 再者，此型液晶顯示器可藉調整蝕刻量而完成^並且 可在未增加光罩數量情況下加Μ製造以降低製造成本。 第二富_例 本實腌例將參照第1 3及1 4圖而加Μ描述。 在諸如玻璃之透明基質（3 0)上，鉻係加以噴鍍及光蝕 刻Μ形成具有約3 0 0 0埃厚度之遮掩層（3 1 ), Μ及有5 0 0 0埃 厚度之二氧化矽膜係使用化學蒸氣沉積法（C V D )以完全覆 蓋遮掩曆（3 1 ) Κ形成層際絕緣層（3 2 )。遮掩層（3 1 )乃覆蓋 形成TFT之區域。 ITO係噴鍍至在層際絕緣靨（:32)上之具有1 5 0 0埃厚度 之薄膜上。驅動液晶之像素電極（3 3 P )和環_像素電極（ 3 3 P )之汲線（3 :U ),與和該像素電極（3 3 P )整合之源電極（ 3 3 S ) , K及與汲線（3 3 L )整合之汲電極（3 3 D )則藉由光蝕刻 而形成。 形成通道區及閘絕緣_( 3 5 )之a - S i曆（3 4 )乃形成於源 電極ί 3 3 S )上W及形成於源電極（3 3 S :)與汲電極ί 3 3 D )間之 區域。由閘線（3 6 L )延續之閘電極（3 6 G )係形成於閘絕緣_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 3 7 7 6 2 D 1 526356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ϊ3) (3 5 )上。T F Τ則由閘電極（3 6 G )、閘絕緣層（3 5 )、a - S丨層（ 3 4 )、源電極（3 3 S ) Μ及汲電極ί 3 3 D )所組成。 剛電極（3 6 G )與閘線（3 6 L )係由含重量百分之二之钕的 鋁之鋁-钕合金所製成。非晶矽（a - S i )及S IN X係相繼各別 利用未間斷真空之電漿C V D法而形成具有3 0 0 0埃及5 0 0 0埃 之薄膜。而後上述之鋁-钕乃被噴鍍至具有3 0 0 0埃厚度之 薄_上。此三層乃藉該枏同之光罩而加Μ蝕刻。 Ν+ a-Si層（34Ν)係保持於a-Si層（34)及源電極（33S) 間K及於a - S i層（3 4 )與汲電極（3 3 D )間> K獲致該T F T之歐 姆特性。N + a - S i層（3 4 N )為如同第一實施例中介於該I T 0 與3 - S ί層間之N +型薄膜一般所形成之疊層，其中在第一實 施例中於當噴鍍該Τ Τ 0時而植人I Τ 0之磷乃向該a - S i層加Κ 噴散从於當a - S丨層藉電漿C V D法而形成薄膜時而與其反應 之。 因之；此實胞例形成藉使用含鈸重量百分之二之鋁的 鋁-钕合金而形成閘電極與閘線（3 6 )。該鋁-钕合金具有高 熱阻性且於高溫處理中幾乎不產生隆起部。於藉三光罩處 理（3階L C D )而製造之L C D中：並無短路現象會由於形成於 閘電極與閘線（:3 6 )上之隆起部而於汲電極及汲線（:3 3 )與閘 電極及閘線（3 6 )間發生，其中該三光罩處理成本係藉形成 i S ί ( 3 4 )與閘絕緣薄膜（3 5 ) Μ具有如同閘電極與閘線（3 6 ) 之相同圖樣，縱然是在閘電極與閘線（3 ίΠ Μ及和有介於其 間之閘絕緣層（3 5 )之汲電極與汲線（3 3 )之交叉處亦無短路 發生。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁)

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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 3 3 7 7 6 2 D 1 526356 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（u) 1 4 第1 5圖顯示當TFT陣列基質係由不同金屬所製及烘烤 時之有關隆起部發生之測試結果。當測試藉使用本實施例 之3 0 0 0埃厚之該鋁-钕合金（百分之二重量）以作為閘極金 屬而測試時，形成於一條閘線上之隆起部數目係K三角形 (Δ )表示之。當比較例藉著將純鋁（P - A 1 )形成為薄膜並立 刻退火Μ使用為閘電極與閘線而施行時5則形成於一條閘 線上之隆起部數目係Μ黑圈（參）表示之。再者，當測試藉 著將薄鋁（t - A ])膜製成5 0 0 / 3 0 0 0埃厚A ]/ Μ ο Μ用為閘電極 及閘線而施行時，則形成於一條閘線上之隆起部數目係Μ 圓圈（Ο)表示之。圖中之曲線U)、（b)及U)乃表示藉製 造P - A I膜及決定其各別為1 8 0 °C、1 9 0 t及2 0 0 °C之退火溫 度所獲致之结果。由該圖可知該鋁-鈸於3 0 0 υ Μ下並未形 成隆起部，且由於隆起部之幾可藉在上述範圍W下之溫度 所行之過程中使用鋁-鈸為該閘電極與閘線（3 6 )而避免因 隆起部之短路現象於閘極與源極間，Κ及在閘極與汲極間 發生。隆起部之形成亦在當該t - A ]使用時而被抑制$惟既 然其有如上所述有關之線阻缺點，則其並不適用於大型之 顯示器。同時s當使用該p - A]時，則隆起部形成，且隆起 部之數目係在薄_形成後視退火溫度而改變。亦即，晶粒 之形成係在當以較高溫度退火時而有所提升，而薄膜品質 則有所改善；且形成之隆起部數目乃減少。然而，隆起部 之成長反而提升，且觸及該源和汲電極與線（3 3 :)之可能性 係增加，而伴隨之结果為短路之減少並未達成。特別是鋁 之退火溫度則需增加以藉全面減少所產生之隆起部數目而 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 4 3 7 7 6 2 D 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

526356 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（) 減少短路發生之可能性。然而；根據本發明之構想，該a -S i係在當該閘極鋁膜形成時而已形成；因此該增加之退火 溫度立即使該3-S丨品質降低或改變該TPT特性：而導致缺 乏實用性。 藉使用含鈸百分之二重量之鋁的鋁-鈸合金Μ為製造 閜電極與閑線（3 6 )以及形成a - S i ( 3 4 )及閘極絕緣層（3 5 ) W 及閘電極與閘線（：3 6 )成為相同圖樣之其製造過程簡化的三 階L C D中5縱然在閘電極與閘線（3 6 )與有閘絕緣層（3 5 )於 其間之源/汲電極與源/汲線（3 3 亦無短路現象在其中（ 3 3 : 3 6 )發生f因而改善其產量使用本實施例之鋁-鈸合金 K為第一實施例之閘電極與閘線材料者，由於隆起部形成 而介於該等電極間之短路則可完全避免。 由上所述可顯見者為藉使用含鈸之鋁而為使用交錯式 丁 P T s之液晶顯示器之閘電極及閘線材料係避免隆起部之形 成。因此，該閘極（電極與線）K及源/汲極（電極與線）之 構造係避免由隆起部所引起之短路發生於上逑電極與線間 >因而改善其產量 > 而上述之閜極與源/汲極係藉具有與 該_極（電極與線）相同形狀之絕緣層的厚度而加以絕緣。 其上雖描述有本發明之較佳實_例；然吾&可知仍有 多種之修正案可加K提出：且其係欲W申請專利範圍將所 有本於本發明創作精神範疇之此等修正予K納λ。 之 M l 10.30 透明基質 11.31 遮掩層 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) # 裝--------訂--------- % 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 37762D1 526356 A7 五、發明說明（ie) 12,32 1 3 £ 3 3 P 14,33,331 1 5 t 3 3 S i 6 , 3 3 D 1 7 s 3 4 17N s 34N 18 1 9 , 3 6 G 20,36,361 21 3 5 _B7 層際絕緣層 像素電極 汲線 源電極 汲電極 a - S i 層 N +型接觸層 閘絕緣層 閘電極 閘線 光阻劑 閘絕緣膜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 37762D1

Claims (1)

1. 526356 \ H3 仔 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 导月 Γ> 利申請蘇; 申請專利範圍修正本 備 具 置 裝 示 顯 晶 液 S& 種 曰 3 月 7 年 複 像接 ， 逑 連 極 前及 電 於Κ 素 接 ， 像 及連極 用 Κ : 電 動. ，有之 驅 線具線 晶 閘體汲 液 之晶逑 之 數電前 上 複膜於 板 之薄接； 基 差此 連極 於 交，，電 成 線體 極閘： 形 汲晶 電之為 數，述電 源線徵 複 線前膜 之閛特 Μ 汲與 薄極逑其 之 電前 數 素於 極 電 各 及 線 極 電 各 述 前 3 極 至 電 1 閘有 ， 含 極鋁 電於 汲 對 ， 相 極中 。 電1)者 源 U 成 {鋁形 在所 由金 係 合 極之 電d) 個(N 一 钕 少 之 KO 至 之 中 量 重 極 電 素 像 之 用 勖 33 驅 晶 .液 : 之 備上 具板 ， 基 置於 裝成 示形 ， 顯數線 晶 複 汲 液 K 之 種 數 一 複 2 像 逑 前 於 接 遵 及 ： Μ 有 ， 具 閘體 之 晶 數電 複膜 之薄 差此 交 ， 線體 汲 晶 述電 前 膜 與薄 璉 及 極 電 汲 之 線 汲 逑 前 於 ； 接極 連 電 ， 閘 極 之 ： 電線為 源閘徵 之逑特 極 前其 電 於 素接 Μ纟項、 前 ， 及入口 1 / 鋁第 或之圍 線钕範 汲之利 述量專 前少請 有申 含如 3 或 線 閘 形第 所或 2 及 / 中 其 錯 ， 在 置 由 裝 係 示 極 顯 電 晶 閘 液 〇 之 者項 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210 x 297公釐）1 37662D1 526356 Η 其 置 裝 。 示 者顯 钕 晶 之液 比之 量 項 8 重 2 2¾第 有或 含 項 中 1 鋁第 在圍 為範 金利 合 專 該請 之申 中如 在 係 古口 而 極 電 汲 與 極 電 源 該 對 。 極者 閘置 之位 體之 晶 遠 電 較 膜板 薄基 之該 中距 5 6 其。其 , 者 ， 置成置 裝形裝 示金示 顯合顯 晶 之晶 液钕液 之之之 項 量項 2 少 2 第有第 或含或 項中項 lisl 第 在第 圍由圍 範為範 利極利 專 電· 專 請 閘請 申之申 如中如 線專 閘請 之 申 中如 鋁 在 由 為 第 圍 範 利 其 o f 者置 成裝 形示 金顯 合 晶 之液 銳之 之 項 量 2 少第 有或 含 項 中 1 形 金 合 之 钕 之 量 少 有 含 中 鋁 在 由 為 線 閘 與 極 電 閘 〇 之者 中成 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐）2 37762D1