TW525222B - Method of using the same light source as alignment source and exposure source - Google Patents

Description

525222 45 1 9twf.doc/〇〇6 A7 B7 五、發明説明（丨） 本發明是有關於一種對準與曝光製程，且特別是有關 於一種使用相同光源做爲對準源與曝光源的方法。 在生產半導體元件的製造過程中，微影製程一般使用 在製造微半導體結構於一半導體或砂基底表面。傳統上， 微影製程包括下列步驟：形成一光阻層覆蓋矽基底表面； 經由一投光器投射出光線於光阻層，藉以聚焦一特定光圖 案於其上；顯影曝光後之部分光阻層；去除未曝光之殘餘 光阻層；以及蝕刻暴露出之半導體基底表面部分，直到形 成所要求之圖案爲止。使用幾種不同圖案並重複進行上述 之微影製程’直到所需之微半導體結構完成於半導體基底 表面爲止。 因此，在微影製程中，於形成圖案於基底上前，準確 無誤地對準圖案是非常重要的。此外，微影製程要求一種 所謂的精確對準製程，用以對準每一次之圖案。爲了準確 的完成上述製程，基底表面上之預定位置的一些標記被當 作對準標記（alignment mark)來使用，並依據這些標記來完 成圖案間之相對位置。 然而，隨著積體電路之半導體元件的積集度日益增 加’製程的準確度就顯得格外重要。因爲一旦在製程中發 生細微錯誤（error)，即可能就會造成製程的失敗，導致晶 片的毀損或報廢，因而耗費大量成本。 舉例來說，傳統上都是使用兩種不同的光源來進行對 準與曝光製程，亦即先使用所謂的紅光(red Ught)來做對準 動作’之後再使用i線屮!^!^)或深紫外線(DUV)光源[俗稱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) μ規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝.

、1T I·線· 525222 45 1 9twf.doc/006 A7 B7 五、發明説明（1 ) 藍光（blue-light)]進行曝光製程。然而，經過上述紅光做對 準及藍光做曝光後，由於兩者波長的不同，因此通常會產 生一種所謂的紅-藍位移(red-blue shift)現象，致使大多數的 測定設備都必需去補償此紅-藍位移，否則將會在製程中造 成對準錯誤而蒙受損失。 有鑒於此，本發明提出一種使用相同光源做爲對準源 與曝光源的方法，包括首先提供一基底與一光源，基底之 正面覆蓋有光阻層，且基底之背面配置有對準標記。接著， 此光源經分光器折射後做爲對準源，藉以對準上述對準標 記。最後，此光源透過分光器後做爲曝光源，藉以對光阻 層進行曝光製程。 本發明係使用同波長之相同光源同時做爲對準源與曝 光源，因此不會有紅-藍位移現象產生，不僅可獲得更精準 的對準執行效能，更可以提昇產品良率，避免產品因對準 錯誤而造成毀損。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細 說明如下： 圖式之簡單說明： 第1A〜1B圖繪示的是依照本發明一較佳實施例的一種 使用相同光源做爲對準源與曝光源的方法流程圖。 圖式之標號說明： 10 :基底 12 :光阻層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 525222 45 19tvvf.doc/006 B7 五、發明説明（3 ) 14 :分光器 16a、16b、16c :鏡面 18 :對準標記 20 :光罩 實施例 爲了避免因使用兩種不同的光源來進行對準與曝光製 程所造成的紅-藍位移現象，導致大多數的測定設備都必需 去補償此紅-藍位移，否則將會在製程中造成對準錯誤而導 致晶片毀損，因此本發明提出一種使用相同光源來同時做 爲對準源與曝光源的方法，由於對準源與曝光源係爲同一 光源，故不會造成習知的紅-藍位移現象，將可以避免對準 錯誤的問題產生。 請參照第1A〜1B圖，其繪示的是依照本發明一較佳實 施例的一種使用相同光源做爲對準源與曝光源的方法流程 圖。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先請參照第1A圖。當我們要對基底10上之光阻層 12進行曝光製程前，首先必須先進行對準動作，等到確定 對準無誤後才能繼續進行曝光動作。因此，如圖所示，例 如由一曝光機或步進機提供一光源，此光源會先經過分光 器（light splitter)14的折射，並依序經過鏡面16a、16b與16c 之折射後，對配置於基底10背面之對準標記18進行對準 步驟。 接著請參照第1B圖。當完成上述對準步驟後，轉動分 光器14到一定角度，使得此光源可透過分光器14對光罩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 525222 45 19twf.doc/006 A7 五、發明説明（午） . _ 20下方之光阻層12進行曝光製程。當經過曝光製程後， 再進行顯影製程，即可得到如圖所示之光阻層12的結構。 本發明係將傳統配置在基底正面之對準標記’改成配 置於基底背面，並使用同一光源先對準這些對準標記後’ 才再使用該光源進行曝光製程。由於本發明所使用之對準 源與曝光源係爲同波長之相同光源’因此不會有習知1的紅^ 藍位移現象產生，如此將可獲得更精準的對準執行效能’ 避免造成對準錯誤，進而可提昇產品良率。 綜上所述，本發明具有以下的優點： (1) 使用同波長之相同光源做爲對準源與曝光源’故不 會有紅-藍位移現象產生。 (2) 可獲得更精準的對準執行效能’避免造成對準錯 誤，進而達到提昇產品良率的目的。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作各種之更動與潤飾’因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂 i·線 張 紙 本

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 525222 A8 45 1 9twf.doc/006 C8 D8 六、申請專利範圍 1·一種使用相同光源做爲對準源與曝光源的方法，包括 下列步驟： 提供一基底與一光源，該基底之正面覆蓋有一光阻 層，該基底之背面配置有至少一對準標記； 該光源經一分光器折射後做爲一對準源，藉以對準該 對準標記；以及 該光源透過該分光器後做爲一曝光源，藉以對該光阻 層進行一曝光製程。 2. 如申請專利範圍第1項所述之使用相同光源做爲對準 源與曝光源的方法，其中該光源係由曝光機所提供。 3. 如申請專利範圍第1項所述之使用相同光源做爲對準 源與曝光源的方法，其中該光源係由步進機所提供。 4. 如申請專利範圍第1項所述之使用相同光源做爲對準 源與曝光源的方法，更包括轉動該分光器到一定角度，藉 以使該光源可透過該分光器對該光阻層進行該曝光製程。 5·如申請專利範圍第1項所述之使用相同光源做爲對準 源與曝光源的方法，其中該基底之正面上方置有一光罩， 用以在該曝光製程中，使該光罩上之圖案轉移到該光阻層 上。 6·如申請專利範圍第1項所述之使用相同光源做爲對 準源與曝光源的方法，更包括當該光源經該分光器折射 後，會再依序經過複數個鏡面之折射，對配置於該基底背 面之該對準標記進行對準步驟。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、1T