TW525308B - Organic light emitting diodes on plastic substrates - Google Patents

Description

五、發明説明（i ) 本發明係有關具有用於有機光電元件（諸如，發光二極 體、薄膜電晶體、光二極體、光生伏打電池及光檢測器） 之優異障壁性質之塑膠基材。 光電子元件，諸如光電池（例如，光檢測器、光二極體、 光生伏打電池）及電發光（EL)元件（例如，發光二極體-亦稱 為LED)可藉由使光及電活性材料夾置於電極間而形成。當 EL元件接受施加之電壓時，自陽極發射之電子洞及自陰極 發射之電子會於光電活性材料内結合以形成單一激子，其 了進行幸田射哀變，藉此釋放光。相反地，於光電池中，入 射於光電活性材料上之光被轉化成電流。 有機材料已變成作為光及電活性材料之非常具吸引 力者。特別地，已被教示具有電發光性質之小有機分子包 含Tang及VanS1yke於美國專利第4,885,221號案及η叩於 Information Display第 16_19頁（1996年1〇月）教示者。聚合有 機電發光材料（例如，聚嚐吩、聚苯撐乙婦撐及聚⑺亦有 用。可以溶液加I處理之聚合物對於製造方便性係最為期 望的，因為其可藉由各種已知塗覆方法自溶液輕易塗覆。 以芴為主之聚合物係特別佳（參見，例如，美國專利第 5,708，130及 5J2M01 號案；W〇97/33193 及 WOGG/46321)。 以此等有機電發光材料製造之發光元件被稱為有機發光元 件或OLED。以聚合物發光元件製得之元件被稱為聚合物 發光元件（PLED)。 因為光之傳遞對於此等光電子元件之性能係重要，至 少一電極需被建構成能使光傳遞至元件内或自it件傳遞出 525308 A7

五、發明説明（3 ) 以形成用以提供障壁保護所需之各種層。 因此，易於製造且需少的組份層之於可撓性障壁保護 基材上之OLED仍係所欲的。 第1圖係本發明元件之代表性具體例之截面圖。 申請人之發明係一種光電子元件，包含·· 一表面上承載透明聚合 (a)透明聚合物基材，於其至少 化有機矽保護層， (b)於聚合化保護層上之第一電極， ⑷包含電活性材料之光電活性薄膜，該薄膜具有與透 明電極接觸之第-側，及與第二電極接觸之第二側，其中 第一電極之特徵在於其能使光傳遞至光電活性薄膜或自光 電活性薄膜傳遞。較佳地，此元件進_步包含位於第二電 極上之額外保護封裝。 光電活性薄膜’’係指能運送電荷及當電荷經薄膜運送 時發光及/或當光入射於薄膜時產生電流之單層或多層結 構。此薄膜較佳係主要，或更佳係全部，由有機材料製造。 電活性材料”及”光電子材料，，於此係同義地被用以描 述擁有電子半導特十生之有機材步斗，其能使電荷#換成光， 或相反為之，如此項技藝者所瞭解作為場作用電晶體之半 導開關。 光電子元件包含光二極體、薄膜電晶體、光檢測器， 及光生伏打電池，但較佳係電發光元件。 透明聚合物基材可為任何光透明聚合物材料。適當熱 塑性材料之例子包含聚乙烯、聚丙稀、聚苯乙稀、聚乙酸 525308 A7 B7 4 五、發明説明（ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乙烯酯、聚乙烯基醇、聚乙烯基縮醛、聚曱基丙烯酸酯、 聚丙烯酸、聚醚、聚酯、聚碳酸酯、纖維素樹脂、聚丙烯 腈、聚醯胺、聚醯亞胺、聚氯乙烯、含氟樹脂，及聚颯。 熱固性物之例子係環氧化物、二烯丙基碳酸酯及尿素蜜胺。 基材厚度係依應用而定，但較佳係不少於約〇 · 1 mm， 更佳係不少於約〇 ·3 mm ’且最佳係不少於約〇 5mm，且較 佳係不多於約1 〇mm，更佳係不多於約5mrn，且最佳係不多 於約2mm。選擇性地，基材可包含外部保護塗覆物，以保 護對抗表面刮痕及基材之與承載聚合化有機矽保護層相反 側上之相似性質。耐磨耗塗覆物可為任何此已知塗覆物。 外部保護塗覆物可與聚合化有機矽保護層相同。 .、可| 聚合化有機石夕保護層較佳係藉由電漿促進之化學蒸 氣沈積形成’其係於過量氧存在中起始有機矽化合物之聚 合反應’如美國專利第5,718,967及5,298,587號案所探討。 起始材料可包含矽烷、矽氧烷或矽吖嗪。矽烷之例子包含 一甲氧基二甲基矽烷、曱基三曱氧基矽烷、四甲氧基矽烷、 甲基二乙氧基矽烷、二乙氧基二甲基矽烷、甲基三乙氧基 石夕烧、二乙氧基乙稀基石夕燒、四乙氧基石夕烧、二甲氧基甲 基苯基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、3_縮水甘油基氧基丙基 三甲氧基矽烷、3-曱基丙烯基氧基丙基三甲氧基矽烷、二 乙氧基甲基苯基石夕烧、三（2_甲氧基乙氧基）乙婦基石夕烧、 苯基三乙氧基矽烷、四乙基鄰矽烷及二甲氧基二苯基矽 烷。矽氧烷之例子包含四甲基二矽氧烷（TMDS〇)及六甲基 二石夕氧烧。t丫嗪之例子包含六甲基料似四甲基料

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發明説明（ 嗪。聚合化有機矽保護層較佳係具有化學式··

Si〇1.0-2.4C0.1_4 5Η：〇 〇 ，承杜 佳係si0 c #H24lW“，且最

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁J 1 土係 S1<Jl 8-24CG.3-l.()及 HG7_4 〇。 較佳地，有機石夕保護層包含鄰近基材且位於基材盘主 要保護層狀«促㈣層。料促進腳可為任何^知 之適當黏著促進劑層，但較佳係以足以產生黏著作用之界 面化干反應之動力里且於實質上缺乏氧中沈積於基材表面 上之第—電漿聚合化有機魏合物。然後，保護塗覆層係 以約10 _至_8心之動力密度且於比塗敷黏著促進 』步驟更冋含里之氧存在中沈積於黏著層表面上之第二電 漿聚合化有機矽化合物主要保護層）。 .、一-T— 因此，依據較佳具體例，基材表面係先以黏著促進劑 層塗覆，其係自沈積於基材表面上之有财化合物之電裝 聚合反應形成。用以產生黏著促進劑之有财化合物之電 漿聚合反應係於足以產生黏著作用之界面化學反應之動力 量完成，較佳係約5xl07J/kg至約5x l09j/kg之動力量。 黏著促進劑層係於缺乏或實質上缺乏载體氣體（諸如，氧） 中製造。”實質上缺乏氧”一辭於此係用1乂意指電聚聚合反 應方法中存在之氧含量係不足以氧化有機矽化合物内之所 有矽及碳。相似地，，，化學計量過量之氧，，一辭於此被用以 意指存在之氧總莫耳數係大於有機矽化合物内之矽及氧之 總莫耳數。 黏著促進劑層之厚度係依應用而定，且較佳係不少於 約50A，更佳係不少於約50〇A，且最佳係不少於約1〇〇〇 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 525308 A7 ------------- _ _ 五、發明説明（6 ) A，且較佳係不多於約1 〇，_ A，更佳係不多於約5_ A， 且最佳係不多於約2〇〇〇入。 然後，黏著促進劑以保護塗覆層塗覆，此塗覆層係以 約1〇6 j/kg至約約/kg之動力密度且於比用以形成黏著促 進劑層所用者更高含量之氧存在中沈積於黏著促進劑層表 面上之電漿聚合化有機石夕化合物。較佳地，保護塗覆層係 於化學計量過量之氧存在中形成。 基材之保護塗覆物厚度主要係依塗覆物及基材之性 質而定，但一般，係厚到足以賦與基材抗溶劑性。較佳地， 塗覆物厚度係不少於約(U微米，更佳係不少於約〇4微 米，且最佳係不少於約〇.8微米，且不大於約1〇微米，更佳 係不大於約5微米，且最佳係不大於約2微米。 曰保護層結構較佳係進一步包含％層，其係於化學計 量過量之氧存在中及以用以形成保護塗覆層之動力密度之 至少約2倍（更佳係至少約4倍，且最佳係至少約_之動力 密度沈積於保護塗覆層表面上之電漿聚合化有機矽化合 物。此層狀物被便利地稱為Si〇x層。但是，Si〇x層亦可含 有氫及兔原子。SiOx層之厚度一般係少於保護塗覆層之厚 度，且較佳係不少於約〇.〇1微米，更佳係不少於約〇〇2微 米，且最佳係不少於約0.05微米，且較佳係不多於約5微 米，更佳係不多於約2微米，且最佳係不多於約丨微米。 所欲地係以交替之保護塗覆層及Si〇x層塗覆黏著促進 劑層。保護塗覆層及Si〇x層之厚度比例較佳係不少於約工： 1，更佳係不少於約2 : 1，且較佳係不大於約1〇 : i，更佳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公董）

、可— (請先閲讀背面之注意事項再"填寫本I) 525308 A7 ~— _ B7 " ................... _ 丨丨 1 丨· - . —_ 五、發明説明（7 ) 係不大於約5 : 1。 層合物選擇性係透明，且包含具約-2000至約+2500布 魯斯特（Brewster)範圍之應力光學係數（S0C)及約16〇。〇至 約270 C範圍之Tg(藉由差式掃瞄量熱法決定）。較佳地，基 材之SOC係不少於約-1000，更佳係不少於約巧〇〇，且最佳 係不少於約-100,且不大於約1000,更佳係不大於約5〇〇， 且最佳係不大於約100布魯斯特。基材之以較佳係不少於 約180X：，更佳係不少於約190它，且最佳係不少於約2〇〇 C，至不大於約250°C，更佳係不大於約24(^c，且最佳係 不大於約230°C。’’光學透明，，一辭於此係用以意指基材具有 至少約80%(較佳係至少約85%)之測量總光透射率值（依據 ASTM D-1003)。 第一電極較佳係透明導性材料，諸如，IT〇，但另外 可為線狀、一系列之線狀或柵狀之不透明材料，於此情況， 入射於光電子活性層上或自其發射之光能繞過電極之側 邊，如美國g品時申請序號第60/259,490號案（2001年i月申請） 所奴α寸。萄電極由ITO製得，ITO可依據用以使IT〇沈積於 基材上之一般程序以蒸氣沈積於保護層上。 然後，光電子活性材料依據已知程序塗敷於電極上。 此等程序包含旋轉塗覆及其它溶劑禱造方法。雖然本發明 元件包含具有以小的有機分子為主之光電子活性層者（參 見例如，Tan§及VanSlyke於美國專利第4,885,221號案及 Tang 於:[nf0rmati0nDisplay，第 16_19 頁，例時则），諸 如聚苯樓乙婦擇為主之聚合物、以嚷吩為主之聚合物，及 本紙張尺度適财關家鮮（o^^T^_297/ad__----

.訂— (請先閱讀背面之注意事項再餐寫本1) # 五、發明説明（8 ) 以％為主之聚合物之好 ;斗係較佳。最佳係包含至少更佳 係至少10)個如下化學式一 》(更隹 八之重禝單元之聚合物··

較佳係具有少於5之多分散性，其中Rl=)一情況係 個別^烴基或含有-或多個S、N、〇、M_^Ci-2。 、一土 ！ 基叛基氧基、C4-16芳基（三院基石夕氧院基）或 -R可與芴環上之9_碳形成c5 2。環結構或含有一或多個 s、N*〇雜原子之c4_2G環結構； R2於每-情況中個別為Cl_2。烴基、Ci2G烴基氧基、Cm。 硫代醚、基羰基氧基或氰基；且 a於每一情況中個別為〇或1。較佳地，實質上所有此等 重複單元係經由2及7個碳原子於聚合物鏈内連接。 聚合物可為同聚物，但更佳係上述重複單元（或單體單 元）與一或多種額外之共軛單體單元之共聚物。此等其它共 軛單體單元之例子包含自丨，2-二苯乙烯或1，4-二烯化物、三 級胺、N，N，N’，N’-E9芳基-1，4-二胺基苯、n，N，N，，N，-四芳基 聯苯胺、N-取代-咔唑、二芳基矽烷、噻吩、呋喃、吡咯、 多環芳香族化物，諸如，苊、菲、蒽、12-苯并苊、芘、 並、紅熒烯、篇及苛（corene);含有亞胺鍵結之5_元雜環， 諸如’噁唑.、異噁唑、N-取代·咪唑/派唑、嗔唾/異σ塞唾、 °惡一唾’及Ν-取代-三唑；含有亞胺鍵結之六元雜環，諸如， 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4规格（210X297公釐） 525308 A7 B7 五、發明説明（9 ) °比σ定、°達σ秦、哺σ定、ϋ比嗪、三嘻及四嗔；含有亞胺鍵結之 苯并熔合之雜環，諸如，苯并σ惡唆、苯并嘍唾、苯并味唾、 。奎琳、異σ奎琳、σ曾琳、。奎σ坐琳、4 σ惡琳、g太嘻、苯并嗔二 °坐、苯并三嗪、吩嗓、菲σ定及吖σ定；及更複雜之單體單元， 諸如，丨，4-四氟苯撐、1，4’-八氟聯苯撐、1，4-氰基苯撐、1，4-二氰基苯撐及其述之單體單元

x = o,s x = o,s x = o，s 請 先 閲 面 之 注 意 事 項 再 填— 寫 本 頁.

此等聚合物材料可單獨使用或與其它共軛聚合物（其 較佳亦係以多芴為主）摻合使用。 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 525308 A7

#光電子活性薄膜可選擇性包含多於一層。例如，促進 電何T射及/或電荷運送之層可與―或二電極使用。因為電 請 先 閱 讀 背 面 之 意 事 項 再 填‘ 寫 本 頁- 、同係自陽極賣射，與陽極相鄰之層需具有使電子洞噴射 於其内及運送電子洞之功能。相似地，與陰極相鄰之層需 有運送包子之功能。於許多例子中，電子洞運送層或電 子運运層亦可作為發光層。於某些例子中，—層可施行電 子洞及包子之運送及發光之混合功能。有機薄膜之個別層 於性負上可皆為聚合物，或藉由熱蒸發而沈積之聚合物薄 膜與小分子薄膜之混合。較佳地，有機薄膜之總厚度係少 ;〇 nm更佳係總厚度係少於500 nm。最佳係總厚度 係少於300 nm。 & 訂 陽極可以導性物質薄層塗覆以促進電子洞之噴射。此 等物質包含酞菁銅聚苯胺及聚（3,4_乙撐基二氧基·噻 刀）(PEDOT),後二者係藉由以強有機酸（例如，聚（苯乙烯 石黃酸）)摻雜之其導電形式。較佳地，此層之厚度係2〇〇⑽ 或更少；厚度更佳係1〇〇 nm或更少。另外，更實質之個別 電子洞運送層被使用，美國專利第5,929，194號案描述之聚 合芳基胺可被使用。其它已知之運送電子洞之聚合物（諸 如，聚乙烯基咔唑）可被使用。此層對薄膜溶液（其可於其 次被塗敷）之抗腐蝕性對於多層溶液塗覆元件之成功製造 明顯上係重要。此層之厚度可為5〇〇nm或更少，較佳係 nm或更少，最佳係15〇 nm或更少。另外，此等元件之選擇 性之電子洞運送層可選自半導性聚合物（諸如，摻雜之聚苯 胺、摻雜之聚（3,4_乙撐-二氧基噻吩）及摻雜之聚吡咯。，，摻 本紙張尺度適用中國國家標準（哪）A4規格（21〇χ297公釐） 13 525308 A7 ______B7 五、發明説明（n ) 雜’’係意指半導性聚合物（諸如，聚苯胺及聚（3,4_乙撐-二氧 基嘍吩之苯胺綠鹹）與添加劑之摻合，其使形成之聚合物組 成物更具導性。較佳地，導性聚合物係自使聚（3,4_乙撐_ 二氧基噻吩）與聚合酸摻合而衍生。更佳地，聚合酸含有磺 酸基，且最佳係聚（苯乙烯磺酸）。最佳係自使聚（3,‘乙撐_ 二氧基噻吩）與至少2當量之聚（苯乙稀石黃酸）摻合而衍生。 若電子運送層被使用，其可藉由低分子量材料之熱蒸 發或藉由以不會對基本薄膜造成顯著損害之溶劑之聚合物 溶液塗覆而塗敷。低分子量材料之例子包含羥基喹啉之 金屬錯合物（如Burrows等人之應用物理論文（Applied

Physics Letters)，第 64 冊，2718-2720 頁（1994)所述）；10-羥 基苯并（h)喳啉之金屬錯合物（Hamada等人於化學論文 (Chemistry Letters)’ 906-906 頁（1993)所述）；1，3,4-噁二唑 (Hamada等人於光電子學-元件及技術（〇ptoeiectr〇nics -Devices and Technologies)，第 7冊，83-93 頁（1992)所述）； 1，3,4-三峻（Kido 等人於化學論文（Chemistry Letters)，47-48 頁（1996)所述）；及芘之二碳草醯亞胺（Yoshida等人於應用 物理論文（Applied Physics Letters)，第 69 頁，734-736 頁 (1996)所述）。運送電子之聚合物材料係以含1，3,4，-噁二唑 之聚合物（Li等人於化學協會期刊（Journal of Chemical Society)，2211-2212 頁（1995)及 Yang 及 Pei 之應用物理期刊 (Journal of Applied Physics)，第 77冊，4807-4809 頁（1995) 所述）；含丨，3,4-三吐之聚合物（如Strukelj等人於科學 (Science)，第267冊，1969至1972頁（1995)所述）；含喹喔啉 14 本紙張尺度適用中國國家標準A4規格（210X297公變） 525308 A7 B7 五、發明説明（12 ) 之聚合物（如Yamamoto等人於日本應用物理期刊（Japan Journal of Applied Physics)，第 33冊，L250至 L253行（1994) 及O’Brien等人於合成金屬（Synthetic Metals)，第76冊，第 105至108頁（1996)所述）；及氰基-PPV(如Weaver等人於薄 固體膜（Thin Solid Films)，第 273冊，第 39-47 頁（1996)所述） 例示。此層之厚度可為500 nm或更少，較佳係300 nm或更 少，最佳係15 0 nm或更少。 金屬陰極可藉由熱蒸發或藉由喷濺沈積。陰極之厚度 可為100 nm至10,000 nm。較佳之金屬係鈣、鎂、鏡及鋁。 此等金屬之合金亦可被使用。含1至5%之鋰之鋁合金及含 至少8 0 %鎂之錤合金係較佳。 本發明之EL元件於接受50伏特之應用電壓時發光，且 發光效率係至少0.1流明/瓦，但其可高達2.5流明/瓦。 此元件可進一步藉由使覆蓋物（諸如，WO 00/69002所 揭示）黏著至基材及於活性材料上而封裝及對環境產生防 護。另一種保護性封裝可包含可撓性載體塗覆之聚合物 膜。此障壁塗覆之聚合物薄膜可與承載聚合化有機矽保護 層之基材相似或相同，或可為任何其它適當材料。 參考第1圖，可見到本發明之代表性元件1之截面圖（非 依比例）。此元件包含基材12，其於一側上具有外保護層 11，且於相反側上具有聚合化有機矽保護層13。於聚合化 有機矽保護層13上，陽極被發現。光電子或光電之活性薄 膜20係位於陽極上。此薄膜20包含電子洞運送層23及光電 子材料層24。於薄膜20上發現陰極25。連接器26及27使此 15 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填- 寫 本 頁- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 525308 A7 B7 五、發明説明（13 ) (請先閲讀背面之注意事項再f寫本頁) 元件連接至動力源（對於OLED元件）或電流檢測器（對於光 檢測器）。此代表性元件係以具完整封裝顯示，於此情況 中，其係内障壁層31(其可與層13相同或相異）、聚合物薄 膜32及選擇性之第二外部保護層33。 範例 PECVD塗覆室及所有基材之處理係於Class 1000消毒 清潔室内施行。沈積前，塗覆室内之所有内部組件被清潔 以使沈積薄膜之顆粒污染達最小。PLED元件之基本基材係 300 mm X 300 mm X 1.0 mm之聚碳酸酯片材，其係購自 Goodfellow公司。此等片材係藉由使用黏著劑片及鐵線掛 鉤裝置於電漿室内。單一塗覆操作係由二垂直懸浮於間隔 為25 cm之二電極間之片材所組成。基材係與電極面等距。 然後，於沈積序列開始前，室被抽真空至約1毫托耳之基本 壓力。黏著層係使用16.5標準立方公分/分鐘（seem)流速之 四甲基二矽氧烷（丁14080)沈積，其係以“[〖8 1152型蒸氣流 控制器控制。40 kHz電場被電容偶合至電極形成進階能量 PE II型（Advanced Energy Model PEII)動力供應。黏著層沈 積期間承載於電漿之動力係800 W。室壓力非於此室内直 接控制，但係藉由進入室内之氣體流速及未使用之反應物 及因電漿處理而產生之氣體產物之泵取速率之平衡而決 定。黏著層之處理壓力約4-6毫托耳。沈積之黏著層厚度係 約100 A，構成45秒之沈積時間。此時，供應至室之氧係使 用MKS 1160型之質流控制器以40 seem之氧開始。然後， TMDSO之流動係於3分鐘之時間從16.5 seem上升至50 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） _ . 525308 五、發明説明（14 S隱。於此上升完成時，具有Si〇i_CG_HG7。範圍之 化學組成物之層被沈積丨小時，其構成約2·5微米之厚度。 此層亦藉由晴之應用動力生長。此層之處理壓力係： 毫托耳。當所欲厚度被達成時，ΤΜ_之蒸氣供料被降 至16.5 SCCm，且氧之流動於約1〇秒鐘期間增加至I% seem。應用之動力增加至15〇〇 w，且Si〇x層於3分鐘沈積 期間生長至約3〇〇A之厚纟。當此層完成時，應用動力被關 掉且所有氣體供料被停止。然後，此室通風至大氣壓力， 且基材被移除。清理電極及内室組件後，系統可作為另一 沈積。由銦錫氧化物（ITO)製成之陽極係藉由對Ιτ〇之標準 電漿沈積方法沈積於障壁層組成物上。邦耳公司之 Baytr〇n-P™聚乙烯二氧基噻吩被旋轉塗覆於ιτ〇上，且使 其完全乾呆。以聚芴為主之發光聚合物被旋轉塗覆於 Baytron-p層上。被塗覆之基材被插入真空金屬化系統内， 其係於10·7托耳（毫巴）範圍之基本壓力操作。於此室内，陰 極被沈積，其係由鈣薄層及其後之作為保護上層之較厚層 組成。此元件現係可操作，但進一步包埋或封裝以保護電 活性組份免於因環境條件及處理而受損。如此製得之元件 可於空氣中操作。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公

.........----- (請先閲讀背面之注意事項再«*寫本I) 訂----- 525308 A7 B7 五、發明説明（15 ) 元件標號對照 1…元件 11…外保護層 12…基材 13…聚合化有機石夕保護層 20…光電子或光電之活性 薄膜 2 3…電子洞運送層 24···光電子材料層 2 5…陰極 26,27·"連接器 3 1…内障壁層 32···聚合物薄膜 3 3…第二外部保護層 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 、申請專利範圍 一種光電子元件，包含： 透明聚合物基材，於其—表面上承載透明聚合 機矽保護層， 於该聚合化保護層上之第一電極， 包含電活性材料之光電活性薄膜，該_具有與該 透明電極接觸之第-側，及與第二電極接觸之第二側: 其中該第-電極之特徵在於其能使光傳遞至該光電活 性薄膜或自光電活性薄膜傳遞。 / 2. 如申請專利範圍第㈣之光電子元件，其中該有機石夕保 護層具有化學式Si〇1〇.24C〇i45iW8〇。 3. 如申請專利範圍第i項之光電子元件，其中該有機石夕保 護層具有化學式Si〇18-24C〇3.i〇H〇74〇。 4. 如申請專利範I第⑴項之任—項之光電子元件，其 中該有機石夕保護層係藉由電聚促進化學蒸氣沈積塗敷 至該基材。 5.::' =圍第1項之一 ’其中該電活性材 6. 8. 如申請專利範圍第丨至3或5項之任一項之光電子元 件’其中於該基材及該保護層間具有黏著促進劑層。 如申請專利範圍第6項之光電子元件，其中該黏著促進 劑層係藉由電漿促進化學蒸氣沈積塗敷。 如申請專利範圍第6項之光電子元件，#中該黏著促進 劑層具有化學式Si0, Μ爲。·8，附帶條件係該保 漠層包含比该黏著促進劑層更多之氧。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210χ297公酱） 525308 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9. 如申請專利範圍第1項之光電子元件，其中二氧化矽層 被塗敷於該保護層與該第一電極之間。 10. 如申請專利範圍第6項之光電子元件，其中二氧化矽層 被塗敷於該保護層與該第一電極之間。 11 ·如申請專利範圍第1項之光電子元件，其中該基材包含 外保護塗覆物。 20 請 先 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 填祕 寫 本 頁1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐）