TW513487B

TW513487B - Method for producing anti-reflection plated film by sputtering and wet-type plated film

Info

Publication number: TW513487B
Application number: TW89107402A
Authority: TW
Inventors: Jau-Jie Ju; Jau-Sung Li
Original assignee: Applied Vacuum Coating Technol
Priority date: 2000-04-19
Filing date: 2000-04-19
Publication date: 2002-12-11

Description

513487

發明領域本發明係有關於一種用於陰極射線管（CRT )破填爲 f之鍍膜製造方法，此鍍膜包含一光學效果層系統，具^有 f的抗反射以及低電阻效應。更具體地來說，本發明^供「種結合真空濺鍍及溼式鍍膜的製造方法，其中真空賤錢過，提供高導電性氧化層，溼式製程係用傳統旋轉鍍膜形成氧化矽表面層。發明背景美國專利4, 921，7 6 0號揭示一種在Ce02層跟合成物脂間’具有良好的附著特性的多層抗反射層鍍膜。這個多層膜的系統包括了下列物質：Ce02、A1203、Zr02、Si02、 T i 0 2跟T a 2 0 5。在這多層系統中的薄膜全都是由真空蒸鍍或是濺錢過程所產生，並且其中有三到五層薄膜。舉例來說，一個五層結構的總厚度約為3 5 8 0埃。在這個五層結構中最厚的兩層薄膜分別為Ce02 ( 1360埃）以及Si02 ( 1220 埃）。美國專利5，1 0 5，3 1 0號揭示一種藉由反應濺鍍 (reactive sputtering)且設計用在線上鍍膜機器的多層抗反射鍍膜。而這個多層膜結構包含了 Ti 02、Si 02、

Zn0、Zr02跟Ta205。在這多層系統中的薄膜全都是由真空蒸鍍或是濺鍍過程所產生，並且其中有四到六層薄膜。舉例來說，一個六層結構的總厚度約為4 7 0 〇埃。且在這個六層結構中最厚的兩層薄膜分別為zn〇 ( 1 3 7 0埃）以及Si 02 (1 3 6 0 埃）。美國專利5, 091，244號跟5, 40 7, 73 3揭示一種新式的導

513487 銮號 89107402 五、發明說明（2) 電性光衰減抗反射層鍍膜。這些專利之範圍主要揭露一種可提供導電、光衰減及反光表面的某些過渡元素氮化物材料。這個多層結構包含了 TiN、NbN、Sn02、Si〇2、 A 1 203、跟Nb205。在這個多層結構中的薄膜材料為氮化物及氧化物。在此多層結構中有三到四個薄膜。在專利中的例子，一個四層結構的總厚度約為1 6 1 〇埃，且其中最厚的兩層薄膜分別為211〇( 6 5 0埃）以及8丨〇2 ( 8 2 0埃）。這兩、層薄膜對於可見光的穿透率都低於百分之五十。所有的X薄膜都是由真空蒸鍍或是錢鍍過程所產生。、美國專利5，1 4 7，1 2 5號揭示一種使用氧化鋅，以提供對於波長小於3 8 0奈米（nm )抗紫外光的多層抗反射膜。這個多層系統包括了 Ti02、Si02、ZnO跟MgF2。所有的薄膜是由真空蒸鍍或是濺鍍過程所產生。在這個多層系統中有四到六個薄膜層。在專利中的例子裡，一個五層結構的、’、心尽度約為7350埃。且其中最主要的兩層薄膜分別為 (43 9 0埃）及j|gF2 ( 1 3 2 0埃）。所有薄膜都是由真空蒸鍍或是濺鍍過程所產生。 …、又美國專利5，1 7 0，2 9 1號揭示一種具有光學效應及高抗反射效應的四層結構。這些層乃是由熱解（pyr〇litic)方式、電漿化學氣相沉積法、濺鍍法及化學沉積法所形成。其包含了 Si〇2、Ti02 ' A1203、ZnS、MgO 及 Bi203。在專利所說明的範例中，一個四層結構的總厚度約為2 4 8 0埃。最主要的兩層薄膜分別為Ti 〇2 ( 1 04 0埃）及Si 02 ( 940埃美國專利5，2 1 6，5 4 2號揭示一種具有高抗反射的五層

第5頁 513487 Λ 修正曰案號 89107402 五、發明說明（3) 膜結構。其製程利用一個厚度約為i奈米（nm )的附著層 (Ni、Cr或NiCr)。其它的四層膜則由Sn〇2、Zr〇2、

ZnO 、 Ta205 、 NiO 、 Cr〇2 、 Ti02 、 Sb2〇3 、 In2〇3 、 A12〇3 、

Si 02、TiN跟ZrN組成。在專利中的例子裡，一個五層結構的·=厚度約為2 33 7埃。1其中最主要的兩層薄膜分別為 1 _500埃）及31〇2(138了埃）。這兩層薄膜對於可見率都低於百分之三十。戶斤有薄膜都是由真空蒸鍍或疋錢鍍過程所產生。美國專利5, 541，77 0號揭示一福七人7兩、當成μ μ > 減抗反射層膜。這是一個四或匕3 了電ν層的先哀 φ ，且古一 ^ = a五層的糸統。在這個系統二;折射率光吸收的金屬如Cr、μ〇 :12〇广气膜η。而其它”或四層結構為⑽、IT。、材科a气& 寻j顯不了此層狀系統中最主要的材料為虱化物及氮化物，而唯一氺璺辇> # , ^ , 的金屬在抗反射膜中做為 =政：膜用。戶斤有薄膜都是由真空蒸鐘或是…程 Ξί。，利：說明的範例卜個五層結構的總厚度、、’、.、、矣，其隶主要的兩層薄膜分別為ΙΤ0 ( 334埃）' S1 0 2 ( 7 2 〇埃）。而這個層狀系統對於可見光的穿透率低於百分之六十。一美國專利5,3 6 2,5 52號揭示一種包含三層導電金屬氧化層的六層抗反射膜。此系統包含了 S i 〇 2、I Τ 0、N b 2 0 5跟 Ta20’且在導電金屬氧化層總共約一個可見光波長的厚度裡可邊也包含在薄膜中。在專利中六層結構的例子裡，最主要的兩層薄膜分別為Si 02 ( 8 54埃）跟IT〇 ( 1 9 7 5埃）。所有薄獏都是由真空蒸鍍或是濺鍍過程所產生。

第6頁 513487 -----案號89107402 年月日 _修正____ 五、發明說明（4) 美國專利5，5 7 9，1 6 2號揭示一種如橡膠般具有溫度靈敏性質之基板的四層抗反射層薄膜。其中有一層為快速沉積且不會將大量的熱傳遞給基板的直流反應歲鐘金屬乳化物。此層狀系統包括了 Sn02、Si02、跟ITO。就一個四層結構的例子來說，最主要的兩層薄膜分別為S η 0 2 ( 7 6 3埃 )跟S i 02 ( 9 4 0埃）。所有薄膜都是由真空蒸鍍或是濺鍍過程所產生。美國專利5, 728, 45 6號與5, 78 3, 049號揭示一個能夠改善沉積在塑膠膜上的抗反射薄膜。此多層膜是隨著真空濺錢過程中，利用滾轉機鑛膜而成。此系統包含了 I T 〇、S i 0 跟一個覆蓋在可溶解氟聚合物層上的薄潤滑層。在專利中的例子，一個六層的結構總厚度約為2 6 3 0埃。最主要的兩層薄膜為ΙΤΌ ( 888埃）跟Si 02 ( 8 6 9埃）。由上敘述，可清楚看出在這些具有高抗反射效應及高可見光穿透率（大於百分之九十）的薄膜系統中，所有薄膜皆是由真空蒸鍍及（或）濺鍍過程所產生。另一方面，在這類系統裡面最主要的高折射率材料層的厚度約在7 〇〇埃至2 0 0 〇埃之間，而最主要的低折射率材料層的厚度約在 7 0 0埃至1 4 0 0埃之間。發明總論本發明的主要目的是藉由濺鍍的過程提供一個抗靜電 (anti-static)薄膜並且結合利用溼式過程如旋轉錢膜、喷濺鍍膜等的抗反射薄膜。製作透明導電氧化薄膜層的過程在工業大量生產中具

第7頁 513487 _案號891ί)74Π?_年月日_修正五、發明說明（5) 有高可靠性’且長久以來一直為半導體、顯示器、建材玻璃及塑膠板等工業所需要。因為利用濺鍍過程來製做低電阻性且高透明導電氧化層薄膜比溼式過程來得容易（不論是旋轉鍍膜或是喷濺鍍膜）。本發明提供了一個結合抗反射的抗靜電大量生產系統，或是線上的物理氣相沉積跟溼式鍍膜。一些眾所周知的導電氧化膜如Sn02、ZnO、

In203 、 Sn02 : F 。 Sn02 : Sb ， In203 : Sn 、 ZnO : A1 、

Cd2Sn〇4 、 In203 — ZnO 、 Sn02 — ZnO 跟 In203 — Mg〇等都是相當高成本、低效能（高電阻）、低使用率（約百分之三至百分之五）從溼式鍍膜過程中所得到的化學溶液。粗略地估算由氧化物所組成的陰極射線管（CRT )傳統系統，其所需要做為抗靜電效果（103〜105Q/square)及光學抗反射等效薄膜的厚度約為2 0 0奈'米（nm) ( IT0 : 1〇〇奈米 (nm )，氧化矽：1 〇〇奈米（nm ))。實驗顯示對於如 IT0、ΑΤΟ、IZ0跟AZ0等厚度大於100奈米（nm)之導電氧化物的溼式鍍膜，由於烘烤的動作使其具有低平整度、高電阻性 '低穿透率及高成本。在導電氧化物的濺鍍過程中’厚度要低於50奈米（nm)以符合電阻值（1〇〜1〇)，在光學抗反射效應中很重要的薄膜平整度小於百分之三，且該薄膜也比溼式製程製作出來的材料還硬（9 Η )。另外一方面，在溼式製程中對於厚度相當敏感的基板溫度跟烘烤的過程也長了 2 0〜3 0分鐘，而這個短周期的過程對於大量生產的過程是相當困難的。本發明提供了由pVD系統所沉積而成的三層氧化物以及由溼式製程所沉積的氧化矽的 anti - static系統抗反射能力。因為高導電氧化層與擴散

513487 _案號89107402_年月曰修正_ 五、發明說明（6) 保護氧化層被PVD所包含，此多層系統在氧化矽的溼式薄膜製程中保持了低電阻性以及低抗反射能力。本發明也提供了可以用在陰極射線管（CRT )表面鍍膜之抗反射層薄膜，具有高導電性及抗靜電性。本發明的抗反射層薄膜裡有四層的結構，最接近基板的稱為第一層，第二至第四層以此類推。每一層都以厚度或是光學厚度來描述其特性。光學厚度是由每一層的厚度乘上其折射率而來，且其通常以我們所設計的波長的分數來表示。在我們的發明裡所使用的波長約為5 2 0奈米（nm )° 第一層或是最裡面的那一層是由透明導電氧化物所組成。一般來說此透明導電氧化物較常用I TO，因為它對於可見光的吸收很小，其在可見光波長5 2 0奈米（nm )之折射率約為1. 8 5至2. 1，光學厚度約為我們所設計波長的六分之一至十分之一。第二層為一氧化材料。一般來說由於Si02對於可見光不會吸收，其在可見光波長5 2 0奈米（nm )之折射率為 1. 4 5至1. 5，而實際厚度在我們所設計的波長約為1 0 0至 300奈米（nm)。第三層也是氧化材料，此氧化層的折射率類似I TO，一般來說由於SnO 2對於可見光不會吸收，其在可見光波長 5 2 0奈米（nm )之折射率為1 · 8 5至2 · 1，而實際厚度在我們所設計的波長約為4 0 0至6 0 0奈米（nm )。而第四層和第二層相同，唯一的差別是在於第二層是由藏鍵方式形成，而第四層是在TE I S溶液裡由溼式過程所產生。一般來說我們

513487 _案號891Q7402_年月日__ 五、發明說明（7) 稱此材料為氧化矽。其折射率為1 . 4 5至I 5 5之間且其光學厚度在我們所設計的波長約為四分之一個波長。在本發明的較佳具體實例中，四層膜的結構中的第一層為I TO，在樣本一中其厚度為40奈米（nm)，在樣本二中其厚度為25奈米（nm)。第二層為Si02，在樣本一中厚度為20奈米（nm)，在樣本二中厚度為25奈米（nm)。第三層為SnO，在樣本一中厚度為40奈米（nm )，樣本二中厚度為55奈米（nm)。第四層為氧化矽，在樣本一與樣本二中厚度同為85奈米（nm)。本發明可實現前述目標，也就是從I TO薄膜中得到1 0 2 Ω/square至103Q/square，而且在可見光400奈米（nm) 至700奈米（nm)的範圍裡，可以在玻璃或是塑膠基板上得到低的反射頻譜。在這個四層的光學薄膜層裡面，在波長範圍40 0奈米（nm)至7 0 0奈米（nm)的任何波長其反射都小於百分之五。我們很容易就可以說明此製程具有可靠性、簡單、易控制且具有經濟效應。以這樣的製程製作低電阻、高硬度且中性抗反射膜變為相當可能。大量生產或是i η- 1 i ne濺鍍系統將用來沉積可以做為低電阻、高光學特性及高s c r a t c h電阻的第一 '二、三層的薄膜。而渔式鍍膜系統將被用來沉積第四層氧化矽層，且可用降低成本。此外，本發明中的層狀系統對於電磁屏蔽（EM I sh i e 1 d )具有高導電性、對於光學觀點來說具有低反射特性、對於表面鍍膜具有高scratch電阻、並且可以降低成本。舉例來說，我們可以利用濺鍍製程及溼式製程的結

第10頁 513487 _ 案號89107402_年月日修正 __ 五、發明說明（8) 合，在陰極射線管（CRT )破璃基板上完成一個四層的抗反射及anti-static層膜。此層狀系統可具有1 〇2 Ω /square至l〇3D/square的低電阻以讓TC09 9通過，並且其硬度可以使付軍事標準MIL — C — 48497或MIL — C — 675的刻劃測試，且其光學品質相當優異可以避免反射及假像的產生。此外，本發明可利用一 DC ' AC、RF磁控管濺鍍系統在 3m Toi：r(m=miii = 〇.001)氣壓的 Ar^〇2 混合氣體下，由I TO、Si、Sn的靶材中提供第一、二、三層的薄膜濺鍍。而第四層薄膜可以在330C且烘烤溫度2000C/30min的情況下’由T E I S溶液裡利用旋轉濺鍍或是噴灑濺鍍等溼式製程來鍍成。本發明具有下列優點：對於陰極射線管（CRT )的傳統溼式抗反射及抗靜電鍍膜製程對於是很難通過T C 0 9 9，薄膜厚度跟品質對於溫度相當敏感且會產生像是電阻及光學效應的問題。對於低電阻渥式鍵臈製程所需用的化學溶液成本相當地高，並且該電阻很難達到1〇2 Ω /square。本發明包含了利用濺鍍方式所鑛成的二層氧化層及溼式鍍膜方式所鍍成的一層氧化層，且有兩種型態的光學層狀系統，我們分別命名為樣本一與樣本二。樣本一中，第一、二、三層氧化層的厚次分別為40、20、40奈米（nm )。第四層氧化矽層的厚度則為 8 5奈米（nm )。因為利用真空濺鍍系統所鍍成的導電薄膜層，其電阻可以低至102Ω /square。第二層也是利用濺鍍系統鍍成，並且可以做為擴散阻障的保護層。第三層濺鍍

513487 _案號89107402_年月曰修正_ 五、發明說明（9) 層SnO，利用化學溶液不容易蝕刻，因此其可以做為抗腐蝕以及在其下之I TO的保護層。第四層氧化矽是由溼式製程所鍍成，其相當容易製作且低成本。比較有趣的是，此層狀系統的電組約為1 · 5 ’ 1 0 2 Ω / s q u a r e，且在4 0 0奈米 (nm)至700奈米（nm)之間的所有波長其反射率小於百分之五，而平均反射率約為百分之零點五。對於陰極射線管（CRT )應用來說，它具有極優異的性質。在樣本二中，第一、二、三層氧化層的厚度分別為 2 5、3 0、5 5奈米（nm )。第四層氧化矽層厚度則為9 5奈米 (nm)。其電阻約為3.8’ 102D/square且其光學效應具有寬頻的抗反射。平均反射率低於百分之零點五。本發明是在玻璃上製作抗反射及anti-static薄膜，由三層錢鍵層及一層具有高效能、易製作、低成本、經濟效益的製程溼式鍍膜層所組成。為使本發明之步驟，功效及特點更為人所瞭解，茲舉實例並配合附圖，說明本發明之較佳實現方式：較佳具體實例說明在本發明中我們實現了上面所描述的目標，也就是在陰極射線管（CRT )基板上藉由濺鍍及溼式製程所製成的四層膜系統，以及在可見光波長400奈米（nm)至700奈米 (nm )之間的範圍裡可以得到低電阻及低反射率。這個多層的系統由最靠近基板的那一層序列地編號，也就是說最靠基板所鍍上的薄膜為第一層。而每一層的厚度以其實際厚度（以奈米（nm)為單位）或是以可見光波長的分數或是倍數型態做為表示的光學厚度來表示。

第12頁 513487 _案號89107402_年月曰修正_ 五、發明說明（10) 本發明的具體層狀結構的如圖1所示。基板5由玻璃' 塑膠箔或是其它可看透的材料來組成。視覺的方向如箭頭六所示。而連接基板五前端的為第一層1。以觀察者的方向來看，接在基板上面的第一層1為第二層2。四層中的第三層3則放在第二層2的上面。而最外面的第四層4則放在第三層3的上面。而第一、二、三、四層組成了本發明的層狀系統。此光學層狀系統有兩種型態，分別命名為樣本一與樣本二。在樣本一中第一層為ITO且其厚度為40奈米（nm )。在波長約為5 2 0奈米（nm )其折射率約為1 · 9 8。第二層為Si02其厚度為20奈米（nm )，在波長約為5 2 0奈米 (nm )其折射率為1 · 4 6。S i 0 2被用做擴散阻障層。第三層為Sn02且其厚度為40奈米（nm)，在波長約為520奈米 (nm )其折射率為2. 00。這層SnO被用做化學物品的阻抗層。第四層為氧化矽其厚度為85奈米（nm)，在波長520 奈米（nm)其折射率為1.5。它也是在大氣壓力下唯一從 TE I S溶液中，唯一利用溼式鍍膜法所製成的薄膜。其它的第一、二、三層則是利用真空濺鍍系統所鍍成。在樣本二中其第一、二、三層的厚度分別為25、28、55奈米（nm )。第四層氧化矽的厚度為9 5奈米（nm )。在此樣本中具有寬頻抗反射的光學特性。圖二顯示了樣本一中層狀系統的頻譜。其反射率（以百分比做為單位）乃是由玻璃的前面測量而得。可見光頻譜範圍從4 0 0奈米（nm )至7 0 0奈米（nm )。點狀的曲線圖顯示了以濺鍍方式所製成的第一、二、三層的反射特性。

第13頁 513487 案號 89107402 曰修正五、發明說明（11) 而此層狀系統的曲線圖清楚地顯示了在中心波長5 7 0奈米 (nm)至590奈米（nm)的範圍其具有極低的反射率（百分之零點一），而在波長400奈米（nm)至700奈米（nm) 範圍中其反射率則低於百分之五。此層狀系統的電阻為1 · 36’ 102W/square，而錯筆（pencil)的硬度為9H。對於 CRT、CDT、FED、PDP等應用具有相當好的結果。附件一表一顯示了從4 0 0奈米（nm )至7 0 0奈米（nm )間關於電阻、船筆（p e n c i 1 )硬度、與C I E顏色的所有資料。 102W/square ，而船二顯示了從4 0 0奈米 ‘錯筆（p e n c i 1 )硬圖三顯示了樣本一中層狀系統的頻譜。其反射率（以百分比做為單位）乃是由玻璃的前面測量而得。可見光頻譜範圍從40 0奈米（nm)至700奈米（nm)。點狀的曲線圖顯示了以濺鍍方式所製成的第一、二、三層的反射特性。而此層狀系統的曲線圖清楚地顯示了在中心波長440奈米 (nm )至5 8 0奈米（nm )的範圍其具有極低的反射率（百分之零點二）。在波長40 0奈米（nm )至7 0 0奈米（nm )範圍裡，其具有寬頻光學抗反射特性，而其反射率低於百分之五。此層狀系統的電阻值為3. 9 6 ’ 筆（p e n c i 1 )的硬度為9 Η。附件一 4 (nm )至7 0 0奈米（nm )間關於電阻度、與C I E顏色的所有資料。在Ar跟02所混合的反應氣體中的磁控管系統，第一、二、三氧化層乃是由濺鍍方式所製成。第一、二、三層的靶材分別為I TO、S i跟Sn。靶材到基板之間的距離為1 5公分。在濺鍍的過程中並沒有加熱。第四層氧化矽層耐是在室溫3 3 0 C下，利用旋轉鍍膜方式鍍成，且在大氣中以

第14頁 513487

第15頁

513487附件表1· 最小反射率底波長電阻値鉛筆 (pencil ) 硬度 CIE 顏色（x，y) 0.02% 577.94η m 1.3 59 χ102Ω /□ 8H 〜9H (0.26761， 0.20798) 波長（奈米（nm)) _反射（百分比）_ CRT//IT0/Si02/Sn0 CRT//IT0/Si02/Sn0 Ί 2/SiOx __ 400 5.02 420 4.86 440 6.15 460 8.26 480 9.7 500 11.77 520 12.89 540 13.91 560 15.18 580 15.97 600 16.27 620 16.82 640 16.95 660 17.24 680 17.44 700 17.1 /751814 ./065347 H-...... 5 4 3 2 10 0.18 0.02 0.17 0.52 16 5 2 0 6 3 0 1 1 2 表2· 最小反射率底波長電阻値 Pencil硬度 CIE 顏色（x,y) 0.16% (W-b and) 440〜580 nm 3.96χ102Ω/ □ 8H 〜9H (0.31562， 0.12193) CRT//IT0/Si02/Sn0 Ύ CRT//IT0/Si02/Sn0 ,/SiOx 400 13.66 4.07 420 10.54 1.2 440 9.54 0.28 波長（奈米（nm)) _反射率（百分比） 16 513487 460 480 500 520 540 560 580 600 620 640 660 680 700 9.79 10.06 11.11 11.63 3 2 8 16 8 9 4 3 3 3 4 4 4 4 5 1 1X Ί -Η lx 1Χ ix-· 4 6 3 7 8 2 7 4 0.16 0.23 0.25 0.23 0.18 0.16 0.2 0.33 0.56 0.88 1.27 1.7 2.17 表 3 · \ 材料厚, 度鑛膜方式原始材料鍍膜情況樣本樣本第一層 ITO 40nm 2 5 nm Sputt erin g ITO 3 mTorr 第二層 Si02 2 Onm 2 8nm Sputterin g Si 3 mTorr 弟二層 Sn02 40nm 5 5 nm Sputterin g Sn 3 mTorr 第四層 Silica 8 5 nm 95nm Spin coating TEIS 覆蓋溫度：33°C 烘烤溫度：200°C /3 Omin

17 513487 圖式簡單說明圖1為依圖2顯示為單位表圖3顯示為單位表案號89107402_年月日修正據本發明之層狀系統的概略剖面圖；了在樣本一中的層狀系統之反射曲線示）與波長（以奈米n m )的關係圖。了在樣本二中的層狀系統之反射曲線示）與波長（以奈米nm )的關係圖。 (以百分比 (以百分比

Claims

513487 8911 .象 η 年月，1 ，、I 修正六、申請專利範献一四層以此 1. 一種抗反射的螢幕濾鏡，包含具有第一、二、三的四層結構，且以最接近一基板的一層名為第一層類推至第四層；第一層位於第二層的下方，且由一折射率在波長520奈米 (n m )時為1 · 8 5至2 · 1的導電氧化材料所組成，此層的實際厚度在25至50奈米（nm)之間；第二層位於第一層的上方，且由一折射率在波長520奈米 (nm)時為1.45至1.50的氧化物所組成，此層的實際厚度在10至30奈米（nm )之間；第三層位於第二層的上方，且由一折射率在波長520奈米 (nm )時為1 · 9至2 · 2抗化學藥品的氧化物所組成，此層的實際厚度在40至60奈米（nm)之間；四層位於第三層的上方，且由一折射率在波長520奈米 (nm)時為1.45至1.55的氧化物所組成，此層的實際厚度在85至100奈米（nm )之間。 2. 如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中該基板為塑膠。 3. 如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中該基板為玻璃。 4 ·如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中第一層為ITO，第二層為Si02，第三層為Sn0 2，第四層為氧化石夕。 5 ·如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中第一層為選自包含ITO、IZO跟ΑΤΟ之導電氧化物組群。

第17頁 513487 _案號89107402_年月曰修正_ 六、申請專利範圍 6 .如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中第二層為選自包含Si 02跟Si A 1-Oxide之氧化物組群。 7. 如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中第三層為選自包含Sn02跟ZnO氧化物組群。 8. 如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中第四層可為選自包含Si02、SiA卜Oxide跟SiO化合物之導電化物組群。

9. 如申請專利範圍第一項之抗反射螢幕濾鏡，其中所數多數層可由真空鍍膜及溼式鍍膜方式的結合製程而形成，而真空鍍膜方式包含了熱蒸鍍及濺鍍方式，可用在工業用大量生產或線上系統中；在工業用大量生產或線上系統中，溼式鍍膜則包含了旋轉鍍膜、喷濺鍍膜、鑄膜、或由溶液中滾動鍍膜，及凝膠（sol-gel )或是泥漿等鍍膜製程0

第18頁