TW511168B - Microdevice and structural of the same - Google Patents

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TW511168B TW088114478A TW88114478A TW511168B TW 511168 B TW511168 B TW 511168B TW 088114478 A TW088114478 A TW 088114478A TW 88114478 A TW88114478 A TW 88114478A TW 511168 B TW511168 B TW 511168B
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511168 A7 _ B7 五、發明說明（1 ) 曼明及相關枝藝之領域 本發明大體上關於微裝置及其結構構件之配置。.更特 別地，本發明係關於經由多重曝光製程產生的裝置及其結 構構件之配置，在多重曝光製程中，由第一曝光製程及解 析度高於第一曝光製程之第二曝光製程，重疊地印出不同 型式的圖案，第一曝光製程以同投影曝光製程等標準或一 般曝光製程爲代表，因此，可以產生具有相當於第二曝光 製程之最小線寬之圖案（此後，「要產生的所需圖案」） 。本發明可適當地應用於諸如半導晶片（舉例而言，I C 或L S I )、顯示裝置（舉例而言，液晶顯示面板）、偵 測裝置（舉例而言，磁頭）及拾像裝置（舉例而言， C C D )。 目前，根據光學照相蝕刻法之眾多製造諸如I C、 L S I或液晶面板等裝置之投影曝光設備係使用準分子雷 身寸光源。但是，簡單地使用此準分子雷射作爲投影曝光設 備中的光源無法確定地形成具有〇 . 1 5微米或更小的線 寬之精密圖案。 爲了改進解析度，需要加大投影光學系統的數値孔徑 (N A )或縮短曝光光線的波長。但是，要加大n A或縮 短曝光波長並不是很容易。這是因爲」由於投影光學系統 的聚焦深度與N A的平方成反比，但卻與波長λ成正比， 所以’投影光學系統的Ν Α加大會造成聚焦深度減少，因 此’更加難以完成聚焦並因而使生產減緩。此外，大部份 的玻璃材料對於深紫外線區具有相當低的透射因數。即使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- ------------•裝-------丨訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511168 A7 B7__ 五、發明說明（2 ) 對於用於波長λ=248 (KrF準分子雷射）之熔融二 氧化矽（石英）而言，當用於λ = 1 9 3 nm或更小時， 透射因數幾乎降至零。目前，尙未發展出可用於λ = 1 5 0 n m或更小之曝光波長區中的玻璃材料，；I = 1 5 0 nm或更小之曝光波長區相當於根據標準或一般曝 光製程以產生之0 . 1 5微米線寬或更小的精密圖案。 在本申請案的受讓人申請之日本專利申請案號 304232/1997 (此後，稱爲「早期日本專利申 請案」）中，揭出根據雙光束干射曝光及標準曝光之雙曝 光製程，其中應用多重値曝光量分佈於要曝光的基底，以 確保高解析度曝光。在早期日本專利申請案揭示的實施例 中，係藉由使用具有0 . 1微米線寬的線及間隔（L & S )圖案之相位移光罩以執行雙光束干射曝光製程，並經由 相干照明而印出精密線圖型。接著，在使用光罩下，執行 一般曝光處理（舉例而言，根據部份相干照明之曝光製程 )，光罩係形成有圖案，圖案係具有透射因數不同之不同 部份並具有對應於具有0 · 1微米最小線寬的真實裝置圖 案之形狀。根據早期日本專利申請案中揭示的方法，經由 一般曝光製程及使用具有影像側N A爲〇 . 6的投影光學 系統之投影曝光設備，形成最小線寬0 · 1 0微米之圖案 〇 精密圖案印刷的另一方面係探針曝光法，於其中藉由 使用探針而於感光構件上繪出及印出圖案。舉例而言，探 針可以根據使用原子力之A F Μ、使用隧道電流之S T Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ~ (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 裝
•I 1 n m n n n —a n l n I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511168 A7 B7 五、發明說明（3) 、電子束、雷射光或近場光。但是，在整個曝光區上執行 探針曝光具有低總工作量之缺點。慮及此點，可以藉由使 用大於感光基底的曝光臨界之光量，影印經由一般曝光處 理而產生所需圖案所處的一些部份。另一方面，藉由重疊 印刷，影印那些具有不充份解析度的部份，重疊印刷係根 據一般曝光及探針曝光，個別的光量均低於感光材料的曝 光臨界値但當二者合倂時會高於曝光臨界。結果，應用類 似於上述的多重値曝光量分佈（日本專利申請案號 137476/1998)。 發明槪述 在上述的多重曝光製程（此後稱爲「理想曝光製程」 )中，當使用李文森（Levenson)光罩時，僅在李文森光罩 資料出現的區域中形成精密的線圖案。因此，圖案的配置 會受限於李文森光罩的間距（亦即，線寬及間隔）。 本發明的目的係當要根據「理想曝光製程」製造裝置 時，提供裝置構造元件之最佳配置。 特別地，本發醒的目的係在重覆一些曝光製程之半導 體製程期間，提供裝置的結構構件配置之最佳解決之道， 以大幅改進集成密度及裝置性能，舉例而言，裝置的結構 構件爲裝置的接點、半導體區及閘。 本發明的另一目的係提供微裝置，微裝置具有根據上 述最佳解決之道配置的結構構件。 在配合附圖之本發明的較佳實施例之下述說明中，本 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - ------------^|^裳·------I*丨訂·丨丨 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 511168 * . Λ7 _^^—---—-——----------* " 玉、發明說明（4) 發明的隨及Κ它丨:|的、特點及優點龠更加淸楚” iULMiil _ 1 A、 1 Β、 ic. j D及1 £分別爲視圖.’用以 - 解釋很據本發明之「猶式理想喝|製程j 0 圖2 Λ .、 2 Β、 2 C、 2 別爲視圖，用以 | 解釋稂.據本_明寶.施例.之「線性理想|#81彡製程j 圖3係用以解釋要依據_ 1 A · 1 F,或圖2 A - 2 D 之製程生產的半導體裝置之結構構件的最佳配匿之實施例 圖4係圖3的Λ — A 1放大及剖丨Τίί視丨裔1。 圖5係根據本發明的實施例之牛導體裝置的視圖’其 中配置未最佳化。
圖6 A、 6 B及6 C分別爲鬪5中的B - B ’、 C 一 C 及D - D <之放大及剖.面視圖。 圖.7係形成於S Ο ί躲底上之具有最佳配隱的半導體 裝置之視圖。 圖8 A·、 8 Β , 8 C及8 D分別爲圖了中的線Ε — Ε 經濟部智慧財產总SVV消f含作狂印製 (靖先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁> 之放大及剖面視剷， 國9係用以解釋半導體裝阍的結_元件之佳配證的 實施例，其中除了岡1中的結構之外，尙有位於接點·'區上 的接線區。 圖1 0係圖9中的F — F…之放大及剖面視_ ^ [01 1 1係用以解釋接點區的特別賣施例。 本紙張尺廋適用中國國家櫈準（CNSM4规格（210 X 297公釐〉 -7， * - /^\ 511168 A7 B7 五、發明說明（5 ) 圖1 2係流程圖 圖1 3係流程圖 之順序。 用以解釋微裝置的製造順序。 用以詳細解釋圖1 2中的晶圓處理 主要元 10 1 件對照表 粗光罩圖案 2 0 0 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 3 3 3 3 4 4 〇 0 0 7 8 李文森二次曝光區 第一圖案區 第二圖案區 李文森圖案 半導體主動區 多晶矽閘區 裝置分離區 接點區 李文森二次曝光區 李文森單次曝光區 李文森未曝光區 多晶政接線區 多晶砂區 源極/汲極區 半導體基底 絕緣層區 接線區 ------------裝----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511168 A7 B7 __ 五、發明說明（6 ) 蟹·隹實施例說明 將參考附圖，說明本發明的實施例。 〔第一實施例〕 圖3係說明根據本發明的實施例之裝置的結構、。圖示 中3 0 1係代表半導體主動區，而3 〇 2係代表多晶砂閘 區。303代表的是裝置分離區，304代表的是接點區 〇 圖1 A - 1 E係說明三次曝光方法的原理，其係用以 將圖3裝置的接點區3 0 4製成每側長度L (舉例而言， L = 〇 · 1微米）之正方形。起先，根據雙光束干射曝光 法’及依據曝光量1，使用曝光設備，印出包括線寬及間 隔均等於L的條狀圖案之李文森圖案（圖ία)。接著， 再根據曝光量1，類似地印出相當於類似的李文森圖案但 是旋轉9 0度之圖案。結果，要曝光的基底會曝光成如圖 1 B所示的狀態。在圖1 B中，3 0 5係代表那些經由李 文森圖案曝光二次之區域（此後，稱爲「李文森二次曝光 區」）。3 0 6係代表那些經由李文森圖案曝光一次之區 域（此後，稱爲「李文森單次曝光區」）。3 0 7係代表 那些李文森圖案曝光期間未曝光之.區域（此後，稱爲「李 文森未曝光區」）。圖1C係說明延著圖1B中的線G— G’的剖面之不同部份處的曝光量。每一李文森單次曝光區 3 0 6均具已受曝光量1之曝光，而每一李文森二次曝光 區3 0 5均已受曝光量2之曝光。曝光量2係設定爲低於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝· ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁). 訂-------！^p- 511168 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 施加至要曝光的基底之光阻的曝光臨界値E τ Η的等級。 在以上述方式於基底上印出二個正交的李文森圖案之 後’依據曝光量1 ，藉由使用一般投影曝光設備，印出如 圖1 D中所示的粗光罩圖案1 〇 1 ，舉例而言，一般投影 曝光設備爲具有曝光波長；l = 248nm (KrF準分子 雷射）及具有影像側N A爲0 . 6之投影光學系統。粗光 罩圖案1 0 1係由方形圖案構成，方形圖案之中心係與所 需的李文森二次曝光區1 0 5之一的中心相對齊，並具有 長度爲2 L之四側，如同分別於四方向上，以0 .. 5 L展 開李文森二次曝光區1 0 5的四側所界定般。圖1 E係顯 示影印粗光罩圖案1 0 1之後，延著線G — G ’的剖面之不 同部份的曝光光量。僅有那些經由李文森二次曝光及粗光 罩圖案1 0 1曝光而重疊曝光之部份會受曝光量3之曝光 。此處，個別圖案的曝光量可以決定成光阻的曝光臨界値 Ε τ H在曝光量2與曝光量3之間。因此，可以產生每一側 具有長度L之方形圖案。此後，此曝光方法將稱爲「柵式 理想曝光製程」。此處，曝光量1、2及3僅係便於說明 ，它們未具有任何特別的物理意義。 圖2 A — 2 D係用以解釋二次曝光方法之原理，二次 曝光方法係用以形成諸如圖3裝置的多晶矽閘區3 0 2之 圖案，其於一方向上具有最小線寬L及最小間隔L，而在 與一方向正交的另一方向上具有最小的線寬及最小的間隔 ，二者均大於L。圖2 A係顯示具有均等於L的線寬及間 隔之李文森圖案。圖2 B係顯示粗光罩圖案，圖2 D係顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10- ----------裝----------訂---------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 511168 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) 示將要形成的圖案（此後，稱爲「要產生的所需圖案」） 。粗光罩圖案包括具有透射因數1之第一圖案區2 0 1、 及具有透射因數2之第二圖案區2 0 2。這些區的最小線 寬及最小間隔均設定爲等於2 L。李文森圖案及粗光罩圖 案會根據上述之雙光束干射曝光法及一般曝光法，如圖 2 C所示般，重疊地影印於基底之上。此處，如同上述的 「柵式理想曝光製程」所述般，會有這些圖案印於其上的 光阻之曝光臨界値E TH以及圖案區中的圖案及曝光量會以 彼此適當的關係設定。結果，如圖2 D所示，可產生一方 向上具有均爲L的最小線寬及最小間隔之圖3中的多晶矽 閘區3 0 2的圖案。此後，上述製程將稱爲「線性理想曝 光製程」。同樣地，透射因數1及2之稱呼僅爲便於解釋 ，它們並未具有特別的物理意義。 圖3係顯示要依據上述「柵式理想曝光製程」產生之 半導體裝置的結構構件之最佳配置的實施例。在圖式中， 3 0 1係代表半導體主動區，3 0 2係代表多晶矽閘區。 3 0 3係裝置的分離區，3 〇 4係代表接點區。 3 0 5係李文森二次曝光區，其可經由「柵型理想曝 光製程」界定，306係代表李文森單次曝光區。307 係代表李文森未曝光區。多晶矽閘區3 0 2係形成爲多晶 矽區3 0 9的一部份。亦即，要由半導體主動區3 0 1疊 加之多晶矽區3 0 9的部份會提供多晶矽閘區3 0 2，而 其餘部份提供多晶矽接線區3 0 8。 藉由在李文森二次曝光區3 0 5中的所需區域，重疊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - ------— II--裝 ----------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁w 511168 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（9) 印出粗光罩圖案，而將接點區3 0 4係形成爲精密圖案。 此處，當李文森光罩的圖案間隔或寬度（或約其圖案間距 的一半）取成參考單位L時，則接點的尺寸約1 L。而且 ，依據上述的「性線理想曝光製程」，藉由使用至少半導 體主動區3 0 1的部份3 0 2，將多晶矽圖案區3 0 9形 成爲精密閘圖案。閘區3 0 2的最小寬度約爲1 L。藉由 使用粗光罩圖案，形成接線區3 0 8。在該部份中的粗圖 案的最小寬度約2 L。當使用位於多晶矽閘區3 0 2的相 對側上之半導體主動區3 0 1作爲汲極及源極時，可產生 M〇S電晶體。經由對應的半導體主動區3 0 1上界定的 接點區3 0 4及多晶矽接線區3 0 8，形成用於閘、汲極 及源極之電極。圖4係圖3中的A — A ’的剖面視圖，其中 與圖3中類似的數字係指定給對應的元件。4 0 1係代表 電晶體的源極/汲極區，而4 0 2係代表半導體基底。 根據本實施例，當李文森光罩的圖案間隔或圖案寬度 (或其圖案間距2 L的一半）取爲參考單位L時，接點區 3 0 4的間隔S會滿足下述關係：
S ^ (2n-l)L 其中η係不小於2的整數。 當接點區3 0 4係要形成時，假使它們因對齊誤差或. 圖案尺寸轉換差異而被界定成偏離下層多晶矽接線區 3 0 8或半導體主動區3 0 1時，可能會與下層元件發生 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- -----------裝—-----訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511168 A7 B7_ 五、發明說明（1〇) 電短路，可能造成電源之.間接點電阻失序或短路。因此， 下層多晶矽接線區3 0 8及半導體主動區3 0 1必須製成 大於接點的尺寸。 圖5及圖6 A — 6 C係說明傳統的「理想曝光製程」 觀念直接應用至「柵式理想曝光製程」之實施例中半導體 裝置的結構構件之配置實施例。雖然根據「理想曝光製程 」之接點配置中的最小間隔爲1 L，但是，如圖5的平面 視圖及圖6 A的B — B ’剖面視圖中所示，當此直接應用至 「柵式理想曝光製程」時且假使接點區3 0 4與多晶矽接 線區3 0 8形成爲偏離半導體主動區3 0 1時，則用於接 點形成之多晶矽接線區3 0 8的部份會與主動區3 0 1重 疊。在該情形中，接線區3 0 8的一部份會作爲Μ 0 S電 晶體的閘電極，因而在不需要的部份形成通道。取決於重 疊量，電晶體的電流對電壓特徵曲線可能不利地改變。在 慮及上述下，多晶矽區3 0 8上的接點區3 0 4與半導體 主動區3 0 1上的接點區3 0 4之間的間隔希望爲3 L或 更多。 而且，如圖5的平面視圖及圖6 Β的C 一 C ’剖面視圖 所示，假使半導體主動區上界定的接點區3 0 4之間的間 隔不大於3 L，則裝置分離區3 0. 3的寬度將不足，以致 於可能在並列的裝置之間發生漏電流。根據本發明的本實 施例，爲了取得電晶體的最佳性能，使用最小的參考單位 1 L作爲閘長度。在圖6 Β的情形中，雖然裝置分離區 3 0 3的寬度係製成等於最小値1 L，但是，結構必須設 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ---l·— 訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 511168 A7 B7 五、發明說明（11) 計成無論裝置分隔區3 0 3的電位爲何，相對的半導體主 動區3 0 1之間須無電流流通。爲達此目的，裝置分離區 3 0 3的厚度必須製成夠大，此外，半導體基底4 0 2的 裝置分離區之下的雜質濃度必須製成夠大。但是，實際上 難以加大厚度又能同時保持最小寬度、或將濃密區保持在 最小寬度之內。因此，從總平衡的觀點而言，分離區應具 有2 L或更大的尺寸。在該情形中，形成於半導體主動區 上的並列的接點區3 0 4之間的間隔應具有5 L或更大之 長度。 關於要被界定於多晶矽接線區3 0 8上的並列接點之 間的間隔，由於接線區3 〇 8會因上述理由而製成大於接 點區3 0 4，所以，假使接點的間隔如同圖6 C中的D — D ’剖面中所示般製成等於1 l時，並列的多晶矽接線區 3 0 8之間的間隔實際上無法保持成不會發生短路。在慮 及此點下，多晶矽區3 0 2上的並列接點之間的間隔應製 成等於3 L或更大。 如同上述，當間隔S滿足下述關係： S ^ (2n-l)L (η = 2，3，…） 則裝置的特徵會最穩定且集成密度可以最高。 而且，在上述情形中，假使接點的尺寸製成等於最小 尺寸1 L，則接點之下的多晶矽接線區的尺寸可望製成等 於2 L，此外，其可配置成與最小的參考單位L的間距偏 本ϋ尺度適用中國國家標¥ (CNS)A4規格（210 X 297公爱) -14 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 MW. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511168 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12) 離約0 . 5 L。然後，當滿足粗圖案的規則時，在將相對 於接點的偏差列入考慮之下，對最小尺寸而言，可以確保 0 · 5L的對齊寬容度。 在上述的實施例中，已解釋接線區3 0 8並以多晶矽 爲例說明。但是，發明不限於此。舉例而言，可使用矽化 物膜、矽化物膜與多晶矽膜的多層膜、或金屬膜，具有類 似優點的結果。 〔第二實施例〕 關於在S〇I (矽在絕緣體上）基底上形成電晶體的 程序，由於其在裝置之間漏電流的機率小或電晶體的寄生 電容最小等不同優點，所以，已有很多應用發表以製造高 速電路。 本實施例係關於半導體‘裝置的最佳配置之範例，半導 體裝置係依據「柵式理想曝光製程」及「線性理想曝光製 程」而形成於S 0 I基底上。 圖7係裝置的平面視圖，而圖8 A及8 B係延著線E - E ’之剖面視圖。在本實施例中，並列的半導體主動區 3 0 1之間的間隔（亦即，裝置分離區3 0 3 )係製成等 於2 L，在上述第一實施例中係製成等於3 L。此處， 8 0 1係代表絕緣層區，其係設於半導體基底4 0 2之上 。電晶體會形成於半導體主動區3 0 1之內，主動區 3 0 1係設於絕緣層區8 0 1之上。具有半導體主動區 3 0 1設於絕緣層區8 0 1之上的結構之基底，通常稱爲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 Γ 18i 1 n l,Ji i —Bi 1 i_i ϋ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15- 511168 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13) s〇I基底。圖8 C及8 D係用於比較之實施例的剖面視 圖’其中裝置分離區3 0 3係在同於圖8 A或8 B的情形 之條件下形成於一般基底上（無絕緣層區8 0 1 )。 現在將配置圖8 A - 8 D，詳述本實施例的特點。圖 8 C係顯示並列接點3 0 4的最小間隔（3 L )以及並列 的半導體主動區3 0 1的最小間隔（2 L )會製成小於第 一實施例中的那些間隔（5 L及3 L )。如同參考圖6 B 中之上述所述般，假使接點區3 0 4如圖8 B所示般界定 爲偏離半導體主動區3 0 4，則在用於接點形成的蝕刻製 程中，蝕刻作用甚至會前進至用於裝置分離區之絕緣層區 3〇3。假使此現像發生時，會在接點區3 0 4與下層半 導體基底4 0 2之間產生短路，在電源之間造成接點電阻 失序或短路。因此不希望有上述配置。 但是，在如圖8 A中所不般電晶體設於S〇I基底上 的情形中，即使鈾刻作用到達裝置分離區的絕緣層3 0 3 ，但是由於在其下方存在有厚的絕緣層區8 0 1，所以， 未發生任何接點缺陷。此外，由於並列的半導體主動區 3 0 1會藉由絕緣體3 0 3及8 0 1而彼此完全地分離， 所以，如同第一實施例中所述般，不需要將半導體基底 4 0 2的裝置分離區3 0 3下方的密度條件或類似條件列 入考慮。因此，裝置分離的寬度可以製成較小。 由於上述原因，在電晶體設置於S〇I基底上的情形 中，裝置分離寬度應製成等於2 L或更大，且半導體主動 區上的並列接點之間的間隔應製成等於3 L或更大。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -16- -----------^裝·----丨丨丨訂！ ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511168 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（14) 雖然已參考絕緣層區8 0 1形成於半導體基底4 〇 2 的整個表面上之範例以說明本實施例，但是，本發明不p艮 於此實施例。以具有僅設置於半導體主動區3 0 1之下白勺 一部份中的絕緣層區8 0 1之基底，可取得類似的優讓占。 〔第三實施例〕 本實施例係關於一情形中最佳配置的實施例，在胃,丨青 形中係除了上述第一實施例之情形外，接線區會界定於接 點區3 0 4上。圖9係配置的平面視圖，圖1 〇係圖9中 的線F — F ’之剖面視圖。9 0 1係代表形成於接點區 3 0 4之上的接線區。關於用於接線區9 0 1的接線層， 主要使用諸如鋁、鋁和矽化物的混合、或銅等材料。但是 ，也可使用這些材料之外的其它金屬材料，舉例而言，鈷 、鈦、鎢、钽、或鉬。 一般而言，假使由於半導體製程中的對齊誤差或圖案 尺寸轉換差異而使形成於接點上的接線區與接點未對齊， 則接線金屬可能無法遮蓋整個接點，這可能造成接點尺寸 減少並因而增加接點電阻。或者，可能在接點中產生空乏 ’造成可靠度變差。由於這些原因，所以要形成於接點上 的接線區應製成大於接點的尺寸。 此處’假使接點3 0 4的尺寸等於最小的尺寸1 l， 則接點上之接線區的尺寸9 0 1可能需要製成等於寬度 2 L·，此外’接線區與接點的設計位置可能需要配置成偏 離最小參考單位L的間隔約〇 · 5 l。然後，當滿足粗圖 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 I ----訂 ill 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -17- 511168 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（15) 案的規則時，在將相對於接點的偏差列入考慮之下，對最 小尺寸而言，可以確保0 . 5 L的對準寬容度。 而且，並列的接線區9 0 1之間的間隔應製成等於 2 L或更大，以防止接線之間短路。 在上述實施例中，藉由李文森圖案之雙干射曝光，形 成精密的線圖案。但是，可以依據使用A F Μ、STM、 電子束、雷射光或近場光之探針繪製製程，以取代上述雙 千射曝光，形成精密的線圖案。在該情形中，僅對光阻曝 光臨界値僅由粗光罩圖案曝光達到之李文森圖案的部份， 同時使用相當於該部份中的李文森圖案曝光量之光量，執 行探針繪製。因此，可以大幅地減少繪製時間。亦即，舉 例而言，在圖1 B的情形中，以曝光量2曝光圖1 B中所 需的李文森二次曝光區1 0 5。而且，在圖2 C的情形中 ，僅有要與具有透射因數1之粗光罩圖案（圖2 C )的圖 案區2 0 1重疊且於其上要產生所需的圖案之李文森圖案 的部份203 (圖2C)，會接受相當於透射因數1的光 量繪製。關於精密的線圖案，不僅可以使用諸如李文森圖 案之週期性圖案，也可使用精密的線圖案未以規則的間距 配置之非週期性圖案。 在上述的實施例中，已提及在不同的區域3 0 1、 3 0 2及3 0 8之中接點區3 0 4的位置關係。在半導體 源中，可能有如圖1 1所示的情形，其中多個接點區 3 0 4會界定於一及相同區域中。在圖1 1的實施例中， 有二個接點區3 0 4係以間隔1 L形成於單一接線區 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -18- n n n n n n n Hi mmmmmm I · n Ml n n n n «1 一^^ n n ϋ n ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 禮· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511168 A7 ~~—----—-^- 五、發明說明（16 ) 3 0 8中，而且在單一半導體主動區3 0 1中有六個接點 區3 0 4，部份具有間隔1 L。 關於要形成於不同區上的接點區3 0 4，如同上述實 施例所述般，當參考單位爲L時，較佳地，接點區3 〇 4 可配置成具有間隔S，其滿足S 2 ( 2 η — 1 ) L之關係 ，其中η係不小於2之整數。另一方面，假使多個接點區 3 0 4係要形成於一及相同區上時，則接點區3 0 4可以 以相當於最小單位1 L之方式配置。這是因爲包括多個接 點區3 0 4之接點部份的電阻製成較小.，且即使一接點區 3 0 4因製程中的任何故障而未打開，但是另一接點區或 接點區3 0 4仍可確保電傳送，因而增加產能。由於在此 情形中，期望多個接點區3 0 4中的每一接點區均具有相 同功能，所以，無須.使這些接點區彼此分離大於（2 η -1 ) L之間隔。它們可以以最小單位1 L或更大之方式配 置。 〔第四實施例〕 接著，將解釋根據上述曝光方法之半導體裝置製法的 實施例。 圖1 2係用於製造微裝置之程序的流程圖，舉例而言 ，微裝置可爲半導體晶片（舉例而言’ I C s或LS I s )、液晶面板、C C D s、薄膜磁頭或微機構等。 步驟1係設計製程，用於設計半導體裝置的電路。步 驟2係根據電路圖案設計以製造光罩之製程。步驟3係藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- ------1-----裝---------訂----- 丨丨·# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511168 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（17) 由使用諸如矽等材料以製備晶圓之製程。步驟4係晶圓製 程（稱爲前置製程），其中，藉由使用所製備的光罩及晶 圓’經由光學照相蝕刻法，於晶圓上實際地形成電路。在 此步驟之後的步驟5係組裝步驟（稱爲後置製程），其中 ’已由步驟4處理的晶圓會形成半導體晶片。此步驟包含 組裝（切片及接線）製程及包裝（晶片封裝）製程。步驟 6係檢測步驟，於其中對步驟5所提供的半導體裝置執行 操作檢查、耐久性檢查等等。藉由這些製程，完成半導體 裝置及將它們裝運出貨（步驟7 )。 圖1 3係流程圖，顯示晶圓製程的細節。 步驟1 1係氧化製程，用以氧化晶圓表面。步驟1 2 係C V D製程，用以在晶圓表面上形成絕緣膜。步驟1 3 係電極形成製程，藉由汽相沈積以在晶圓上形成電極。步 驟1 4係離子佈植製程，用以將離子植入晶圓中。步驟 1 5係光阻製程，用以將光阻（感光材料·）塗敷於晶圓。 步驟1 6係曝光製程，經由上述的曝光設備，藉由曝光以 在晶圓上印出光罩的電路圖案。步驟1 7係顯影製程，用 以使曝光的晶圓顯影。步驟1 8係蝕刻製程，用以移除被 顯影的光阻影像之外的其它部份。步驟1 9係光阻分離製 程，用以將接收過蝕刻製程後餘留在晶圓上的光阻材料分 離。藉由重覆這些製程’電路圖形會重疊地形成於晶圓上 〇 藉由這些製程，可以以較低成本製造高密度的微裝置 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -20- -----------t---------^---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁). 511168 A7 B7 五、發明說明（18) 根據上述的本發明之實施例，可以製造具有穩定特徵 及高集成度的裝置。 雖然已參考此處所揭示的結構，說明本發明，但是， 本發明不限於揭示的細節，且本申請案係要涵蓋在改進的 目的之內或下述申請專利範圍的範圍之內的修改或改變。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 * 21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

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  1. 511168 (>r, (/ 正 M請委貢巧二：；本.!£:>正後是否變更点實質内容 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第88 1 1 4478號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年12月修正 1 · 一種微裝置，包括： 一基底；及 —_案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製_ 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀米 11案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等’及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含基底之第三區中所形成的多個接點區 •，及 其中，當條狀圖案之線寬及間隔以L表示.時，則介於相 鄰接點區之間的間隔實際上等於（2 η — 1 ) L ’其中η係 不小於2之整數。 2 .如申請專利範圍第1項之微裝置，其中第一曝光包 含一以第一精密條狀光圖案來照射基底及以實際上正交於第 ϋ張尺度適用中國國家$ ( CNSyA4^( 2i〇X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 511168 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 一精密條狀光圖案之第二精密光圖案來照射基底的重疊曝光 製程，且其中該裝置.之每個接點區係配置於第一與第二精密 條狀光圖案彼此重疊之部份中。 3 · —種微裝置，包括： 一基底；及 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等，及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含半導體主動區及形成於半導體主動區 上的多個閘區，該閘區係界定於第三區中以及一其中僅由第 二曝光所提供的曝光量係大於曝光臨界値的區·中；及 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時’則閘區 具有之間距實際等於2 L乘上整數之乘積。 4. 一種微裝置，包括： 一基底；及 ----------- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家’標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -2- 511168 A8 BS C8 __ D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等，及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含半導體主動區及形成於半導體主動區 上的接點區，該接點區係界定於第三區中；及 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時，則那些 形成於不同半導體主動區上之接點區具有實際上等於（2 η —1 ) L之間隔，其中η係不小於3之整數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 ·如申請專利範圍第4項之微裝置，其中每一接點區 具有邊長約1 L的長方形形狀，其中影印精密條狀圖案之步 驟包含重疊影印處理，用以印出第一精密條狀.圖案及印出與 第一精密條狀圖案實際正交的第二精密條狀圖案，及其中每 一接點區係配置於第一及第二精密條狀圖案與光罩圖案重疊 地印出之部份中。 6·—種微裝置，包括： 本^尺度適用不國國^M^TcNS 規你ΰΤ〇 Χ 297公釐） ; ： 511168 A8 B8 C8 D8 七、申請專利範圍 一基底；及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等’及（1 i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含閘接線區及形成於閘接線區上之多個 接點區；及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時，則接點 區具有實際上等於（2 η — 1 ) L之間隔，其中η係不小於 2之整數。 7 ·如申請專利範圍第6項之微裝置，其中每一接點區 具有邊長約1 L的長方形形狀，其中影印精密條狀圖案之步 驟包含重疊影印處理，用以印出第一精密條狀圖案及印出與 第一精密條狀圖案實際正交的第二精密條狀圖案，及其中每 一接點區係配置於第一及第二精密條狀圖案與光罩圖案重疊 地印出之部份中。 本^張尺度適用中國國家梂準(CNSy^^^r〇 X 2^97么 1Γ) 7ΤΊ — 511168 Α8 Β8 C8 D8 夂、申請專利範圍 8· —種微裝置，包括： —基底；及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 +被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等’及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含閘接線區、設於閘接線區上之第一接 點區、半導體主動區、及設於半導體主動區上之第二接點區 ，其中接點區係界定於第三區中；及 ‘經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時，則第一 及第二接點區具有實際上等於（2n-1)L之間隔，其中 η係不小於2之整數。 9 ·如申請專利範圍第8項之微裝置，其.中每一接點區 具有邊長約1 L的長方形形狀，其中影印精密條狀圖案之步 驟包含重疊影印處理，用以印出第一精密條狀圖案及印出與 第一精密條狀圖案實際正交的第二精密條狀圖案，及其中每 -5 - 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A8 B8 C3 --- D8____ A、申請專利範圍 —接點區係配置於第一及第二精密條狀圖案與光罩圖案重疊 地印出之部份中。 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} 1 0 · —種微裝置，包括： 一基底；及 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等，及（i i)用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中圖案結構包含半導體主動區及形成於半導體主動區 上之接點區，該接點區係界定於第三區中；及 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時，則那些 界定於不同半導體主動區上之接點區具有實際上等於（2 η —1 ) L之間隔，其中η係不小於2之整數。 1 1 ·如申請專利範圍第1 〇項之微裝置，其中每一接 點區具有邊長約1 L的長方形形狀，其中影印精密條狀圖案 之步驟包含重疊影印處理，用以印出第一精密條狀圖案及印 -6- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 511168 A8 B8 C8 __ __ D8 六、申請專利範圍 出與第一精密條狀圖案實際正交的第二精密條狀圖案，及其 中每一接點區係配置於第一及第二精密條狀圖案與光罩圖案 重疊地印出之部份中。 1 2 · —種微裝置，包括： 一基底；及 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等，及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第·二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含閘接線區及形成於閘接線區上之多個 接點區，該接點區係界定於第三區中；及 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時，則閘接 線區的外週圍會配置成與接點區的外週圍向外偏離約1 / 2 L 〇 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之微裝置，其中接點區 具有邊長約1 L的長方形形狀，其中影印精密條狀圖案之步 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > A4規格（2H>X297公釐） -------- ---丨 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 511168 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 驟包含重疊影印處理，用以印出第一精密條狀圖案及印出與 第一精密條狀圖案實際正交的第二精密條狀圖案，及其中接 點區係配置於第一及第二精密條狀圖案與光罩圖案重疊地印 出之部份中。 14·一種微裝置，包括： 一基底；及 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等，及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含多個接點區及形成於接點區上之接線 區，該接點區係界定於第三區中；及 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時，則接線 區的外週圍會配置成與接點區的外週圍向外偏離約1 / 2 L 〇 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之微裝置，其中接點區 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS > A4規格（210X297公釐） 511168 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 具有邊長約1 L的長方形形狀，其中影印精密條狀圖案之步 驟包含重疊影印處理·，用以印出第一精密條狀圖案及印出與 第一精密條狀圖案實際正交的第二精密條狀圖案，及其中接 點區係配置於第一及第二精密條狀圖案與光罩圖案重疊地印 出之部份中。 16. —種微裝置，包括： 一'基底；及 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等，及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含形成於第三區中以及一其中僅由第二 曝光所提供的曝光量係大於曝光臨界値的區中之多個閘接線 區；及 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時’則閘區 具有實際上等於2 L乘上整數之乘積的間隔。 本紙張尺度適用中國國家‘標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） _ q · 511168 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1 7 · —種微裝置，包括： 一基底·，及 一圖案結構，依據多個製程而形成於基底上，該眾多製 程包含多重曝光製程，該多重曝光製程具有（i )用條狀光 圖案照射基底以一小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其 中被照射之基底上的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此 相等，及（i i )用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 其中圖案結構包含形成於第三區中之接點上的多個接線 區；及 其中，當條狀光圖案之線寬及間隔以L表示時，則接.線 區具有實際上等於2 L乘上整數之乘積的間隔。 18.—種微裝置製造方法，包括： 用於基底之多重曝光製程，以在基底上形成裝置圖案結 構，該多重曝光製程包含（i )用條狀光圖案照射基底以一 小於曝光臨界値之曝光量的第一曝光，其中被照射之基底上 的條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此相等，及（1 i ) 用另一不同於條狀光圖案之光圖案照射基底以一包含小於曝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ¾齊部智慧財產局員Μ消費合阼社印製 本紙張尺度適用中國國家祙準（CNS > Α4規格（210X297公釐） -10- 511168 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^ 光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一％二區’其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中； 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上； 將裝置的特別結構部分配置在條狀光圖案與另一光圖案 彼此重疊的部分中；及 在曝光之後對基底顯影。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中影印精密 條狀圖案之步驟包含重疊影印處理’用以印出第一精密條狀 圖案及印出與第一精密條狀圖案實際正交的第二精密條狀圖 案，及其中裝置的特別結構部份係配置於第一及第二精密條 狀圖案與光罩圖案重疊地印出之部份中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 〇 ·如申請專利範圍第1 9項之方法，其中，當精密 條狀圖案具有間距2 L時，裝置的多個特別結構部份具有實 際等於（2 η - 1 ) L之間隔，其中η係不小於2的整數。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項之方法，其中該或每一 特別結構部份包括接點區。 . 2 2 ·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中精密條狀 圖案包括李文森圖案。 2 3 ·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中精密條狀 圖案係依據雙光束千射曝光法形成的。 本適用f國國家袜ί「CNS ) Λ4規格(210 X 297公ϋΠ~ ： 一 511168 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 4 ·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中，當精密 條狀圖案具有間距2 L時，光罩圖案的寬度及其圖案的間隔 實際上等於n L，其中η係不小於2之整數。 25· —種曝光方法，包括： 用一第一條狀光圖案來照射基底以一第一曝光量及用一 實際上正交於第一條狀光圖案之第二條狀光圖案來照射基底 以一第二曝光量的第一曝光； 其中第一曝光量、第二曝光量及相應於第一與第二曝光 量之總和的曝光量均小於一曝光臨界値，且其中基底上之第 一及第二條狀光圖案之線寬及間隔係實際上彼此相等； 用另一不同於第一及第二條狀光圖案之光圖案來照射基 底以一包含小於曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中；及 經濟部智慧財產局員X消費合作社印製 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上。 26.—種微裝置，包括： —基底；及 一圖案結構，依據至少一曝光製程而形成於基底上，該 曝光製程包含（i )用一第一條狀光圖案來照射基底以一第 一曝光量及用一實際上正交於第一條狀光圖案之第二條狀光 圖案來照射基底以一第二曝光量的第一曝光，其中第一曝光 ^氏張^*適用中國國家祙準(€：奶)从規格（210><297公釐) ~ ~ 511168 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 量、第二曝光量及相應於第一與第二曝光量之總和的曝光量 均小於一曝光臨界値，且其中基底上之第一及第二條狀光圖 案之線寬及間隔係實際上彼此相等，及（i i )用另一不同 於第一及第二條狀光圖案之光圖案來照射基底以一包含小於 曝光臨界値之部分的曝光量的第二曝光； 其中被照射之基底具有：由第一曝光所曝光之第一區、 由第二曝光所曝光且其曝光量小於曝光臨界値之第二區、及 一第三區，其係界定於其中第一與第二區彼此重疊且具有大 於曝光臨界値之合倂曝光量的部分中；及 其中第一與第二曝光之間並無顯影製程以使得條狀光圖 案與另一光圖案係彼此重疊於基底上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 本紙張尺度適用中國國家·梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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