KR100862781B1

KR100862781B1 - 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지도포층

Info

Publication number: KR100862781B1
Application number: KR1020070035662A
Authority: KR
Inventors: 쳉 치에 창
Original assignee: 이노베이션 앤드 인피니티 글로벌 코포레이션
Priority date: 2007-04-11
Filing date: 2007-04-11
Publication date: 2008-10-13

Abstract

투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층은, 상기 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층의 다층 구조가 HL(HL)₆H이고(H는 고굴절률의 재료를, L은 저굴절률의 재료를 나타낸다), 8개의 산화물층을 가지며, 상기 도포층의 표층의 재료가 투과 가능한 도전층이고, 1.9∼2.2의 고굴절률을 갖는다.

Description

투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층{LOW RESISTANCE OPTICAL ATTENUATING ANTI-REFLECTING COVER LAYER HAVING TRANSMITTABLE SURFACE CONDUCTING LAYER}

도 1은, 본 발명에 따른 도포층 구조를 도시하는 도면,

도 2는, 본 발명에 따른 도포층 구조의 파장의 반사율에 대한 그래프도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1…제1층 2…제2층

3…제3층 4…제4층

5…제5층 6…제6층

7…제7층 8…제8층

9…제9층 10…제10층

11…제11층 12…제12층

13…제13층 14…제14층

15…제15층 16…한쪽 면

17…기판 18…관찰의 방향

본 발명은, 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층에 관한 것으로, 특히, 높은 반사 방지 특성을 갖는 도포층을 가리킨다.

통상, 액정 디스플레이 또는 플라즈마 디스플레이의 플라스틱 기판이나 유리 기판 혹은 플라스틱 웹에는, 반사 방지 도포층 구조가 설치되기 때문에, 많은 도포층 구조가 게시되어 있다.

미국 특허 US4921760에 있어서, 이산화세륨과 합성 수지에는 양호한 점막력을 겸유하는 다층의 반사 방지 도포층을 게시하고 있고, 상기 다층 구조는, CeO₂, Al₂O₃, ZrO₂, SiO₂, TiO₂ 및 Ta₂O₅를 포함하고, 상기 다층 구조의 모든 박막층은 산화물이고, 상기 다층 구조는, 3∼5층의 박층을 가지며, 한 실시예에서는, 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 3580Å이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5105310에 있어서, 반응식 스퍼터를 사용하여 동축 코터에 배치하는 다층의 반사 방지 도포층을 게시하고 있고, 상기 다층 구조는 TiO₂, SiO₂, ZnO, ZrO₂, 및 Ta₂O₅를 포함하고, 상기 다층 구조의 모든 박막층은 산화물이고, 상기 다층 구조는 4∼6층의 박층을 가지며, 한 실시예에서는, 상기 6층 구조의 합계 두께가 약 4700Å이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5091244 및 US5407733에 있어서, 새로운 형태의 도전성이 있는 광감쇠 반사 방지 도포층을 게시하고 있고, 주로, 특정한 천이 금속 산화물로 조성하고, 도전성이나 광감쇠, 반사 방지를 갖는 표면을 제공하며, 상기 다층 구조는 TiN, NbN, SnO₂, SiO₂, Al₂O₃ 및 Nb₂O₅를 포함하고, 상기 다층 구조의 모든 박막층은 질화물 및 산화물이고, 상기 다층 구조는 3∼4층의 박층을 가지며, 한 실시예에서는, 상기 4층 구조의 합계 두께가 약 1610Å이고, 상기 4층 구조의 가시광의 투과율이 50% 미만이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5147125에 있어서, 산화아연을 사용하여 파장이 380nm 미만의 자외선을 방지하는 다층의 반사 방지 도포층을 게시하고 있고, 상기 다층 구조는 TiO₂, SiO₂ 및 MgF₂를 포함하고, 상기 다층 구조의 모든 박막층은 산화물 및 불화물이고, 상기 다층 구조는 4∼6층의 박층을 가지며, 한 실시예에서는, 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 7350Å이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 MgF₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.38이다.

미국 특허 US5170291에 있어서, 광학 효과 및 높은 반사 방지 효과를 갖는 4층 구조를 게시하고 있고, 상기 다층 구조는 고온 분해, 플라즈마 CVD, 스퍼터 또는 CVD 등의 방식으로 형성할 수 있고, 상기 다층 구조는 SiO₂, TiO₂, Al₂O₃, ZnS, MgO 및 Bi₂O₃을 포함하며, 한 실시예에서는, 상기 4층 구조의 합계 두께가 약 2480 Å이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5216542에 있어서, 높은 반사 방지 효과를 갖는 5층의 도포층을 게시하고 있고, 상기 다층 구조가 두께 1nm, Ni, Cr 또는 NiCr로 이루어지는 점막층을 포함하고, 상기 4층은 SnO₂, ZrO₂, ZnO, Ta₂O₅, NiO, CrO₂, TiO₂, Sb₂O₃, In₂O₃, Al₂O₃, SiO₂, TiN, 및 ZrNn으로 이루어지며, 한 실시예에서는, 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 2337Å이고, 상기 5층 구조의 가시광의 투과율이 30% 미만이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5541770에 있어서, 도전층을 갖는 광감쇠 반사 방지의 도포층을 게시하고 있고, 상기 도포층이 4∼5층의 다층 구조로서, 상기 다층 구조의 광 효과 박막으로서 광 흡수의 고굴절률의 금속, 예를 들면, Cr, Mo 및 W 등을 갖고, 다른 3∼4층이 TiO₂, ITO, Al₂O₃, SiO₂ 및 TiN이고, 1층의 금속을 상기 다층 구조의 광 효과 박막으로 하는 것 이외, 상기 다층 구조의 주된 재료는 산화물 및 질화물이며, 한 실시예에서는, 상기 5층 구조의 합계 두께가 약 1495Å이고, 상기 다층 구조의 가시광의 투과율이 60% 미만이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5362552에 있어서, 3층의 도전 금속 산화물을 갖는 6층의 반사 방지 도포층을 게시하고 있고, 상기 다층 구조는 SiO₂, ITO, Nb₂O₅ 및 Ta₂O₅를 포함하고, 상기 도포층은 합계 두께가 가시광의 파장에 이르는 도전 금속 산화물을 가지며, 한 실시예에서는, 상기 6층 구조의 양 주층의 재료 및 두께가, 각각, SiO₂, 854Å 및 ITO, 1975Å이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5579162에 있어서, 온도에 민감한 기판(예를 들면, 플라스틱)에 이용하는 4층의 반사 방지 도포층을 게시하고 있고, 그 중의 1층이 직류 반응 스퍼터의 금속 산화물이고, 기판 상에 쾌속적으로 도포할 수 있으며, 또한, 많은 열을 상기 기판에 전도하지 않고, 상기 다층 구조는 SnO₂, SiO₂ 및 ITO를 포함하며, 한 실시예에서는, 상기 4층 구조의 양 주층의 재료 및 두께가, 각각, SnO₂, 763Å 및 SiO₂, 1975Å이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

미국 특허 US5728456 및 US5783049에 있어서, 반사 방지 도포층을 플라스틱 필름에 도포하는 것에 이용하는 개량 방법을 게시하고 있고, 상기 다층박 도포층은 스퍼터 프로세스로 롤 도포층을 도포하고, 상기 다층 구조는 ITO, SiO₂ 및 얇은 윤활층을 포함하고, 용해 가능한 불소 폴리머이며, 한 실시예에서는, 상기 6층 구조의 합계 두께가 약 2630Å이고, 상기 다층 구조의 표층의 재료가 SiO₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 1.46이다.

이상과 같이 게시되어 있는 광학 다층 구조의 표면 박층의 재료는, SiO₂ 혹은 MgF₂이고, 저굴절률을 가지며, 파장이 550nm이면, 굴절률이 각각 1.46 및 1.38이다.

종래의 반사 방지 광학 도포층의 다층 구조는, 모두, 광학 도포층의 표층의 재료가 저굴절률을 가지며, 예를 들면, SiO₂의 굴절률이 1.46, 혹은 MgF₂의 굴절률이 1.38인 통칙을 이용하고 있다. 그러나, 상기 반사 방지 도포층을 디스플레이 공업, 예를 들면, 정전기 방지 효과가 있는 퍼스널 컴퓨터 스크린 혹은, 액정 디스플레이 또는 플라즈마 디스플레이에 이용하는 저반사 유리에 응용하면, 다량 생산의 과정에서는 아직 한계가 있고, 이것은, 상기 광학 도포층 구조의 도전층이 절연층(예를 들면, SiO₂ 혹은 MgF₂)을 소결하여 이루어지기 때문이다.

반사 방지 도포층의 기본인 설계 규칙은, 기판 표면의 제1층에 고굴절률의 어느 재료(H를 나타낸다)가 배치되고, 그 후, 저굴절률의 어느 재료(L을 나타낸다)로 이루어지는 제2층이 배치되기 때문에, 종래의 반사 방지 도포층의 다층 구조의 규칙은, HLHL 또는 HLHLHL이고, 고굴절률(H)의 재료가 ITO, 저굴절률(L)의 재료가 SiO₂인 경우를 예로 하여, 상기 4층 구조가 각각 Glass/ITO/SiO₂/ITO/SiO₂이다. ITO가 투명한 도전 재료이기 때문에, 상기 다층 구조의 도포층의 도전성이 평방마다 100Ω 미만이고, 또한, 상기 도전 도포층이 그라운드에 연결되면, 전자 간섭(EMI) 차폐 또는 정전기 방전에는 사용할 수 있다. 그러나, 종래의 광학 다층 구 조의 표면 재료는 SiO₂이고, 그 두께가 1000Å이고, 상기 SiO₂의 재질의 특성은 고밀도, 타성을 갖고 또 양호한 전기 절연층이며, 종래의 반사 방지 도포층을 디스플레이 공업에 응용하는 경우는, 외층의 SiO₂로 격리한 상기 소결된 ITO층에 전기적으로 접촉하는 것은 곤란하고, 금속을 ITO층에 접촉하는 접지 과정에서는, 초음파 납땜 프로세스로 상기 SiO₂층을 파단하여 땜납 볼과 ITO층이 양호한 접촉을 발생시키는 것을 확보할 필요가 있으며, 이 제조 프로세스는, 반사 방지 도포층을 다량으로 생산할 때에는 한계가 있다.

한편, 액체의 주석 및 초음파의 노출 에너지 때문에, 상기 초음파 납땜 프로세스의 미세한 오염물의 외에, 상기 초음파 납땜 프로세스도, 버스라인마다의 위에 비지구성의 접촉 저항을 발생해 버리고, 이것은, 초음파 납땜 프로세스가 균일하게 또한 같은 깊이로 상기 절연층을 파단하여 균일한 접촉 저항을 얻는 것을 보증할 수 없기 때문이다.

상기 결점은, 종래의 전자 간섭 방지 및 반사 방지 도포층의 제조 프로세스를 응용할 때의 수율 및 신뢰성을 저하해 버린다.

본 발명의 주된 목적은, 8개의 산화물층을 갖고, 상기 도포층의 표층의 재료가 투과 가능한 도전층으로서, 및 1.9∼2.2의 고굴절률을 갖는, 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층을 제공하였다.

본 발명의 다른 목적은, 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반 사 방지 도포층을 제공하고, 산화물박 도포층을 다량으로 생산하는 프로세스에 있어서 신뢰적이고, 상기 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층을, 반도체, 광학 헤드, 액정 디스플레이, 음극 사선관, 건축 유리, 터치 센서, 스크린 필터, 플라스틱 웹 도포층 등의 공업에 응용할 수 있다.

본 발명의 다른 목적은, 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층을 제공하고, 상기 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층의 다층 구조가 HL(HL)₆H이고, 8개의 산화물층을 가지며, 상기 도포층의 표층의 재료가 투과 가능한 도전층이고, 또한 1.9∼2.2의 사이의 고굴절률을 가지며, 상기 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층의 표층의 재료는 투과 가능한 표면 도전층이다. 한 실시예에서는, 상기 투과 가능한 표면 도전층의 재료는 SiO₂, ZnO₂, In₂O₃ 및 ITO이다.

본 발명의 다른 목적은, 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층을 제공하고, 상기 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층의 표층의 재료가 투과 가능한 표면 도전층이고, 상기 투과 가능한 표면 도전층의 광 굴절률이 0.5% 미만이고, 상기 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층의 저항은, 평방마다 0.5Ω∼0.7Ω이며, 그 투과율이 55%∼70%이다.

상기 표층이 양호한 도전성이 있기 때문에, 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층은, 접지 프로세스에는 필요로 하는 가동 부하를 저하할 수 있고, 또 다량 생산의 수율 및 신뢰성을 향상할 수 있으며, 액정 디스플레이 또는 플라즈마 디스플레이의 유리 기판 혹은 플라스틱 기판에 응용할 수 있 다.

한 실시예에서는, 상기 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층은 15층을 갖고, 제1층, 제2층, 제3층, ...및 제15층이 순차적으로 기판에 배열되며, 각 층마다가 물리적인 두께 또는 광학 두께로 묘사하여 기술되고, 광학 두께가 층의 두께와 굴절률의 수학적인 승적이고, 또한 설계 파장의 분수이며, 본 발명에서는, 상기 설계 파장은 520nm이다.

제1층 또는 소위 표면층이 투과 가능한 도전 산화물 재료로 구성되고, 상기 산화물이 ZnO : Al이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 표면층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 20nm∼40nm이다.

제2층이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다.

제3층이 산화물로 이루어지고, 상기 산화물이 ZnO : Al이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다.

제4층이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다.

제5층이 산화물로 이루어지고, 상기 산화물이 ZnO : Al이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물 리적인 두께가 30nm∼80nm이다.

제6층이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다.

제7층이 산화물로 이루어지고, 상기 산화물이 ZnO : Al이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다.

제8층이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다.

제9층이 산화물로 이루어지고, 상기 산화물이 ZnO : Al이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다.

제10층이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다.

제11층이 산화물로 이루어지고, 상기 산화물이 ZnO : Al이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다.

제12층이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다.

제13층이 산화물로 이루어지고, 상기 산화물이 ZnO : Al이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다.

제14층이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다.

제15층 또는 소위 최내층이 산화물로 이루어지고, 상기 산화물이 TiO₂이고, 가시광을 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 2.2∼2.4이고, 물리적인 두께가 20nm∼40nm이다.

본 발명에 따른 특징 및 기술 내용을 보다 이해하기 위해, 이하에 본 발명에 관한 상세한 설명 및 첨부 도면을 참조하지만, 그러한 첨부 도면이 참고 및 설명에만 사용되고, 본 발명의 주장 범위를 협의적으로 국한하는 것은 아닌 것은 말할 필요도 없는 것이다.

본 발명은, 산화물을 근원으로 하는 15층의 반사 방지 도포층으로서, 각 층마다가 nm 단위의 물리적인 두께 또는 광학 두께로 묘사하여 기술되고, 설계 가시광의 파장은 520nm이다.

도 1에 도시하는 바와 같이, 기판(17)은, 유리, 플라스틱 또는 다른 투과 가능한 재료로 이루어지고, 상기 기판(17)의 한쪽 면(16)이, 상기 기판(17)의 관찰자에게 대면하는 면이고, 관찰 방향은 부호 18로 표시되며, 제15층(15)이 상기 기판(17)의 한쪽 면(16)에 접하고, 제14층(14)이 제15층(15) 상에 배치되고, 계속해서, 제13층(13), 제12층(12), 제11층(11), 제10층(10), 제9층(9), 제8층(8), 제7층(7), 제6층(6), 제5층(5), 제4층(4), 제3층(3), 제2층(2), 제1층(1)이 퇴적된다. 그 중에서는, 제1층(1)이 표면층 또는 최외층이라고 불리고, 이와 같이 해서, 본 발명의 15층을 갖는 도포층 구조를 구성하였다.

제1층(1) 또는 소위 표면층이 ZnO : Al층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 표면층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 20nm∼40nm이다. 제2층(2)이 은(銀)층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다. 제3층(3)이 ZnO : Al이고, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다. 제4층(4)이 은층이고, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다. 제5층(5)이 ZnO : Al이고, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다. 제6층(6)이 은층이고, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다. 제7층(7)이 ZnO : Al이고, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다. 제8층(8)이 은층이고, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm 이다. 제9층(9)이 ZnO : Al이고, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다. 제10층(10)이 은층이고, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다. 제11층(11)이 ZnO : Al이고, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다. 제12층(12)이 은층이고, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다. 제13층(13)이 ZnO : Al이고, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 물리적인 두께가 30nm∼80nm이다. 제14층(14)이 은으로 이루어지는 얇은 금속층이고, 약간의 가시광밖에 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 그 굴절률이 0.1∼0.5이고, 물리적인 두께가 8nm∼12nm이다. 제15층(15)이 TiO₂층이고, 가시광을 흡수할 수 없으며, 파장은 520nm이면, 상기 층의 굴절률이 2.2∼2.4이고, 물리적인 두께가 20nm∼40nm이다.

바람직한 실시예에서는, 제1층(1)의 두께가 35nm, 제2층(2)의 두께가 10nm, 제3층(3)의 두께가 75nm, 제4층(4)의 두께가 10nm, 제5층(5)의 두께가 55nm, 제6층(6)의 두께가 10nm, 제7층(7)의 두께가 55nm, 제8층(8)의 두께가 10nm, 제9층(9)의 두께가 55nm, 제10층(10)의 두께가 10nm, 제11층(11)의 두께가 70nm, 제12층(12)의 두께가 10nm, 제13층(13)의 두께가 70nm, 제14층(14)의 두께가 10nm, 제15층(15)의 두께가 33nm이다.

총 압력 3m Torr(m=mini=0.001)이고, 스퍼터링 가스 Ar 및 소 분압수(分壓水)가 존재하는 분위기로, 직류 또는 펄스 직류 마그네트론 스퍼터링법이, ZnO : Al을 배치하여 제1, 3, 5, 7, 9, 11 및 13층을 형성할 수 있다. 총 압력 4m Torr이고, 스퍼터링 가스 Ar이 존재하는 분위기로, 직류 또는 펄스 직류 마그네트론 스퍼터링법이, 은을 배치하여 제2, 4, 6, 8, 10, 12 및 14층을 형성할 수 있다. 총 압력 2m Torr이고, Ar 및 H₂O를 혼합한 스퍼터링 가스가 존재하는 분위기로, 교류 반응식 스퍼터링법이, Ti를 배치하여 제15층의 TiO₂를 형성할 수 있다. 상기 마그네트론 음극과 기판의 거리가 15cm이고, 또한 가열 장치가 사용되며, 상기 기판의 온도가 100도∼300도로 제어되었다.

물론, 본 발명의 도포층 구조가 15층에 한정되지 않고, HL(HL)_nH의 설계 원리에 부합하면, 유사 효과를 달성할 수 있다.

도 2는, 본 발명에 따른 도포층 구조의 파장이 반사율에 대한 그래프도이고, 상기 반사율은 백분비로 표시되며, 가시광 파장 400nm∼700nm의 스펙트럼을 나타내고, 도면에서부터 알 수 있는 바와 같이, 파장 460nm∼600nm의 사이의 반사율이 0.5% 미만이고, HLHL을 설계 원리로 하고 있었던 도포층 구조보다 우수하다.

ITO 도포층을 거쳐, 상기 도전 표면층의 저항이 0.5∼0.7Ω이고, 유리 필름 또는 플라스틱 필름에 있어서, 가시광 파장 400nm∼700nm에 대해서, 그 반사 스펙트럼이 평탄하고 넓은 대역이며, 양호한 표면 도전성이 있는 고도전성, 광감쇠 반사 방지 도포층이 생기게 된다. 또, 롤대 롤 배치법을 사용하여 본 발명의 도포층 구조를 배치할 때에, 그 생산 비용이 낮아 다량 생산에 적용할 수 있다.

한편, 본 발명의 도포층 구조는, 고도전성의 특성을 갖고, 플라즈마 디스플 레이의 제조에 응용될 때에, 전자 간섭 차폐, 광학 시각 저반사, 고표면 경도 깎임 방지성, 적당한 광감쇠 효과 등의 이점이 있다. 예를 들면, 본 발명의 도포층 구조의 표면 저항이 평방 0.5∼0.7Ω이고, 또한 충분한 경도를 가짐으로써 군사 표준 MIL-C-48497의 내삭 테스트를 통과하게 된다.

본 발명은, 종래의 도포층 구조에서는, 투과 가능한 도전층이 절연 실리카에 격리되어 있는 문제를 해결할 수 있었던 효과를 달성할 수 있다. 본 발명은, 표면 재료가 ZnO : Al이고 또한 15층을 갖는 도포층 구조를 제공하며, 그 굴절률이 1.9∼2.2이다.

상기 반사 방지 도포층의 표면층은, 도전성이 있기 때문에, 몇 개의 간단한 방식으로, 본 발명의 도포층이 양호한 전기 접촉을 발생할 수 있고, 본 발명의 도포층 구조를 플라즈마 디스플레이의 스크린 필터에 응용할 수 있다.

스크린 필터의 응용상에, 종래 사용되고 있는 초음파 납땜 프로세스에 의한 미세한 땜납 포트 오염물을 발생하는 접지 제조 방법이 치환되고, 반사 방지 도포층이 스크린 필터에 장착된 마지막 프로세스가 간이화되어, 도전 차단 ITO층과 땜납의 사이에 형성된 불균일한 전기 접촉의 문제가 해결되고, 접지 프로세스의 수율이 향상된다. 또, 상기 도포층 구조도 플라즈마 디스플레이 및 액정 디스플레이 공업의 기본 도포층에 응용할 수 있다.

본 발명의 15층의 도포층 구조는, 도전 재료로 그 표면층을 구성하고, 저저항 기능을 갖는 유리 또는 플라스틱 필름 기판에 간이적이고 경제적으로 응용할 수 있다.

그러나, 상기의 설명은, 단지 본 발명의 바람직한 구체적인 실시예의 상세 설명 및 도면에 지나지 않으며, 본 발명의 특허 청구의 범위를 국한하는 것이 아니고, 본 발명의 주장하는 범위는, 하기와 같은 특허 청구의 범위에 근거해야 하며, 어느 당해 분야에 있어서의 통상의 지식을 가진 전문가가 본 발명의 분야 중에서, 적당히 변경이나 수식 등을 실시할 수 있지만, 그러한 실시가 본 발명의 주장 범위 내에 납입되어야 하는 것은 말할 필요도 없는 것이다.

본 발명에 의하면, 8개의 산화물층을 갖고, 상기 도포층의 표층의 재료가 투과 가능한 도전층으로서, 및 1.9∼2.2의 고굴절률을 갖는, 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층을 제공하였다.

Claims

기판과,

상기 기판의 한쪽 면에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 20nm∼40nm인 제15층과,

상기 제15층에 배치되고, 금속 재료로 이루어지며, 물리적인 두께가 8nm∼12nm인 제14층과,

상기 제14층에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 30nm∼80nm인 제13층과,

상기 제13층에 배치되고, 금속 재료로 이루어지며, 물리적인 두께가 8nm∼12nm인 제12층과,

상기 제12층에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 30nm∼80nm인 제11층과,

상기 제11층에 배치되고, 금속 재료로 이루어지며, 물리적인 두께가 8nm∼12nm인 제10층과,

상기 제10층에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 30nm∼80nm인 제9층과,

상기 제9층에 배치되고, 금속 재료로 이루어지며, 물리적인 두께가 8nm∼12nm인 제8층과,

상기 제8층에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 30nm∼80nm인 제7층과,

상기 제7층에 배치되고, 금속 재료로 이루어지며, 물리적인 두께가 8nm∼12nm인 제6층과,

상기 제6층에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 30nm∼80nm인 제5층과,

상기 제5층에 배치되고, 금속 재료로 이루어지며, 물리적인 두께가 8nm∼12nm인 제4층과,

상기 제4층에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 30nm∼80nm인 제3층과,

상기 제3층에 배치되고, 금속 재료로 이루어지며, 물리적인 두께가 8nm∼12nm인 제2층과,

상기 제2층에 배치되고, 산화물로 이루어지며, 물리적인 두께가 20nm∼40nm인 제1층을 포함하고,

상기 산화물의 굴절률은 상기 금속 재료의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 필름인 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 유리인 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 제1층, 제3층, 제5층, 제7층, 제9층, 제11층, 제13층이 ZnO : Al로 이루어지고, 상기 제2층, 제4층, 제6층, 제8층, 제10층, 제12층, 제14층이 은으로 이루어지며, 상기 제15층이 TiO₂로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 제1층, 제3층, 제5층, 제7층, 제9층, 제11층, 제13층의 산화물의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 상기 제2층, 제4층, 제6층, 제8층, 제10층, 제12층, 제14층의 금속 재료의 굴절률이 0.1∼0.5이며, 상기 제15층의 산화물의 굴절률이 2.2∼2.4인 것을 특징으로 하는 투과 가능 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 제1층, 제3층, 제5층, 제7층, 제9층, 제11층, 제13층의 산화물이 직류 또는 펄스 직류 스퍼터링법으로 형성되고, 상기 제2층, 제4층, 제6층, 제8층, 제10층, 제12층, 제14층의 금속 재료가 직류 또는 펄스 직류 스퍼터링법으로 형성되며, 상기 제15층의 산화물이 교류 스퍼터링법으로 형성된 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 제1층∼ 제15층이, 동축 또는 롤대 롤 진공 시스템 의 증착 혹은 스퍼터링 프로세스로 형성된 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 1에 있어서, 상기 도포층이, 플라즈마 디스플레이 또는 액정 디스플레이의 기본 도포층인 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
기판과,

상기 기판에 배치되고, 산화물로 이루어지는 제5층과,

금속 재료로 이루어지는 복수의 제4층과,

산화물로 이루어지는 복수의 제3층과,

금속 재료로 이루어지는 제2층과,

산화물로 이루어지는 제1층을 포함하고,

상기 복수의 제4층과 복수의 제3층이 교대로 퇴적됨과 함께 상기 제5층에 배치되고, 계속해서 상기 제2층 및 제1층이 순차적으로 배치되고,

상기 산화물의 굴절률은 상기 금속 재료의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 제5층의 물리적인 두께가 20nm∼40nm의 사이에, 상기 제4층의 물리적인 두께가 8nm∼12nm, 상기 제3층의 물리적인 두께가 30nm∼80nm의 사이에, 상기 제2층의 물리적인 두께가 8nm∼12nm, 상기 제1층의 물리적인 두께 가 20nm∼40nm에 있는 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 필름인 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 기판은 유리인 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 제1층 및 상기 복수의 제3층이 ZnO : Al로 이루어지고, 상기 제2층 및 상기 복수의 제4층이 은으로 이루어지며, 상기 제5층이 TiO₂로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 제1층 및 상기 복수의 제3층의 산화물의 굴절률이 1.9∼2.2이고, 상기 제2층 및 상기 복수의 제4층의 금속 재료의 굴절률이 0.1∼0.5이며, 상기 제5층의 산화물의 굴절률이 2.2∼2.4인 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 제1층 및 상기 복수의 제3층의 산화물이 직류 또는 펄스 직류 스퍼터링법으로 형성되고, 상기 제2층 및 상기 복수의 제4층의 금속 재료가 직류 또는 펄스 직류 스퍼터링법으로 형성되며, 상기 제5층의 산화물이 교류 스퍼터링법으로 형성된 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 제1층∼ 제5층이, 동축 또는 롤대 롤 진공 시스템의 증착 혹은 스퍼터링 프로세스로 형성된 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.
청구항 9에 있어서, 상기 도포층이, 플라즈마 디스플레이 또는 액정 디스플레이의 기본 도포층인 것을 특징으로 하는 투과 가능한 표면 도전층을 갖는 저저항 광감쇠 반사 방지 도포층.